「POLY SILICON」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The polishing agent for polishing the silicon oxide film on the poly-silicon contains abrasive grains, poly-silicon polishing retarder and water.例文帳に追加

ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であり、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む。 - 特許庁

A poly-silicon film 4 is formed on the entire face of a surface region of a silicon semiconductor substrate 1, and this poly-silicon film 4 is patterned so that a line width of a poly-silicon film 4' in a field oxide film 2 is made larger than a line width of the poly-silicon film 4 in an element forming region.例文帳に追加

シリコン半導体基板１の表面領域の全面にポリシリコン膜４を形成し、このポリシリコン膜４をパターニングして、フィールド酸化膜２におけるポリシリコン膜４'の線幅が素子形成領域におけるポリシリコン膜４の線幅よりも大きくなるようにする。 - 特許庁

In addition, a second poly-silicon layer 8 is used as an upper layer electrode 10.例文帳に追加

また、上層電極１０として第２のポリシリコン層８を用いている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF POLY-CRYSTAL SILICON LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多結晶シリコン層の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFT例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴのための多層高品質ゲート誘電体 - 特許庁

This TFT is utilized for a LCD of the TFT made of poly-silicon.例文帳に追加

本発明は、ポリシリコンのＴＦＴのＬＣＤに利用されるものである。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LOW TEMPERATURE POLY SILICON TFT GATE OXIDE FILM例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴゲート酸化膜の形成方法 - 特許庁

To form a poly-silicon film which has very high quality and contains less impurities.例文帳に追加

極めて高品質で不純物の少ないｐｏｌｙ−ｓｉ膜を形成する。 - 特許庁

A stacked poly silicon film 7 is formed by continually depositing a first poly silicon film 7a having no impurity and a second poly silicon film 7b for determining a resistance value through one manufacturing process without exposing the films 7a and 7b to the atmosphere.例文帳に追加

不純物を含有しない第１のポリシリコン膜７ａと、抵抗値を決定するための第２のポリシリコン膜７ｂを大気への曝露なく１回の製造工程により連続して堆積させて積層ポリシリコン膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing agent for a silicon oxide capable of polishing a silicon oxide film on a poly-silicon film at high speed and suppressing polish proceeds of the poly-silicon film when the poly-silicon film is exposed, in the method for manufacturing a semiconductor device, and the polishing method using the polishing agent.例文帳に追加

半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤とそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a silicon oxide film 9 is formed on it, a low-resistance poly silicon film 11 is formed by implanting an impurity into the poly silicon films 7a, 7b with the silicon oxide film 9 as a mask.例文帳に追加

さらにその上にシリコン酸化膜９を形成し、シリコン酸化膜９をマスクとしてポリシリコン膜７ａ，７ｂに不純物を導入して低抵抗ポリシリコン膜１１を形成する。 - 特許庁

SYNTHESIS OF POLY[(SILYLYNE)ETHYNYLENE] AND POLY[(SILYLENE)ETHYNYLENE] AND PREPARATION OF SILICON CARBIDE HAVING THE SAME AS PRECURSORS例文帳に追加

ポリ［（シリリン）エチニレン］およびポリ［（シリレン）エチニレン］の合成ならびにそれらを前駆体とする炭化ケイ素の作製 - 特許庁

A silicon nitride film 41 is formed on the thermal oxide film 39 except the formation areas of the N+ poly-PMOS 29 and P+ poly-PMOS 31.例文帳に追加

Ｎ＋ポリＰＭＯＳ２９及びＰ＋ポリＰＭＯＳ３１の形成領域を除いて、熱酸化膜３９上にシリコン窒化膜４１が形成されている。 - 特許庁

After removing the silicon oxide film 9, a low resistance portion 15 constituting a resistance element 17 and a gate electrode 19 are formed from the low-resistance poly silicon film 11 by patterning the poly silicon films 7a, 7b, 11 (f).例文帳に追加

