「Pinned」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An MTJ element 2 has an antiferromagnetic layer 16, an SyAP pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18 and a cap layer 19 in this sequence on the top of a seed layer 14 arranged on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＭＴＪ素子２は、下部シールド層１０に設けられたシード層１４の上に、反強磁性層１５と、ＳｙＡＰピンド層１６と、トンネルバリア層１７と、フリー層１８とキャップ層１９とを順に備える。 - 特許庁

Control magnetic field in the direction for resetting or sustaining magnetization is applied to such a pinned layer so that magnetization direction of the ferromagnetic film is not reset nor reversed to the original antiparallel direction even if it has been reversed.例文帳に追加

かかるピンド層に、磁化リセット方向又は磁化維持方向の制御磁界を与えることで、強磁性膜の磁化方向が反転していても本来の反平行な方向にリセットされ又は反転しないように維持される。 - 特許庁

The magnetism RAM comprises a switching device and an MTJ cell coupled to the switching device, wherein the MTJ cell comprises a pinned film equipped with a metal film and a magnetic film enclosing the metal film.例文帳に追加

スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたＭＴＪセルとを含む磁気ＲＡＭにおいて、前記ＭＴＪセルは、金属膜と、前記金属膜を取り囲む磁性膜とを備えるピンド膜を含む磁気ＲＡＭ。 - 特許庁

In other words, where Japan has the foundations to enjoy the benefits of diversity, East Asia has rather weak foundations at this point at least, with growth pinned on the benefits of specialization.例文帳に追加

つまり、我が国は多様性の利益を享受するための基盤を有しているが、少なくともこれまでの東アジアは、そうした基盤という点では弱く、特化の利益享受による成長の傾向が強いことがわかる。 - 経済産業省

To this was pinned a line in a delicate aristocratic hand saying that the Archbishop would willingly listen to Madam San Croix's statement if she would come to him on Friday morning at eleven. 例文帳に追加

便箋にカードが一枚留められていた。そこには流麗な筆跡で『大司教様は心からサン・クロワ夫人の訴えに耳を傾けます。ついては、金曜日の朝十一時に大司教様の元に来られたし』と綴られていた。 - Melville Davisson Post『罪体』

A spin valve type magnetoresistive element which has a laminated structure including an antiferromagnetic layer/a pinned magnetic layer/a non-magnetic intermediate layer/a magnetic free layer/and a magnetization stable layer is used, and the magnetization stable layer 11 is arranged adjacent to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。 - 特許庁

The magnetic oscillation element includes a magnetic free layer 1 whose magnetizing direction is variable, a magnetic pinned layer 3 whose magnetizing direction is fixed, a spacer layer 2 arranged between them, and a magnetic field generating portion 7 which imparts an external magnetic field to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

本発明の磁性発振素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層１と、磁化方向が不変の磁気ピンド層３と、両者間に配置されるスペーサー層２と、磁気フリー層１に外部磁場を与える磁場発生部７とを備える。 - 特許庁

An MTJ lamination structure is obtained by sequentially, selectively etching the region other than the element region by ion milling etc., after laminating an anti-ferromagnetic layer 12, a pinned layer 13, an insulating tunnel layer 14, a free layer 15, and a cap layer 16 in this order.例文帳に追加

反強磁性層１２、ピンド層１３、絶縁トンネル層１４、フリー層１５およびキャップ層１６を順次積層したのち、素子領域以外の領域をイオンミリング等によって選択エッチングし、ＭＴＪ積層構造を得る。 - 特許庁

To provide a pinned printed wiring board having high general purpose properties capable of so simply confirming the connection and connecting status also facilitating the component replacing work in the grading up case, and the method of manufacturing the board.例文帳に追加

マザーボード等との接続および接続状態の確認を極めて簡単に行うことができ、かつアップグレード時等の部品交換作業が容易な、汎用性の高いピン付きプリント配線板およびその製造方法を安価に提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state CMOS image sensor, specifically a CMOS image sensor pixel which has only two row lines per pixel, pinned photodiode for sensing light, and one or two column lines, and to provide its array.例文帳に追加

固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つのロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つのカラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。 - 特許庁

