「Power Module」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

A power source circuit for supplying the electric signal for rewriting the display of the ferroelectric liquid crystal panel is not incorporated into the main body of the module into which the liquid crystal panel is installed, but the electric signal for display rewriting is transmitted from a signal generating device separated from the main body.例文帳に追加

強誘電性液晶パネルの表示を書き換えるための電気信号を供給するための電源回路が液晶パネルが組み込まれたモジュール本体には組み込まれておらず、表示書き換えのための電気信号は本体とは別の信号発生装置から電送することにより、本体に組み込まれた液晶パネルの表示を書き換えることを特徴とする強誘電性液晶パネルを備えたモジュール。 - 特許庁

A solar cell module 10 includes a power generation region 21 including: a first transparent conductive film 12 laminated on a transparent substrate 11; a photoelectric conversion layer 13 laminated on the first transparent conductive film 12; a second transparent conductive film 14a laminated on the photoelectric conversion layer 13; and a metal film 14b laminated on the second transparent conductive film 14a.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池モジュール１０は、透明基板１１上に積層された第１透明導電膜１２、第１透明導電膜１２上に積層された光電変換層１３、光電変換層１３上積層された第２透明導電膜１４ａ、及び第２透明導電膜１４ａ上に積層された金属膜１４ｂから構成される発電領域２１を備える。 - 特許庁

The system includes a command/management means configured to determine prescribed power applied to drive wheels, to calculate a transmission ratio selected by the transmission, a torque transmitted by the first clutch, and a torque transmitted by the driving shaft; and to send signals respectively indicating the torque transmitted by the driving shaft, the torque transmitted by the first clutch, and the requested transmission ratio to the module.例文帳に追加

当該システムは、駆動輪に加えられる所定のパワーを決定し、変速装置で選択されるトランスミッション比と第一のクラッチによって伝達されるトルクと駆動軸で伝達されるトルクとを計算し、駆動軸で伝達されるトルクと第一のクラッチによって伝達されるトルクと要求されたトランスミッション比とをそれぞれ示す信号をモジュールに送出するように構成された車両伝動装置の指揮・管理手段を含む。 - 特許庁

The semiconductor module for power conversion comprises an insulating substrate (10), an electrode wiring layer (11A) provided on one major surface thereof, and a switching element (12) and a circulation diode (13) mounted on the electrode wiring layer wherein thermal resistance against diffusion of heat generated from the circulation diode is lower than thermal resistance against diffusion of heat generated from the switching element.例文帳に追加

絶縁基板（１０）と、その一方の主面上に設けられた電極配線層（１１Ａ）と、その電極配線層の上にマウントされたスイッチング素子（１２）及び還流ダイオード（１３）と、を備えた電力変換用の半導体モジュールであって、還流ダイオードにおいて生じた熱の拡散に対する熱抵抗が、スイッチング素子において生じた熱の拡散に対する熱抵抗よりも小さいものとする。 - 特許庁

The power module comprises a circuit board 101 obtained by impregnating a reinforce material with a thermosetting resin, an insulating resin mixture 102 filled in the opening formed at the board 101 and containing an inorganic filler and an insulating resin, a lead frame 103 adapted to a large- current circuit formed of the mixture 102 having high heat sink, and a fine wiring pattern 104 made of a metal foil.例文帳に追加

補強材に熱硬化性樹脂を含浸してなる回路基板１０１と、回路基板１０１に形成した開口部に充填された無機フィラーと絶縁性樹脂とを含む絶縁性樹脂混合物１０２と、放熱性の高い絶縁性樹脂混合物１０２に形成された大電流回路に適したリードフレーム１０３と、金属箔からなる微細配線パターン１０４とによりパワーモジュールを構成する。 - 特許庁

The system includes: a control device evaluating vulnerability of communications control nodes associated with a power distribution network; a quantum key distribution module distributing quantum encryption keys to one or more of the communications control nodes based at least in part on the vulnerability of the communications control nodes; and a device communicating among distributed electronic devices associated with the network using the quantum encryption keys.例文帳に追加

システムは電力分配ネットワークに関連付けられた通信制御ノードの脆弱性を評価する制御装置と、少なくとも部分的に、通信制御ノードの脆弱性に基づいて、通信制御ノードのうちの１つ以上に量子暗号鍵を配送する量子鍵配送モジュールと、ネットワークに関連付けられた分散型電子機器の間で量子暗号鍵を用いて通信する装置とを含む。 - 特許庁

A detection circuit 40 uses the characteristic of a solar cell module 50 to detect an input voltage and an input current input into an input part of a power converter 20.例文帳に追加

検出回路４０により、太陽電池モジュール５０の特性を利用して、電力変換部２０の入力部に入力される入力電圧及び入力電流を検出し、検出した入力電圧Ｖｉｎが閾値電圧ＡＬＭ＿Ｖよりも小さく、且つ入力電流Ｉｉｎが閾値電流ＡＬＭ＿Ｉよりも大きい場合には、入力部が短絡していると判定しているので、短絡故障を簡単且つ的確に検出できる。 - 特許庁

The method of manufacturing a board for power module includes: a bonding process for bonding a ceramic board 10 to metal plates 11, 12; a circuit forming process for forming circuit patterns 11A by etching the metal plates 11, 12, after the bonding process; and a grooving process for forming grooves 10a by laser machining between the circuit patterns 11A of the ceramic board 10, after the circuit formation process.例文帳に追加

パワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス基板１０と金属板１１，１２とを接合する接合工程と、前記接合工程の後に、前記金属板１１，１２をエッチングして回路パターン１１Ａを形成する回路形成工程と、前記回路形成工程の後に、前記セラミックス基板１０の前記回路パターン１１Ａ間にレーザー加工で溝１０ａを形成する溝入れ工程と、を有する。 - 特許庁

In the interface unit body 20, a control CPU 40 that is a control means reads the ID data 15 at the time of initialization such as power input to determine the type of the module unit 10 installed, reads transmitting or receiving configuration data from a memory 30 according to the type, and downloads it, for example, to FPGA (field programmable gate array), thereby configuring the FPGA (control processing).例文帳に追加

そして、インタフェースユニット本体２０では、制御手段である制御用ＣＰＵ４０が、このＩＤデータ１５を電源投入等の初期化時に読み込んで、装着されているモジュールユニット１０の種別を判断し、この種別に応じて送信用又は受信用の前記コンフィグレーションデータをメモリ３０から読み出して、例えばＦＰＧＡにダウンロードすることによりＦＰＧＡを構成する（制御処理）。 - 特許庁

In the capacitor microphone comprising an electrostatic microphone unit 10 and a power module portion 20 having at least a microphone circuit portion 24, an output transformer 25, and the output connector 26 stored in a shield case 21 while electrically connected through predetermined wiring, the microphone unit 10 being electrically connected to the microphone circuit portion 24, a synthetic-resin-made bobbin wound with a coil wire of the output transformer contains soft magnetic powder.例文帳に追加

静電型のマイクロホンユニット１０と、シールドケース２１内に少なくともマイクロホン回路部２４，出力トランス２５および出力コネクタ２６が所定の配線を介して電気的に接続された状態で収納されているパワーモジュール部２０とを含み、マイクロホン回路部２４にマイクロホンユニット１０が電気的に接続されるコンデンサマイクロホンにおいて、出力トランスにおけるコイル線が巻き付けられる合成樹脂製のボビンに軟磁性粉を含ませる。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