「PHOTO RESIST」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PHOTO-RESIST PEELING COMPOSITION, PHOTO-RESIST PEELING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY UNIT USING THE SAME例文帳に追加

フォトレジスト剥離組成物、これを用いたフォトレジスト剥離方法及び表示装置の製造方法 - 特許庁

PHOTO-SOLDERING RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR CURING THE SAME例文帳に追加

フォトソルダーレジスト組成物およびその硬化方法 - 特許庁

A photo resist pattern formation process of forming the photo resist pattern by exposing the photo resist film 18 in a pattern form and further developing the photo resist film 18 is performed separately two or more times.例文帳に追加

そして、フォトレジスト膜１８をパターン形状に露光し、更に、フォトレジスト膜１８を現像することによりフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程を、２回以上に分けて行う。 - 特許庁

Then, the exposure and development of the photo-resist is carried out so that a resist pattern can be formed.例文帳に追加

その後、フォトレジストの露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a photo-resist application technique that can obtain highly accurate within-wafer film thickness precision in filming a substrate (wafer) with photo-resist as well as reducing a used amount of photo-resist by dropping the photo-resist during high-speed rotation.例文帳に追加

高回転でフォトレジストを滴下してフォトレジストの使用量を低減するとともに、基板（ウェハ）上へのフォトレジストの成膜において高精度の面内膜厚精度を得ることができるフォトレジスト塗布技術を提供する。 - 特許庁

PHOTO-SOLDERING RESIST RESIN COMPOSITION FOR ELECTROLESS GOLD PLATING AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

無電解金メッキ用フォトソルダーレジスト樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 - 特許庁

The erosion-preventive plug and the photo-resist pattern are removed.例文帳に追加

侵蝕防止用プラグ及びフォトレジストパターンを除去する。 - 特許庁

A second photo resist 5 is formed on an insulating film 2.例文帳に追加

絶縁膜２上に第２のホトレジスト５を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING RESIDUAL SUBSTANCE AFTER PHOTO RESIST PEELING例文帳に追加

フォトレジスト剥離後の残留物質を除去する方法 - 特許庁

On the other area, a photo resist layer 34 is left.例文帳に追加

それ以外の領域は、フォトレジスト層３４が残されている。 - 特許庁

TRANSFER METHOD OF RESIST PATTERN AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTO MASK例文帳に追加

レジストパターンの転写方法及びフォトマスクの製造方法 - 特許庁

A photo resist 4 having openings 4a and 4b is formed.例文帳に追加

開口部４ａ，４ｂを有するフォトレジスト４を形成する。 - 特許庁

To allow a photo resist film to remain merely in a contact hole connected to the source and drain regions of an MISFET without using any photo masks and to remove the photo resist film at the other regions.例文帳に追加

フォトマスクを用いずにＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン領域へつながるコンタクトホールにのみフォトレジスト膜を残し、それ以外のフォトレジスト膜を除去する。 - 特許庁

PHOTO-SOLDER RESIST DRY FILM AND RESIN COMPOSITION FOR PRODUCING THE SAME, AND SOLDER RESIST FILM例文帳に追加

フォトソルダーレジストドライフィルム及び該ドライフィルム製造用樹脂組成物並びにソルダーレジスト膜 - 特許庁

Successively, a pattern is baked on the resist 2 in a photo-lithographic process and the resist 2 is developed (c).例文帳に追加

次にフォトリソグラフィ工程によりレジスト２にパターンを焼き付け、レジスト２を現像する（ｃ）。 - 特許庁

After the photo-resist 20 is sensitized, the unnecessary part of the photo-resist 20 is cleaned, and this surface acoustic wave element 10 is immersed in etching liquid in a state that the photo-resist 20 is deposited to a prescribed position.例文帳に追加

フォトレジスト２０が感光した後、フォトレジスト２０の不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジスト２０が付着した状態で、エッチング液に弾性表面波素子１０を浸す。 - 特許庁

Then, a positive photo-resist is applied with the pattern 107 covered, and the back face of the substrate is irradiated with lights so that the photo-resist can be exposed and then developed so that a photo-resist pattern 110 can be formed.例文帳に追加

パターン１０７覆って、ポジ型のフォトレジストを塗布し、基板裏面から光を照射することによりフォトレジストを露光し後現像することにより、フォトレジストパターン１１０を形成する。 - 特許庁

