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ST Cの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18



例文

The server SV is connected to a plurality of exclusively used terminals ST through the internal LAN of the agency C.例文帳に追加

サーバSVには、保健福祉機関Cの内部のLANを介して、複数の専用端末STが接続されている。 - 特許庁

The terminals ST are respectively provided in the living rooms of persons in charge including at least public health nurses (male nurses) engaged in health management in the agency C and connected with a data base DB storing the personal medical data of the users correspondingly to user codes.例文帳に追加

専用端末STは、保健福祉機関Cの健康管理に従事する少なくとも保健婦(士)を含む各担当者の居室に設けられ、利用者の医療に関する個人データが、各利用者コードに対応して記憶されたデータベースDBが接続されている。 - 特許庁

Calculation coordinate data D1 and D2 are determined by reflecting a river bed correcting and reforming construction method in extraction data C', and a two-dimensional shallow water flow equation of St. Venant is applied.例文帳に追加

さらに、抽出データC'に対して河床修正や改修工法を反映させ、計算座標データD1,D2を求め、St.Venantの二次元浅水流方程式を適用する。 - 特許庁

Similarities are calculated between the initial position and post-shift positions of the stamp St shifted left ((c)), right ((d)), down, down right and down left by one pixel.例文帳に追加

左((c))、右((d))、下、右下、左下へスタンプStを1画素分シフトしたときシフト後位置と初期位置の類似度を計算する。 - 特許庁

例文

The DSP 11 of an audio processing unit 10 determines allotment of dither signals being added to five surround signals L, R, C, LS, RS and two stereo signals ST-L, ST-R at a signal allotment determining section 100.例文帳に追加

音声処理ユニット10のDSP11は、信号割付決定部100により、5つのサラウンド信号L,R,C,LS,RSおよび2つのステレオ信号ST−L,ST−Rに対して付加するディザ信号の割付を決定する。 - 特許庁


例文

The probability of actuating the "ST" is notified by the lighting of an operation probability state suggestion lamp 24 (Figs.30(b) and (c), not shown) or the display (Figs.29(b) and (c), not shown) of a laterally rotating reel 8.例文帳に追加

また、「ST」が作動する確率は、作動確率状態示唆ランプ24の点灯(図30(b),(c))または横回転リール8の表示(図29(b),(c))によって報知される。 - 特許庁

A gate electrode 250 of submicron order depending on the width of the slit ST is formed by utilizing the slit ST (refer to Fig. 3(c)), and then a source region and a drain region are formed oppositely while holding the gate electrode 250 between.例文帳に追加

このスリットSTを利用することで、スリットSTの幅に応じたサブミクロンオーダのゲート電極250を形成し(図3(c)参照)、その後、ゲート電極250を挟んで対向配置されたソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To surely replenish a processing solution to a stock tank ST in a processing solution replenishing device S provided with a storage part ST for storing the processing solution sent from a cartridge C and a replenishing means SP for sending the processing solution stored in the storage part ST to a processing tank Ta for processing a photosensitive material.例文帳に追加

本発明は、カートリッジCから送られる処理液を貯留する貯留部STと、貯留部STの処理液を感光材料の処理を行う処理槽Taに送る補充手段SPとを備えた処理液補充装置Sにおいて、ストックタンクSTへの処理液の充填を確実に行うことを目的とする。 - 特許庁

In Fig.1.C, a fixture ST-3 is arranged on the flat bottom of a crucible 26-3, and the nitrogen surfaces of self-standing substrates 10-1 and 10-2 are mutually closely contacted.例文帳に追加

図1.C:坩堝26−3の平らな底部に治具ST−3を配置し、自立基板10−1、10−2を互いの窒素面を密着させて固定。 - 特許庁

例文

Thus, the user of the device can correct the target shape ST in situations shown by the figure 8 (c) and (d), e.g.例文帳に追加

これにより、装置使用者は、例えば図8(c)及び(d)に示すような状況において、ターゲット形状STの修正を実施することが可能である。 - 特許庁

例文

Upon receiving a start command ST, a controller 20 turns system main relays SMR1 and SMR3 on to perform precharge processing of a capacitor C.例文帳に追加

