「Hexagonal system」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HEXAGONAL SYSTEM Z TYPE BARIUM FERRITE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

六方晶系Ｚ型バリウムフェライトとその製造方法 - 特許庁

HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE COMPOUND SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

六方晶系ウルツ鉱型化合物単結晶及びその製造方法 - 特許庁

HEXAGONAL-CELL HONEYCOMB CATALYST BODY, AND EXHAUST EMISSION CONTROL SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加

六角セルハニカム触媒体及びそれを用いた排ガス浄化装置 - 特許庁

A parallelogram semiconductor layer (12) is formed on a substrate (11) of a hexagonal system.例文帳に追加

六方晶系の基板（１１）上に、平行四辺形の半導体層（１２）を形成する。 - 特許庁

From such a viewpoint, the boron nitride is preferably a hexagonal system boron nitride.例文帳に追加

なお、かかる観点から、窒化ホウ素は、六方晶系の窒化ホウ素であるのが好ましい。 - 特許庁

SOLID SOLUTION SYSTEM Y-TYPE HEXAGONAL FERRITE MATERIAL AND MOLDED PRODUCT USING THE SAME例文帳に追加

固溶系Ｙ型六方晶フェライト材料及び該材料を用いた成型体 - 特許庁

The apparatus and system form a hexagonal and exposed spot grid on a substrate 214.例文帳に追加

基板２１４上に六角形の露光されたスポット・グリッドを形成する装置及びシステムである。 - 特許庁

The support base 13 of the light emitting diode 11a consists of a hexagonal system GaN.例文帳に追加

発光ダイオード１１ａの支持基体１３は、六方晶系ＧａＮからなる。 - 特許庁

Crystal system (crystal structure) of the sodium cobaltate is hexagonal system, monoclinic system, or orthorhombic system.例文帳に追加

また、上記コバルト酸ナトリウムの結晶系（結晶構造）は、六方晶系、単斜晶系または斜方晶系である。 - 特許庁

The fluorescent material is a red light fluorescent material when having a structure of a tetragonal system, and is a green light fluorescent material when having a structure of a hexagonal system.例文帳に追加

蛍光材料が正方晶系の構造である場合、赤光蛍光材料であり、六方晶系の構造である場合、緑光蛍光材料である。 - 特許庁

FERRITE MAGNET POWDER, METHOD FOR MANUFACTURING FERRITE MAGNET, AND METHOD OF FORMING HEXAGONAL SYSTEM W TYPE FERRITE PHASE例文帳に追加

フェライト磁石粉末、フェライト磁石の製造方法及び六方晶Ｗ型フェライト相の生成方法 - 特許庁

The lithium secondary battery has aggregate particles comprising a hexagonal system lithium-containing cobalt composite oxide simultaneously satisfying following physical properties (1) to (3).例文帳に追加

下記物性（１）〜（３）を同時に満たす六方晶系のリチウム含有コバルト複合酸化物からなる凝集粒子を備えたリチウム二次電池とする。 - 特許庁

The negative electrode material for the lithium-ion battery is made from hexagonal system lithium vanadium complex oxide wherein an average oxidation number of vanadium is +3.15 to +3.35.例文帳に追加

バナジウムの平均酸化数が＋３．１５〜＋３．３５である六方晶系のリチウムバナジウム複合酸化物からなるようにした。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a W type ferrite compound with which a spinel compound does not coexist when an anisotropic W type hexagonal system ferrite is manufactured.例文帳に追加

異方性のＷ型６方晶フェライトを製造するさいに，スピネル化合物が共存しないＷ型フェライト化合物を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferrite magnet which can improve coercive force of a hexagonal system W type ferrite magnet.例文帳に追加

六方晶Ｗ型フェライト磁石の保磁力を向上することのできるフェライト磁石の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high purity and uniform hexagonal system wurtzite type single crystal useful as a substrate for various devices.例文帳に追加

各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。 - 特許庁

When referring to an orthogonal coordinate system Cr, the c-coordinate axis is oriented to the c-axis of the hexagonal n-type gallium nitride of the substrate 13.例文帳に追加

直交座標系Ｃｒを参照すると、ｃ座標軸は、基板１３の六方晶系のｎ型窒化ガリウムのｃ軸に向いている。 - 特許庁

The resultant crystal is confirmed to be the single crystal of a hexagonal system having a bore of 51 mm and height of about 6 mm.例文帳に追加

得られた結晶の口径は５１ｍｍで、高さは６ｍｍ程度であり、六方晶系の単結晶であることが確認された。 - 特許庁

In a wafer having a hexagonal system or zinc blend crystal structure, multiple semiconductor optoelectronic devices are formed in an array of nonrectangular dies.例文帳に追加

六方晶系または閃亜鉛鉱結晶構造をもつウエハにおいて、数多くの半導体光電子装置が非長方形のダイのアレイに形成される。 - 特許庁

The variable resistance layer 15 is made of a rhombohedral perovskite oxide, and it is oriented in priority in the direction of (001) plane of the hexagonal system.例文帳に追加

