「FG」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

When it is determined that the vehicle can appropriately traverse the curve (Fg=0), a start threshold value Kj of the understeer suppression control is set to a large value (a default value K2), and a first characteristic (a default characteristic Bm**) is selected in which the braking force for each wheel is distributed so as to emphasize the yaw characteristic of the vehicle.例文帳に追加

車両がカーブを適切に通過できると判定された場合（Ｆｇ＝０）、アンダステア抑制制御の開始しきい値Ｋｊが大きい値（デフォルト値Ｋ２）に設定され、且つ、車両のヨー特性が重視されるように各車輪の制動力が配分される第１特性（デフォルト特性Ｂｍ**）が選択される。 - 特許庁

The front guide group (FG) and the back guide group (GB) of a warp knitting machine with double-row needle beds are arranged and controlled skillfully and cleverly so as to allow the front knitted fabric (FK) and the back knitted fabric (BK) to cross and/or get entangled each other at the sinker loops mutually contacting inside between the double-knitted fabric.例文帳に追加

２列針床経編機のフロントガイド群ＦＧとバックガイド群ＢＧの巧みな配設と、その制御により、両面経編地の表編地ＦＫと裏編地ＢＫの互いに内接するシンカーループ同士を交錯、絡み合わせることにより表裏２枚の編地を確実に接結させるという手段を採用したものである。 - 特許庁

This jib sail such as a stream jib sail SJ includes an enclosing part 1 for enclosing a jib furring device FG or a fore stay from the outside, and a pair of sail parts 2, 2 formed to be connected to both sides of the enclosing part 1 and having a head 2a, a tack 2b and clew 2c to be used in an overlap state.例文帳に追加

ジブセールたとえばストームジブセールＳＪは、ジブファーリング装置ＦＧまたはフォアステイをその外側から包囲する包囲部１と、包囲部１の両側に連続して形成されるとともに、重ね合わせて使用されるようにそれぞれヘッド２ａ、タック２ｂおよびクルー２ｃを有する一対のセール部２、２とを具備している。 - 特許庁

A source impurity region 4 and a drain impurity region 5 are separately formed in a semiconductor layer 3 supported on a substrate 1 and a memory transistor constituted by laminating a gate insulating film 7, a floating gate FG, a inter-gate insulating film 8, and a control gate CG upon another, is provided on the semiconductor layer 3 between the impurity areas 4 and 5.例文帳に追加

基板１に支持された半導体層３内にソース不純物領域４およびドレイン不純物領域５が互いに離間して形成され、両不純物領域４，５に挟まれた半導体層部分の上に、ゲート絶縁膜７、浮遊ゲートＦＧ、ゲート間絶縁膜８および制御ゲートＣＧが積層されたメモリトランジスタを有する。 - 特許庁

The concentration of ginsenoside Rb1 is preferably a low concentration, particularly the concentration of an extracellular fluid is ≤1 ng/ml, preferably ≤1 pg/ml, more preferably ≤100 fg/ml.例文帳に追加

本発明は、低濃度、好ましくは１ｎｇ／ｍｌ以下、より好ましくは１〜１００ｆｇ／ｍｌのジンセノサイドＲｂ_１又はその塩を含有してなる医薬組成物に関し、本発明の医薬組成物は細胞死抑制遺伝子産物Ｂｃｌ−ｘ_Ｌの発現を促進させ、また、アポトーシス又はアポトーシス様細胞死を抑止する作用を有する。 - 特許庁

A fuse F formed in a peripheral circuit formation area on a semiconductor substrate 1 is formed of three layers: a polycrystalline silicon film 10 which constitutes a floating electrode FG of a non-volatile memory cell formed in a memory cell formation area, a polycrystalline silicon film 22 which constitutes a control electrode CG, and a tungsten silicide film 23.例文帳に追加

半導体基板１上の周辺回路形成領域に形成されたヒューズＦを、メモリセル形成領域に形成された不揮発性メモリセルの浮遊電極ＦＧを構成する多結晶シリコン膜１０と、制御電極ＣＧを構成する多結晶シリコン膜２２およびタングステンシリサイド膜２３との３層で構成する。 - 特許庁

