「MOS image sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MOS-TYPE IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳ型撮像装置 - 特許庁

MOS-TYPE IMAGE SENSOR AND DIGITAL CAMERA例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサ及びデジタルカメラ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-N JUNCTION IN SEMICONDUCTOR MODULE, FLAME DETECTOR, MOS TRANSISTOR AND IMAGE SENSOR例文帳に追加

半導体モジュールにおけるｐｎ接合の製造方法、炎検知器、ＭＯＳトランジスタおよびイメージセンサ - 特許庁

To provide a MOS image sensor with a global shutter function that can achieve high-picture-quality imaging and high-sensitivity imaging.例文帳に追加

グローバルシャッタ機能を有する高画質撮像かつ高感度撮像が可能なＭＯＳ型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

To reduce noise of a C-MOS image sensor and to shorten a time required for resetting pixels.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳイメージセンサのノイズを減じ、かつ各ピクセルをリセットするために必要な時間を短縮可能とする。 - 特許庁

To improve sensitivity by reducing the area ratio of a transistor occupying a unit pixel in an MOS type image sensor.例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサにおいて、単位画素に占めるトランジスタの面積割合を少なくして感度向上を図る。 - 特許庁

To provide a MOS type image sensor having a global shutter function low in noise (high sensitivity) and suppressed in power consumption.例文帳に追加

グローバルシャッタ機能を有する低ノイズ（高感度）かつ低消費電力のＭＯＳ型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus with a small circuit scale for correcting image distortion in a frame caused in a MOS type sensor.例文帳に追加

ＭＯＳ型センサに生じるフレーム内の画像ひずみを少ない回路規模で補正する撮像装置を提供する。 - 特許庁

To remove vertical streak noise surely regardless of variation in linearity of a column amplifier even in a column amplifier system C-MOS image sensor.例文帳に追加

カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、カラムアンプのリニアリティのばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。 - 特許庁

To provide a MOS-type image sensor, which is free of frequency dividing noise, is simple in circuit configuration and dispenses with excess external control signals.例文帳に追加

分周ノイズがなく，回路構成が簡単で，余計な外部制御信号を必要としないＭＯＳ型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a MOS image sensor in which a noise generated due to a clock signal is reduced and a detector circuit.例文帳に追加

クロック信号Ｃ１，Ｃ２により発生する雑音を低減したＭＯＳ型イメージセンサ１００及びその検出回路５００を提供する。 - 特許庁

To remove vertical streak noise surely regardless of variation in characteristics of a column amplifier even in a column amplifier system C-MOS image sensor.例文帳に追加

カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、カラムアンプの特性に温度ばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。 - 特許庁

To remove vertical streak noise surely regardless of variation in output characteristics of color filters even in a column amplifier system C-MOS image sensor.例文帳に追加

カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、色フィルタ毎の出力特性のばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。 - 特許庁

To achieve arbitrary read while taking the timing of an electronic shutter when pixels of an MOS type image sensor are read on a shift register basis.例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサにおいてシフトレジスタ式で画素を読み出す場合における電子シャッターのタイミングを考慮しつつ、任意読み出しを実現する。 - 特許庁

The solid-state imaging element 11 is a MOS-type image sensor, and has a light-sensitive section 13 formed at one surface side of an Si substrate 12.例文帳に追加

固体撮像素子１１は、ＭＯＳ型イメージセンサであって、Ｓｉ基板１２の一方面側に形成された光感応部１３を有する。 - 特許庁

To provide a MOS image sensor capable of decreasing the number of transistors and the number of wires in the case of providing two photoelectric conversion elements within one pixel, and of being completely compatible with an electronic shutter.例文帳に追加

１画素内に２つの光電変換素子を設けた場合に、トランジスタ数や配線数の低減を図ると共に電子シャッタに完全に対応させる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a solid-state imaging element employing an MOS type image sensor capable of reducing the variety of a light detecting signal upon a low degree of illumination.例文帳に追加

低照度時に光検出信号のばらつきを低減することが可能なＭＯＳ型イメージセンサを用いた固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The vertical streak noise removing section 70 of a C-MOS image sensor comprises a memory 32 for storing the error value for each column of an image signal outputted from the image sensor, sections 72 and 73 for correcting the error value, and a circuit 74 for subtracting an error value corrected at the correcting sections 72 and 73 from the image signal outputted from the image sensor.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳイメージセンサの縦筋ノイズの除去処理部７０は、イメージセンサから出力された画像信号のカラム毎の誤差値を格納する誤差値格納メモリ３２と、誤差値を補正する補正部７２，７３と、イメージセンサから出力された画像信号から補正部７２，７３により補正された誤差値を減算する減算回路７４とを備える。 - 特許庁

