「Hdp」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After an element isolation trench 104 is formed in a semiconductor substrate 101, an HDP oxide film 108 is formed by using the HDP-CVD method.例文帳に追加

半導体基板１０１に素子分離溝１０４を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いてＨＤＰ酸化膜１０８を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING ADHESION OF BARRIER LAYER TO HDP- FSG THIN FILMS例文帳に追加

ＨＤＰ−ＦＳＧ薄膜へのバリア層の付着力を改善する方法 - 特許庁

Further, the STI groove 60 is filled with an HDP-NSG film 7.例文帳に追加

さらにＳＴＩ溝６０はＨＤＰ−ＮＳＧ膜７で埋め込まれている。 - 特許庁

DEPOSITION OF AMORPHOUS SILICON FILM BY HIGH-DENSITY PLASMA HDP-CVD AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

低温での高密度プラズマＨＤＰ−ＣＶＤによるアモルファスシリコン膜の堆積 - 特許庁

Then, the ceria slurry is used to continuously polish the HDP 4a until self stop is made.例文帳に追加

その後、セリアスラリーを用いて、セルフストップするまでＨＤＰ４ａの研磨を続ける。 - 特許庁

CONTROLLED METHOD FOR DEPOSITING SILICON-RICH OXIDE USING HDP-CVD例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤを使用してシリコンリッチ酸化物を堆積する制御された方法 - 特許庁

The selection ratio of an SRO liner film is made large for an HDP silicon oxide film, and the SRO liner film is used as an etching stopper film when the HDP oxide silicon film is etched.例文帳に追加

ＨＤＰ酸化シリコン膜に対してＳＲＯライナ膜の選択比を高め、ＨＤＰ酸化シリコン膜をエッチングする時のエッチングストッパ膜としてＳＲＯライナ膜を使用する。 - 特許庁

Then, an insulator 23 is embedded in the element separation trench 21 by HDP-CVD method.例文帳に追加

そして、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により、絶縁物２３が素子分離トレンチ２１内に埋め込まれる。 - 特許庁

INTEGRATED PROCESS MODULATION (IPM), NOVEL SOLUTION FOR GAPFILL WITH HDP-CVD例文帳に追加

総合プロセスモジュレーション（ＩＰＭ）ＨＤＰ−ＣＶＤによるギャップ充填のための新規な解決法 - 特許庁

GAS CHEMISTRY CYCLING TO ACHIEVE HIGH ASPECT RATIO GAPFILL WITH HDP-CVD例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤを用いて高いアスペクト比のギャップ充填を達成するためのガス化学サイクリング - 特許庁

After a liner film 7 having a charge damage which is smaller than that of a HDP film 8a is formed on a gate electrode 3, the HDP film 8a is formed on the liner film 7 with the high density plasma CVD.例文帳に追加

ＨＤＰ膜８ａよりもチャージダメージの小さいライナ膜７をゲート電極３上に形成してから、高密度プラズマＣＶＤにより、ＨＤＰ膜８ａをライナ膜７上に形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device includes: an HDP oxide film 22 formed on the upper surface of the plasma SiON film 21; and a plasma SiN film 25 formed covering the HDP oxide film 22.例文帳に追加

さらに、複数の配線を覆うように、プラズマＳｉＯＮ膜２１の上面に形成されたＨＤＰ酸化膜２２と、ＨＤＰ酸化膜２２を覆うように形成されたプラズマＳｉＮ膜２５とを備えている。 - 特許庁

An SiO2 film 7 is formed so as to be filled into the trench 5 through an HDP-CVD(high density plasma- chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤ法によりトレンチ５の内部に埋め込むようにＳｉＯ_2 膜７を形成する。 - 特許庁

The HDP-NSG film 16 which is flat and has little dispersion in a remaining film is subjected to wet etching, dry etching or CMP in good plane uniformity, and the HDP-NSG film 16 is thinned.例文帳に追加

次に、この平坦でかつ残膜ばらつきの少ないＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６に、面内均一性のよい条件でウェットエッチング、ドライエッチングまたはＣＭＰを施し、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６を薄膜化する。 - 特許庁

Also, an interlayer insulating film 150 is formed on the upper part of the photon absorption film by a HDP system.例文帳に追加

また、前記フォトン吸収膜の上部にＨＤＰ方式によって層間絶縁膜１５０が形成されている。 - 特許庁

The HDP 4a is formed so that it becomes a film thickness B, that is approximately 103-117% of the trench depth A.例文帳に追加

当該ＨＤＰ４ａをトレンチ深さＡの約１０３〜１１７％の膜厚Ｂとなるように形成する。 - 特許庁

To improve manufacturing yield by removing excessive HDP at the external circumference of a wafer with the CMP method, using a ceria slurry.例文帳に追加

