「NSEC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Further, the time difference between the laser beams oscillated by the first and second laser light sources is set to ≤600 nsec.例文帳に追加

また、第１、第２レーザ光源から発振されるレーザの間の時間差を６００ｎｓｅｃ以下とする。 - 特許庁

The method is characterized in that: the application time of the pulsed voltage is 10 nsec to 300 nsec; the intensity of the electric field is 1 kV/cm to 30 kV/cm; the cell is a yeast; the property is proliferation speed of the cell, and the like.例文帳に追加

また、前記パルス電圧の印加時間は10nsec〜300nsecであることや、前記電界の強度は、1kV/cm〜30kV/cmであること、前記細胞は酵母であること、前記性質は、細胞の増殖速度であること等にも特徴を有する - 特許庁

A pulse laser beam having a pulse width ≥100 nsec or a continuous wave laser beam is preferably used for the laser beam.例文帳に追加

レーザ光は、パルス幅が１００ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光が好ましい。 - 特許庁

To set a rise time tr and a fall time tf of a driving current pulse for generating laser beams to be ≤1.0 nsec.例文帳に追加

レーザ光発生のための駆動電流パルスの立ち上がり時間tr、立ち下がり時間tfを１．０ｎｓｅｃ以下とする。 - 特許庁

Positive pulse and negative pulse are applied as the pulse voltage, and the pulse half band width of the positive pulse and negative pulse is ≤ 1,000 nsec.例文帳に追加

パルス電圧として正パルスと負パルスとを印加し、かつ正パルスおよび負パルスのパルス半値幅が１０００ｎｓｅｃ以下である。 - 特許庁

When that time is set in the range of 100-5,000 nsec, a crystalline semiconductor thin film having required crystallinity can be obtained.例文帳に追加

この時間を１００〜５０００ｎｓｅｃとすることにより、必要とする結晶性を有する結晶性半導体薄膜を得ることができる。 - 特許庁

The pulses may be from about 1 nsec to about 10 msec long, and each pulse has less energy than that required to melt the substrate material.例文帳に追加

パルスは約１ｎｓｅｃから約１０ｍｓｅｃの長さであってもよく、各パルスは基板材料を融解するのに必要なエネルギより少ないエネルギを有する。 - 特許庁

The half-value width of the pulse laser beam is 10 nsec or smaller when the optical waveguide is formed by irradiating the base material composed of the monocrystal oxidized material with the laser beam.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基材にレーザー光を照射することで光導波路を形成するのに際して、レーザー光のパルスの半値幅を１０ｎｓｅｃ以下とする。 - 特許庁

An edge signal having a short pulse width of 50 nsec is generated, before and after the point of time when a half period of 3T signal is elapsed after the trailing time of an EFM signal converting the RF signal.例文帳に追加

このＲＦ信号を変換したＥＦＭ信号の立ち下がり時点から３Ｔ信号の半周期を経過した時点の前後で短い５０nsecの幅のパルスを有するエッジ信号を発生する。 - 特許庁

A regulator circuit is provided in one of the respective current sources 3 and 4, and the superimposition circuit 5 to regulate one or both of the DC level and an AC amplitude to control so that a light pulse width, that is a half value width of the light output of the semiconductor laser, is 2 nsec or less.例文帳に追加

半導体レーザ１は、駆動回路２において、直流電流源３からの出力と、交流電流源４からの出力を、重畳回路５で重ね合わせられた出力で駆動される。 - 特許庁

As a laser beam generating means in the laser perforating device, a means of generating a higher harmanic of Nd; YLF pulse laser or Nd; YAG pulse laser is provided, and the pulse width of the pulse laser is set at 100-300 (nsec).例文帳に追加

レーザ穴あけ加工装置におけるレーザ光の発生手段としてＮｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；ＹＡＧパルスレーザの高調波を発生する手段を備え、該パルスレーザのパルス幅が１００〜３００（ｎｓｅｃ）に設定されている。 - 特許庁

A corona discharge is generated between both electrode 3, 6, applying a pulse high voltage having a pulse width of 10 nsec or more, an electric field intensity from 4 to 100 kV/cm and a pulse frequency of 10 pps or more between the discharge electrode 3 and the counter electrode 6.例文帳に追加

