「Ohms」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

the ratio of the inductance of a circuit in henries to its resistance in ohms 例文帳に追加

回路のインダクタンスのヘンリー値とその抵抗のオーム値の比 - 日本語WordNet

At this time, the latex coating 28 may have a conductivity of less than about 10,000 ohms per square.例文帳に追加

このとき、ラテックスコーティング２８は、約１０，０００オーム／スクエア未満の導電率を有することができる。 - 特許庁

To reduce the size of a semiconductor device by forming a resistive element (106) with a large area and a resistance of several hundreds M (mega) ohms to several G (giga) ohms having been externally mounted on an IC (101) for an electret condenser microphone ECM into an integrated circuit.例文帳に追加

エレクトレットコンデンサマイクロフォンＥＣＭ用のＩＣ（１０１）に外付けしてある、面積の大きな数百Ｍ（メガ）〜数Ｇ（ギガ）Ωを有する抵抗素子（１０６）をＩＣ化して、半導体装置の縮小化を図る。 - 特許庁

The input impedance at an input terminal 15 is set to be within a range of 1 to 25 ohms.例文帳に追加

そして、入力端子１５での入力インピーダンスは、１Ω〜２５Ωの範囲になるように設定されている。 - 特許庁

3. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers that require pulse rise times less than 10 microseconds against a resistance load less than 40 ohms 例文帳に追加

（三）　四〇オーム未満の抵抗負荷に対して一〇マイクロ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The film thickness of the mold-release layer 26d is 50 μm or less, and the surface resistance of the adhesive layer 26c is 10^8 to 10^13 ohms/square.例文帳に追加

離型層２６ｄの膜厚が５０μｍ以下であり、接着層２６ｃの表面抵抗が１０^8〜１０^13Ω／□であること。 - 特許庁

To provide an amplifier circuit capable of acquiring high gain, while input impedance and output impedance are maintained at a matching value (for example, 50 ohms) over a wide band.例文帳に追加

広帯域にわたり入力及び出力インピーダンスを整合値（例えば５０Ω）に保ったまま高い利得を得ることができる増幅回路を提供する。 - 特許庁

Preferably, the half-wave, electro-conductive, high refractive index layer contains indium titanium oxide providing sheet resistance of less than 20 ohms/sq.例文帳に追加

この二分の一波長電気伝導性高屈折率層は、好ましくは２０ｏｈｍ／ｓｑ未満のシート抵抗を提供する酸化インジウムチタンを含む。 - 特許庁

When the serial resistor has mega ohms, a current- voltage characteristic has a linear relationship, and it is relatively easy to change over a brightness level.例文帳に追加

直列抵抗が百万オームのクラスであるとき、電流−電圧の特性は線形の関係を呈し、輝度グレーレベルの切り換えも比較的容易である。 - 特許庁

The first to third protection resistive elements r1, r2, r3 are made of metallic wires, and the resistance of the resistive elements is to be selected, preferably to be about 10 ohms.例文帳に追加

これらの第１乃至第３の保護抵抗素子ｒ１、ｒ２，ｒ３は金属配線で形成され、それらの抵抗値は１０Ω程度であることが好ましい。 - 特許庁

The first and second antennas 10, 21 comprising folded dipole antenna elements are connected to a signal power synthesizing section 13 via feeding cables 15a, 15b whose impedance is respectively about 200 ohms.例文帳に追加

折り返しダイポールエレメントとされる第１アンテナ１０と第２アンテナ１１は、約２００Ωの給電ケーブル１５ａ、１５ｂを介して給電合成部１３に接続されている。 - 特許庁

Then the impedance of the feeding cables 15a, 15b connected in parallel is converted into an unbalanced impedance of about 75 ohms by a 1:1 balun 13c.例文帳に追加

そして、並列に接続された給電ケーブル１５ａおよび給電ケーブル１５ｂは１対１のバラン１３ｃにより約７５Ωの不平衡のインピーダンスに変換される。 - 特許庁

When the skirt cable is connected between the reproducing device and a display device, since the No. 16 pin of a skirt jack 11 is terminated by a resistor of 75 ohms, a bipolar transistor 41 is turned on.例文帳に追加

スカートケーブルが再生装置と表示装置との間に接続されているとき、スカートジャック１１の１６番ピンが７５Ωで終端されるため、バイポーラトランジスタ４１がオンとなる。 - 特許庁

The resistance of the variable resistor 11 is set a maximum (250 ohms) at the macro position and made gradually smaller, as approaching infinite position, and finally reaches a minimum (0 ohm) at infinite position.例文帳に追加

また、可変抵抗器１１の抵抗値をマクロ位置で最大（２５０Ω）とし、無限遠側へ近づくに従って徐々に小さくなり、無限遠位置において最小（０Ω）となるようにした。 - 特許庁

When they are soldered to each other, the ball disposed at the center and the central conductor of the coaxial line have an appearance of a rod of a diameter having an impedance of standard 5 ohms.例文帳に追加

