「Exposed (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In advance of the deposition of a Ta barrier metal film, the exposed surface of the fluoridated carbon film is treated with nitrogen radical etc. to remove fluorine atoms.例文帳に追加

Ｆ添加カーボン膜の露出表面を、Ｔａバリアメタル膜の堆積に先立って、窒素ラジカルなどにより処理し、Ｆ原子を除去する。 - 特許庁

The first prevention film 32 exposed on the bottom face of a photoresist pattern 44, the polymer film 46 and the via hole 42 is removed.例文帳に追加

フォトレジストパターン４４、ポリマー膜４６及びビアホール４２の底面に露出された第１阻止膜３２を除去する。 - 特許庁

The silicon nitride film 3 is exposed by removing the shielding film 402 formed above portions other than the trench of the semiconductor device 1.例文帳に追加

つぎに、半導体基板１の溝以外の部分の上方に形成された、遮光膜４０２を除去して、窒化シリコン膜３を露出させる。 - 特許庁

Gate electrodes 107a are formed by etching the reflection preventing film pattern and the first conductive film, and the hard mask pattern 111a is exposed.例文帳に追加

反射防止膜パターン及び第１導電膜をエッチングしてゲート電極１０７ａを形成し、ハードマスクパターン１１１ａを露出させる。 - 特許庁

Then the entire surface of the photoresist film 30 is irradiated with a light, so that the photoresist film 30 outside of the channel 25 is exposed.例文帳に追加

次に、フォトレジスト膜３０の全面に露光光を照射して溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を露光する。 - 特許庁

A section of the first laminated film and the second laminated film is exposed by the cutting and radiated with laser light.例文帳に追加

そして、前記切断により露呈された第１の積層フィルム及び第２の積層フィルムの切断面に対してレーザー光を照射する。 - 特許庁

Next, a GaN film 3 (a compound semiconductor film) is epitaxially grown on the exposed surface of the sapphire substrate 1.例文帳に追加

次に、サファイア基板１の露出している部分の上に、ＧａＮ膜３（窒素を含む化合物半導体膜）をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

After the fluorine is diffused into the air from exposed regions of the TEOS film 18, a silicon nitride film 22 is formed on the metal wiring 20.例文帳に追加

TEOS１８の露出部からフッ素を外気中に拡散させた後、金属配線２０の上にシリコン窒化膜２２を形成する。 - 特許庁

The second resist film 13 is patternwise exposed with light of the second wavelength using a liquid crystal mask and the film 13 is developed.例文帳に追加

次に、第２の波長の光により、液晶マスクを用いて、第２レジスト膜１３をパターン露光し、第２レジスト膜１３を現像する。 - 特許庁

Then the exposed upper layer resist film 5 is developed to form an upper layer resist pattern 5a from the upper layer resist film.例文帳に追加

続いて、露光された上層レジスト膜５を現像して、上層レジスト膜から上層レジストパターン５ａを形成する。 - 特許庁

A latent image is formed with direct drawing on the second resist film by using light with a wavelength region which the second resist film is exposed.例文帳に追加

第２のレジスト膜が感光する波長域の光を用いて該第２のレジスト膜に直接描画して潜像を形成する。 - 特許庁

SiC exposed on a substrate is oxidized by thermal oxidization to form a gate insulating film 9 composed of a silicon oxide film.例文帳に追加

熱酸化により、基板上に露出しているＳｉＣを酸化して、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

Then, a metal film is formed on the semiconductor substrate so that the light-shielding film and the exposed semiconductor substrate surface are covered.例文帳に追加

次に、半導体基板上に、遮光膜および露出した半導体基板表面上を覆うように金属膜を形成する。 - 特許庁

The second conductive film 52 is formed on the first sacrifice layer 81 and the insulating film 4 exposed adjacently thereto.例文帳に追加

第１犠牲層８１及びこれに隣接して露出する絶縁膜４上に第２導電性膜５２を形成する。 - 特許庁

An oxide film 102 formed on a silicon substrate 101 is irradiated with ultraviolet rays, in a state in which the oxide film 102 is exposed to hydrogen gas.例文帳に追加

シリコン基板１０１上の酸化膜１０２が、水素ガスに晒された状態で、酸化膜１０２に紫外線を照射しておく。 - 特許庁

By supplying the reducing agent, effect of oxidation on the exposed metal-containing film is reduced, therefore enhancing conductive properties of the metal film.例文帳に追加

