「Locos」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, a LOCOS oxide film 11 is formed through thermal oxidation and the vertical groove 4 is changed to a U-shaped grove 12.例文帳に追加

その後、熱酸化によりＬＯＣＯＳ酸化膜１１を形成し、垂直溝４をＵ字溝１２に変える。 - 特許庁

A gate oxide film connected to the LOCOS film is formed on the semiconductor substrate in the element forming region.例文帳に追加

素子形成領域内の半導体基板上にＬＯＣＯＳ膜に接続されたゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

A gap 102 is defined by an LOCOS 101 on a p-type silicon substrate 100.例文帳に追加

１００はｐ型シリコン基板で、該基板１００上にギャップ１０２がＬＯＣＯＳ１０１によって形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the silicon substrate 50 in the recess 58b is oxidized selectively, thus forming an LOCOS film filling the recess 58b.例文帳に追加

その後に、凹部５８ｂのシリコン基板５０を選択酸化して凹部５８ｂを埋めるＬＯＣＯＳ膜を形成する。 - 特許庁

The LOCOS oxide film 3 located inside the frame-like member 9 is removed, and a cave 9 is formed.例文帳に追加

枠状部材９の内側に位置するＬＯＣＯＳ酸化膜３が除去されて空洞９が形成されている。 - 特許庁

NITRIDATION BARRIER FOR NITRIDATED TUNNEL OXIDE OF CIRCUIT, RELATING TO FLASH MEMORY TECHNOLOGY AND LOCOS/STI ISOLATION例文帳に追加

フラッシュメモリ技術およびＬＯＣＯＳ／ＳＴＩアイソレーションに関する、回路の窒化トンネル酸化物のための窒化バリア - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate where the Hall element is to be formed, a LOCOS film LS is formed.例文帳に追加

当該ホール素子の形成される半導体基板の表面に、ＬＯＣＯＳ膜ＬＳを設けるようにした。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the gate oxide film 12, extending over the LOCOS oxide film 8a.例文帳に追加

ゲート酸化膜１２上からＬＯＣＯＳ酸化膜８ａ上にわたってゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor has a high breakdown voltage even if a LOCOS offset structure is not employed.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセット構造を採らなくても、トランジスタの耐圧が高い半導体装置の提供を提供する。 - 特許庁

A high concentration drain layer 109A of the LOCOS offset drain-type high breakdown voltage MOS transistor is formed with a fixed distance from the end of a LOCOS oxide film 105 in a p-type electric field alleviating layer 104, and a concentration gradient of the end of the LOCOS oxide film 105 is made gradual so as to raise breakdown voltage by preventing electric field concentration.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセットドレイン型高耐圧ＭＯＳトランジスタの高濃度ドレイン層１０９Ａを、Ｐ型電界緩和層１０４内においてＬＯＣＯＳ酸化膜１０５の端部から一定の距離をおいて形成し、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０５の端部の濃度勾配を緩やかにし、電界集中を防ぎ、耐圧を向上させる。 - 特許庁

In the scribe line region 2 on a substrate 3, an alignment mark 5 having a clear initial difference in level t1 is formed by forming a LOCOS oxide film 4 on the surface of a substrate 3, and then by removing the LOCOS oxide film 4.例文帳に追加

本発明では、基板３のスクライブライン領域２では、基板３表面にＬＯＣＯＳ酸化膜４を形成し、その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜４を除去することで、初期段差ｔ１の深いアライメントマーク５を形成する。 - 特許庁

A gate oxide film 12 is formed on the surface of the N-type well region 4, extending continuously to the LOCOS oxide film 8a.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域４の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜８ａに連続してゲート酸化膜１２が形成されている。 - 特許庁

Consequently, an electric field intensity distribution of the Locos oxide layer 102 on a side nearby the source region 108 is relaxed.例文帳に追加

これにより、Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２のソース領域１０８に近い側での電界強度分布が緩和される。 - 特許庁

In the step of forming the sidewall 61A, a sidewall 61B is subordinately formed on a LOCOS edge 90.例文帳に追加

サイドウォール６１Ａを形成する工程では、ＬＯＣＯＳエッジ９０上にサイドウォール６１Ｂを付随的に形成する。 - 特許庁

Then, a LOCOS oxide film 6 is formed, and p low-concentration diffusion layers 7 and 8 are formed simultaneously.例文帳に追加

次に、ＬＯＣＯＳ酸化膜６を形成後、ｐ低濃度拡散層７とｐ低濃度拡散層８を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a LOCOS offset type MOS field effect transistor having a high breakdown voltage and a large current drive capacity.例文帳に追加

