「Pinned」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

As another option, the magnetic element includes a second pinned layer, a second spacer layer, and a second free layer magnetostatically coupled to the free layer.例文帳に追加

他の選択肢として、第２固定層と第２スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第２自由層とが含まれる。 - 特許庁

A ferromagnetic tunnel effect layer 1 has a structure where a tunnel barrier layer 11 is horded by a free layer 12 and a pinned layer 14.例文帳に追加

強磁性トンネル効果膜１は、トンネルバリア層１１がフリー層１２とピンド層１３とによって挟まれた構造を有する。 - 特許庁

a toy consisting of vanes of colored paper or plastic that is pinned to a stick and spins when it is pointed into the wind 例文帳に追加

棒にピンで止められて、それが風の中に指されているとき、回転する色紙かプラスチックの風向計から成るおもちゃ - 日本語WordNet

The vertices of the first polygon are pinned to boundaries of and within the ROI to form a second polygon 300 on the ROI.例文帳に追加

第１ポリゴンの頂点を、ＲＯＩの境界およびその中にピンニングし、ＲＯＩ上に第２ポリゴン３００を形成する。 - 特許庁

He also pinned Ujitada HOJO and Ujikatsu HOJO to Misaka-toge Pass, and compelled Ujikuni HOJO to observe Kai from Chichibu City. 例文帳に追加

また北条氏忠・北条氏勝らを御坂峠に張り付かせ、北条氏邦にも秩父市から甲斐を窺う体勢をとらせた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

METHOD OF PINNING STEP STRUCTURE FORMED ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING PINNED STEP STRUCTURE例文帳に追加

単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板 - 特許庁

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。 - 特許庁

The MTJ structure 100 is formed on a substrate 1 by laminating, in the following order, an antiferromagnetic layer 2, a pinned layer 3, a non-magnetic layer 4, a reference layer 5, a tunneling barrier layer 6, a free layer 7, a non-magnetic layer 8, a drive layer 9, a non-magnetic layer 10 and a pinned layer 12.例文帳に追加

ＭＴＪ構造１００は、基体１の上に、反強磁性層２、ピンド層３、非磁性層４、リファレンス層５、トンネルバリア層６、フリー層７、非磁性層８、ドライブ層９、非磁性層１０、ピンド層１１、反強磁性層１２が順に積層されたものである。 - 特許庁

When a command for requesting release of pinned attribute information by specifying addresses is inputted, an address associated with the pinned attribute information among the addresses specified by the command is changed so that unpinned attribute information is associated with the address.例文帳に追加

アドレスを指定してピンドの属性情報を解除することを要求するコマンドが入力されたとき、そのコマンドで指定されたアドレスのうち、ピンドの属性情報が対応付けられているアドレスをアンピンドの属性情報が対応付けられるように変更する。 - 特許庁

As the shaft 14 moves back and forth linearly, the output shaft 16 having a lever pinned to its front end is oscillated, together with the lever.例文帳に追加

基軸１４が往復直進動作すると、先端にレバーがピン接続された出力軸１６がレバーと共に揺動動作する。 - 特許庁

The stabilization materials 55 and 56 cause the magnetization directions of the edge regions 57 and 58 to be pinned in substantially parallel to the y-axis.例文帳に追加

安定化材料５５および５６は、端領域５７および５８の磁化方向を実質上ｙ軸と平行な向きにピン留めする。 - 特許庁

One day, as the orderly was smoothing out the tablecloth, the officer pinned down his thumb with a pencil, asking: 例文帳に追加

或る日、従卒がテーブルクロスの折り目を伸ばしている最中に、突然、上官はその親指を鉛筆で突き、圧しとどめ、そして、訊ねた。 - D. H. Lawrence『プロシア士官』

The ends of her tulle collarette had been carefully disordered and a big bunch of red flowers was pinned in her bosom stems upwards. 例文帳に追加

チュールの襟の端には気をつけていたのに乱れた痕があり、大きな赤い花束が胸にピンで留められて茎は上を向いていた。 - James Joyce『二人の色男』

A segment SG1 constituting the TMR element 50 includes: a first laminate 20 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21; and a second laminate 30 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element for the sensor which detects a change in magnetism given from outside includes the pinned layer 12 of which the direction of magnetization is fixed, a free layer 14 of which the direction of magnetization changes according to an external magnetic field, and an intermediate layer which is provided between the pinned layer 12 and the free layer 14.例文帳に追加

外部から加わる磁気の変化を検知するセンサ用の磁気抵抗効果素子が、磁化方向が固定されたピンド層１２と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層１４と、ピンド層１２とフリー層１４との間に設けられている中間層と、を含んでいる。 - 特許庁

Next, it is subjected to a second heat treatment in an atmosphere without external magnetic field, an exchange pinning magnetic field decreases, an anisotropy is generated in the pinned-synthetic composite layer due to generation of stress, and the magnetization direction of the pinned-synthetic composite layer is aligned in the long axis direction of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

