「PiN DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, recorded information of the optical disk D is obtained from the pin diode 15 as an optical signal.例文帳に追加

これにより、光ディスクＤの記録情報が光信号としてピンダイオード１５から得られる。 - 特許庁

To provide an image display system which provides a PIN diode, having controllable electrical characteristics.例文帳に追加

制御可能な電気特性のＰＩＮダイオードを提供する画像表示システムを提供する。 - 特許庁

To facilitate fine adjustment of an attenuation amount in an RF signal attenuator, using a PIN diode.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードを用いたＲＦ信号減衰器で減衰量の微調整を行いやすくする。 - 特許庁

A first PIN diode D1 is provided between an input end IN and an output end OUT.例文帳に追加

第１ＰＩＮダイオードＤ１を入力端ＩＮと出力端ＯＵＴとの間に設ける。 - 特許庁

To provide a differential PIN diode attenuator for selectively attenuating a differential analog input signal.例文帳に追加

差動アナログ入力信号を選択的に減衰させる差動ＰＩＮダイオード減衰器を提供する。 - 特許庁

To block the current conduction of a built-in PiN diode in a junction barrier Schottky (JBS) structure.例文帳に追加

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する。 - 特許庁

The attenuation circuit ATT is provided with PIN diodes 10, 11, 12 and a fixed resistor 15 connected in parallel with the PIN diode 10.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード１０，１１，１２と、ＰＩＮダイオード１０に並列接続した固定抵抗１５を備えて減衰回路ＡＴＴを構成する。 - 特許庁

A bias current is supplied to the PIN diode 2 through an inductance 4 to vary the impedance of the PIN diode 2 and then the rate of reflection or coupling of a signal between the terminals B and C varies.例文帳に追加

インダクタンス４を介してバイアス電流をＰＩＮダイオード２に流し、ＰＩＮダイオード２のインピーダンスを変化させると、端子Ｂ，Ｃにおける信号の反射あるいは結合の割合が変化する。 - 特許庁

A cholesteric liquid crystal layer 57 is disposed on an incidence route of external light L3 made incident on the PIN diode 45, on the array substrate 14, and nearer to the color filter substrate 15 side than to the PIN diode 45.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード４５に入射される外光Ｌ３の入射経路上であってアレイ基板１４上に、且つＰＩＮダイオード４５よりもカラーフィルタ基板１５側に、コレステリック液晶層５７を設けた。 - 特許庁

To provide a PIN diode attenuator which can decrease input and output reflection attenuation quantities with simple constitution when the high frequency resistance value of the PIN diode attenuator is varied.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードアッテネータの高周波抵抗値を変化させた場合に、簡単な構成で、入力および出力反射減衰量を小さくすることが可能なＰＩＮダイオードアッテネータを提供する。 - 特許庁

PIN DIODE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, CIRCUIT INCLUDING SAME, AND METHOD OF APPLYING RESIST MATERIAL例文帳に追加

ＰＩＮダイオード、ＰＩＮダイオードの製造方法、ＰＩＮダイオードを含む回路およびレジスト材料の塗布方法 - 特許庁

A PIN diode 10 includes a high resistance region 8 between an anode region 4 and a cathode region 15.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード１０は、アノード領域４とカソード領域１５の間に高抵抗領域８を有する。 - 特許庁

To realize reduction in the capacity of a pin diode, reduction of ON resistance and reduction in the inductance of a package simultaneously.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードの低容量化、低オン抵抗化およびパッケージのインダクタンスの低減を同時に実現する。 - 特許庁

The via hole is formed by etching in the region of the substrate 2 directly under the PIN diode 4.例文帳に追加

このＰＩＮダイオード４の直下の半絶縁性基板２の領域にバイアホールをエッチングにより形成する。 - 特許庁

A bias circuit comprising an inverter 6 and a limit resistor 4 is provided between a frequency band switching signal terminal and a cathode of a PIN diode 8, a bias voltage generated from a frequency band switching signal is applied to the PIN diode 8 to shift the level of an RF signal to a positive level when the PIN diode 8 is not conductive.例文帳に追加

