「Pinned」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetization method of an MR sensor where directions of pinned magnetization in a reference layer of the nonparallel MR sensor, such as GMR or MTJ, are simultaneously set.例文帳に追加

ＧＭＲあるいはＭＴＪデバイスのような非平行ＭＲ素子のリファレンス層におけるピンド磁化の方向を同時に設定可能なＭＲ素子の磁化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pinned photodiode which can increase the depth of a depletion layer further more as compared with a prior art so as to get very high photosensitivity.例文帳に追加

非常に高い光感度を得るために、空乏層の深さを従来技術に比べてより一層増加させることができるピンドフォトダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An MR(magnetoresistance effect) element 50 as a magnetic conversion element has a laminated body 5 produced by laminating an antiferromagnetic layer 51, pinned layer 52, nonmagnetic metal 53 and free layer 54.例文帳に追加

磁気変換素子であるＭＲ素子５０は、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性金属５３およびフリー層５４を積層してなる積層体５を有している。 - 特許庁

As a result, a thin film spacer can be formed, and the nano-constricted MR spin valve is formed having low coercivity and low interlayer coupling between the free layer and the pinned layer.例文帳に追加

その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 - 特許庁

In addition, because the lengths of the each layers in terms of an MR height are the same on the contact area between the pinned layer 34 and the antiferromagnetic layer 33, the pinned layer 34 contacts the antiferromagnetic layer 33 across the whole MR height, exchange coupling is enhanced so much that the tilt of the magnetization direction can be more effectively suppressed.例文帳に追加

しかも、ピンド層３４と反強磁性層３３との接触領域におけるＭＲハイト方向の各層の長さが等しくなっているため、ピンド層３４はＭＲハイト方向全体に渡って反強磁性層３３と接触していることになり、交換結合力が高められて磁化方向の傾きをより効果的に抑制できる。 - 特許庁

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118.例文帳に追加

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。 - 特許庁

In the original board exposure apparatus, power supply from a pinned-side terminal board 47 mounted on a vibration elimination board to a transfer-side terminal board 40 mounted on a transfer optical part 19 and the transfer of a signal between the pinned-side terminal board 47 and the transfer-side terminal board 40 are performed by using a flexible substrate 46.例文帳に追加

本発明は、原盤露光装置において、除振台に取り付けられた固定側端子台４７から移動光学部１９に取り付けられた移動側端子台４０への電源供給及び上記固定側端子台４７と上記移動側端子台４０との間の信号の授受をフレキシブル基板４６を用いて行うことにある。 - 特許庁

The magneto-resistive head 10 includes a lower magnetic shield 16, an antiferromagnetic layer 22 disposed on the lower magnetic shield 16, a pinned ferromagnetic layer 24 disposed on the antiferromagnetic layer 22, a nonmagnetic intermediate 26 disposed on the pinned ferromagnetic layer 24, and a free ferromagnetic layer 28 disposed on the nonmagnetic intermediate layer 26.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッド１０であって、下部磁気シールド１６と、下部磁気シールド１６上に配置された反強磁性層２２と、反強磁性層２２上に配置されたピンド強磁性層２４と、ピンド強磁性層２４上に配置された非磁性中間層２６と、非磁性中間層２６上に配置されたフリー強磁性層２８とを含んでいる。 - 特許庁

The magnetoresistive sensor comprises a first antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer formed on the first antiferromagnetic layer, a first non-magnetic conductive layer formed on the pinned ferromagnetic layer, a free ferromagnetic layer formed on the first non-magnetic conductive layer, and a second non-magnetic conductive layer formed on the free ferromagnetic layer.例文帳に追加

磁気抵抗センサであって、第１反強磁性層と、該第１反強磁性層上に設けられたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に設けられた第１非磁性導電層と、該第１非磁性導電層上に設けられたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に設けられた第２非磁性導電層とを含んでいる。 - 特許庁

To arrange an appropriate material in at least one layer of a pinned layer and a free layer to increase a resistance change in a vertical excitation magnetoresistive effect device of a spin-valve structure.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗効果素子において、適当な材料をピン層およびフリー層のうち少なくとも１層に配置することにより、抵抗変化量を大きくする。 - 特許庁