The element exhibits negative resistance when change of a magnetization direction of the magnetic free layer is continuously caused as a current applied to the magneto-resistive element so as to make electrons flow in from the side of the pinned magnetic layer increases.例文帳に追加

磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。 - 特許庁

In the era of the Emperor Reizei, as the first daughter of the naidaijin (minister of the center) (To no chujo), Kokiden no nyogo, was defeated by Itsuki no miya nyogo (later Akiyoshi chugu) in the competition to become the empress, and so he pinned his hope on his second daughter, Kumoi no kari and hoped to make her become the crown princess. 例文帳に追加

冷泉帝の御世、長女の弘徽殿女御が斎宮女御（後の秋好中宮）との立后争いに敗れたことから、内大臣（頭中将）は次女雲居の雁に希望を託して東宮妃にと望む。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Moreover, if the current channeling layer 401 is inserted in between a GMR laminate structure 10 and the pinning layer 400, the direction of the magnetization of a pinned layer 42 is fixed suitably via the current channeling layer 400 by the pinning layer 400.例文帳に追加

しかも、ＧＭＲ積層構造体１０とピンニング層４００との間に電流チャンネル層４０１を挿入したとしても、ピンド層４２の磁化方向がピンニング層４００により電流チャンネル層４００を介して適性に固定される。 - 特許庁

A plurality of magnetic tunnel junction elements is subjected to a first heat treatment, in a strong magnetic field toward the direction of reference axis (X), then they are patterned, such that each of elements has a high aspect ratio and its pinned-synthetic composite layer has a high shape anisotropy.例文帳に追加

複数の磁気トンネル接合素子は、リファレンス軸（Ｘ）方向への強磁場中において第１の熱処理が施されたのち、各素子が高アスペクト比を有し、そのピンドシンセティック複合層が高い形状異方性を有するようにパターニングされる。 - 特許庁

One end of a pressing member 5 is rotatably pinned onto a link bar 4, running through the plate-like spring member and the holding member near the grasping part, on the external surface side of the plate-like spring member and the pressing member has a protruded part 6 near the link position thereof.例文帳に追加

板状バネ部材と保持部材を前記挟持部付近で挿通する連結棒４に押圧部材５の一端が、板状バネ部材の外面側で回転可能にピン連結され、押圧部材は連結位置付近に凸状部６を有している。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction structure which can reduce a critical current value required for switching and maintain thermal stability even if a device is fabricated small in size, by maintaining magnetization directions of a free magnetic layer and a pinned magnetic layer perpendicular to each other.例文帳に追加

自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向を垂直に維持することにより、スイッチングに必要な臨界電流値を下げ、素子サイズを小さくしても熱的安定性を維持することのできる磁気トンネル接合構造を提供する。 - 特許庁

After a pinning layer 47, a pinned layer 48, and a tunnel barrier layer 49 are sequentially formed on a substrate 45, a free layer 50 composed of a first and a second NiFe layers 50a, 50b whose magnetostriction constants are opposite in sign is formed thereon.例文帳に追加

基板４５上に、ピンニング層４７と、ピンド層４８と、トンネルバリア層４９とを順次形成したのち、その上に、磁歪定数の符号が互いに逆である第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂからなるフリー層５０を形成する。 - 特許庁

To obtain a CPP giant magnetoresistance head, with which the magnetization direction of a pinned magnetic layer can be stabilized without preparing an anti-ferromagnetic layer in a giant magnetoresistance element, and a noise and joule heat due to the AMR effect of a shield layer can be reduced.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内に反強磁性層を備えずに固定磁性層の磁化方向を安定させることができ、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズとジュール熱を低減可能なＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

Magnetic film thickness difference in which reduction of film thickness by alloying which functions as a magnetic layer of a first magnetic layer 3 and a magnetic layer of a second magnetic layer 5 contacting to an anti-ferromagnetic layer 1 of the pinned layer 2 of the laminates ferrimaqgnetic type is considered, is made 0.2 mm or less.例文帳に追加

