「FOR GE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

An Sb-Te-Ge alloy is used for a recording layer.例文帳に追加

記録層にＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を用いる。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PRODUCTION OF TARGET MATERIAL FOR Ge-Sb-Te SYSTEM SPUTTERING例文帳に追加

Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 - 特許庁

Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

Ge-Bi ALLOY TARGET FOR SPUTTERING AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

スパッタリング用Ｇｅ−Ｂｉ合金ターゲット及びその製造方法 - 特許庁

Sunakake-babaa became instantly famous nationwide by a comic book titled "Ge-Ge-Ge no Kitaro" written by Shigeru MIZUKI, in which Sunakake-babaa is a specter who fights against enemies for justice together with the main character, Kitaro. 例文帳に追加

水木しげるによる漫画『ゲゲゲの鬼太郎』で鬼太郎と共に戦う正義の妖怪としての活躍により一躍、全国的に有名な妖怪となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

METHOD FOR ANALYZING AND MEASURING DOPANT ELEMENT IN DOPANT ELEMENT DOPE Ge例文帳に追加

ドーパント元素ドープＧｅにおけるドーパント元素の分析・測定方法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

METHOD FOR FORMING Ge ON III/V-ON-INSULATOR STRUCTURE例文帳に追加

Ｇｅ・オン・ＩＩＩ／Ｖ族・オン・インシュレータ構造を形成するための方法 - 特許庁

GE announced the acquisition of the company Laku for $30 million. 例文帳に追加

ＧＥはレイク（株）を３０００万ドルで買収したと発表した。 - Tanaka Corpus

GE announced the acquisition of the Lake company for $30 million.例文帳に追加

ＧＥはレイク（株）を３０００万ドルで買収したと発表した。 - Tatoeba例文

Therefore, "格" ("Ge") for supplemental or amendment purposes, and "式" ("Shi") for the actual enforcement of Luli and Ge as their bylaws were also developed and enacted. 例文帳に追加

そのため、律令の規定を補足・改正する格（きゃく）や律令や格を実際に施行する上での細則である式（しき）が制定されるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The long-term use in the atmosphere is realized by the slight combined Ge and P for the purpose of oxidation prevention in the solder bath.例文帳に追加

はんだ浴中のはんだの酸化防止のためGeとPを併用した微量添加で大気中での長期間の使用を可能にする。 - 特許庁

A second reflection surface pair 16, a third reflection surface pair 22, and a fourth reflection surface pair 28 are used for diffracting the X-ray by Ge {400} plane, Ge {422} plane, and Ge {511}plane, respectively.例文帳に追加

第２の反射面ペア１６はＧｅ｛４００｝面、第３の反射面ペア２２はＧｅ｛４２２｝面、第４の反射面ペア２８はＧｅ｛５１１｝面でそれぞれＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁

In the first popularity vote on ghosts held by the tourist association of Sakaiminato City (Mizuki's hometown), Tottori Prefecture, Ittan-momen won first place; for details about its character in the comic book, please refer to the article of "Ittan-momen" (Ge Ge Ge no Kitaro). 例文帳に追加

水木の出身地・鳥取県境港市の観光協会による「第1回妖怪人気投票」では1位に選ばれた（『鬼太郎』でのキャラクターについては一反木綿(ゲゲゲの鬼太郎)を参照）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GE announced the acquisition of the company Laku for $30 million.例文帳に追加

ＧＥはLAKUと言う株式会社を３０００万ドルで買収したと発表した。 - Tatoeba例文

In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.例文帳に追加

Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁

This Article "Kokushi-shijin" (envoys of provincial governors) provided rules and regulations for a provincial governor to dispatch an envoy carrying a message called "ge" from a lower-ranked official to his superior. 例文帳に追加

国司使人（国司が解を持った使者を派遣する際の規定） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

To provide a method for analyzing and measuring a present state and abundance without destroying and contacting in a dopant Ge in a dopant atom dope Ge.例文帳に追加

ドーパント原子ドープＧｅにおけるドーパントのＧｅ中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。 - 特許庁

Further, an infrared light source is preferably used as a heating source for heating the Ge substrate 2.例文帳に追加

Ｇｅ基板２を加熱するための加熱源として赤外光光源を用いるとよい。 - 特許庁

On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.例文帳に追加

この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Nb3 (Al, Ge) OR Nb3 (Al, Si) VERY THIN MULTIPLE CORE SUPERCONDUCTIVE WIRE例文帳に追加

Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）またはＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）極細多芯超伝導線の製造方法 - 特許庁

The second connection metal layer 31 and the oxidation prevention layer 52 are formed of, for instance, Ge.例文帳に追加

第２の接続金属層３１及び酸化防止層５２は例えばＧｅで形成される。 - 特許庁

This sulfide glass for the optical amplifier is provided with the 3-component system of Ge-Ga-S, Pr3+ added to the 3-component system of Ge-Ga-S and the alkali halogen added to the 3-component system of Ge-Ga-S.例文帳に追加