次いで、外部磁場のない雰囲気中において第２の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 - 特許庁

As a result, a magnetic field is applied in the direction shown by arrow B to the magnetic layer forming the elements 11 and 21 by the residual magnetization of the magnetic layer for applying magnetic field, and the magnetization of a pinned layer in the magnetic layer forming the elements 11 and 21 is pinned in the direction shown by the arrow B.例文帳に追加

この結果、磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層には磁場印加用磁性層の残留磁化により矢印Ｂにより示した方向の磁場が印加され、同磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層のピンド層の磁化が同矢印Ｂにより示した向きにピンされる。 - 特許庁

One of the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the first intermediate layer and the magnetization direction of the first pinned layer, and the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the second intermediate layer and the second pinned layer is parallel relation and the other is antiparallel relation.例文帳に追加

記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。 - 特許庁

At least a pinned layer 3 in a ferromagnetic tunnel junction element having a lamination structure consisting of a foundation layer 1/a 0 to 5 nm-thick antiferromagnetic layer 2/the pinned layer 3/an insulating layer 4/a free layer 5 is shaped so that magnetic anisotropy arises more than that in the shape of the free layer 5.例文帳に追加

下地層１／厚さが０〜５ｎｍの反強磁性層２／ピンド層３／絶縁層４／フリー層５からなる積層構造を有する強磁性トンネル接合素子における少なくともピンド層３の形状を上記フリー層５の形状より磁気異方性が現れる形状とする。 - 特許庁

A conductive insulating non-magnetic intermediate layer 57 is sandwiched between a conductive free magnetic layer 58 and a conductive pinned magnetic layer 56.例文帳に追加

導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。 - 特許庁

The magnetic memory element includes a laminate structure of a pinned layer magnetized in the X-xis direction, a free layer, and an interlayer inserted between those layers.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、Ｘ軸方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含む。 - 特許庁

To form a plurality of magnetoresistance effect elements located on a single chip that are provided with pinned layers, having fixed magnetization axes in mutually crossing directions.例文帳に追加

単一チップ上に、互いに交差する向きの固定磁化軸を有するピンド層を備えた複数の磁気抵抗効果素子を形成すること。 - 特許庁

A pinned layer 140 adjoins the whole surface of a non-magnetic conductive film 150, and the free layer 160 adjoins the other surface of the non-magnetic conductive film 150.例文帳に追加

ピンド層１４０は非磁性導電膜１５０の一面に隣接し、フリー層１６０は、非磁性導電膜１５０の他面に隣接する。 - 特許庁

To obtain the optimization of two technologies (CMOS and CCD) where pinned photodiodes are integrated into an image sensing element of an active pixel sensor.例文帳に追加

ピン止め光ダイオードがアクティブ画素センサーの画像検知要素内に集積される２つの技術（ＣＭＯＳ及びＣＣＤ）の最適化を達成する。 - 特許庁

The MRAM device without a trench has the pinned layer formed within the protective sidewall formed on a substrate.例文帳に追加

本発明は、トレンチなしのＭＲＡＭデバイスに関し、本発明のＭＲＡＭデバイスは、基板上に形成した保護側壁内部に固着層を有する。 - 特許庁

The magnetic layer 33A is a self-pinned layer having a magnetization direction fixed along an axis of easy magnetization (a direction of X axis) in lamination planes.例文帳に追加

磁性層３３Ａは、積層面内における磁化容易軸（Ｘ軸方向）に沿って固定された磁化方向を有する自己ピンド層である。 - 特許庁

As a result, a high junction strength can be obtained and a pinned wiring board 100 having a highly reliable electric connection can be realized.例文帳に追加

したがって本発明によれば、高い接合強度が得られ、電気的接続の信頼性の高いピン付き配線基板１００となすことができる。 - 特許庁

To provide a method of forming the MTJ cell of a magnetic RAM which is capable of turning the surface structure of a pinned magnetic layer amorphous by applying a physical impact to it.例文帳に追加

本発明は、固定磁化層表面に物理的衝突を加えて表面構造を非晶質化させるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法に関する。 - 特許庁

Around the free layer 23, a magnetic layer 31 is arranged which surrounds the side face of the free layer 23 and has a function of shielding the leakage magnetic field from the pinned layer 21.例文帳に追加

フリー層２３の周囲には、フリー層２３の側面を取り囲み、ピン層２１からの漏れ磁場をシールドする機能を有する磁性層３１が配置される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect head which can suppress deterioration of an MR ratio caused by thinning a film thickness of a magnetically pinned layer or a magnetically free layer.例文帳に追加

磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるＭＲ比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

A TMR sensor 1 is constructed by sequentially stacking a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a spacer layer 17, a free layer 18, and a cap layer 19.例文帳に追加

ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。 - 特許庁

A thin film magnetic head is the CPP-GMR element where the total film thickness of a pinned layer 7, a nonmagnetic intermediate layer 8, and a free layer 9 is ≥10nm.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、ピンド層７、非磁性中間層８、およびフリー層９の合計膜厚が１０ｎｍ以上のＣＰＰ-ＧＭＲ素子である。 - 特許庁