The vertical streak noise removing section 30 of a C-MOS image sensor comprises a memory 32 for storing the error value for each column of an image signal outputted from the image sensor, sections 45 and 46 for correcting the error value, and a circuit 47 for subtracting an error value corrected at the correcting sections 45 and 46 from the image signal outputted from the image sensor.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳイメージセンサの縦筋ノイズの除去処理部３０は、イメージセンサから出力された画像信号のカラム毎の誤差値を格納する誤差値格納メモリ３２と、誤差値を補正する補正部４５，４６と、イメージセンサから出力された画像信号から補正部４５，４６により補正された誤差値を減算する減算回路４７とを備える。 - 特許庁

The structure of an image sensor pixel in an image detecting array is based on a vertical punch-through transistor where a junction gate surrounded by a MOS gate is connected with a source while surrounding it.例文帳に追加

画像検出アレイにおける画像センサピクセルの構造は縦型パンチスルートランジスタに基づいたものであり、ＭＯＳゲートで囲まれた接合ゲートがソースを囲む状態でソースに接続される。 - 特許庁

This MOS-type image sensor is so structured that when electric charges in photodiodes which constitute pixels of the image sensor increase, leakage current are easily allowed to flow rather toward a reset switch than to a switch directly connected to the photodiodes and acting as a part of a reading means.例文帳に追加

イメージセンサの画素を構成するフォトダイオードの電荷が増加した場合、フォトダイオードに直接接続され、読み出し手段の一部となっているスイッチよりもリセットスイッチの方にリーク電流が流れやすいように構成する。 - 特許庁

To provide a MOS-type image sensor that can take an image produced by an optical signal with the whole light-receiving surface, can convert the optical signal into an electrical signal, and can output the electrical signal as an image signal to the outside.例文帳に追加

受光面全面で、かつ同時に光信号による映像を取り込んで、その光信号を電気信号に変換して映像信号として外部に取り出すことができるＭＯＳ型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

In a threshold voltage modulating system MOS type image sensor, a voltage generating circuit 71 applies a prescribed gate voltage VG and a prescribed drain voltage VD respectively to a gate 14 and the drain 16 of an optical signal detection MOS transistor 112.例文帳に追加

この閾値電圧変調方式ＭＯＳ型イメージサンサは、電圧発生回路７１は、光信号検出用ＭＯＳトランジスタ１１２のゲート１４とドレイン１６に、それぞれ、所定のゲート電圧ＶＧとドレイン電圧ＶＤを印加する。 - 特許庁

The solid-state imaging element 11 is a MOS-type image sensor, and has a light-sensitive section 13; a shift register section; and the amplification section 15 formed at one surface side of an Si substrate 12.例文帳に追加

固体撮像素子１１は、ＭＯＳ型イメージセンサであって、Ｓｉ基板１２の一方面側に形成された、光感応部１３、シフトレジスタ部及び増幅部１５を有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element and imaging apparatus using the same in which a pixel state can be read in an arbitrary region from a MOS-type image sensor without increasing a circuit scale.例文帳に追加

回路規模を増大させることなく、ＭＯＳ型イメージセンサから画素状態を任意の領域で読出すことができる固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing step of a backside illumination type CMOS image sensor, a silicide film used in a gate electrode and an active region of a MOS transistor is remained in a photodiode region (opposite region of light reception region).例文帳に追加

裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサの製造工程において、ＭＯＳトランジスタのゲート電極や活性領域に用いるシリサイド膜をフォトダイオード領域（受光領域の反対領域）にも残す。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and a producing method therefor with which a leak current in the drain part of a reset transistor is suppressed by reducing a resistance value between the source/drain of an MOS transistor and wiring.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース・ドレインと配線との間の抵抗値を低減し、リセットトランジスタのドレイン部でのリーク電流を抑制したＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel structure that erases signal charges in a floating gate for an MOS image sensor having a structure configured such that signal charges are injected into the floating gate and a signal corresponding to the signal charges is read out.例文帳に追加

信号電荷をフローティングゲートに注入して該信号電荷に応じた信号を読み出す構造のＭＯＳ型イメージセンサにおいて、フローティングゲート内の信号電荷を消去する新規な構造を提供する。 - 特許庁

A video camera 10 is provided with a lens unit 11 having a focus lens 21 and a lens driving part 22, a C-MOS image sensor 12, a focus evaluation value detection part 15 of producing a focus evaluation value that indicates the degree of focusing of an object image and a controller 16.例文帳に追加