周波数帯域切替信号端子とピンダーオード８のカソードとの間に、インバータ６と制限抵抗４からなるバイアス回路を設け、周波数帯域切替信号からバイアス電圧を生成してピンダイオード８に印加し、該ピンダイオード８のオフ時におけるＲＦ信号の振幅を正側へシフトさせる。 - 特許庁

A first series circuit comprising the PIN diode 1-1 and a capacitor 6-1 for cancelling the inductance of the PIN diode and a connection section at an operating frequency and a second series circuit comprising the PIN diode 1-2 and a capacitor 6-2 are connected between a main microstrip line (4) and ground conductors at an interval of λ/4.例文帳に追加

それぞれが、ＰＩＮダイオード（１−１、１−２）と、該ＰＩＮダイオード及び接続部のインダクタンスを使用周波数において打ち消すキャパシタンス（６−１、６−２）を持つキャパシタからなる、第１直列回路と第２直列回路を、主マイクロストリップ線路と接地導体間に、λ／４間隔で接続する。 - 特許庁

Further, a resistor 34 is provided between the cathode of the PIN diode 25 and ground, and a series circuit comprising PIN diodes 35 to 38 and a capacitor 39 is provided on the variable attenuator.例文帳に追加

また、ＰＩＮダイオード２５のカソードと接地間に、抵抗３４を設けると共に、ＰＩＮダイオード３５〜３８とコンデンサ３９の直列回路を設ける。 - 特許庁

To obtain a composite semiconductor device including PIN diodes, in which active elements of different types from PIN diode are integrated on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードと異なる種類の他の能動素子を半導体基板上に集積化したＰＩＮダイオードを含む複合半導体装置を提供する。 - 特許庁

A resistor 27 is placed between the cathode of the PIN diode 24 and ground, and a series circuit comprising PIN diodes 28 to 31 and a capacitor 32 is provided on the variable attenuator.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２４のカソードと接地間に、抵抗２７を設けると共に、ＰＩＮダイオード２８〜３１とコンデンサ３２の直列回路を設ける。 - 特許庁

A PIN diode 2 is provided at the base input port of a high frequency amplifier circuit 1 accompanying a switch circuit 3, and the forward bias of the diode 2 is controlled to control the conduction of the diode 2.例文帳に追加

スイッチ回路３を伴った高周波増幅回路１のベース入力端にＰＩＮダイオード２を設け、このＰＩＮダイオード２の順方向バイアスを制御し、ＰＩＮダイオード２の導通を制御する。 - 特許庁

PIN diode circuits 200 and 300 are electrically connected between the light receiving part 2 and an evaluating circuit, and the PIN diode circuits 200 and 200 attenuate a current output signal of the light receiving part 2.例文帳に追加

受光部２と評価回路との間には、これらと電気的に接続されているＰＩＮダイオード回路２００，３００が設けられており、ＰＩＮダイオード回路２００，３００が受光部２の電流出力信号を減衰する。 - 特許庁

Reduction in the capacity of a pin diode 1 is realized by mounting the pin diode 1 on a mounting substrate through bump electrodes 8 formed, respectively, on the surface of a p+ type diffusion layer 5 and an n+ type diffusion layer 6.例文帳に追加

ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６それぞれの表面に形成したバンプ電極８をもってｐｉｎダイオード１を実装基板に実装することによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

When switching the voltage to be applied to the PIN diode 53-1 from the forward voltage to the backward voltage, a bus switch 54-1 connected in parallel to the PIN diode 53-1 is turned on.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード５３−１に印加される電圧が順方向の電圧から逆方向の電圧に切り換えられるとき、ＰＩＮダイオード５３−１に並列に接続されているバススイッチ５４−１がオンにされる。 - 特許庁

To realize a PiN diode wherein a reverse recovery characteristic is improved and a resistance during reverse recovery is also improved.例文帳に追加

逆回復特性を向上させつつ逆回復時の耐量を向上させたＰｉＮダイオードを実現する。 - 特許庁

COMPOSITE SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PIN DIODE, FABRICATION THEREOF AND HIGH-FREQUENCY DEVICE COMPRISING THEM例文帳に追加