シリコン酸化膜９を除去した後、ポリシリコン膜７ａ，７ｂ，１１をパターニングして、低抵抗ポリシリコン膜１１から、抵抗素子１７を構成する低抵抗部１５と、ゲート電極１９を形成する（ｆ）。 - 特許庁

To provide an A/D conversion circuit suitable for poly-silicon thin film transistors.例文帳に追加

ポリシリコン薄膜トランジスターにふさわしいＡ／Ｄ変換回路を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF CERAMIC SUBSTRATE FOR POLY CRYSTALLINE SILICON THIN FILM TYPE SOLAR CELL USING KAOLIN CLAY例文帳に追加

カオリン粘土を用いた多結晶シリコン薄膜型ソーラーセル用セラミック基板の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device having dummy patterns which can protect analog use poly silicon capacitors adequately.例文帳に追加

アナログ用ポリシリコンキャパシタを的確に保護できるダミーパターンを持つ半導体装置を得る。 - 特許庁

When forming a polycrystalline silicon (poly-Si) thin film, ELA is performed following ICP-CVD.例文帳に追加

多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜形成時にＩＣＰ−ＣＶＤに次いでＥＬＡが行われる。 - 特許庁

To miniaturize a PROM integrated circuit using poly-silicon fuse technology.例文帳に追加

ポリシリコンヒューズ技術を用いたＰＲＯＭ集積回路の小型化を図る。 - 特許庁

Also, the poly-crystalline silicon 106 composing the first and second gate structures G1, G2 are turned into silicide.例文帳に追加

そして、第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２を構成する多結晶シリコン１０６を、シリサイド化させる。 - 特許庁

Subsequently, on the poly-silicon films 4, 4' of a first layer prescribing a gate width of a MOSFET and on a sidewall SiN film 6, the poly-silicon films of a second layer wider than the poly-silicon films 4, 4' are formed through a SiO2 film 8, and the poly-silicon films of the second layer are silicified to form a titanium silicide layer 12.例文帳に追加

次いで、ＭＯＳＦＥＴのゲート幅を規定する１層目のポリシリコン膜４，４'の上、及び、側壁ＳｉＮ膜６の上にＳｉＯ2膜８を介して、ポリシリコン膜４，４'よりも幅広の２層目のポリシリコン膜を形成し、その２層目のポリシリコン膜をシリサイド化して、チタンシリサイド層１２を形成する。 - 特許庁

The poly crystalline silicon layer 20 around the contact 26 is also cut by the cutting area 50.例文帳に追加

この切断エリア５０によって、コンタクト２６周辺の多結晶シリコン層２０も切断する。 - 特許庁

Hence, the resistance of a base lead-out layer is made lower than that of a base lead-out layer consisting of poly silicon.例文帳に追加

これにより、ポリシリコンでベース引き出し層を構成するよりも、低抵抗化が図れる。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

In the zapping circuit, resistors 5-9 consisting of poly silicon film or tungsten silicon film are employed as a zapping element.例文帳に追加

本発明のザッピング回路では、ザッピング素子として、ポリシリコン膜またはタングステンシリコン膜からなる抵抗５〜９が用いられる。 - 特許庁

Finally, a poly-silicon layer defining the emitter region is deposited on the silicon germanium Epitaxial layer.例文帳に追加

最後に、シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に、エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させる。 - 特許庁

An interlayer film such as a silicon dioxide film 520 is formed on a base film, such as a poly-silicon film 510 having an opening part operating as a base mark 510a.例文帳に追加

層間膜、例えば二酸化シリコン膜520が、下地マ−ク510aとして働く開口部を有する下地膜、例えばポリシリコン膜510の上に形成される。 - 特許庁

Then, the amorphous silicon film (13) is grown in a solid phase and turned to a poly-crystal silicon film (13) through a heat treatment.例文帳に追加