本発明による光増幅器用硫化物ガラスは、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓの３成分系と、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓの３成分系に添加されたＰｒ^3+と、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓの３成分系に添加されたアルカリハロゲンとを含む。 - 特許庁

Each of GE 11-14 is provided with a plotting operation processor 34 for performing coordinate calculating processing to the distributed plotting command, a GE into FIFO 32 for holding the plotting command and a FIFO capacity check circuit 33 for checking the empty capacity of the GE input FIFO.例文帳に追加

各ＧＥ１１〜１４は、分配されてくる描画コマンドに対して座標計算処理を行う描画演算プロセッサ３４と、描画コマンドを保持するＧＥ入力ＦＩＦＯ３２と、ＧＥ入力ＦＩＦＯの空き容量をチェックするＦＩＦＯ容量チェック回路３３とを備える。 - 特許庁

Activation of Ge n-type dopants and reasonable SPER rates for Si provide a practical lower limit on temperature of 500°C, and the melting of Ge provides an upper limit of 937°C.例文帳に追加

Ｇｅのｎ型ドーパントの活性化と、Ｓｉの妥当なＳＰＥＲ速度は、５００℃の温度の実際の下限を与え、Ｇｅの溶融は、９３７℃の上限を与える。 - 特許庁

For example, the intermediate layer 20 includes at least one kind selected from among Si-Sb, Si-Te, and Si-Ge, when the phase change material includes Ge, Sb, and Te.例文帳に追加

例えば相変化材料がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含む場合、中間層２０は、Ｓｉ−Ｓｂ、Ｓｉ−Ｔｅ、Ｓｉ−Ｇｅの少なくとも一種を含む。 - 特許庁

A crystal piece containing at least Ge is set on the bottom of a crucible 11 for cast growth.例文帳に追加

キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＧｅを含む結晶片を配置する。 - 特許庁

To provide a Ge negative electrode for a lithium-ion secondary battery which has little deterioration due to charging and discharging.例文帳に追加

充放電に伴う劣化の少ない、リチウムイオン二次電池のＧｅ負極を提供すること。 - 特許庁

For this contribution, he was promoted from Shorokuinojo (Senior Sixth Rank, Upper Grade) to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto] in August of the same year. 例文帳に追加

この功により、同年8月に正六位上から外従五位下に昇進した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a Ge crystal thin film of sufficient crystal quality, by applying thermal annealing to Ge crystals, even when a portion of low thermal resistance such as a silicon device is provided in a Si substrate.例文帳に追加

シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がＳｉ基板に設けられた場合でも、Ｇｅ結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のＧｅ結晶薄膜を得る。 - 特許庁

The gold alloy for casting includes: 5-50 mass% of at least one of Pt and Pd; 0.8-5 mass% Ge; and the balance Au, wherein the surface thereof is covered with a white oxide layer.例文帳に追加

Pt及びPdの少なくとも１種を5〜50mass％、Geを0.8〜5mass％含み、残部がAuからなり、合金表面が白色酸化物層で覆われていることを特徴とする鋳造用金合金。 - 特許庁

Each of unit processing sections U[n] creates a processing coefficient sequence Ge_n comprised of coefficient values Ge[1]_n to Ge[K] for each frequency from stereo acoustic signals SIN_L and SIN_R.例文帳に追加

各単位処理部Ｕ[n]は、周波数毎の係数値Ｇe[1]_n〜Ｇe[K]で構成される処理係数列Ｇe_nをステレオ形式の音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rから生成する。 - 特許庁

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

To improve the soldering properties of an Au-Ge alloy soldering ball for joining and sealing of an electronic component or the like.例文帳に追加

電子部品などの接合、封止用半田付け用ＡｕＧｅ合金球の半田付け特性向上。 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

Many fraudulent works were already seen even for "the Chunhua ge Tie" with which mokoku began to be used in earnest. 例文帳に追加

本格的に模刻の始まった『淳化閣帖』からして既に大量の偽物が紛れ込んでいた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To effectively suppress the generation of a micro arc even if power supply to a target is increased in order to shorten a tact time necessary for sputtering when film-forming a Ge simple film, a Ge compound film, a Ge alloy film, and the like, by sputtering method.例文帳に追加

Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などをスパッタ法により成膜する際に、スパッタリングに要するタクトタイムを短縮するために、ターゲットへの投入電力を増大させた場合においても、マイクロアークの発生を有効に抑制することを可能にする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

Since Ge is used for the base layer 1, the bandgap in a room temperature can be as small as approximately 0.66 eV.例文帳に追加

ベース層１にＧｅを用いたので、室温でのバンドギャップが０．６６ｅＶ程度と小さくすることができる。 - 特許庁

A first reflection surface pair 11 is used for diffracting X-rays by Ge {220} plane or {440} plane.例文帳に追加

第１の反射面ペア１１はＧｅ｛２２０｝面または｛４４０｝面でＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁

To provide a Gigabit Ethernet(R) passive optical network (GE-PON) system and a media access control method for the same.例文帳に追加

ギガビットイーサネット（登録商標）受動光ネットワークシステム及びその媒体接続制御方法を提供する。 - 特許庁