セリアスラリーを用いたＣＭＰ法で、ウェーハ外周部の余計なＨＤＰを除去し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a method of filling narrow-width high-aspect-ratio gaps by an HDP-VCD process.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。 - 特許庁

Secondly, the second HDP oxide film 15 is polished by a CMP until the PL-TEOS oxide film 14 is exposed.例文帳に追加

次に、ＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４が露出するまでＣＭＰにより第２ＨＤＰ酸化膜１５を研磨する。 - 特許庁

Or a film thickness in the HDP 4 remaining on the surface of the SiN 5 is accurately measured by an optical measuring unit for etching removal.例文帳に追加

あるいは、ＳｉＮ５の表面に残ったＨＤＰ４の膜厚を光学測定器により正確に測定し、エッチング除去する。 - 特許庁

When the POP and/or HDP are/is set, the POST 20 releases the password forcing mode and boots an operating system.例文帳に追加

ＰＯＰ及び／又はＨＤＰが設定されると、ＰＯＳＴ２０はパスワード強制モードを解除し、オペレーティングシステムをブートする。 - 特許庁

Then, water polishing using water continuously is performed to polish the HDP 4 remaining on the surface of an SiN 5.例文帳に追加

次に連続的に水を用いた水ポリッシュ研磨を行なうことでＳｉＮ５表面上に残ったＨＤＰ４を研磨する。 - 特許庁

A low-k dielectric layer is deposited on a protective film forming material layer by, preferably, HDP-CVD.例文帳に追加

低−ｋ誘電体層を好ましくは、高密度プラズマ化学堆積法（ＨＤＰ−ＣＶＤ）により保護膜材料層上に堆積する。 - 特許庁

An HDP-NSG film 16 is further deposited and a fine projection in both sides of a trench is let down, and the surface of the film is flattened.例文帳に追加

次に、再びＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６を堆積し、トレンチ両側の微小な突起を落とし、表面が平坦な膜にする。 - 特許庁

When HDP oxide film 8 is embedded, it can be surely embedded by preventing the occurrence of voids, thereby a dielectric strength can be secured.例文帳に追加

ＨＤＰ酸化膜８を埋め込むときにボイド発生を防止して埋め込みを確実に行なえ、絶縁耐圧も確保することができる。 - 特許庁

A liner oxide film 14 is formed by wet-oxidizing the inside of the groove 13, and the groove 13 is filled with a HDP oxide film 16.例文帳に追加

溝１３内をウェット酸化することによりライナー酸化膜１４を形成し、溝１３内をＨＤＰ酸化膜１６で埋める。 - 特許庁

The compressive stress layer 122 may include a high stress silicon nitride deposited using a high density plasma (HDP) deposition method.例文帳に追加

圧縮応力層１２２は、高密度プラズマ（ＨＤＰ）堆積方法を使用して堆積された高応力窒化珪素を含むことができる。 - 特許庁

Thereafter, CMP using the silicon nitride film 11 as a stopper is performed for the thin HDP-NSG film 16 whose surface is flat.例文帳に追加

この後、この表面が平坦でかつ薄膜のＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６に、シリコン窒化膜１１をストッパーとするＣＭＰを施す。 - 特許庁

In this case, the third insulating layer 128 for gap-fill is formed on the upper part of the semiconductor substrate 100 including the second insulating layer 126, and preferably the third insulating layer 128 is formed by an HDP (high density plasma) oxide layer with high gap-fill characteristic by using an HDP procedure.例文帳に追加

その場合に、第２絶縁膜１２６を含む半導体基板１００の上部には、ギャップフィルのための第３絶縁膜１２８が形成され、好ましくは第３絶縁膜１２８は高密度プラズマ方式(ＨＤＰ)を用いて埋め込み特性のよいＨＤＰ酸化膜で形成する。 - 特許庁

A second HDP-CVD oxide film 5 is formed so that a void 6 may be formed in a position lower than the aluminum wiring 2 between aluminum wiring 2, by adjusting the position of a semiconductor substrate placed fixedly with a HDP-CVD device at a substrate supporting stand in the chamber in an up-and-down direction.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤ装置で基板支持台に載置固定された半導体基板のチャンバー内における位置を上下方向に調節して、Ａｌ配線２間に当該Ａｌ配線２よりも低い位置にボイド６が形成されるように、第２のＨＤＰ−ＣＶＤ酸化膜５を成膜する。 - 特許庁

Wiring layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1 and thereafter, an SiOF film 3 is formed on the whole surface of the substrate 1 by an HDP(High Density Plasma)-CVD method.例文帳に追加

半導体基板１上に配線層２を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＳｉＯＦ膜３を形成する。 - 特許庁

Formation of first silicon oxide films is started on the inner surfaces of the trenches formed on a surface or an upper part of a semiconductor substrate by using the HDP method.例文帳に追加