In the spin valve structure which is provided with the pinned layer 35, deterioration of characteristic which is caused by temperature rise in annealing is restrained, so that superior thermal stability can be ensured in a reverse magnetic field.例文帳に追加

このピンド層３５を備えたスピンバルブ構造体では、アニール温度の上昇に伴う特性劣化が抑制されるため、逆磁場中において優れた熱安定性が確保される。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction film 14 has a ferromagnetic free layer 20, a tunnel barrier layer 30 and a ferromagnetic pinned layer 40 and the flux guide 10 is magnetically connected with the ferromagnetic free layer 20.例文帳に追加

磁気トンネル接合膜１４は、強磁性フリー層２０と、トンネルバリア層３０と、強磁性ピンド層４０とを有しており、フラックスガイド１０は、強磁性フリー層２０に磁気的に結合している。 - 特許庁

The magnetic memory cell (10) comprises a read-write conductor which is wholly clad with a high-permeability and soft magnetic material for a soft magnetic data layer pinned on the fly.例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかい強磁性データ層用の高透磁率の軟らかい磁性材料で完全にクラッディンク゛された読出し−書込み導体を有する磁気メモリセル(10)。 - 特許庁

A pinned layer 20 has a synthetic structure, which comprises a first ferromagnetic layer 18, a coupling layer 17 and a second ferromagnetic layer 16, which are sequentially laminated from a free layer 27 side.例文帳に追加

ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。 - 特許庁

Angle θ formed between the direction of center of magnetizing oscillation of the magnetic free layer 1 and a magnetizing direction of the magnetic pinned layer 3 is in both ranges of 0°≤θ≤70° and 110°≤θ≤180°.例文帳に追加

磁気フリー層１の磁化振動の中心となる方向と磁気ピンド層３の磁化方向とのなす角度θは、０°≦θ≦７０°及び１１０°≦θ≦１８０°の範囲内にある。 - 特許庁

A brooch body 3 is set in such a manner that a brooch pin body is superimposed on the empty part of the center of the doughnut-like shape of a scrunchy body 1, and it is pinned to clothes, a bag or a purse by the brooch pin body.例文帳に追加

ブローチ本体３をシュシュ本体１のドーナツ状の中心にあたる空白部にブローチピン本体が重なる様にセットしてブローチピン本体で衣服やカバン・バックなどに止める。 - 特許庁

A tunnel junction (10), having a cladded read conductor formed from a high magnetic permeability soft magnetic material for a pinned-on-the-fly soft reference layer, is disclosed.例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のために高透磁率の軟らかい磁性材料から形成され、クラッディングされた読出し導体を有するトンネル接合(10)が開示される。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element having the structure whereby the corrosion of its anti-ferromagnetic layer for fixing the magnetization of its pinned layer can be prevented, a thin-film magnetic head, a magnetic-head apparatus, and a magnetic recorder/reproducer.例文帳に追加

ピンド層の磁化を固定する反強磁性層の腐食を防止し得る構造を持つＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a pinned type volleyball post capable of fine adjustment of change caused by sinking or rising from the surface of floor concerning the height of upper edge of a net spread between posts from the surface of floor.例文帳に追加

支柱間に張設したネット上縁の床面からの高さが床面の沈降及び隆起により生じる変化を容易に微調節出来るピン止型バレーボール支柱を提供する。 - 特許庁

An MTJ element 10 has a pinning layer 2 composed of MnIr, an SyAF pinned layer 345, a crystalline tunnel barrier layer 6 where natural oxidation treatment is applied to a magnesium layer, and a free layer 7.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１０は、ＭｎＩｒからなるピンニング層２と、ＳｙＡＦピンド層３４５と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のトンネルバリア層６と、フリー層７とを有する。 - 特許庁

The AP1 layer in the SyAF pinned layer 27 includes a two-layer structure of an amorphous CoFeB layer and a crystalline CoFe layer laminated in order from the side of the antiferromagnetic layer 26.例文帳に追加

ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。 - 特許庁

With this constitution, the sense current IS is made to flow through the free layer 38, the intermediate layer 37, and the pinned layer 36, and the sense current is basically not made to flow through the antiferromagnetic layer 32.例文帳に追加