制御装置20は、起動指令STを受けると、システムメインリレーSMR1,SMR3をオンさせてコンデンサCを充電するプリチャージ処理を実行する。 - 特許庁

This printing plate material has an image forming function layer containing at least one layer of heat meltable particulates or heat fusible particulates on one surface of the plastic film support, with its stiffness (ST) at 23°C and 48%RH satisfying the expression: 30g≤ST≤120g.例文帳に追加

プラスチックフィルム支持体の一方の面に少なくとも1層の熱溶融性微粒子または熱融着性微粒子を含有する画像形成機能層を有し、かつ23℃、48%RHにおけるスティフネス(ST)が、30g≦ST≦120gであることを特徴とする印刷版材料。 - 特許庁

A semiconductor material is applied (filled) in a slit ST formed on an insulation film, and thereafter heat treatment is applied to form an amorphous semiconductor film 260 (see Fig. 3(c)).例文帳に追加

絶縁膜上に形成されるスリットST内に半導体材料を塗布(充填)し、その後に熱処理を加えて非晶質半導体膜260を形成する(図3(c)参照)。 - 特許庁

The ECU, when the user pushes an IG switch without stepping on a brake pedal in a sleep state A (in the case of IG=ON and ST=OFF), will be an IG neutral state to stand by without choosing a control mode (arrow c).例文帳に追加

ECUは、スリープ状態Aでユーザがブレーキペダルを踏まずにIGスイッチを押した場合(ST=OFF、IG=ONの場合)、制御モードを選択せずに待機するIGニュートラル状態となる(矢印c)。 - 特許庁

In the printing plate material having an imaging forming layer on a plastic support in which an image recording device having an exposure drum of a diameter of 250 mm or more is used to irradiate a laser beam to form an image on the exposure drum, the printing material has a stiffness (ST) of 30g≤ST≤120g at 23°C, 48% RH.例文帳に追加

直径が250mm以上の露光ドラムを有する画像記録装置を用いて、該露光ドラム上でレーザービームを照射し画像形成する、プラスチック支持体上に画像形成機能層を有する印刷版材料において、該印刷版材料の23℃、48%RHにおけるスティフネス(ST)が、30g≦ST≦120gであることを特徴とする印刷版材料。 - 特許庁

The sea area ratio (Sg/St) of the tread surface 2S is not less than 40%, the groove center line angle θ between a groove center line C of the lag groove 3 and a tire shaft direction line is 0 to 40 degrees, and the length Wg of the lag groove 3 in the tire shaft direction is 0.15 times or more of a tread width TW.例文帳に追加

トレッド面2Sの海面積比(Sg/St)は40%以上、ラグ溝3の溝中心線Cのタイヤ軸方向線に対する溝中心線角度θは0〜40度、ラグ溝3のタイヤ軸方向長さWgはトレッド巾TWの0.15倍以上である。 - 特許庁

The rubber-modified impact-resistant polystyrene resin composition comprises the rubbery polymer, where the rubbery polymer has (a) a Mooney viscosity of 20-50 and (b) a 5% styrene solution viscosity of 30-70, and (c) the ratio (St-cp/ML) of the styrene solution viscosity to the Mooney viscosity is at least 1.6.例文帳に追加

ゴム状ポリマーを含有するゴム変性耐衝撃性ポリスチレン系樹脂において、該ゴム状ポリマーの(a)ムーニー粘度が20〜50の範囲であり、(b)5%スチレン溶液粘度が30〜70の範囲にあり、且つ、(c)スチレン溶液粘度とムーニー粘度の比(St−cp/ML)が1.6以上の範囲にあることを特徴とするゴム変性耐衝撃性ポリスチレン系樹脂組成物。 - 特許庁

例文

To solve a problem that a frequency variation in practical use becomes very large, since the secondary temperature coefficient of frequency/temperature characteristics is as large as -0.034 (ppm/°C^2), if an ST cut quartz substrate is used for a piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板にSTカット水晶基板を用いると周波数温度特性の2次温度係数が−0.034(ppm/℃^2)と大きいので実用上の周波数変動量が極端に大きくなってしまう点であり、また特公平01−034411号に開示されているSAWデバイスの構造では、IDTの対数を非常に多くしなければならないのでデバイスサイズが大型になってしまう点である。 - 特許庁




  
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