積層フェリ型のピンド層２の反強磁性層１と接する第１の磁性層３の磁性層と第２の磁性層５の磁性層として機能する合金化による膜厚のめべりを考慮した磁気的膜厚差を０．２ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The first and second magneto-resistance effect elements MTJ1, MTJ2 include, as basic structures, magnetic free layers 11-1, 11-2 variable in magnetization directions, magnetic pinned layers 12-1, 12-2 invariable in magnetization directions, and spacer layers 13-1, 13-2 disposed therebetween.例文帳に追加

第一及び第二磁気抵抗効果素子MTJ１，MTJ２は、磁化方向が可変の磁気フリー層１１−１，１１−２、磁化方向が不変の磁気ピンド層１２−１，１２−２、及び、これらの間に配置されるスペーサー層１３−１，１３−２を基本構造とする。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

In a thin film magnetic head 10, a length in terms of depth from the plane S facing a medium for each of the layers (Pin-H) on a contact area between a pinned layer 34 and an antiferromagnetic layer 33 is longer than the length in terms of the depth for a free layer 36.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッド１０では、ピンド層３４と反強磁性層３３との接触領域における各層それぞれの媒体対向面Ｓからの奥行き方向の長さ（Ｐｉｎ−Ｈ）が、フリー層３６の同方向の長さよりも長くなっている。 - 特許庁

To provide an exchange-coupling film capable of increasing a Hex/Hc ratio between an AFM layer and an AP2 pinned layer without degrading an MR ratio and stably holding the magnetization of the AP2 layer in a fixed direction, and a magnetoresistance effect element using the same.例文帳に追加

ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a magnetization pinned layer 5, a magnetization free layer 7, and a magnetoresistive film 2 provided between these layers 5, 7 and having a magnetic region 11 and an intermediate layer 6 having a non-magnetic region 12 showing an electric resistance higher than that of the magnetic region 11.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固着層５と、磁化自由層７と、これらの間に介在され、磁性領域１１とそれより電気抵抗が高い非磁性領域１２とを有する中間層６とを備える磁気抵抗効果膜２を具備する。 - 特許庁

The SyAF pinned layer 345 is formed such that a second ferromagnetic layer 3 composed of Co_75 Fe_25, a non-magnetic spacer layer 4 composed of ruthenium, and a first ferromagnetic layer 5 that is a composite layer of a Co_60Fe_20B_20 layer and a Co_75Fe_25 layer are laminated sequentially from the side of the pinning layer 2.例文帳に追加

ＳｙＡＦピンド層３４５は、ピンニング層２の側から順に、Ｃｏ_75 Ｆｅ_25 からなる第２強磁性層３と、ルテニウムからなる非磁性スペーサ層４と、Ｃｏ_60 Ｆｅ_20 Ｂ_20 層とＣｏ_75 Ｆｅ_25 層との複合層である第１強磁性層５とが積層されたものである。 - 特許庁

The mangetoresistance element comprises a free layer 2, a spacer layer 3 formed on the free layer 2, and a pinned layer 4 formed on the spacer layer 3, wherein the mangetoresistance element has a width of 7 to 8 μm, and the spacer layer has a thickness of 28 to 34 Å.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子は、フリー層２と、このフリー層２の上に形成されたスペーサ層３と、このスペーサ層３の上に形成されたピンド層４とを有し、磁気抵抗効果素子の幅が７乃至８μｍであり、スペーサ層の厚さが２８乃至３４Åである。 - 特許庁

To provide a sealing material excellent in molding properties, reliability, laser marking properties and electric characteristics, causing no defects in electric characteristics caused by carbon black which is a conductive material, in semiconductor devices such as thin, multi-pinned, long wired and narrow pitches between pads, and to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加

成形性、信頼性、レーザーマーク性、電気特性に優れ、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチの半導体装置においても、導電性物質であるカーボンブラック起因の電気特性不良を発生させない封止材及びそれを用いた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To remarkably facilitate the assembly of a structure in which upper and lower links for connecting the upper and lower parts of the roller carrying parts of a pair of trunnions to each other are pivotally pinned to a pin support post at the center part thereof without impairing its function in a disk/roller type continuously variable transmission.例文帳に追加

ディスク／ローラ型無段変速装置に於いて、一対のトラニオンのローラ担持部の上方および下方を互いに締結する上下のリンクをその中央部にてピン支持ポストにピンにより枢着する構造の組み立てを、その機能を全く損なうことなく、大幅に簡易化する。 - 特許庁