ＰＩＮダイオードを含む複合半導体装置、この装置の製造方法及びこの装置を用いた高周波装置 - 特許庁

To provide a PIN diode that is suitable to small capacity and can stabilize characteristics, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

小容量化に好適で特性安定化を実現したＰＩＮダイオードとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The mouse 1 is provided with: a case 11; a light emitting diode 21; a half mirror 22; a pin 23; an image sensor 24; and springs 25 and 26 or the like.例文帳に追加

マウス１は、ケース１１、発光ダイオード２１、ハーフミラー２２、ピン２３、イメージセンサ２４、ばね２５，２６等を備える。 - 特許庁

SWITCHING CIRCUIT EMPLOYING PIN DIODE, DIVERSITY ANTENNA SWITCHING CIRCUIT USING IT, AND AUTOMATIC GAIN CONTROL AMPLIFIER例文帳に追加

ＰＩＮダイオードを用いたスイッチ回路，これを使用するダイバシティーアンテナ切換回路及び，自動利得制御増幅器 - 特許庁

A PIN diode 100 is provided with a high-resistance region 12 between a cathode region 14 and an anode region 4.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード１００は、カソード領域１４とアノード領域４の間に高抵抗領域１２を備えている。 - 特許庁

A voltage control terminal CONT1 is electrically connected to a PIN diode D2 of the transmitter side circuit 25, and a voltage control terminal CONT2 is electrically connected to a PIN diode D3 of the transmitter side circuit 25 and PIN diodes D4-D6 of the receiver side circuit 26.例文帳に追加

電圧制御端子ＣＯＮＴ１は、送信側回路２５のＰＩＮダイオートＤ２に電気的に接続し、電圧制御端子ＣＯＮＴ２は、送信側回路２５のＰＩＮダイオートＤ３及び受信側回路２６のＰＩＮダイオートＤ４〜Ｄ６に電気的に接続している。 - 特許庁

The whirling pin 23 is arranged below the diode horizontally toward the back of the diode and extends substantially parallel to the direction of the alignment of at least two diodes.例文帳に追加

旋回ピン２３はダイオードから後退してダイオードの下側に水平に配置され、少なくとも２つのダイオードの整合の方向に対して実質的に平行に延びる。 - 特許庁

A random pulse signal is generated by detecting a lump of photons radiated from a light emitting diode(LED) 11 by avalanche (amplification type) PIN diode detectors 12, 13.例文帳に追加

光放射ダイオード（ＬＥＤ）１１が放出する光子の塊を、アバランシェ（増幅型）ＰＩＮダイオード検出器１２、１３で検出してランダムなパルス信号を生成させる。 - 特許庁

A coupling capacitor C16 electrically interconnects a connecting point 15a between the frequency shift capacitor C13 and the PIN diode D11 with a connecting point 15b between the frequency shift capacitor C14 and the PIN diode D12.例文帳に追加

結合コンデンサＣ１６が、周波数シフト用コンデンサＣ１３およびＰＩＮダイオードＤ１１の接続点１５ａと、周波数シフト用コンデンサＣ１４およびＰＩＮダイオードＤ１２の接続点１５ｂとの間を電気的に接続している。 - 特許庁

In an embodiment of PIN diode, the pit terminates in an intrinsic region (42) separating a downside diffuse region from a diffused region along the anisotropically etched pit wall.例文帳に追加

PINダイオードの実施形態において、底面拡散領域を異方性エッチングされたピットの壁に沿った拡散領域から分離する真性領域(42)内に、ピットは終端する。 - 特許庁

When the pin plug is connected, the first electrode 2 and the second electrode 3 are connected through the electrode of the pin plug, and a light emitting diode is lighted.例文帳に追加

ピンジャック１に、ピンプラグが接続されると、ピンプラグの電極を介して、第１の分離電極２と第２の分離電極３とが接続され、発光ダイオードが点灯する。 - 特許庁

PIN diodes 4 and 5 are connected in series between input and output terminals 1 and 2 and a PIN diode 6 is provided between the middle point of a half wavelength line and the ground.例文帳に追加