ビデオカメラ１０は、フォーカスレンズ２１及びレンズ駆動部２２を有するレンズユニット１１と、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ１２と、被写体像の合焦の度数を示す焦点評価値を生成する焦点評価値検出部１５と、コントローラ１６とを備えている。 - 特許庁

A video camera 10 comprises: a lens unit 11 having a focusing lens 21 and a drive section 22; a C-MOS image sensor 12; an estimated in focus value detecting section 15 that generates an estimated in focus value indicating the degree of in-focus of the image of the object of shooting, and a controller 16.例文帳に追加

ビデオカメラ１０は、フォーカスレンズ２１及びレンズ駆 動部２２を有するレンズユニット１１と、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ１２と、被写体像の合焦の度数を示す焦点評価値を生成する焦点評価値検出部１５と、コントローラ１６とを備えている。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor, of which the operating range is reduced only for a threshold voltage of an NMOS transistor, even if the NMOS transistor is arranged rather than a MOS transistor arranged for each unit pixel.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサに、各単位画素に備えられるＭＯＳトランジスタの代わりにＮＭＯＳトランジスタが備えられるとしても、ＮＭＯＳトランジスタのしきい電圧だけ動作範囲が低減されないＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。 - 特許庁

In the MOS type image sensor, a shift register for an electronic shutter and a shift register for readout are shifted fast for lines where pixels not in an area specified for an arbitrary readout are present to suppress the readout of the lines.例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサにおいて、電子シャッター用シフトレジスタと、読み出し用シフトレジスタとを、任意読み出しで指定される領域以外の画素について、その画素が存する行については、高速シフトさせてその行の読み出しを抑止する。 - 特許庁

A photo diode PD, a read selection transistor Ttx, a read transistor Tty, an amplifier transistor Ta, a reset transistor Tr, and a horizontal selection transistor Tx form a unit pixel, thereby forming a point sequential read 5Tr system MOS image sensor.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤと、読み出し選択トランジスタＴｔｘ、読み出しトランジスタＴｔｙ、増幅トランジスタＴａ、リセットトランジスタＴｒ、水平選択トランジスタＴｘで各単位画素を構成し、点順次読み出し５Ｔｒ方式のＭＯＳイメージセンサを構成する。 - 特許庁

To provide a MOS-type image sensor constituted by pouring a signal charge into a floating gate to read a signal corresponding to the signal charge, by which a voltage when pouring the signal charge into the floating gate can be maintained low.例文帳に追加

信号電荷をフローティングゲートに注入して該信号電荷に応じた信号を読み出す構造のＭＯＳ型イメージセンサであって、信号電荷をフローティングゲートに注入する際の電圧を低く抑えることが可能なＭＯＳ型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

A positioning mark is formed in a wiring surface side of a silicon substrate by appropriating an active region or a gate electrode used in a MOS transistor preparation process, for example, for stepper positioning in a manufacturing process of a backside illumination type CMOS image sensor.例文帳に追加

裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサの製造工程において、ステッパ合わせを行うために、例えばＭＯＳトランジスタ作成工程で用いる活性領域またはゲート電極を流用してシリコン基板の配線面側に位置合わせマークを形成する。 - 特許庁

To avoid the invasion of a carrier (blooming signal) generated in a photoelectric converter into the photoelectric converter of an OB pixel region, and to stabilize a dark level when a strong light is incident to a photosensitive pixel region (imaging region) in an amplifier MOS image sensor.例文帳に追加

増幅型ＭＯＳイメージセンサにおいて、感光画素領域（撮像領域）に強度の光が入射した場合に光電変換部で発生したキャリア（ブルーミング信号）がＯＢ画素領域の光電変換部に侵入することを回避し、暗時レベルを安定化させる。 - 特許庁

This solid-state electronic imaging device includes a signal charge read control means to control reading of signal charge accumulated in photodiodes of a C-MOS sensor 40, wherein the signal charge accumulated in the photodiodes in odd-numbered rows is read in the row direction one row at a time to provide an odd-numbered row image 4.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳセンサ４０のフォトダイオードに蓄積された信号電荷の読み出しを制御する信号電荷読み出し制御手段を備え、奇数行のフォトダイオードに蓄積された信号電荷は，１行ずつ行方向に読み出され，奇数行画像４が得られる。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises a plurality of pixels each having a photoelectric conversion unit for generating and storing a signal charge responsive to incident light, and a pixel amplifier 15 composed of a MOS transistor for receiving the signal charge at a gate electrode 45 and outputting a pixel signal responsive to the signal charge.例文帳に追加

固体撮像素子は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部と、前記信号電荷をゲート電極４５に受け取って前記信号電荷に応じた画素信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる画素アンプ１５とを有する画素を複数備える。 - 特許庁