A programmable ROM block 20 provided in the integrated circuit device 10 has a memory cell MC in which a floating gate FG shared in each of gates of a writing/reading transistor 220 and an erasing transistor 230 is a single layer gate structure opposite to a control gate CG consisting of an impurity layer NCU via an insulation layer.例文帳に追加

集積回路装置１０に設けられたプログラマブルＲＯＭブロック２０は、書き込み／読み出しトランジスタ２２０及び消去トランジスタ２３０の各ゲートに共用されるフローティングゲートＦＧが、不純物層ＮＣＵより成るコントロールゲートＣＧと絶縁層を介して対向した単層ゲート構造であるメモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a second gate insulating film layer 7 consists of an NONON multilayer film structure, and a silicon nitride film 7a located at the lowermost layer is formed in a region touching a floating gate electrode layer FG, but a silicon oxide film 7b is formed on an isolation film 6 substantially over the entire surface thereof.例文帳に追加

第２のゲート絶縁膜層７がＮＯＮＯＮ積層膜構造で構成されると共に、その最下層に位置するシリコン窒化膜７ａがフローティングゲート電極層ＦＧに接触する領域では形成されているものの素子分離絶縁膜６上にはシリコン酸化膜７ｂが略全面に渡って形成されている。 - 特許庁

A control device controls a tool magazine, and estimates centrifugal force acting on the tool (Step S1 to S3), and determines a maximum revolving speed ωmax of the tool magazine on the basis of the estimated centrifugal force and limit centrifugal force Flimit set on the basis of grip force FG of the tool in a grip arm.例文帳に追加

工具マガジンを制御する制御装置は、工具に作用する遠心力を推定し（ステップＳ１〜Ｓ３）、工具マガジンの最高旋回速度ωmaxを、推定した遠心力と、グリップアームにおける工具のグリップ力ＦGに基づき設定される限界遠心力Ｆlimitとに基づいて決定する（ステップＳ４〜Ｓ７）。 - 特許庁

An FG signal indicating the rotational speed of a motor generated by a logic circuit 5 is transmitted to a voltage signal through a speed discriminator 6 and a filter 7, a voltage signal whose voltage is higher than that in the circuit is transmitted to a PWM comparator 11, and a PWM signal is transmitted to the logic circuit 5.例文帳に追加

又、ロジック回路５で生成されたモータの回転速度を表すＦＧ信号が速度ディスクリミネータ６及びフィルタ７を介して電圧信号としてＯＲ回路９に送出され、当回路より電圧の高い電圧信号がＰＷＭコンパレータ１１に送出され、ＰＷＭ信号がロジック回路５に送出される。 - 特許庁

In this semiconductor memory device having a memory cell for storing data by accumulating electric charges such as electrons and the like in a floating gate FG or by not accumulating, data desired to restore is stored by making the memory cell a first memory cell Q2 having a first charges exchange capability and a second memory cell Q3 having a second charges exchange capability.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲートＦＧに電子などの電荷を蓄積するまたはしないことによりデータを記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、そのメモリセルを第１の電荷交換能力を持つ第１のメモリセルＱ２と第２の電荷交換能力を持つ第２のメモリセルＱ３にすることで、復活させたいデータを記憶させることを特徴とする。 - 特許庁

In a process to form a polysilicon resistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, the concentration of an impurity into polysilicon is set at 1×1020 cm-3 or more, and a film or an aluminum wiring 9 is arranged at least on a part of the polysilicon resistor 10 to prevent diffusion of hydrogen when the concentration is treated in an FG gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたポリシリコン抵抗１０を形成する工程において、ポリシリコン中のに注入する不純物濃度を１×１０^20ｃｍ^-3以上としＦＧガス雰囲気で処理する際にポリシリコン抵抗１０の少なくとも一部の上に水素の拡散を阻害する膜あるいはアルミニウム配線９を配置する。 - 特許庁