還元剤を供給することによって、露出した金属含有膜の酸化が低減され、その結果金属膜の導電特性が向上する。 - 特許庁

As to the contact holes in the protective film, only drain electrodes of the thin film transistors are exposed, and the gate pads and the source pads are protected.例文帳に追加

保護膜のコンタクトホールは、薄膜トランジスタのドレイン電極のみを露出させて、ゲートパッドとソースパッドは保護する。 - 特許庁

A second inorganic film that is exposed in the groove and soaked in the ink supplied to the groove is superposed on the first inorganic film.例文帳に追加

第１の無機膜の上に、溝内に露出されるとともに溝に供給されたインクに浸かる第２の無機膜が積層されている。 - 特許庁

Through reactive ion etching, the power supply film 12 in a region exposed from the plating film 15 is removed, and a desired wiring pattern 16 is obtained.例文帳に追加

ついで、反応性イオンエッチングによりメッキ被膜１５から露出した領域の給電膜１２を除去し、所望の配線パターン１６を得る。 - 特許庁

Then, the light-shielding film and the insulating film are removed selectively and partially by the same mask, and the surface of the semiconductor substrate is exposed partially.例文帳に追加

次に、同一マスクを用いて遮光膜および絶縁膜の一部を選択的に除去するとともに、半導体基板表面の一部を露出する。 - 特許庁

This organic insulating film is exposed and developed to form rugged grooves 205 for forming bending at reflection electrodes in the upper part of the insulation film.例文帳に追加

前記有機絶縁膜を露光及び現像して有機絶縁膜の上部には反射電極に屈曲を形成するための凹凸構造２０５を形成する。 - 特許庁

Active regions 10b covered with the protection film 12 and element separation regions 13 exposed from the protection film 12 are formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

その後、半導体基板１０に、保護膜１２に覆われた活性領域１０ｂと保護膜１２から露出した素子分離領域１３とを形成する。 - 特許庁

The dip coating film 12 is exposed to dried air to vaporize a solvent and the water droplets, thereby providing the porous film having used the water droplets as a template.例文帳に追加

ディップ塗布膜１２に乾燥空気をあてて、溶剤と水滴とを蒸発させると、水滴を鋳型とする多孔フィルムが得られる。 - 特許庁

Then, after the gate electrode is exposed by removing the silicidation prevention film pattern, a second silicide film is formed on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

次に、シリサイド化防止膜パターンを除去してゲート電極を露出させた後、ゲート電極表面に第２金属シリサイド膜を形成する。 - 特許庁

The resist film 4 on the side faces 1c, 1d is exposed from the opening 8a to apply patterning to the resist film 4.例文帳に追加

開口８ａから側面１ｃ、１ｄ上のレジスト膜４を露光し、レジスト膜４をパターニングする。 - 特許庁

An exposed part 15 exposing a copper plating film without forming the gold plating film is formed on the upper face terminal part 12.例文帳に追加

上面端子部１２には金めっき膜が形成されていない銅めっき膜が露呈した露呈部１５が形成されている。 - 特許庁

Then, the bank film 31 is selectively exposed using a mask M, and repellent treatment is performed on the bank film 31.例文帳に追加

そして、マスクＭを用いてバンク膜３１を選択的に露光し、バンク膜３１に撥液処理を施す。 - 特許庁

Then a silicon oxide film is formed on the exposed surface of the HSQ film by the plasma CVD method.例文帳に追加

次に、ＨＳＱ膜の露出している表面上にプラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

A photoresist 130 is deposited on a layer type film 120 and after the photoresist 130 is exposed and developed, the film 120 is processed.例文帳に追加

（ａ）層状膜１（１２０）上に、（ｂ）フォトレジスト（１３０）を堆積し、（ｃ）フォトレジスト（１３０）を露光現像後、（ｄ）層状膜１（１２０）を加工する。 - 特許庁

Next, the hard mask film is removed until the surface of the sacrificial film formed inside the corner portion 125 is exposed.例文帳に追加

その後、コーナー部１２５の内側に形成された犠牲膜の表面が露出するまでハードマスク膜を除去する。 - 特許庁

During the first time of forming the photo resist pattern, the film is exposed with an exposure amount to a degree that light does not enter the Al film 14.例文帳に追加