高耐圧で大きな電流駆動能力をもつＬＯＣＯＳオフセット型ＭＯＳ型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Openings 21 are formed on the polysilicon film 13 and the silicon nitride film 14 to form a LOCOS oxide films 22 therein.例文帳に追加

ポリシリコン膜１３及びシリコン窒化膜１４にＬＯＣＯＳ酸化膜２２を形成するための開口部２１を形成する。 - 特許庁

A silicon germanium layer 51 is continuously formed from an emitter region to a LOCOS layer 15B on a substrate 1.例文帳に追加

エミッタ領域の基板１上からＬＯＣＯＳ層１５Ｂ上にかけてシリコンゲルマニウム層５１を連続して形成する。 - 特許庁

A gate electrode covering part of the gate oxide film and the LOCOS film is formed by partially etching the conductive film.例文帳に追加

導電膜を部分的にエッチングしてゲート酸化膜およびＬＯＣＯＳ膜の一部を覆うゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the bird's beak of an LOCOS (Local Oxidation of Silicon) oxide film is short and the resistance value of a semiconductor element is low.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜のバーズビークが短く、かつ半導体素子の抵抗値が低い半導体装置を提供する。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 8 is formed on the second drain region 6, and a P-type third drain region 10 having a P-type impurity concentration higher than that of the P-type second drain region 6 is formed in a region underneath the LOCOS oxide film 8a.例文帳に追加

第２ドレイン領域６上にＬＯＣＯＳ酸化膜８が形成され、ＬＯＣＯＳ酸化膜８ａ下の領域にＰ型第２ドレイン領域６よりも濃いＰ型不純物濃度をもつＰ型第３ドレイン領域１０が形成されている。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 7 is positioned on the substrate 2 between the drain forming region Z2 and the source forming region Z1, and a gate wiring material 9a is positioned on the LOCOS oxide film 7 at the side edge of the source forming region Z1.例文帳に追加

ドレイン形成領域Ｚ２とソース形成領域Ｚ１との間における基板２上にＬＯＣＯＳ酸化膜７が配置され、ソース形成領域Ｚ１側端部においてＬＯＣＯＳ酸化膜７の上にゲート配線材９ａが配置されている。 - 特許庁

The trenches 2 and LOCOS oxide film 7 are formed so that the length of the edge of the LOCOS oxide film region 7a may become at least ten times as long as the length of the edge of the trench insulating and separating region 2a when the length of each edge is defined in this way.例文帳に追加

このように各エッジ長を定義したとき、ＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａのエッジ長が、トレンチ絶縁分離領域２ａのエッジ長の少なくとも１０倍以上となるように、トレンチ２およびＬＯＣＯＳ酸化膜７を形成する。 - 特許庁

Source-drain regions 108 are each formed in a region located between the side wall insulating film 105 and LOCOS oxide film 104.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１０８は側壁絶縁膜１０５とＬＯＣＯＳ酸化膜１０４との間の領域に形成されている。 - 特許庁

Further, a first insulator 13 which is thicker than the LOCOS oxide film 8 is buried in the epitaxial layer 5.例文帳に追加

また、エピタキシャル層５には、ＬＯＣＯＳ酸化膜８の厚さよりも大きな厚さを有する第１絶縁体１３を埋設する。 - 特許庁

Therefore, under a semi- recessed LOCOS oxide film 20, the overlap of the n-well 16 with the p-well 18 can be made small.例文帳に追加

したがって、セミリセスＬＯＣＯＳ酸化膜２０下で、ｎウェル１６とｐウェル１８との重なりを小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the formation of a recessed portion in the edge part of a LOCOS oxide film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜の縁部に凹部が形成されることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A recess is formed by digging down the surface of a silicon substrate 50 in a region for forming a LOCOS film by anisotropic etching.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜を形成する領域のシリコン基板５０表面を異方性エッチングにより掘り下げて凹部を形成する。 - 特許庁

The LOCOS separating layer 33 is used to electrically separate the transistor element 31 together with the STI separating layer 32.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ分離層３３は、ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 3 is formed on a silicon substrate 1, and furthermore a gate-metal interlayer film 5 is formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。 - 特許庁

To eliminate inter-elennent leak while the thickness of an oxidized film by LOCOS(local oxidation of silicon) is kept thin.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳの酸化膜厚を薄くしたまま、素子間リークをなくすことができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Furthermore, a LOCOS oxide film 180a is formed on the surface of the silicon substrate 110 in the N well drain region 160, and the LOCOS oxide film 180a has a constricted portion in a sectional view and the gate electrode 130 is formed straddling the constricted portion.例文帳に追加