入出力端子１，２間に、ＰＩＮダイオード４，５を直列接続し、２分の１波長線路の中点と接地点との間にもＰＩＮダイオード６を設ける。 - 特許庁

To provide a technology capable of making an Rf of a pin diode not more than 5 Ω in a low current region.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードにおいて、低電流領域におけるＲｆを５Ω以下とすることのできる技術を提供する。 - 特許庁

A laser beam is emitted from an upper side by a laser diode 11, and reflected beam is detected by a PIN photodiode 12.例文帳に追加

上方からレーザダイオード１１によりレーザ光が照射され、反射光がＰＩＮフォトダイオード１２で検出される。 - 特許庁

A connecting member 15 equipped with a transmission line 15B is interposed between the lead pin 11 and the laser diode 6.例文帳に追加

また、リードピン１１とレーザダイオード６の間には、伝送線路１５Ｂを備える接続部材１５が介在されている。 - 特許庁

A PIN diode 2 comprises an anode electrode 6, a P layer 3, an I layer 4, an N layer 5, and a cathode electrode 7.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２は、アノード電極６、Ｐ層３、Ｉ層４、Ｎ層５およびカソード電極７により構成される。 - 特許庁

A desired ohmic electrode is selected among a plurality of ohmic electrodes 4a and the desired ohmic electrode is made to be an electrode of PIN diode.例文帳に追加

このオーミック電極４ａの中から所望のオーミック電極を選択し、ＰＩＮダイオードの一方の電極とする。 - 特許庁

A pin diode 22W extending in the word line direction is provided between the word line WL and the variable resistance film 24W, and a pin diode 22B extending in the bit line direction is provided between the bit line BL and variable resistance film 24B.例文帳に追加

ワード線ＷＬと可変抵抗膜２４Ｗとの間には、ワード線方向に延びるｐｉｎダイオード２２Ｗが設けられており、ビット線ＢＬと可変抵抗膜２４Ｂとの間には、ビット線方向に延びるｐｉｎダイオード２２Ｂが設けられている。 - 特許庁

A high speed switching diode or PIN diode is energized by the transmitted RF pulse for changing an inductor 40 into the coils D1 and D2 to be connected for decoupling the coils D1 and D2.例文帳に追加

誘導子（４０）を該コイルへ切り換えて接続して該受信コイルを減結合させるために高速スイッチング・ダイオード又はＰＩＮダイオードが送信ＲＦパルスにより励起される。 - 特許庁

A first minus power source (a minus power source) 4 applies a reverse bias voltage to a PIN diode (a diode) 6 via an NPN type transistor (a first semiconductor switch) 2, and a first plus power source (a plus power source) 5 supplies a forward current to the PIN diode 6 via a PNP type transistor (a second semiconductor switch) 3.例文帳に追加

第１のマイナス電源（マイナス電源）４はＮＰＮ型のトランジスタ（第１の半導体スイッチ）２を介してＰＩＮダイオード（ダイオード）６に逆バイアス電圧を印加し、第１のプラス電源（プラス電源）５はＰＮＰ型のトランジスタ（第２の半導体スイッチ）３を介してＰＩＮダイオード６に順方向電流を供給する。 - 特許庁

A second minus power source (a minus power source) 13 applies a reverse bias voltage to a PIN diode (a diode) 15 via an NPN type transistor (a first semiconductor switch) 11, and a second plus power source (a plus power source) 14 supplies a forward current to the PIN diode 15 via a PNP type transistor (a second semiconductor switch) 12.例文帳に追加

第２のマイナス電源（マイナス電源）１３はＮＰＮ型のトランジスタ（第１の半導体スイッチ）１１を介してＰＩＮダイオード（ダイオード）１５に逆バイアス電圧を印加し、第２のプラス電源（プラス電源）１４はＰＮＰ型のトランジスタ（第２の半導体スイッチ）１２を介してＰＩＮダイオード１５に順方向電流を供給する。 - 特許庁