To provide a pinned wiring board which is brazed at its pin junction to a pin with a highly reliable connection intensity.例文帳に追加

基板のピン接合部にピンがロウ付けされた配線基板において、ピンと、ピン接合部との接続強度の信頼性の高いピン付き配線基板を提供する - 特許庁

The thickness of each reference layer 15 (sub-AP1 layer) of a plurality of nonparallel MR sensors is made to be thinner than that of the corresponding magnetic pinned layers 13 (sub-AP 2 layer).例文帳に追加

複数の非平行ＭＲ素子の各リファレンス層（サブＡＰ１層）１５の厚みを対応する磁気ピンド層（サブＡＰ２層）１３よりも薄くする。 - 特許庁

The bias magnetic field is applied in a direction orthogonal to a magnetization direction of each pinned layer in the first and second MR elements 1, 2 by a coil 30.例文帳に追加

バイアス磁界は、コイル３０によって第１および第２のＭＲ素子１，２における各ピンド層の磁化の向きと直交する方向に印加される。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect element, a surface of a spacer layer 150 is adjacent to a surface of a free layer 160, and a surface of a pinned layer 140 is adjacent to another surface of the spacer layer 150.例文帳に追加

スペーサ層１５０は、一面が、フリー層１６０の一面に隣接しており、ピンド層１４０は、一面がスペーサ層１５０の他面に隣接している。 - 特許庁

The pinned layer 12 has the shape of a plane extending long in the fixed direction of magnetization and being short in the direction perpendicularly intersecting the fixed direction of magnetization.例文帳に追加

ピンド層１２は、固定された磁化方向に沿って長く延び、固定された磁化方向に直交する方向に短い平面形状を有している。 - 特許庁

A barrier layer of thickness through which an electron passes by tunnel phenomenon is disposed on pinned layers (20, 22) including a ferromagnetic material where a magnetic direction is fixed.例文帳に追加

磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

To normally operate a reproducing element even if the unidirectional anisotropy of a magnetization pinned layer of the reproducing element disappears due to a rise in temperature not lower than a blocking temperature.例文帳に追加

ブロッキング温度以上の昇温によって再生素子の磁化固定層の一方向異方性が消失したときにも、再生素子を正常に動作させる。 - 特許庁

A read magnetic field (HH) does not saturate the ferromagnetic cladding (21), it is almost confined in the cladding (21), and the magnetization direction (M1) is dynamically pinned to a desired direction.例文帳に追加

読出し磁界(Ｈ_R)は強磁性クラッディング(21)を飽和せず、クラッディング(21)内に概ね閉じこめられ、磁化の向き(M1)を所望の方向に動的にピン留めする。 - 特許庁

A magnetic memory cell 40 has a data storage layer 50 for storing a variable magnetic field, a reference layer 54 in which a magnetization direction is pinned, and a tunnel barrier 52.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層５０と、磁化方向がピン留めされた基準層５４と、トンネル障壁５２とを有する。 - 特許庁

The pinned layer 35 comprises a laminate wherein a nickel chromium alloy layer 32 is interposed between a cobalt iron alloy layer 31 and a cobalt iron alloy layer 33, and especially, the pinned layer 35 is so constituted that the thickness of the cobalt iron alloy layer 31 which is positioned on a near side to a spacer layer 24 becomes about the twice of the cobalt iron alloy layer 33.例文帳に追加

コバルト鉄合金層３１とコバルト鉄合金層３３との間にニッケルクロム合金層３２が挿入された積層体を含み、特に、スペーサ層２４に近い側のコバルト鉄合金層３１の厚みがコバルト鉄合金層３３の厚みの約２倍となるようにピンド層３５を構成する。 - 特許庁

A barrier metal layer 21, a protection layer 20, a free ferromagnetic layer 18b, a nonmagnetic intermediate layer 18a, a tunnel barrier layer 17, a pinned ferromagnetic layer 14b, a nonmagnetic intermediate layer 15, a pinned ferromagnetic layer 14a, an anti-ferromagnetic layer 13, and an alignment control film 12 are patterned by ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを行うことにより、バリアメタル層２１、保護層２０、フリー強磁性層１８ｂ、非磁性中間層１９、フリー強磁性層１８ａ、トンネルバリア層１７、ピンド強磁性層１４ｂ、非磁性中間層１５、ピンド強磁性層１４ａ、反強磁性層１３及び配向制御膜１２をパターニングする。 - 特許庁

The MR element 50 has a free layer 51, a non-magnetic conductive layer 52, a pinned layer 53, an anti-ferromagnetic layer 54 and a protective layer 55 which are stacked one by one on the coupling layer 23.例文帳に追加

ＭＲ素子５０は、結合層２３の上に順に積層されたフリー層５１、非磁性導電層５２、ピンド層５３、反強磁性層５４、保護層５５を有している。 - 特許庁