この構成により、センス電流Ｉ_Ｓはフリー層３８、中間層３７、及びピンド層３６に流れ、反強磁性層３２には基本的にセンス電流は流れないことになる。 - 特許庁

The spin accumulation magnetic sensor includes a pinned layer 5A provided on a first area of a nonmagnetic layer 2 and a free layer 5B provided on a second area of the nonmagnetic layer 2.例文帳に追加

このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a spin valve structure wherein superior thermal stability can be ensured in a reverse magnetic field, its forming method and a pinned layer which acts as one constituent of the spin valve structure.例文帳に追加

逆磁場中において優れた熱安定性を確保可能なスピンバルブ構造体およびその形成方法並びにこのスピンバルブ構造体の一構成要素をなすピンド層を提供する。 - 特許庁

The MTJ element 8 includes: an AFM layer 11, an SyAF pinned layer 12, a tunnel barrier layer 13 comprised of crystalline MgO made by applying natural oxidation process to a magnesium layer, and a free layer 14.例文帳に追加

ＭＴＪ素子８は、ＡＦＭ層１１と、ＳｙＡＦピンド層１２と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のＭｇＯを有するトンネルバリア層１３と、フリー層１４とを含む。 - 特許庁

The spin bulb magneto-resistive sensor contains a first conductor layer, a free ferromagnetic layer arranged on the first conductor layer, a nonmagnetic intermediate layer arranged on the free ferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer arranged on the nonmagnetic intermediate layer, an antiferromagnetic layer arranged on the pinned ferromagnetic layer and a second conductor layer arranged on the antiferromagnetic layer.例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗センサであって、第１の導体層と、該第１の導体層上に配置されたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に配置された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に配置されたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、該反強磁性層上に配置された第２の導体層を含んでいる。 - 特許庁

The pinned layer 160 contains the high-resistance ferromagnetic film 141 comprising Fe and N, and the film 141 is formed between the metallic film 142 and the film 130.例文帳に追加

ピンド層１６０は、Ｆｅ及びＮを含有する高抵抗強磁性膜１４１を含んでおり、高抵抗強磁性膜１４１は、非磁性金属膜１４２と反強磁性膜１３０との間に設けられる。 - 特許庁

The exchange-coupled structure 110 includes an intermediate ferromagnetic layer 116 between an AF layer 112 and the pinned semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy layer 118 which results in exchange biasing.例文帳に追加

交換結合構造１１０は中間強磁性体層１１６をＡＦ層１１２とピンド半金属強磁性体ホイラー合金層１１８の間に有しており、この結果交換バイアスを形成している。 - 特許庁

The inspection by the inventors shows that a magnetoresistance change (ΔRA) per unit area increases in at least one of the free magnetic layer 58 and the pinned magnetic layer 56.例文帳に追加

本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。 - 特許庁

The oxygen-added seed layer 11, AFM layer 12, binder layer 14, upper pinned layer 41, and free layer 25 are formed by sputter deposition using oxygen-added argon (Ar) gas.例文帳に追加

これらの酸素が添加されたシード層１１、ＡＦ層１２、結合層１４、上部ピンド層４１およびフリー層２５は、酸素が添加されたアルゴン（Ａｒ）ガスを使用してスパッタ成膜されることにより形成される。 - 特許庁

Also, the pinned magnetic layer comprises a magnetic material having a positive magnetostriction constant or a magnetic material having large coercive force, and the end face is exposed at the surface facing a recording medium.例文帳に追加

また固定磁性層は、磁歪定数が正の値を有する磁性材料又は保磁力の大きい磁性材料により形成されていて、記録媒体との対向面側の端面が開放されている。 - 特許庁

An MR (magnetoresistance) element 5 is provided with: a free layer 25 changing the direction of magnetization according to a signal magnetic field; a pinned layer 23 having a fixed direction of magnetization; and a spacer layer 24 that is arranged between them.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。 - 特許庁

A TMR device includes a laminate 1 on which a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18, and a gap layer 19 are laminated in order on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。 - 特許庁

By this method, sputtering becomes possible over a wide range on a copper spacer layer for realizing a desirable ferromagnetic coupled magnetic field (HF) between the pinned layers and free layers in a spin valve sensor.例文帳に追加

