Pinnedを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 308件
To prevent a variation in magnetic characteristics of an MTJ element due to a leakage magnetic field from a pinned layer.例文帳に追加
ピン層からの漏れ磁場によるMTJ素子の磁気特性のばらつきを防止する。 - 特許庁
Two poor women and a telegram boy were reading the card pinned on the crape. 例文帳に追加
二人の貧しい婦人と電報配達のボーイが喪章に留められたカードを読んでいた。 - James Joyce『姉妹』
The magnetoresistance effect element comprises: a free layer; a pinned magnetic layer; and a barrier layer formed between the free layer and the pinned magnetic layer.例文帳に追加
本本発明に係る磁気抵抗効果素子は、フリー層と、磁化固定層と、該フリー層と該磁化固定層との間にバリア層とを備える磁気抵抗効果素子であって、該バリア層が半導体からなる。 - 特許庁
The fixing layers 41 and 42 are provided with: the pinned layer 42 magnetized along an x-axis direction vertical to a thickness direction; and the antiferromagnetic layer 41 connected to the pinned layer 42.例文帳に追加
なお、固定層41,42は、厚み方向に垂直なx軸方向に沿って磁化されたピンド層42と、ピンド層42に結合する反強磁性層41とから構成されている。 - 特許庁
The magnetoresistive effect layer includes a nonmagnetic layer 25, a pinned layer 24 and a free layer 26 with the nonmagnetic layer 25 in between, and a pin layer 23 at the pinned layer 24 on the side opposite to the free layer 23.例文帳に追加
磁気抵抗効果層は、非磁性層25と、これを挟むピンド層24及びフリー層26と、ピンド層24のフリー層26と反対側に形成されたピン層23と、を有する。 - 特許庁
To reduce a thickness of an outer pin layer without thinning any thickness of an inner pin layer constituting a synthetic pinned layer, moreover without spoiling any function of the synthetic pinned layer itself serving as an external magnetic field tolerance, in a GMR element of a CPP structure using the synthetic pinned layer as a magnetization fixed layer.例文帳に追加
磁化固定層としてシンセティックピンド層を用いたCPP構造のGMR素子において、シンセティックピンド層を構成するインナーピン層の厚さを薄くすること無く、また、外部磁界耐性というシンセティックピンド層そのものの機能を損なうことなく、アウターピン層の厚さを薄くする。 - 特許庁
To provide a magnetic memory cell comprising a reference layer which is pinned and which does not require a magnetization direction.例文帳に追加
ピン留めされた磁化の向きを必要としないリファレンス層を有する磁気メモリセルの提供。 - 特許庁
CLADDED READ-WRITE CONDUCTOR FOR PINNED-ON-THE-FLY SOFT REFERENCE LAYER例文帳に追加
オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のためのクラッディングされた読出し−書込み導体 - 特許庁
More preferably, the pinned layer 12 has the shape of planes divided into a plurality of sections.例文帳に追加
さらに、ピンド層12は複数に分割された平面形状を有していることが好ましい。 - 特許庁
STEAM TURBINE SINGLET INTERFACE FOR MARGIN STAGE NOZZLE WITH PINNED OR BOLTED INNER RING例文帳に追加
ピン留め又はボルト留めされた内側リングを備えたマージン段ノズル用の蒸気タービンシングレット接合部 - 特許庁
The MJT cell 10 includes a pinned layer 345, a free layer 7, and a non-magnetic tunnel barrier layer 6.例文帳に追加
MTJセル10は、ピンド層345と、フリー層7と、非磁性のトンネルバリア層6とを含む。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE DEVICE WITH EXCHANGE-COUPLED STRUCTURE HAVING SEMI-METALLIC FERROMAGNETIC HEUSLER ALLOY IN PINNED LAYER THEREOF例文帳に追加
固定層に半金属強磁性体ホイスラー合金を有する交換結合構造の磁気抵抗素子 - 特許庁
On a seed layer 11, an antiferromagnetic layer 12, an outer pinned layer 20, an AFM coupling layer 14, an inner pinned layer 15, a barrier layer 16, a free layer 17 and a cap layer 18 are provided in this order.例文帳に追加