１回目のフォトレジストパターン形成工程では、Ａｌ膜１４にまで光が入らない程度の露光量で露光する。 - 特許庁

A Au film 3 is then formed with the non-electrolytic plating in a resist non-forming region, where the Ni film 2 is exposed.例文帳に追加

上記Ｎｉ膜２が露出しているレジスト非形成領域に無電解メッキによりＡｕ膜３を成膜する。 - 特許庁

Slits of the reflecting film 21 are formed in the areas 41 between sub-pixels, and the adjustment film 120 is exposed to form light shielding parts 20y.例文帳に追加

そのサブ画素間領域４１に反射膜２１のスリットが形成され、調整膜１２０を露出させて遮光部２０ｙが形成されている。 - 特許庁

When an oxide film 54 and a nitride film 56 are etched using a fluorine-base gas, a reaction product 64 adheres to an exposed aluminum wiring 52.例文帳に追加

フッ素系ガスを用いて酸化膜５４と窒化膜５６へのエッチングを行うと、露出したアルミ配線５２に反応生成物６４が付着する。 - 特許庁

The copper film 9 is oxidized exposed to oxygen atmosphere, and an oxide copper 10 is formed in the surface of the copper film 9.例文帳に追加

そして、銅膜９を酸素雰囲気に晒して酸化し、銅膜９の表面に酸化銅１０を形成する。 - 特許庁

The protective film is removed from the substrate which is exposed in the state where the liquid layer is first formed on a front surface of the resist film.例文帳に追加

先ずレジスト膜の表面に液層を形成した状態で露光した後の基板から保護膜を除去する。 - 特許庁

Opening parts are formed in the SiO2 layer 3 and a metal thin film 4, where the boron nitride film 2 is exposed.例文帳に追加

そして、SiＯ_2層３と金属薄膜４には開口部が形成されており、開口部においては窒化硼素膜２が剥き出しになっている。 - 特許庁

The silicon nitride film and the first thermal oxide film exposed from the resist mask are removed one by one, and the resist mask is removed.例文帳に追加

レジストマスクから露出するシリコン窒化膜及び第１熱酸化膜を順次に除去し、レジストマスクを除去する。 - 特許庁

The side surface of the Al film is subjected to nitriding by irradiating a nitrogen plasma on the side surface and a nitride layer 4b is formed on the exposed side surface of the Al film 4 (c).例文帳に追加

窒素プラズマを照射することにより、窒化処理を行い露出したＡｌ膜４側面に窒化層４ｂを形成する（ｃ）。 - 特許庁

A solder wettable metal film 16 (metal film) is formed on one part of the conductor interconnection 14 exposed on the surface of the insulated layer 12.例文帳に追加

絶縁層１２の表面に露出する導体配線１４の一部上には、半田濡れ金属膜１６（金属膜）が形成されている。 - 特許庁

Openings are formed in the first insulation film and the first conductive film, and the semiconductor board exposed under the opening is etched to form a groove.例文帳に追加

第１の絶縁膜及び第１の導電膜に開口を形成し、開口の下に露出した半導体基板をエッチングし、溝を形成する。 - 特許庁

After the insulation film 36 and the insulation film 27 exposed from the opening part 32 are removed, copper wiring is formed inside the opening parts 32 and 38.例文帳に追加

絶縁膜３６と開口部３２から露出する絶縁膜２７を除去した後、開口部３２および３８内に銅配線を形成する。 - 特許庁

Since the surface of the silicon film 3p is exposed to the external air, a natural oxide film 9 is generated on its surface.例文帳に追加

このシリコン膜３ｐの表面は外気に曝されるためその表面に自然酸化膜９が生成される。 - 特許庁

When an unnecessary portion is removed, the emitter film 15 and the gate film 11a are exposed, and a field emission element is obtained.例文帳に追加

そして、不要部分を除去することによりエミッタ膜とゲート膜とを露出させて電界放射型素子を得る。 - 特許庁

A resist film 5, photosensitized by a wavelength which is different from the wavelength photosensitizing the resist film 3, is applied thereto and then is exposed to light by using a wiring mask.例文帳に追加

レジスト膜３とは異なる波長にて感光するレジスト膜５を塗布形成した後、配線型マスクで露光する。 - 特許庁