可変抵抗層１５は菱面体晶であるペロブスカイト型酸化物であり、かつ六方晶表記で（００１）面方向に優先配向している。 - 特許庁

The ingot 3 formed of a hexagonal-system group III nitride crystal is cut using the wire series 21 consisting of wires 22.例文帳に追加

ワイヤ２２によって構成されたワイヤ列２１を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴット３を切断する。 - 特許庁

The oxide sintered compact contains a hexagonal system layered compound expressed by formula: (ZnO)_m(In_2O_3), wherein, m is an integer of 1-19, and Ce.例文帳に追加

（ＺｎＯ）_ｍ（Ｉｎ_２Ｏ_３ｍは、１〜１９の整数である。）で表される六方晶層状化合物及びＣｅを含有する酸化物焼結体。 - 特許庁

The surface thin film layer 14 is a heteroepitaxial film produced through heteroepitaxial growth of 4H-Si of hexagonal system.例文帳に追加

表面薄膜層１４は六方晶系の４Ｈ−ＳｉＣをヘテロエピタキシャル成長させて製膜したヘテロエピタキシャル膜である。 - 特許庁

Then, a magnetic layer, containing the hexagonal system Ba ferrite magnetic powder, is formed on a non-magnetic support body for making a magnetic recording medium.例文帳に追加

そして、非磁性支持体上に該六方晶系Ｂａフェライト粉末磁性粉末を含有する磁性層を設けて磁気記録媒体とする。 - 特許庁

The insulating layer 7 is enhanced in thermal conductivity through a heat treatment, or has a hexagonal system crystal structure.例文帳に追加

この絶縁層７は熱処理によって熱伝導率が高められているか、六方晶系の結晶構造を有する。 - 特許庁

A c-axis vector VC of hexagonal system GaN of a support substrate 13 is inclined in the X-axis direction with respect to a normal axis Nx of a main surface 13a.例文帳に追加

支持基体１３の六方晶系ＧａＮのｃ軸ベクトルＶＣは主面１３ａの法線軸Ｎｘに対してＸ軸方向に傾斜する。 - 特許庁

When a (0001) hexagonal system wafer is used, respective edges of the dies are arranged along {10-10} plane.例文帳に追加

（０００１）六方晶系のウエハを使用する場合、ダイのそれぞれのエッジが｛１０バー１０｝平面に沿って配置される。 - 特許庁

In the semiconductor element 10 provided with the boron phosphide-based semiconductor layer 102; the semiconductor layer 102 consists of a hexagonal system, and an electrode 109 is provided on the surface of the semiconductor layer 102 having the hexagonal system.例文帳に追加

本発明は、燐化硼素系半導体層１０２を備える半導体素子１０において、燐化硼素系半導体層１０２は六方晶からなり、その六方晶の燐化硼素系半導体層１０２の表面に電極１０９を設けたものである。 - 特許庁

After a substrate body 1 having a crystal 2 consisting of a hexagonal system gallium nitride semiconductor and a marker structure 3 is prepared, the substrate body 1 is cut along a plane intersecting the marker structure 3 to form a hexagonal system gallium nitride semiconductor wafer 5 having a first marker 7.例文帳に追加

六方晶系窒化ガリウム半導体からなる結晶体２とマーカー構造物３とを有する基板体１を準備した後に、マーカー構造物３に交差する平面に沿って基板体１を切断して、第１のマーカー７を有する六方晶系窒化ガリウム半導体ウエハ５を形成する。 - 特許庁

The weight percentage of Ba atoms to Fe atoms of hexagonal system Ba ferrite is set to 0.15-0.21, and the integrated intensity ratio (surface Ba/surface Fe) of Ba3d_5/2 spectrum to Fe2p_3/2 spectrum obtained by ESCA measurement of the surface of the hexagonal system Ba ferrite powder is set to 0.45-0.70.例文帳に追加

六方晶系Ｂａフェライト粉末のＢａ原子／Ｆｅ原子を重量比で０．１５〜０．２１とし、かつ六方晶系Ｂａフェライト粉末表面のＥＳＣＡにより測定されるＢａ３ｄ_5/2 スペクトルとＦｅ２ｐ_3/2スペクトルとの積分強度比（表面Ｂａ／表面Ｆｅ）を０．４５〜０．７０とする。 - 特許庁

Further, on the boundary surface of at least the Mg crystal grain and the grain-boundary crystallized material, a relative angle α between the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the Mg crystallized grain and the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the grain-boundary crystallized material, is 88-92°.例文帳に追加

また、少なくともＭｇ結晶粒と粒界晶出物との界面において、Ｍｇ結晶粒の六方晶系底面の法線ベクトルと粒界晶出物の六方晶系底面の法線ベクトルとの相対角度αが８８°〜９２°である。 - 特許庁

A substrate 11 and a device layer 12 are provided, and the substrate 11 consists of a first nitride semiconductor belonging to a hexagonal system, and the device layer 12 consists of a second nitride semiconductor belonging to a hexagonal system for forming a semiconductor device, formed through growth on the main surface of the substrate 11.例文帳に追加

