「Schottky diodes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diodes 12, 16 are the ones integrally formed with the Schottky gate HFET and are constituted as Schottky barrier diodes comprising an n+ GaAs cap layer formed on a GaAs substrate and a Schottky electrode formed on the n+ GaAs cap layer.例文帳に追加

ダイオード１２、１６は、ショットキーゲートＨＦＥＴと一体的に形成されたダイオードであって、ＧａＡｓ基板上に成膜されたｎ^^+ −ＧａＡｓキャップ層と、ｎ^+ −ＧａＡｓキャップ層上に形成されたショットキー電極とからなるショットキーバリア・ダイオードとして構成されている。 - 特許庁

A parasitic diode of MOSFET and Schottky barrier diodes are set in reverse to the forward direction.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードとショットキーバリアダイオードは、それぞれの順方向が反対向きに設定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element using Schottky diodes to remove noise and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ショットキーダイオードを用いたノイズ除去のための半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide nitride-based semiconductor devices, such as Schottky diodes, having a layer formed to allow re-creating very low and uniform doping.例文帳に追加

極めて低く、且つ均一にドープすることを再現可能にした層を有するショットキーダイオードのような窒化物基半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes.例文帳に追加

半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。 - 特許庁

Each of the Schottky barrier diodes D1, D2, D3, and D4 is formed of a barrier film, an electrode, and the semiconductor substrate.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。 - 特許庁

An attaching hole 27b for housing and arranging a pair of schottky diodes 41, 42 is formed near the tip of the arm 27.例文帳に追加

アーム２７の先端部近くには、一対のショットキーダイオード４１、４２を収容配置するための取付孔２７ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide Schottky barrier diodes having uniform characteristics by reducing variations in their forward characteristics.例文帳に追加

順方向特性のばらつきを低減し、特性の揃った炭化珪素ショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which four Schottky barrier diodes are combined in a bridge on a silicon substrate, with low voltage and small power consumption at a low cost, while the voltage rise in forward direction of the Schottky barrier diodes is small in the voltage-current characteristics.例文帳に追加

シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に４つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧−電流特性における順方向の立ち上がり電圧が小さく、低電圧低消費電力低コストの装置の提供。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, a diode bridge circuit having Schottky barrier diodes and a peripheral circuit having MOS transistors are formed on an identical silicon substrate, and a Schottky barrier as an constituent element of the Schottky barrier diode is made of a silicide layer.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードで構成されるダイオードブリッジ回路と、ＭＯＳ型トランジスタで構成される周辺回路とが、同一のシリコン基板上に形成され、ショットキーバリアダイオードの構成要素であるショットキーバリアがシリサイド層からなることを特徴とする半導体集積回路装置により上記課題を解決する。 - 特許庁

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that enables carrier injection characteristics to be improved as compared with conventional semiconductor devices, such as Schottky barrier diodes and PiN diodes, and consequently, enables improvement in tradeoff between forward voltage drop (Vf) and reverse recovery charge (Qrr).例文帳に追加

従来のショットキーバリアダイオードやＰｉＮダイオード等の半導体装置と比べてキャリア注入特性を改善することができ、その結果、順方向電圧降下（Ｖｆ）と逆回復電荷（Ｑｒｒ）との間のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

No specialized devices, such as bipolar transistors, Zener or Schottky diodes, or specially-processed resistors, are required by the TCR circuit.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ、ツェナーダイオードもしくはショットキーダイオード、または特別に処理された抵抗器などの特化されたデバイスは、ＴＣＲ回路では必要とされない。 - 特許庁

To reduce device scale further compared with conventional devices in a semiconductor device which is equipped with MOS transistors and Schottky barrier diodes on a semiconductor substrate.例文帳に追加

同一半導体基板上にＭＯＳトランジスタとショットキーバリアダイオードを備えてなる半導体装置であって、その装置規模を従来のものと比較して更に縮小させる。 - 特許庁

Specifically, if the rectifying units are made of a Schottky diode, the voltage drop can be significantly reduced compared with other types of diodes.例文帳に追加

特に、整流部３０Ａ〜３０Ｆをショットキーダイオードにより構成すれば、他の種類のダイオードに比べて電圧降下を著しく小さくすることができる。 - 特許庁

Clamp circuits 2A, 2B which are to be provided in a self- oscillating resonance type converter are formed of Schottky barrier diodes DSBD1, DSBD2 and resistors RD1, RD2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤSBD1，ＤSBD2と抵抗ＲD1，ＲD2とによって、自励式の共振形コンバータに備えられるべきクランプ回路２Ａ，２Ｂを形成する。 - 特許庁

The present Schottky diodes 300 may be mounted to a submount in a flip chip arrangement, thereby further reducing the forward voltage as well as improving electric power dissipation and reducing heat generation.例文帳に追加

本ショットキーダイオード３００は、フリップチップ配列のサブマウントに取付けることができ、それによって更に順方向電圧を低下させ、電力散逸を改善し、そして熱生成を減少させる。 - 特許庁

This alternator for vehicle comprises a rotor 2, which includes a permanent magnet, a stator 3 including an armature coil 31 and a rectifier 4 in which Schottky barrier diodes 44 to 46 are connected in series with MOSFETs 47 to 49.例文帳に追加

車両用交流発電機は、永久磁石を有する回転子２と、電機子巻線３１を有する固定子３と、ショットキーバリアダイオード４４〜４６がＭＯＳＦＥＴ４７〜４９に直列接続された整流器４とを備えている。 - 特許庁