パルス幅１０ｎｓｅｃ以上、電界強度４〜１００ｋＶ／ｃｍ、パルス頻度１０ｐｐｓ以上のパルス高電圧を放電極３と対向電極６との間に印加して両電極３，６間にコロナ放電を発生させる。 - 特許庁

The prescribed position of the catalyst layer 15 is irradiated with an XeCl pulse laser beam of a wavelength 308 nm, pulse width 14 nsec, and energy density 600 mJ/cm^2 as an energy beam EB in a reactive gaseous atmosphere and thereby the irradiated positions are heated.例文帳に追加

次いで、反応ガス雰囲気中で、エネルギービームＥＢとして、波長３０８ｎｍ、パルス幅１４ｎｓｅｃ、エネルギー密度６００ｍＪ／ｃｍ^2 のＸｅＣｌパルスレーザビームを、触媒層１５の所定の位置に照射することにより、照射された位置を加熱する。 - 特許庁

When the thin film 7 is deposited on a substrate 6 by generating a discharge plasma by applying a pulse voltage to electrode 5 in an atmosphere containing the raw material gas A containing a carbon source, the continuing time of the pulse voltage is 10 to 1,000 nsec and the pressure is ≤50 Torr.例文帳に追加

炭素源を含む原料ガスＡを含む雰囲気下で電極５にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材６上に薄膜７を生成させるのに際して、パルス電圧のパルス継続時間が１０〜１０００ｎｓｅｃであり、圧力が５０Ｔｏｒｒ以下である。 - 特許庁

The frame synchronous detecting circuit composed of a frame synchronous pattern detecting circuit 41, a reception-side frame counter 42, and a state transition decision circuit 43 is provided with an in-device phase frame counter 51, and generates a receive frame enable signal 52 having a pulse width of '2δ+α' (nsec) around in-device FP 54.例文帳に追加

フレーム同期パタン検出回路４１、受信側フレームカウンタ４２および状態遷移判定回路４３からなるフレーム同期検出回路に、装置内位相フレームカウンタ５１を設け、装置内ＦＰ５４を中心に“２δ＋α”［ｎｓｅｃ］のパルス幅の受信フレームイネーブル信号５２を生成させる。 - 特許庁

This invention relates to a reflective base photographic element including a base including a biaxially oriented polymer sheet having a micro void layer whose upper surface has L* of at least 93.5 and an image forming layer whose exposure range is 125 nsec to 0.5 sec when the loss of the shoulder of status A reflection density as the function of cyan recording is ≤8%.例文帳に追加

本発明は、上部表面のＬ^* が少なくとも93.5であるミクロボイド化二軸配向ポリマーシートを含む支持体と、シアン記録の関数としてのステータスＡ反射濃度の肩部の損失が８％以下である場合の露光域が 125ナノ秒〜 0.5秒である像形成層とを含んでなる反射型ベース写真要素に関する。 - 特許庁

The organic EL backlight 10 has a construction wherein a transparent electrode 12 to be an anode, an organic EL layer 13 and a transparent electrode 14 to be a cathode are layered in this order on the front surface of a transparent substrate 11 and an organic luminescence layer in the organic EL layer 13 contains a phosphorescent organic EL material having 100 nsec to 1 msec emission life.例文帳に追加

有機ＥＬバックライト１０は、透明基板１１の前面に陽極となる透明電極１２、有機ＥＬ層１３および陰極となる透明電極１４をこの順に積層した構成となっており、有機ＥＬ層１３内の有機発光層には、発光寿命が１００ｎｓｅｃ〜１ｍｓｅｃのりん光を発光させる有機ＥＬ材料を含んでいる。 - 特許庁

When a TFT array substrate is irradiated only once with laser light having a wavelength of 0-355 nm, a pulse width of 5-200 nsec and an energy in the range of 0.16-0.6 mJ/mm^2, only the pixel electrode 5 can be cut off selectively without having any effect on the underlying gate line 1, source line 3, TFT 6 and common capacitive line 2.例文帳に追加

また、波長が０を超え３５５ｎｍ以下、パルス幅が５〜２００ｎｓｅｃ、エネルギーが０．１６〜０．６ｍＪ／ｍｍ^2の範囲であるレーザー光を１回のみ照射するようにすると、画素電極５の下に存在するゲート配線１、ソース配線３、ＴＦＴ６および共通容量配線２に影響を与えることなく、画素電極５のみを選択的に切断しやすい。 - 特許庁