相互に半田付けされると、中心に配置されたソルダーボールと、同軸線の中心導体とは、標準的な５オームのインピーダンスを有する直径のロッドの外観を有する。 - 特許庁

If the gain of the sub amplifier 6 is A multiples, the maximum output of the sub speaker is B watts and impedance is C ohms, the level of the sub channel signal is limited within the range of ±√BC*1/A.例文帳に追加

サブアンプ６のゲインがＡ倍であり、サブスピーカの最大出力がＢワット、インピーダンスがＣオームである場合には、サブチャンネル信号のレベルを±√ＢＣ＊１／Ａの範囲に制限させる。 - 特許庁

Selecting the impedance of a side of a circuit network connected to the other end P3 of the sub line SL to be the prescribed value of 50 ohms matches the impedance of the both.例文帳に追加

これにより、副線路ＳＬの他端側Ｐ３に接続される回路網側のインピーダンスを所定値５０Ωに設定することによって、両者のインピーダンス整合をとることができる。 - 特許庁

b) Pulse generators generating pulses with voltage exceeding 6 volts against a resistance load less than 55 ohms, and requiring a pulse rise time less than 500 picoseconds (excluding those falling under (a) 例文帳に追加

ロ　パルス発生器であって、五五オーム未満の抵抗負荷に対して六ボルトを超える電圧のパルスを発生し、かつ、五〇〇ピコ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの（イに該当するものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

(c) Among absorbers that are conductive polymers with volume conductivity exceeding 10 kilosiemens per meter or surface electrical resistivity less than 100 ohms, those comprising any of the following polymers 例文帳に追加

ハ　導電性高分子であって、体積導電率が一〇キロジーメンス毎メートルを超えるもの又は表面抵抗率が一〇〇オーム未満のもののうち、次のいずれかの重合体からなるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The characteristic impedance of the open stub is as high as 9,500 ohms, and the filter indicates a narrow band characteristic of a relative band of 0.75% at a frequency 800 MHz.例文帳に追加

両共振器１５，１５は１／４波長の開放スタブと等価な回路となり、その開放スタブの特性インピーダンスは９５００Ωと高い値で、フィルタは８００ＭＨｚで比帯域０．７５％の狭帯域特性を示した。 - 特許庁

The MoNx first resistive element (18) provides a sheet resistance of 3-5 ohms/square at 4K with a thickness of approximately 95 nm and enables the superconductive integrated circuit (10) to have a raised critical current density of 6-8 kA/cm^2.例文帳に追加

ＭｏＮ_x第１抵抗素子（１８）は、面抵抗が４゜Ｋにおいて３ないし５オーム／□、厚さが約９５ｎｍであり、超伝導集積回路（１０）の臨界電流密度を６ないし８ｋＡ／ｃｍ^2に高めることができる。 - 特許庁

An aluminum oxide dielectric layer with high purity and having a volume specific resistivity of 108-1013 ohms cm or 1010-1013 ohm cm is formed on a substrate arranged electrodes thereon by an ultrafine particle beam deposition method.例文帳に追加

高純度でかつ体積固有抵抗値が１０^8〜１０^13Ω・ｃｍもしくは１０^10〜１０^13Ω・ｃｍである酸化アルミニウム誘電体層を超微粒子ビーム堆積法により電極を配置した基板上に形成した。 - 特許庁

In a ceramic green sheet having a circuit pattern on its surface, a water-soluble acrylic binder is incorporated in an amount of 3 to 25 wt.% and the surface resistivity of the surface on which the circuit pattern is formed is controlled to be ≤9×1012 (ohms/(square)).例文帳に追加

表面に回路パターンが形成されるセラミックグリーンシートにおいて、水溶性アクリルバインダを３〜２５重量％含有し、回路パターンを形成する面の表面抵坑率が９×１０^12（Ω／□）以下に調整されている。 - 特許庁

In the developing apparatus, a developer carrier is made of a metallic roll member, an abutting part of the developer control member on the developer carrier is made of a rubber member, and surface resistivity of the rubber member is set ≤105 ohms/square.例文帳に追加

現像剤担持体を金属性のローラ部材とするとともに、現像剤規制部材の現像剤担持体との当接部をゴム部材とし、ゴム部材の表面抵抗率が、１０^^5Ω／□以下とすることを特徴とする現像装置。 - 特許庁

The applied voltage from the DC-DC converter 51 is selected so that the output impedance of the amplifying transistor 41 has a desired value, and set to a voltage at which matching is attained by a characteristic impedance of 50 ohms in this embodiment.例文帳に追加

ＤＣ／ＤＣコンバータ５１からの供給電圧値は、増幅用トランジスタ４１の出力インピーダンスが所望の値になるように設定されており、本実施形態では、５０Ωの特性インピーダンスで整合が取れる電圧値に設定されている。 - 特許庁