次いで、熱処理によって非晶質珪素膜（１３）を固相成長にさせて多結晶珪素膜（１３）とする。 - 特許庁

An impurity in a first poly silicon 3 is diffused into the silicon substrate 1 and a graft base 7 is connected to the intrinsic base 6.例文帳に追加

なお、第１のポリシリコン３からシリコン基板１に不純物が導入され、グラフトベース７が上記真性ベース６に接続する。 - 特許庁

Surface layers of the poly-silicon film 5 and an N-type silicon film 22 are subjected to dry etching with Cl2 or HBr for a predetermined time.例文帳に追加

ポリシリコン膜５及びＮ型シリコン膜２２の表層をＣｌ２やＨＢｒで所定時間ドライエッチングする。 - 特許庁

After patterning is carried out the patterned amorphous silicon films are irradiated with a laser beam in a certain direction so as to turn to poly-crystal silicon films.例文帳に追加

パターニング後に、一方向にレーザ光を照射して結晶化し、多結晶シリコン膜を得る。 - 特許庁

To provide a flat panel display device and a producing method therefor, capable of increasing the through-put of poly-crystallization when poly- crystallizing amorphous silicon layer formed on a substrate by using a low temperature poly-silicon producing process.例文帳に追加

本発明は、低温ポリシリコン製造プロセスを用いて基板上に形成したアモルファスシリコン層を多結晶化する際、多結晶化のスループットを高くすることができるフラットパネル表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a silicon substrate 2, a silicon oxide film 3, a poly-silicon film 4 and a silicon nitride film 5 are formed in this order, and a plurality of trenches 6 are formed with a predetermined interval over these films 3 to 5 and the silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２には、シリコン酸化膜３、ポリシリコン膜４及びシリコン窒化膜５がこの順に形成され、これらの膜３〜５からシリコン基板２にかけて、複数のトレンチ６が所定の間隔を置いて形成されている。 - 特許庁

To provide an efficient, effective and inexpensive cleaning method to eliminate organic substances on a silicon wafer or on an film of the wafer, in the case that a silicon oxide is formed on the surface of the silicon wafer or a poly silicon film is formed on the silicon oxide.例文帳に追加

シリコンウエハ表面にシリコン酸化膜またはその膜上にポリシリコン膜を形成する場合、ウエハ上や膜上の有機物を除去するのに、より効率的、効果的でかつ低コストの洗浄方法を得る。 - 特許庁

A poly-silicon layer 22 is formed on a substrate 21, and a transistor constituting a head amplifier is formed by injecting an impurity into this poly-silicon layer 22.例文帳に追加

基板２１の上に、ポリシリコン層２２を形成し、このポリシリコン層２２に不純物を導入してヘッドアンプを構成するトランジスタを形成する。 - 特許庁

A titanium layer 15 is brought into contact with a third poly-crystal silicon layer 3 at the upper face 3aa and the upper side face 3ab of the upper board 3a of a third poly-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

第３の多結晶シリコン層３の上板部３ａの上面部３ａａおよび上側面部３ａｂにおいてチタン層１５が第３の多結晶シリコン層３に接触するようになっている。 - 特許庁

An element isolation film 2 and a gate insulating film 3 are formed on a semiconductor substrate 1, and a poly-silicon film, a capacitance insulating film forming film, and a poly-silicon film are formed on the entire surface.例文帳に追加

半導体基板１上に素子分離膜２及びゲート絶縁膜３を形成し、全面にポリシリコン膜、容量絶縁膜形成膜及びポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

After a poly-Si layer 4 is located on a silicon substrate 1 including an upper surface of a field-oxide film 3, the poly-Si layer 4 is patterned, thereby, the poly-Si layer 4a remains in a region constituting a gate electrode in a MOSFET-formed region and a poly-Si layer 4b also remains in a poly-Si resistive-element-formed region.例文帳に追加