シード層11上に、反強磁性層12、外側ピンド層20、AFM 結合層14、内側ピンド層15、バリア層16、フリー層17およびキャップ層18をこの順で備えている。 - 特許庁
Relating to the magnetization fixed layer 63 of the first MR element, the total magnetic moment of the pinned layer 361 is equal to or larger than the total magnetic moment of the pinned layer 633.例文帳に追加
第1のMR素子における磁化固着層63は、ピンド層361の総磁気モーメントがピンド層633の総磁気モーメントと一致もしくはピンド層633の総磁気モーメントよりも大きなものである。 - 特許庁
The magneto-resistive device includes a free layer having an easily magnetizable axis that is non-parallel to the magnetization direction of a pinned layer.例文帳に追加
固定層の磁化方向と非平行な磁化容易軸を持つ自由層を備えた磁気抵抗素子。 - 特許庁
As a result, sufficient magnetic bonding strength is secured between the reference layer 61 and the pinned layer 64.例文帳に追加
その結果、リファレンス層61およびピンド層64の間で十分な磁気的結合力が確保される。 - 特許庁
The bottom of the spin valve is deposited up to a pinned layer, a deposition chamber is provided, and the spacer layer is sputtered thereon.例文帳に追加
スピンバルブのボトムをピン層まで蒸着し、蒸着室を用意し、スペーサ層をその上にスパッタリングする。 - 特許庁
The pinned layer 13 and the tunnel barrier layer 12 have a side wall 14 formed by etching.例文帳に追加
ピンド層13およびトンネルバリア層12は、エッチングによって形成された側壁部14を有している。 - 特許庁
Switched connection is obtained between an anti-ferromagnetic layer and a pinned layer by this pin-annealing processing.例文帳に追加
このピンアニール処理により、反強磁性層とピンド層との間に交換結合が付与されることとなる。 - 特許庁
The thumbnail 1410 can be pinned on a display 1401 or hiding.例文帳に追加
また、ディスプレイ1401上にサムネイル1410をピン留めし、あるいはサムネイル1410を消すことができる。 - 特許庁
The STO comprises a stack of layers including electrodes, a pinned ferromagnetic layer having a fixed, a free ferromagnetic layer having a magnetization free to rotate, and a nonmagnetic spacer layer between the pinned and free layers.例文帳に追加
STOは、電極と、固定される磁化を有するピン止め強磁性層と、自由に回転可能な磁化を有する自由強磁性層と、ピン止め層と自由層との間の非磁性スペーサ層とを含む積層を備える。 - 特許庁
Alternatively, the easily magnetizable axis of the free layer and the magnetization direction of the pinned layer may form an acute angle or an obtuse angle.例文帳に追加
または自由層の磁化容易軸と固定層の磁化方向とは、所定の鋭角または鈍角をなしうる。 - 特許庁
An inner radial end of the singlet nozzle airfoil is pinned into a predetermined position and fastened to the inner ring.例文帳に追加
シングレットノズル翼形部の半径方向内側端部は、所定位置にピン留めされ内側リングに固定される。 - 特許庁
Charge accumulated within the active pixel pinned photodiode is transferred into a charge sensing node through a transfer gate.例文帳に追加
アクティブ画素ピン止め光ダイオード内に集積された電荷は転送ゲートにより電荷検知ノード内に転送される。 - 特許庁
Each memory cell 104 also has at least one ferromagnetic soft-reference layer 206 with the non-pinned orientation of magnetization.例文帳に追加
各メモリセル104は、磁化の向きがピン止めされていない少なくとも1つの強磁性軟基準層206をさらに有する。 - 特許庁
A spin valve sensor is formed into pinned layers by sputtering cobalt iron (CoFe) in a nitrogen (N_2) atmosphere.例文帳に追加
窒素(N_2)雰囲気中でのコバルト鉄(CoFe)のスパッタ付着により、スピン・バルブ・センサのピンド層構造を形成する。 - 特許庁
This image sensor 10 has an image sensing element that includes an N-type conducting region 26 and a P-type pinned layer 37.例文帳に追加
イメージ・センサ10は、N型導通領域26と、P型ピン型層37とを含むイメージ検出素子を有する。 - 特許庁
The exchange-coupling film 13 is provided between the AFM layer 12 and the AP2 layer 14 constituting a pinned layer 17.例文帳に追加