By adding a 3rd capacitive element for impedance matching purpose to the semiconductor switch circuit in order to match the impedance at the operating frequency when viewing from 1st, 2nd and 3rd terminals with 50 ohms, the gate width of field effect transistors used for the semiconductor switch elements can be reduced.例文帳に追加

第１端子、第２端子、第３端子から見た使用周波数でのインピーダンスを５０Ωに合わせるためにインピーダンスマッチング用の第３キャパシタ素子を付加することで、半導体スイッチ素子に用いる電界効果トランジスタのゲート幅を小さくすることができる。 - 特許庁

The Colpitts oscillator comprising the Colpitts oscillation circuit, the amplifier circuit, and a coupling capacitor for coupling them configures the piezoelectric oscillator the impedance of the coupling capacitor of which is selected to be 200 ohms or over so that a steep peak caused in the frequency characteristic of inter-power-supply is lowered and made gentle.例文帳に追加

コルピッツ型発振回路と、増幅回路と、これらを結合する結合容量とから構成するコルピッツ型発振器であって、電源間インピーダンスの周波数特性に生じる急峻なピークを低く且つなだらかにするように、結合容量のインピーダンスを２００Ω以上とした圧電発振器を構成する。 - 特許庁

Resistors R1 and R2 of several hundreds ohms or lower are connected to a space between an electrode E1 and an electrode E2 of a measuring device on feet and an electrode E3 and an electrode E4 of a measuring device on the hand, an electric current is passed to the body including both hand and feet through the electrodes from a single source of electric current.例文帳に追加

足用測定器の電極Ｅ１と電極Ｅ２との間および手用測定器の電極Ｅ３と電極Ｅ４との間にそれぞれ数百オーム以下の抵抗Ｒ１，Ｒ２を接続して１個の電流源から各電極を通して両手足を含む全身に同時に電流を流す。 - 特許庁

In the transmitter-receiver where a receiver (Rx) side SAW filter 1 and a transmitter (Tx) side SAW filter 2 are connected in parallel, a capacitor (reactive element) 5 with 10 pF (an impedance of about 42 ohms at a frequency of the receiver Rx) is connected in series between an antenna terminal 3 and the Tx side SAW filter 2.例文帳に追加

受信（Ｒｘ）側ＳＡＷフィルタ１と送信（Ｔｘ）側ＳＡＷフィルタ２が並列接続されている送受共用器において、アンテナ端子３とＴｘ側ＳＡＷフィルタ２との間に、直列に、１０ｐＦ（Ｒｘ周波数にて約４２Ωのインピーダンス）のコンデンサ（リアクタンス素子）５が接続されている。 - 特許庁

The power semiconductor device is characterized in that an expression of Rg<(16,000×Cs/(A×Ic)+750)/Cg holds among a resistance Rg (ohms) of the gate resistor 12, a capacitance Cs (nF) of the snubber capacitor 15, a gate capacitance Cg (nF), an element valid area A (cm2) and a current Ic (A) flowing through between the collector and emitter electrodes.例文帳に追加

ゲート抵抗１２の抵抗値Ｒｇ（Ω）、スナバキャパシタ１５の容量Ｃｓ（ｎＦ）、ゲート容量Ｃｇ（ｎＦ）、素子有効面積Ａ（／ｃｍ^2）とコレクタ電極及びエミッタ電極間を流れる電流Ｉｃ（Ａ）の関係が、Ｒｇ＜（１６０００×Ｃｓ／（Ａ×Ｉｃ）＋７５０）／Ｃｇを満たすことを特徴とする。 - 特許庁

In the high frequency coupler 20 of this embodiment, an impedance matching circuit (capacitors C11, C12) to match a line impedance when viewing from other end P3 of a sub line SL while one end P4 of the sub line SL is connected to a prescribed termination resistor RL with a prescribed value of 50 ohms is layered in a multilayered board.例文帳に追加

本実施形態に係る高周波カプラ２０では、副線路ＳＬの一端側Ｐ４が所定の終端抵抗ＲL に接続されたときの副線路ＳＬの他端側Ｐ３から見た線路インピーダンスを所定値５０Ωに整合させる、インピーダンス整合回路（コンデンサＣ11、Ｃ12）を多層基板に内層する。 - 特許庁

A matching circuit 11 outputs a signal outputted from a collector terminal of an NPN bipolar transistor 1a to a signal output terminal 13, and a matching circuit 12 of which the other end is connected to a resistor 14 less than 50 ohms is configured so as to terminate a signal outputted from a collector terminal of an NPN bipolar transistor 1b.例文帳に追加

整合回路１１がＮＰＮバイポーラトランジスタ１ａのコレクタ端子から出力された信号を信号出力端子１３に出力する一方、他端が５０オーム未満の抵抗１４と接続されている整合回路１２がＮＰＮバイポーラトランジスタ１ｂのコレクタ端子から出力された信号を終端するように構成する。 - 特許庁