To provide a TMR type magnetoresistance effect film which achieves narrowing of a gap of a read head without impairing pinning to a pinned magnetic layer due to an antiferromagnetic layer, and consequently permits the high density of a magnetic disk device, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

TMR型の磁気抵抗効果膜において、反強磁性層による固定磁化層に対するピン止め作用を損なうことなく、リードヘッドの狭ギャップ化を図ることを可能とし、磁気ディスク装置の高密度化を可能とする磁気抵抗効果膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This collection case is a collection case for storing or displaying two or more figures 1, which includes: a pedestal 2 provided with a plurality of holes bored in the surface; a fixed table 3 pinned to the holes of the pedestal 2; and a cover case 4 covering the upper parts of the fixed table 3 and the pedestal 2.例文帳に追加

本発明のコレクションケースは、複数のフィギュア１を収納又は展示するコレクションケースであって、表面に複数の穴が穿設された台座２と、台座２の穴にピン止めされる固定台３と、固定台３及び前記台座２の上部を覆うカバーケース４と、を有する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition excellent in molding properties, reliability, laser marking properties and electric characteristics, generating no defects in electric characteristics caused by carbon black, which is a conductive material, even in thin, multi-pinned, long-wired or narrow-pad-pitched electronic devices, and to provide an electronic component device using the same.例文帳に追加

成形性、信頼性、レーザーマーク性、電気特性に優れ、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチの半導体装置においても、導電性物質であるカーボンブラック起因の電気特性不良を発生させないエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品装置を提供する。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a magnetic stack has: a tunnel junction; a ferromagnetic free layer; a pinned layer; and an insulating layer constructed of an electrically and thermally insulative material that blocks phonons while allowing electrical transmission through at least one conductive feature.例文帳に追加

さまざまな実施形態に従うと、磁性積層体は、トンネル接合と、強磁性フリー層と、ピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通る電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される絶縁層とを有する。 - 特許庁

A giant magnetoresistive stack (10) for use in a magnetic read head includes an NiFeCr seed layer (12), a ferromagnetic free layer (14), a nonmagnetic space layer (16), a ferromagnetic pinned layer (18), and a PtMnX pinning layer (20), where X is either Cr or Pd.例文帳に追加

磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。 - 特許庁

Adverse effects of hysteresis, disadvantageous for stabilizing bias points for magnetic moments 11, 22, 23 of free layers, are reduced, by biasing the sensor lengthwise and producing a breadthwise compensating magnetic anisotropy through the use of stress of an insulating layer 45 and magnetostriction of magnetic layers (free layers and pinned layers).例文帳に追加

フリー層の磁気モーメント１１，２２，３３のためのバイアス点を安定させる上で不都合となるヒステリシスの悪影響は、縦方向に沿ってセンサにバイアスをかけると共に、絶縁層４５の応力と磁性層（フリー層およびピンド層）の磁歪とを利用して横方向の補償磁気異方性を作り出すことにより、低減される。 - 特許庁

The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode.例文帳に追加

本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。 - 特許庁

The pinned layer 42 includes a stacked part 40 provided with: a 1st layer 36 formed of Cu; a 2nd layer 38 which is formed of Cu and arranged to the side of free layer from the 1st layer; and an intermediate layer 37 which is arranged between the 1st layer and 2nd layer in contact with these layers and formed by partially oxidizing a ferromagnetic layer.例文帳に追加

そして、ピンド層４２は、Ｃｕで形成された第１層３６と、Ｃｕで形成され、第１層よりもフリー層側に配された第２層３８と、第１層と第２層との間にこれらの層に接して配されると共に、強磁性層を部分的に酸化させた中間層３７とを有する積層部４０を含んでいる。 - 特許庁

A unit base 30 is fixed to the valve body 22, to which the solenoid valves 25 are pinned by pins 29 inserted into pin holes 24, on a surface side wherein the solenoid valves 25 are assembled, and the unit base 30 thereby functions as a pin receiver for receiving the pinning pins 29, and the pins 29 can be supported by only fixing the unit base 30.例文帳に追加