The photo resist film 27 inside the contact hole 24 is removed, and exposure treatment is made to the photo resist film 27 with the amount of exposure for allowing one portion of the photo resist film 27 to remain inside the contact holes 22 and 23, thus allowing the photo resist film 27 to remain merely in the contact holes 22 and 23, and removing the other photo resist films 27.例文帳に追加

コンタクトホール２４の内部のフォトレジスト膜２７が除去され、コンタクトホール２２、２３の内部にはフォトレジスト膜２７の一部が残る露光量でフォトレジスト膜２７に露光処理を施すことでコンタクトホール２２、２３の内部にのみフォトレジスト膜２７を残し、それ以外のフォトレジスト膜２７を除去する。 - 特許庁

A photo-resist pattern 82 that serves as a mask in forming the upper magnetic pole 17 is formed by using a negative type photo-resist.例文帳に追加

上部磁極１７を形成する際のマスクとして機能するフォトレジストパターン８２を、ネガティブ型のフォトレジストを用いて形成する。 - 特許庁

Consequently, gases which are generated from a solvent contained in the photo resist 3 can be pulled out before the photo resist 3 is hardened.例文帳に追加

これにより、フォトレジスト３に含まれている溶剤などから発生するガスを、フォトレジスト３が硬化する前に抜くことができる。 - 特許庁

After a photo-resist film PR is formed on a lens material film 111Z, the photo-resist film PR is pattern processed by a photo-lithography, thereby forming a resist pattern PRp on the lens material film 111z.例文帳に追加

レンズ材膜１１１ｚの上にフォトレジスト膜ＰＲを成膜後、そのフォトレジスト膜ＰＲをフォトリソグラフィによってパターン加工し、レンズ材膜１１１ｚの上にレジストパターンＰＲｐを形成する。 - 特許庁

After a gate electrode or the like is formed on a semiconductor substrate 1, a photo resist film is formed on the entire face of the substrate 1, an opening 21a is formed to the photo resist film to form a photo resist pattern 21.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート電極等を形成した後、フォトレジスト膜を全面に形成し、このフォトレジスト膜に開口部２１ａを形成することにより、フォトレジストパターン２１を形成する。 - 特許庁

To limit the effect of nitrogen of the surface on a photo-resist by depositing an antireflection covering body of oxynitride silicon on a material layer, removing nitrogen from the surface region of the antireflection covering body and mounting the photo-resist.例文帳に追加

フォトレジストに及ぼす表面の窒素の効果を制限した反射防止被覆体とその製造法を提供する。 - 特許庁

The photo-resist 20 can be used as negative or positive according to its purpose.例文帳に追加

フォトレジスト２０は、その目的により、ネガまたはポジを使い分ける。 - 特許庁

A second opening 10 is formed in the photo resist film 7A.例文帳に追加

フォトレジスト膜７Ａに第二の開口部１０が形成されている。 - 特許庁

In a second photo step, a negative resist is coated in the vicinity of the positive resist 5, and the negative resist is exposed and developed to form a negative resist 29.例文帳に追加

第２のフォト工程にて、ポジレジスト５の周囲にネガレジストを塗布した後、このネガレジストに対して露光および現像を行って、ネガレジスト２９を形成する。 - 特許庁

Then, a second photo-resist 105 is applied to form a photo-resist opening part 106, and a plated Au layer 107 is formed by an electroless plating method.例文帳に追加

次に、第２のホトレジスト１０５を塗布し、ホトレジスト開口部１０６を形成し、無電解メッキ法によりメッキＡｕ層１０７を形成する。 - 特許庁

A first photo-resist 102 is applied on a GaAs substrate 101, and a photo-resist opening part 103 is formed, and a via hole 104 is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に第１のホトレジスト１０２を塗布し、ホトレジスト開口部１０３を形成して、バイアホール１０４を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method of removing a photo resist film which can rapidly and surely peel off the photo resist film using ozone water.例文帳に追加

オゾン水を用いたフォトレジスト膜の剥離を迅速かつ確実に行うことができるフォトレジスト膜除去装置および方法を提供する。 - 特許庁

In the immersion lithography process, the photo resist layer is formed on a material layer, and an acid compensating layer is formed on the photo resist layer.例文帳に追加