さらに、Ｎウェルドレイン領域１６０内のシリコン基板１１０表面に、ＬＯＣＯＳ酸化膜１８０ａが形成され、ＬＯＣＯＳ酸化膜１８０ａは、断面視においてくびれ部を有しており、ゲート電極１３０はくびれ部を跨ぐように形成されている。 - 特許庁

In this process, the region 31 is formed by self alignment wherein one end of the gate electrode 35 on the LOCOS oxide film 28 is used as a mask.例文帳に追加

そして、この工程では、ＬＯＣＯＳ酸化膜２８上のゲート電極３５の一端をマスクとしてセルファラインにより形成する。 - 特許庁

In a certain embodiment, a piezoresistive pressure sensor 100 having an exposed silicon region undergoes a preferential local oxidation of silicon (LOCOS) process.例文帳に追加

ある実施形態では、露出されたシリコン領域を備えたピエゾ抵抗圧力センサ１００は、選択酸化（ＬＯＣＯＳ）プロセスを経る。 - 特許庁

The P type semiconductor film is formed as a collector electrode 104a of the horizontal PNP transistor across the element isolation LOCOS film.例文帳に追加

素子分離ＬＯＣＯＳ膜を横切って、Ｐ型半導体膜が横型ＰＮＰトランジスタのコレクタ電極１０４ａとして形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device forms a LOCOS (local oxidation of silicon) film extended from the element forming region to the element isolation region on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板表面に素子形成領域から素子分割領域に亘って延在するＬＯＣＯＳ膜を形成する。 - 特許庁

The stress mitigating member 7 is formed so as to have a recessed and projected configuration utilizing a step between the LOCOS oxide film 6 and the silicon substrate 2.例文帳に追加

この応力緩和部材７は、ＬＯＣＯＳ酸化膜７とシリコン基板２の段差を利用して凹凸状に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can prevent the occurrence of a recess on a top surface of a LOCOS oxide film's edge.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜の縁の上面に凹部が発生することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A LOCOS method used hitherto as an element separation technology is used for forming a barrier part 21 enclosing the reaction field.例文帳に追加

従来、素子分離技術として用いられているＬＯＣＯＳ法を、反応場を囲む障壁部２１を形成するために用いた。 - 特許庁

On the front surface of a silicon substrate 10, an LP silicon nitride film 20A which becomes a mask at forming a LOCOS oxide film is formed and patterned.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面に、ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する際のマスクとなるＬＰシリコン窒化膜２０Ａをパターン形成する。 - 特許庁

While a LOCOS oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, annealing made to a power device in an N2 atmosphere (process (a)).例文帳に追加

シリコン基板１にＬＯＣＯＳ酸化膜２を形成した状態で、パワーデバイスのためにＮ_2雰囲気中でアニールを施す（（ａ）工程）。 - 特許庁

The inductor 100 is obtained by executing photolithography and etching on a cobalt thin film formed on a LOCOS film 6.例文帳に追加

このインダクタ１００は、ＬＯＣＯＳ膜６上に形成されたコバルト薄膜に対して、フォトリソグラフィとエッチングを行うことにより得られる。 - 特許庁

A field oxide film 3 is formed by a PBL method (polysilicon buffered LOCOS method) on an epitaxial layer 2 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に形成したエピタキシャル層２にＰＢＬ法（ポリシリコンバッファドＬＯＣＯＳ法）でフィールド酸化膜３を形成する。 - 特許庁

Then, the polysilicon film 9 and the silicon nitride film 10 are so patterned that they may be left over in a region where a LOCOS oxide film 14 is to be formed.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜１４を形成する領域にポリシリコン膜９及びシリコン窒化膜１０が残存するようにパターニングする。 - 特許庁

A p-type first drift layer 6 is formed at the left side of the LOCOS film 4, and a p^+-type source layer 7 is arranged on the surface of the epitaxial silicon layer 2 at the right side of the LOCOS film 4 while sandwiching the gate electrode 5 opposite to the first drift layer 6.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜４の左側にはＰ型の第１のドリフト層６が形成され、ゲート電極５を間に挟んでＬＯＣＯＳ膜４の右側のエピタキシャル・シリコン層２の表面には、第１のドリフト層６と対向してＰ＋型のソース層７が配置されている。 - 特許庁