ピン孔２４に挿入されるピン２９によりソレノイドバルブ２５がピン留めされるバルブボディ２２に、ソレノイドバルブ２５が組み込まれる面側にユニット台３０を固定することによりピン留め用のピン２９を受けるピン受けとして機能させるから、ユニット台３０を固定するだけでピン２９を支持することができる。 - 特許庁

The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加

第一磁気抵抗効果素子MTJ１の磁気フリー層１１−１は、第一磁気抵抗効果素子MTJ１に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ２の磁気フリー層１１−２と磁気ピンド層１２−２との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁

In the region for forming the flaw-like grooves 16 and 17 (the region for forming the lower magnetic films 11B, 11D and the upper magnetic films 14B, 14D), the direction of anisotropic magnetization Mb, Md is controlled and displacement (rotation) of the direction of anisotropic magnetization Mb, Md is pinned by means of the flaw-like grooves 16 and 17.例文帳に追加

キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。 - 特許庁

An MTJ element 31 comprises an antiferromagnetic layer 26, an AP2 layer, a SyAF pinned layer 27 composed of a coupling layer and an AP1 layer, a tunnel barrier layer 28 composed of an AlOx, a free layer 29, and a capping layer 30 including NiFeM (M is a metal atom the oxidation potential of which is higher than that of nickel atom and iron atom), in this order.例文帳に追加

このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。 - 特許庁

A carbon nano-tube structure membrane is employed for an intermediate layer 4 for configuring a magnetic sensing membrane 1 of the magnetic sensor of a structure for supplying a current to the magnetic sensing membrane of a single spin bulb structure having a stacked structure comprising a pinned layer 3, the intermediate layer 4, and a free layer 5 at least in the direction including a perpendicular component.例文帳に追加

ピンド層３／中間層４／フリー層５からなる積層構造を有するシングルスピンバルブ構造の磁気感知膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気センサの磁気感知膜１を構成する中間層４として、カーボンナノチューブ構造膜を用いる。 - 特許庁

When the socket housing 1 is molded, the injection molding is conducted in a condition of a first core being pinned to form the groove part 7b for the first core pin part and a second core pin to form the groove part 8b for the second support pin part are arranged in a state that their tip parts are respectively entered into a clearance of the mating side.例文帳に追加

ソケットハウジング１の成形に際しては、第１の支持ピン部用溝部７ｂを形成するための第１の中子ピンと、第２の支持ピン部用溝部８ｂを形成するための第２の中子ピンとを、それらの先端部が互いに相手方の間隙に入り込むように配置させた状態で射出成形する。 - 特許庁

Four members 11 each of which is in the form of L on plan view are positioned between a lower buildup member and an upper buildup member in such a way that the members form a rectangle as a whole with their respective corners pointed outwards, and that adjacent members are pinned to each other.例文帳に追加

組付用下部材と組付用上部材との間には、４つの平面視Ｌ字状の部材１１が免震装置を囲むように、それぞれの角部を外方に向けて全体として４角形を形成するように、しかも隣り合う平面視Ｌ字状の部材同士が互いにピン結合されて配置される。 - 特許庁

The magnetic sensor is provided with an X-axis magnetoresistance effect element, a Y-axis magnetoresistance effect element, a Z-axis magnetoresistance effect element and a substrate on which the magnetoresistance effect elements are arranged, and the three magnetoresistance effect elements are arranged on the substrate so that the directions of magnetization in respective pinned layers mutually cross in the three-dimensional direction.例文帳に追加

Ｘ軸磁気抵抗効果素子、Ｙ軸磁気抵抗効果素子およびＺ軸磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵抗効果素子が配される基板とを備え、これら３個の磁気抵抗効果素子が、各ピンド層の磁化の向きが互いに３次元方向に交差するように基板に配されている磁気センサ。 - 特許庁

To provide the antiparallelly coupled film structure of a ferromagnetic material, a nonmagnetic material, and a ferromagnetic material which has sufficient antiparallel coupling strength after a heat treatment process of 400°C to be applicable to the magnetic free layer or magnetic pinned layer of a high magnetoresistive element; and to provide a tunnel magnetoresistive element and a magnetic device which use the antiparallelly coupled film structure.例文帳に追加

４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