AFM層12とピンド層17を構成するAP2層14との間に交換結合膜13を設ける。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head with stability in magnetization direction of a pinned layer, a head gimbals assembly and a hard disc drive.例文帳に追加
ピンド層の磁化の向きが安定した薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供すること。 - 特許庁
The magnetic oscillator includes: an oscillating field-generating unit 1 configured to generate an oscillating field; and a magnetoresistive element 2 including a magnetoresistive film including a first magnetic pinned layer 10 of which the magnetization direction is pinned, a first magnetic free layer 8 of which the magnetization direction oscillates with the oscillating field, and a first spacer layer 9 interposed between the first magnetic pinned layer and the first magnetic free layer.例文帳に追加
振動磁場を発生する振動磁場発生部1と、磁化の向きが固定された第1磁化ピンド層10、振動磁場によって磁化の向きが振動する第1磁化フリー層8、および第1磁化ピンド層と第1磁化フリー層との間に設けられた第1スペーサ層9を有する磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗素子2と、を備えている。 - 特許庁
Oxygen (O_2) is added to a seed layer 11, an AFM layer 12, a binder layer 14 and an upper pinned layer 41 of a SyAP pinned layer 18, and a free layer 25, from among a series of layers from the seed layer 11 to a protective layer 27.例文帳に追加
シード層11から保護層27に至る一連の層のうち、シード層11、AFM層12、SyAPピンド層18のうちの結合層14および上部ピンド層41、ならびにフリー層25に酸素(O_2 )を添加する。 - 特許庁
At the time of assembly, the boom 7 is pinned to a revolving super structure and then raised by a boom cylinder to adjust an angle between it and the arm, and a pin hole 36 of a piston rod 10b of the arm cylinder 10 and a pin hole of the arm are aligned with each other to be pinned.例文帳に追加
組立時には、上部旋回体にブーム7をピン付けし、ブームシリンダによりブーム7を持ち上げてアームとの角度を調整し、アームシリンダ10のピストンロッド10bのピン孔36とアームのピン孔を合わせてピン付けする。 - 特許庁
A magnetic tunnel junction device 200 is provided which comprises a free layer 205 separated by a barrier layer and a pinned layer 260.例文帳に追加
障壁層で分離されたフリー層205と被ピン止め層260を備えた磁気トンネル接合デバイス200を提供する。 - 特許庁
A pinned layer 140 contains a first ferromagnetic film 141, a second ferromagnetic film 143, and a non-magnetic metallic film 142.例文帳に追加
ピンド層140は、第1の強磁性膜141と、第2の強磁性膜143と、非磁性金属膜142とを含む。 - 特許庁
This magnetic memory cell is provided with a pinning layer 11, a pinned layer 12, a transition layer 13, a free layer 130, and a cap layer 16.例文帳に追加
この磁気メモリセルは、ピンニング層11、ピンド層12、遷移層13、フリー層130およびキャップ層16を備える。 - 特許庁
The magnetic tunnel junction device 200 is provided that includes a free layer 205 and a pinned layer 260 separated by a barrier layer.例文帳に追加
障壁層で分離されたフリー層205と被ピン止め層260を備えた磁気トンネル接合デバイス200を提供する。 - 特許庁
Layer thickness of at least one among the free ferromagnetic layer and the pinned ferromagnetic layer is within the range of 3 nm to 12 nm.例文帳に追加
フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方の層厚は、3nm〜12nmの範囲内である。 - 特許庁
The MR element 4 has a configuration comprising a pinned layer 43, the spacer layer 44, and a free layer 45 stacked in this order.例文帳に追加
MR素子4は、ピンド層43、スペーサ層44およびフリー層45が、この順番で積層された構成を有する。 - 特許庁
Yoritomo pinned responsibility on Tomomasa in Shimotsuke Province to fight against Yoshihiro, and Tomomasa's brother Munemasa NAGANUMA departed Kamakura to support it. 例文帳に追加