フィールド酸化膜３の上を含むシリコン基板１の上にＰｏｌｙ−Ｓｉ層４を配置したのち、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４をパターニングすることで、ＭＯＳＦＥＴ形成領域のうちゲート電極を構成する領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａを残すと共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗体形成領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂを残す。 - 特許庁

The amorphous silicon film is formed on the upper surface of an insulating substrate, the amorphous silicon film is crystallized in a sequentially solidifying process that a laser beam is partially irradiated using the poly-crystallization mask 300 having a slit for a transmission area to form a poly-crystalline silicon thin film.例文帳に追加

絶縁基板の上部に非晶質シリコン薄膜を形成し、透過領域のスリットを有する多結晶用マスク３００を利用してレーザービームを局部的に照射する順次的凝固工程で非晶質シリコン薄膜を結晶化して多結晶シリコン薄膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes a gate electrode 17 of multilayer structure having a poly silicon (poly-Si) layer 13, a tungsten silicide (WSi) layer 14, a tungsten nitride (WN) layer 15, and a tungsten (W) layer 16, which are laminated sequentially on a gate insulating film 12.例文帳に追加

半導体装置１０は、ゲート絶縁膜１２上に順次に積層された、多結晶シリコン（poly-Ｓｉ）層１３、タングステン・シリサイド（ＷＳｉ）層１４、タングステン・ナイトライド（ＷＮ）層１５、及び、タングステン（Ｗ）層１６を有する多層構造のゲート電極１７を備える。 - 特許庁

This circuit is a PROM integrated circuit using poly-silicon fuse technology, when a poly-silicon fuse resistor 21 is adapted to a conventional PROM memory cell 17 as it is, as the element area of the poly-silicon fuse resistor 21 is larger than that of a zener diode element, though NPN transistors 2, 3 are miniaturized, effect of miniaturization is less in a whole memory.例文帳に追加

ポリシリコンヒューズ技術を用いたＰＲＯＭ集積回路に関するものであり、ポリシリコンヒューズ抵抗２１をそのまま従来のＰＲＯＭメモリーセル１７に適用すると、ポリシリコンヒューズ抵抗２１の方がツェナーダイオード素子よりも素子面積が大きいためＮＰＮトランジスタ２，３は小型化してもメモリー全体では小型化の効果が少なかった。 - 特許庁

There are provided: the gas barrier film which a gas barrier film produced by applying an application liquid containing a poly-silicon compound to a plastic film support and converting the applied poly-silicon compound to a ceramic by VUV light, in which the degree of dispersion of the poly-silicon compound, defined by the following expression, is 3.00-20.00; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ポリ珪素化合物を含有する塗工液をプラスチックフィルム支持体に塗布した後、該塗布されたポリ珪素化合物をＶＵＶ光によりセラミックに転化させたガスバリアフィルムであって、該ポリ珪素化合物の下記数式で定義する分散度が、３．００以上２０．００以下であることを特徴とするガスバリアフィルム及びその製造方法。 - 特許庁

In the case of forming poly-Si layers 4a which become level difference factors on a silicon substrate 1, dummy patterns consisting of poly-Si layers 4b are formed also in peripheral areas to absorb level differences on an interlayer insulating film 5.例文帳に追加

シリコン基板１上に段差要因となるＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａを形成する際に、周辺領域にも、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂによるダミーパターンを形成し、層間絶縁膜５の段差を吸収する。 - 特許庁

As a result, the semiconductor device can be effectively applied to a silicon diode having superior properties and a semiconductor device having a TaN_X/poly-Si structure.例文帳に追加

これにより、優秀な特性のポリシリコンダイオード及びＴａＮ_Ｘ／ポリシリコン構造を有する半導体素子に効果的に応用しうる。 - 特許庁

The liquid crystal display device has the structure wherein a metal electrode is formed on the P+ area in deposited poly crystalline silicon.例文帳に追加

その液晶表示装置は堆積された多結晶シリコン内のP+領域上に金属電極を形成する構造を有している。 - 特許庁