Wiring between the magnetic head and the schotty diode can be shortened by attaching the schottky diodes 41, 42 to a part of the arm 27 near to the magnetic head, so that an influence of noise can be suppressed.例文帳に追加

ショットキーダイオード４１、４２を磁気ヘッドに近いアーム２７の部分に取り付けることにより、磁気ヘッドとショットキーダイオードとの間の配線を短くでき、ノイズの影響を抑制できる。 - 特許庁

the OLED captures an antenna output from the portable telephone set by an antenna ANT, rectifies the antenna output with Schottky diodes SD1, SD2 and a capacitor C2 and gives the antenna output to the OLED to make the OLED emit light.例文帳に追加

このＯＬＥＤは、携帯電話機からの空中線出力をアンテナＡＮＴで取り込み、これをショットキーダイオードＳＤ１，ＳＤ２とコンデンサＣ２により整流してＯＬＥＤに与えて発光させる。 - 特許庁

In power transistors, the reduction in dielectric coupling reduces switching power losses, and in Schottky diodes, the trench width is reduced.例文帳に追加

パワートランジスタにおいて、誘電結合部における低減によりスイッチング電力損失が低減させられ、ショットキダイオードにおいてトレンチ幅が低減させられ得る。 - 特許庁

Since the temperature coefficient of the V_F characteristic of SiC becomes positive, even when the current concentration to either one of the Schottky barrier diodes 11a-11d is generated, such a change as current balancing occurs by virtue of this V_F characteristic.例文帳に追加

ＳｉＣのＶ_Ｆ特性は、温度に対して正となるので、ショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄのいずれかに電流が集中した場合でも、このＶ_Ｆ特性から電流が均衡するような変化が生じる。 - 特許庁

The present protective circuit for the field effect transistor 10 is a protective circuit for a Schottky gate HFET in which a series of diodes 14 including 5 diodes 12 connected in series in the normal direction and one diode 16 in the reverse direction are connected in parallel, and a gate line Vgg connected to the gate electrode of the HFET is grounded via the protective circuit 10.例文帳に追加

本電界効果トランジスタの保護回路１０は、ショットキーゲートＨＦＥＴの保護回路であって、縦続接続させた５個の順方向のダイオード１２からなるダイオード列１４と、１個の逆方向のダイオード１６とを並列接続した回路であって、ＨＦＥＴのゲート電極に接続されたゲート線Ｖｇｇは、保護回路１０を介して接地されている。 - 特許庁

The latch-up of a parasitic thyristor generated, when forming circuit elements on a semiconductor substrate having a formed IGBT Z1, is prevented by a latch-up preventing circuit, using Schottky barrier diodes formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴ・Ｚ１が形成されている半導体基板上に回路素子を形成する際に発生する寄生サイリスタのラッチアップを、半導体基板上に形成されたショットキーバリアダイオードを用いたラッチアップ防止回路により防止するようにしている。 - 特許庁

To enable an on/off ratio over a prescribed value to be obtained by controlling a forward current to be inputted to Schottky barrier diodes provided to two circulators respectively and to make it possible to restrain frequency characteristics of amplitude modulation of a high frequency signal from being influenced by an operating environmental temperature.例文帳に追加

２つのサーキュレータにそれぞれ設けられたショットキーバリアダイオードに入力する順方向電流を制御することにより、所定値以上のオン／オフ比が得られ、また高周波信号の振幅変調の周波数特性が使用環境温度に左右されるのを抑制できるものとすること。 - 特許庁

Semiconductor devices include an insulated trench electrode 11 in a trench 20, for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity 23 is provided between the bottom 25 of the trench electrode 11 and the bottom 27 of the trench 20 to reduce the dielectric coupling between the trench electrode 11 and the body portion 14 at the bottom 27 of the trench 20.例文帳に追加

トレンチ型電界効果パワートランジスタ及びトレンチ型ショットキダイオードのような、トレンチ２０において絶縁トレンチ電極１１を含む半導体デバイスにおいて、トレンチ２０の底部２７において本体部分１４とトレンチ電極１１との間の誘電結合部を低減させるために、トレンチ２０の底部２７とトレンチ電極１１の底部２５との間にキャビティ２３がもたらされる。 - 特許庁

Two Schottky barrier diodes (SBDs) which are connected in parallel to a field effect transistor that is a switching element, and composed of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), respectively, are configured to vary a rate of change of a current with respect to a forward voltage in accordance with the level of an ON voltage which is started to be conducted forward.例文帳に追加

スイッチング素子である電界効果トランジスタに並列に接続されており、夫々炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる２つのショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）について、順方向に導通し始めるオン電圧の高低に応じて、順方向の電圧に対する電流の変化率が大小となるようにする。 - 特許庁

The terminal box B connects solar cell panels (solar cell modules) M of a photovoltaic generation system in parallel or in series, wherein a plurality of terminal boards 12 to which the electrodes a of the solar cell modules M are connected are arranged in parallel and schottky diodes 13 for reverse current prevention are provided between the adjoining terminal boards 12 and 12, respectively.例文帳に追加

太陽光発電システムの太陽電池パネル（太陽電池モジュール）Ｍを並列又は直列に接続する端子ボックスＢであり、太陽電池モジュールＭの電極ａが接続される複数の端子板１２を並列に配設し、その隣り合う各端子板１２、１２間に逆流防止用ショットキーダイオード１３を設ける。 - 特許庁