本発明の液浸リソグラフィ・プロセスにおいて、材料層上にフォトレジスト層を形成し、当該フォトレジスト層上に酸補償層を形成する。 - 特許庁

A diamond-like carbon(DLC) film 4 or photo-resist is used for the protective film.例文帳に追加

保護膜には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜や、フォトレジストが使用できる。 - 特許庁

To enable repair of a resist open failure part in photo lithography processes.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程中でのレジストオープン不良部のリペアを可能とする。 - 特許庁

Then, the resist and the chromium film are removed to manufacture a photo mask 203.例文帳に追加

その後、レジストとクロム膜を除去してフォトマスク２０３を製造する。 - 特許庁

The lower photo resist 6 is developed after a repair processing and the rib formation member layer is selectively removed by using the remaining two layers of upper and lower photo resist patterns 62, 64, 72 as resist masks for pattern formation.例文帳に追加

リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部材層を選択除去する。 - 特許庁

In a manufacturing process, it is possible to decrease use members such as a photo-mask and photo-resist and to reduce the number of steps.例文帳に追加

製造プロセスにおいて、フォトマスク、フォトレジストなどの使用部材を減らし、工程数を削減することができる。 - 特許庁

PHOTO-CURING AND HEAT-CURING COMPOSITION, SOLDER RESIST COMPOSITION AND PRINT CIRCUIT BOARD例文帳に追加

光及び熱硬化性組成物、ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板 - 特許庁

According to this manufacturing method of a functional structure, as shown in Fig. 1(a), photo resist is applied onto a substrate 12 made of unidirectionally solidified silicon to form a photo resist layer 14.例文帳に追加

まず、図１（ａ）に示すように、一方向凝固シリコンからなる基板１２上にフォトレジストが塗布されてフォトレジスト層１４が形成される。 - 特許庁

A positive photo-resist layer is formed on the whole surface, and the substrate 30 is exposed from the rear face and developed to leave the photo-resist layer on the conductive film 42.例文帳に追加

全面にポジ型のフォトレジスト層を形成し，基板３０の裏側からフォトレジスト層を露光し，現像して，導電膜４２の上にフォトレジスト層を残す。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTO-SOLDERING RESIST INK, PRINTED WIRING BOARD AND DRY FILM例文帳に追加

感光性樹脂組成物、フォトソルダーレジストインク、プリント配線板及びドライフィルム - 特許庁

The positive-negative type of the photo-resist 132 is reverse to the photo-resist used for forming a p-offset region 122 and a diffusion region 123.例文帳に追加

このフォトレジスト１３２は、ｐ−オフセット領域１２２および拡散領域１２３を形成するために用いたフォトレジストとはポジ−ネガ型が逆である。 - 特許庁

Patterning is performed in a photo resist layer 59 formed on a color filter array 58 to remove a photo resist on boundaries from first to third colored layers 41, 54 and 57.例文帳に追加

カラーフィルタアレイ５８上に形成したフォトレジスト層５９にパターニングして第１〜第３の着色層４１，５４，４６の境界上のフォトレジストを取り除く。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING PHOTOSENSITIVE RESIST UNDERLAY FILM CONTAINING PHOTO-RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR例文帳に追加

光ラジカル重合開始剤を含む感光性レジスト下層膜形成組成物 - 特許庁

A photo resist layer 31 is remained on the antenna coil 13 and the IC chip 20 is connected to a part where the photo resist layer 31 is released, on the antenna coil 13.例文帳に追加

アンテナコイル１３上にはフォトレジスト層３１が残存し、ＩＣチップ２０はアンテナコイル１３のフォトレジスト層３１が剥離された部分に接続されている。 - 特許庁

Subsequently, a development process is performed for the acid compensating layer and the photo resist layer, and patterning of the acid compensating layer and the photo resist layer is performed.例文帳に追加

続いて、前記酸補償層及び前記フォトレジスト層に対して現像工程を行い、前記酸補償層及び前記フォトレジスト層をパターニングする。 - 特許庁

The TEOS film is etched back with the exception of a section just under the photo-resist 132.例文帳に追加

次に、ＴＥＯＳ膜を、フォトレジスト１３２直下を除きエッチバックする。 - 特許庁