六方晶系に属する第１の窒化物半導体からなる基板１１と、該基板１１の主面上に成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第２の窒化物半導体からなる素子層１２とを有している。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING (0001) EPITAXIAL THIN FILM OF HEXAGONAL SYSTEM SUBSTANCE SUCH AS ZINC OXIDE USING OXIDE CUBIC SYSTEM (111) SUBSTRATE AND THE THIN FILM OBTAINED BY THE SAME例文帳に追加

酸化物立方晶系（１１１）基板を用いる酸化亜鉛等の六方晶系物質の（０００１）エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁

In the carbonaceous material for electrode active substances for the electric double-layer capacitor, the ratio of a rhombic crystal system to a hexagonal system structure existing in a crystal structure is 20% or higher.例文帳に追加

結晶構造中に存在する六方晶系構造に対する菱面体晶系構造の割合が20％以上である、電気二重層キャパシタの電極活物質用炭素質材料。 - 特許庁

A sample for TEM observation employing fringes of equal thickness is obtained even in hexagonal system or orthorhombic system by setting the incident direction of an electron beam normal to face M or A.例文帳に追加

電子線の入射方向をM面あるいはA面に垂直方向とする事により、六方晶や斜方晶においても等厚干渉縞を用いたTEM観察用試料を得る。 - 特許庁

The purpose can be attained by forming a conductive surface nitride layer of hexagonal GaN system crystal using a GaP substrate so that thermal stability can be attained even at a temperature (1000°C or above) required for epitaxial growth of GaN and hexagonal GaN required for high efficiency element can be fabricated.例文帳に追加

ＧａＮを気相成長させるのに必要な温度（１０００℃以上）でも熱的安定性が獲得でき、また、高効率素子を作製するために六方晶のＧａＮが成長できるようにＧａＰ基板を用いて表面が六方晶ＧａＮ系結晶でなり、導電性を有する表面窒化層を形成することにより上記課題が解決できる。 - 特許庁

The positive active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery comprises hexagonal system lithium cobaltate manufactured from a cobalt compound containing zirconium, magnesium, aluminum, and zinc as the different kinds of elements by coprecipitation.例文帳に追加

発明の非水電解質二次電池の正極活物質は、異種元素としてジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム及び亜鉛が共沈により含有されたコバルト化合物を原料として製造された、六方晶系コバルト酸リチウムからなる。 - 特許庁

The positive active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a hexagonal system lithium cobaltate manufactured from a cobalt compound containing zirconium and zinc as the different kinds of elements by coprecipitation.例文帳に追加

発明の非水電解質二次電池の正極活物質は、異種元素としてジルコニウム及び亜鉛が共沈により含有されたコバルト化合物を原料として製造された、六方晶系コバルト酸リチウムからなる。 - 特許庁

The content of the zirconium in the hexagonal system lithium cobaltate is preferable to be 0.01-1.0 mol% to cobalt, and the content of zinc is preferable to be 0.01-5.0 mol% to cobalt.例文帳に追加

この六方晶系コバルト酸リチウムのジルコニウム含有量はコバルトに対し０．０１〜１．０モル％であり、亜鉛含有量はコバルトに対し０．０１〜５．０モル％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for easily cutting a substrate and for cleaving a semiconductor layer in a semiconductor device, that is made of gallium nitride semiconductor layer which is formed on a hexagonal system substrate such as a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板等の六方晶系基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層からなる半導体装置において、基板の切断を容易にし、半導体層の劈開を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coat type magnetic recording medium which includes hexagonal system ferrite powder easy in dispersion treatment and having a good in dispersion degree and also good in traveling durability and electromagnetic transducing characteristics.例文帳に追加

分散処理が容易でかつ、分散度の良好な六方晶系フェライト粉末を含む走行耐久性及び電磁変換特性の良好な塗布型磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide both a method and an apparatus for producing a turbostratic or hexagonal system boron nitride spherical particle and to obtain a spherical boron nitride precursor produced by the method.例文帳に追加

ターボストラティック又は六方晶窒化ホウ素球形粒子の製造方法及び製造装置、並びにそのような方法によって製造された球形窒化ホウ素先駆物質を提供する。 - 特許庁

The casing member for the fuel cell has a nitrided layer Ms having hexagonal system crystal structure on the surface of a substrate M comprising transition metal or alloy of transition metal.例文帳に追加

燃料電池用ケーシング部材は、遷移金属又は遷移金属の合金からなる基材Ｍの表面に、立方晶の結晶構造を有する窒化層Ｍｓを備える。 - 特許庁

The fluid passing member for the fuel cell has a nitrided layer Ms having hexagonal system crystal structure on the surface of a substrate M comprising a transition metal or a transition metal alloy.例文帳に追加

燃料電池用流体通過部材は、遷移金属又は遷移金属の合金からなる基材Ｍの表面に、立方晶の結晶構造を有する窒化層Ｍｓを備える。 - 特許庁