頼朝は下野に在った朝政にその対応を託し、それを助けるため弟の長沼宗政らは鎌倉を発する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The AP layer 302 to be pinned is improved by forming an AP bonding film 306 between two ferromagnetic films 308, 310 and using two films 308, 310 consisting of cobalt iron (Co90Fe10).例文帳に追加
スピン依存散乱性の向上に、第1及び第2のGMR改良層使用、これらもコバルト鉄から成る。 - 特許庁
The negative-resistive element has a magneto-resistive element including an magnetic free layer (33), a pinned magnetic layer (31) having larger magnetic moment than the magnetic free layer, and an intermediate layer (32) provided between the magnetic free layer and pinned magnetic layer.例文帳に追加
磁化自由層(33)と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層(31)と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層(32)とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。 - 特許庁
A material stack 50 is provided as a material stack containing an antiferromagnetism layer 52, a first pinned layer 54, a nonmagnetic layer 56, and a second pinned layer 58 which generally have the same electrical resistance when there is no magnetic field, as when there is a magnetic filed as well.例文帳に追加
材料スタック50は、反強磁性層52、第1のピンド層54、非磁性層56、および第2のピンド層58を含む材料スタックとして与えられ、磁界が存在するときと存在しないときで通常同じ電気抵抗を有する。 - 特許庁
In the layout of the power unit of an electrically-driven stretcher 1, a battery 27 and a controller 28 are arranged on an upper frame 6, the lower part of a ball screw axis 10 with an electrically-driven motor is pinned on a lower frame 2, and the upper edge thereof is pinned on the appropriate part of a pantograph 11.例文帳に追加
バッテリー27とコントローラー28を上部フレーム6に配設するとともに、電動モータ付きボールねじ軸10の下部を下部フレーム2に、上端をパンタグラフ11の適所にピン結合した電動昇降式ストレッチャー1のパワーユニットのレイアウト。 - 特許庁
The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加
磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁
A magnetoresistance-effect layer comprises a tunnel-barrier layer 26, which is interposed by a pinned layer 25 in the lower side and a free layer 27 in the upper side.例文帳に追加
磁気抵抗効果層は、トンネルバリア層26と、これを挟む下側のピンド層25及び上側のフリー層27とを有する。 - 特許庁
The ferromagnetic pinned layer (18) has a fixed magnetic moment and is positioned adjacent to the PtMnX pinning layer (20).例文帳に追加
強磁性体ピン化層(18)は固定した磁気モーメントを有し、PtMnXピンニング層(20)に隣接して設けられている。 - 特許庁
To suppress a change in sensitivity of a magnetoresistive effect element by suppressing the instability in fixing the magnetization direction in a pinned layer.例文帳に追加
ピンド層における磁化の方向の固定の不安定性を抑制して、磁気抵抗効果素子の感度の変動を抑制する。 - 特許庁
An MR element 4 is provided with such a structure that a pinned layer 43, a spacer layer 44 and a free layer 45 are laminated in this order.例文帳に追加
MR素子4は、ピンド層43、スペーサ層44およびフリー層45が、この順番で積層された構造を有する。 - 特許庁
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原題:”The Sisters” 邦題:『姉妹』 | This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide. Copyright(C)2005 coderati 本翻訳はこの版権表示を残す限り、訳者および著者にたいして許可をとったり使用料を支払ったりすることなく商業利用を含むあらゆる形で自由に利用・複製が認められます。 |
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