半導体基板の表面上又は上方に形成された溝の内面にＨＤＰ法による第１のシリコン酸化膜の成膜をスタートする。 - 特許庁

To block hydrogen ions produced when forming an interlayer insulating film by HDP-CVD or the like to thereby suppress an adverse effect of the hydrogen ions on a device.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤなどにより層間絶縁膜を形成するに際に発生する水素イオンを除去し、デバイスへの水素イオンの影響を解消する。 - 特許庁

The nitride film 12 and the liner oxide film 14 are removed, and the STI film 17 is formed of the remaining liner oxide film 14 and the HDP oxide film 16.例文帳に追加

窒化膜１２及びライナー酸化膜１４を除去し、残ったライナー酸化膜１４及びＨＤＰ酸化膜１６によってＳＴＩ膜１７を形成する。 - 特許庁

Until the PL-TEOS oxide film 14 is removed, the second HDP oxide film 15 and the PL-TEOS oxide film 14 are simultaneously leveled by the CMP.例文帳に追加

そして、ＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４が除去されるまで、第２ＨＤＰ酸化膜１５とＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４とを同時にＣＭＰにより平坦化する。 - 特許庁

The HDP oxide film 108 on a large area active region 106 is etched by using a resist film 109 as a mask, and a first etching trench 110 is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜１０９をマスクにして、大面積活性領域１０６上のＨＤＰ酸化膜１０８をエッチングし第１のエッチング溝１１０を形成する。 - 特許庁

This method is for forming an HDP-CVD(High Density Plasma- CVD) film by use of an LPCVD device in which a wafer is held by an electrostatic chuck 14.例文帳に追加

本方法は、静電チャック１４によりウエハを保持する形式のＬＰＣＶＤ装置を使って、ＨＤＰ−ＣＶＤ（High Desity Plasma- ＣＶＤ）膜を成膜する方法である。 - 特許庁

To provide a method and a device for depositing an amorphous silicon film on a substrate using a high-density plasma chemical vapor deposition(HDP-CVD) technique.例文帳に追加

高密度プラズマ化学的気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ）技術を使用して、アモルファスシリコン膜を基板上に堆積するための方法および装置が提供される。 - 特許庁

Namely, an HDP terminal 16a functions as an output terminal for transmitting the signal and a +5V terminal functions as an input terminal for receiving the signal.例文帳に追加

すなわち、ＨＤＰ端子１６ａが、信号を送信するための出力端子として機能し、＋５Ｖ端子が信号を受信するための入力端子として機能する。 - 特許庁

An HDP-NSG (high-density plasma-NSG) film 2, a tantalum oxide film 3, a titanium nitride film 4, and an NSG film 5 as a sacrifice film formed by the CVD (chemical vapor deposition) method are successively laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜２、タンタル酸化膜３、チタン窒化膜４、犠牲膜としてＣＶＤ法によるＮＳＧ膜５を順次積層する。 - 特許庁

To provide a method for forming a flat inter-level dielectric layer of low k, which comprises an FSG layer of HDP-CVD which protects a conductive layer from fluorine.例文帳に追加

導電層をフッ素から保護するＨＤＰ−ＣＶＤによるＦＳＧ層を有する平面化された低ｋのレベル間誘電体層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The HDP oxide film 108 on a small area crowding active region 107 is etched by using a resist film 111 as a mask, and a second etching trench 112 is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜１１１をマスクにして、小面積密集活性領域１０７上のＨＤＰ酸化膜１０８をエッチングし第１のエッチング溝１１２を形成する。 - 特許庁

There are some cases that the silicon oxide used there is formed by burying a TEOS oxidized film, an HDP oxidized film or the SiOF film of a small permittivity.例文帳に追加

ここで使用されるシリコン酸化物は、ＴＥＯＳ酸化膜やＨＤＰ酸化膜、また誘電率の小さなＳｉＯＦ膜を埋め込むことで形成する場合もある。 - 特許庁

The interlayer dielectric 8 has a structure that an HDP (High Density Plasma) layer 10, a gettering layer 12 and an NSG (None-doped Silicate Glass) 11 are laminated in order from the semiconductor substrate 2 side.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。 - 特許庁

A guide ring 100 for protecting the semiconductor substrate 124 is deformed in a chamber 126, separation between the semiconductor substrate 124 and the guide ring 100 is diversified, and the attack of plasma ions generated in an HDP evaporation process is minimized, by forming a nitride film for a liner evaporated in the trench, before HDP oxide-film evaporation, into a specified thickness.例文帳に追加

チェンバー１２６内、半導体基板１２４を保護するガイドリング１００を変形し、半導体基板１２４とガイドリング１００との間の離隔距離を多元化したり、また、ＨＤＰ酸化膜蒸着前にトレンチに蒸着されるライナー用窒化膜を所定の厚みにしてＨＤＰ蒸着過程でできるプラズマイオンのアタックを最小化する。 - 特許庁