この方法により、スピン・バルブ・センサにおけるピンド層構造とフリー層構造との間に望ましい強磁性結合磁界（ＨＦ）を実現するための、銅スペーサ層のより広範囲な付着時間が可能になる。 - 特許庁

A fixed magnetic layer 21 of each of the magnetic resistance effect elements is of a self-pinned type, and sensitivity axis directions P1 through P4 of the magnetic resistance effect elements 13a and 13d (13b and 13c) making up a serial circuit are antiparallel to each other.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。 - 特許庁

To impart a strong switching connection between ferromagnetic films, and to inhibit a shunt loss while effectively increasing a switching connection force from an antiferromagnetic film, in an SV film having a synthetic pinned structure.例文帳に追加

シンセティック・ピンド構造のＳＶ膜において、強磁性膜間に強い交換結合を与え、反強磁性膜からの交換結合力を実効的に増大させながら、同時に分流損失を抑える。 - 特許庁

The outer pinned layer (AP2 layer) 20 has a laminated structure of a (CoFe)_outer layer 21 (outer CoFe layer 21)/a (CoFe_x)B_y layer 22 (amorphous layer 22)/a (CoFe)_inner layer 23 (inner CoFe layer 23).例文帳に追加

外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。 - 特許庁

The second magnetic layer F2 is arranged nearer to the pinned layer 23 than the first magnetic layer F1, and the magnetic layers F1 and F2 are coupled with each other in an antiferromagnetic state through the coupling layer 40.例文帳に追加

第２の磁性層Ｆ２は、第１の磁性層Ｆ１よりもピンド層２３に近い位置に配置され、２つの磁性層Ｆ１，Ｆ２は、結合層４０を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁

A TMR device has a laminated body 1 on which a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18, and a gap layer 19 are laminated in order on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。 - 特許庁

A TMR element 51 is provided with a TMR film 53 including an antiferromagnetic layer 61, a pinned layer 63, a barrier layer 65, and a free layer 67; and a lower magnetic shield film 55 provided at the lower part in the laminating direction of the TMR film.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５１は、反強磁性層６１、ピンド層６３、バリア層６５及びフリー層６７を含むＴＭＲ膜５３と、ＴＭＲ膜の積層方向下方に設けられた下部磁気シールド膜５５とを備える。 - 特許庁

The body 1 is pinned up on a front end wall 220 of a recessed ring fence 22 of a terminal block 2 through the upright surface of the second latch, and first-step fixing of the body 1 with the terminal block 2 is performed by utilizing the second latch and the terminal block 2.例文帳に追加

本体１は、第二ラッチの直立面を通して、端子台座２の凹リング柵２２の前端壁２２０にピン止めされ、第二ラッチと端子台座２とを利用し、端子台座２との第一段階の固定を行う。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁

To realize a magnetoresistive element having high sensitivity by making apparent magnetization of a pinned layer of laminated ferrimagnetic structure almost zero, considering reduction of film thickness by alloying, regarding a magnetic head and a magnetic recording device.例文帳に追加

磁気ヘッド及び磁気記録装置に関し、積層フェリ構造のピンド層の見かけ上の磁化を合金化による膜厚のめべりを考慮してほぼ０にすることにより高感度な磁気抵抗効果素子を実現する。 - 特許庁

A TMR element 3 has a free layer 11 formed on a lower gap layer 2, a tunnel barrier layer 12 formed on this free layer 11, and a pinned layer 13 formed on this tunnel barrier layer 12.例文帳に追加

ＴＭＲ素子３は、下部ギャップ層２の上に形成されたフリー層１１と、このフリー層１１の上に形成されたトンネルバリア層１２と、このトンネルバリア層１２の上に形成されたピンド層１３とを有している。 - 特許庁

The help content viewer may be pinned to a user interface associated with a given application so that the help content viewer remains in a position above the user interface even if a user interface of a different application is launched.例文帳に追加

ヘルプコンテンツビューアは、異なるアプリケーションのユーザーインターフェースが起動された場合でもヘルプコンテンツビューアをユーザーインターフェースの上のある位置に残るように、所与のアプリケーションに関連するユーザーインターフェースに固定する。 - 特許庁