「Si-Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加

半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁

NEW CMOS CIRCUIT OF GaAs/Ge ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上のＧａＡｓ／Ｇｅの新規なＣＭＯＳ回路 - 特許庁

MI means a first element such as Si, Sn, Ge and Pb.例文帳に追加

ＭＩはＳｉ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｐｂなどの第１の元素を表す。 - 特許庁

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

103-105 are grown on the Si substrate by UHVCVD, and a pure Ge layer of a low transfer density is grown on the Ge_xSi_1-x buffer layer.例文帳に追加

低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 - 特許庁

In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加

固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁

The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加

Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

HIGH-PURITY Si-Ge ALLOY TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERED HIGH-PURITY Si-Ge FILM例文帳に追加

高純度Ｓｉ−Ｇｅ系合金ターゲット及びその製造方法並びに高純度Ｓｉ−Ｇｅ系スパッタ膜 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

The phosphor comprises an adjacent film containing the constitutional element of at least one element selected from Si and Ge and being in contact with a portion composed of the fluorescent material.例文帳に追加

蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 - 特許庁

As the conductive sealing material, an Ag-Si-Ge alloy composed mainly of Ag and containing Si and Ge is used.例文帳に追加

導電性シール材料として、Ａｇを主成分としＳｉ及びＧｅを含有するＡｇ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金を用いる。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

An Si hydride or an Si chloride, a Ge hydride and an organometallic compound not containing Si are fed on a substrate in a crystal growth device as raw materials to chemically vapor-grow a ternary mixed crystal containing Si, Ge and C.例文帳に追加

原料としてＳｉの水素化物または塩化物及びＧｅの水素化物及びＳｉを含まない有機金属化合物を供給してＳｉ及びＧｅ及びＣを含む三元混晶を化学気相成長させる。 - 特許庁

After Ge thin film is deposited by epitaxial growth on an Si substrate, a Ti film is deposited on the Ge thin film.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧｅ薄膜をエピタキシャル成長させることによって堆積させた後、このＧｅ薄膜上にＴｉ膜を堆積させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

For example, the intermediate layer 20 includes at least one kind selected from among Si-Sb, Si-Te, and Si-Ge, when the phase change material includes Ge, Sb, and Te.例文帳に追加

例えば相変化材料がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含む場合、中間層２０は、Ｓｉ−Ｓｂ、Ｓｉ−Ｔｅ、Ｓｉ−Ｇｅの少なくとも一種を含む。 - 特許庁

The energy size of one output pulse of the pulsed laser beam is set to a value necessary to reach the minimum temperature for forming alloy as a result of melting the first and second Si lumps with the Ge material.例文帳に追加

パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

Concretely, a hardened layer mainly made up of an Au-Pd-Si alloy, an Au-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Ge alloy, an Au-Pt-Ge alloy or an Au-Pd-Pt-Ge alloy is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｇｅ合金を主体とする硬化層を形成させる。 - 特許庁

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

TRANSISTOR WHERE INDIUM IS INJECTED INTO Si-Ge ALLOY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ合金にインジウムを注入したトランジスタ及び製造方法 - 特許庁

The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.例文帳に追加

第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

Alternatively, the polycrystalline film has a composition of Si_(1-x-y)Ge_xC_y(0<x<1, 0<y<1).例文帳に追加

あるいは、多結晶膜がＳｉ_(1-x-y)Ｇｅ_xＣ_y（０＜ｘ＜１、０＜y＜１）の組成を有している。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Nb3 (Al, Ge) OR Nb3 (Al, Si) VERY THIN MULTIPLE CORE SUPERCONDUCTIVE WIRE例文帳に追加

Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）またはＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）極細多芯超伝導線の製造方法 - 特許庁

The Al in the intermetallic compound may be replaced with one or two kinds or more of Si, Ge, Ti and Zn.例文帳に追加

金属間化合物は、Ａｌに替えてＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ又はＺｎの１種又は２種以上でもよい。 - 特許庁

SI-GE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SAME, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ半導体素子およびその製造方法ならびに熱電変換モジュール - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF Nb3(Al, Ge) OR Nb3(Al, Si) COMPOUND SYSTEM SUPERCONDUCTING MULTI-CONDUCTORS例文帳に追加

Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）又はＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）化合物系超伝導多芯線の製造法 - 特許庁

The color conversion layer containing a rare-earth element, Si or Ge is formed by a dry process.例文帳に追加

希土類元素、ＳｉまたはＧｅを含む色変換層をドライプロセスで形成する。 - 特許庁

To produce a Bi_12MO_20 powder (wherein M is Si or Ge) having small particle diameters by a liquid phase method.例文帳に追加

液相法により、粒子径の小さなＢｉ_12ＭＯ_20粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。 - 特許庁

To produce a Bi_12MO_20 powder of high purity (wherein M is Si or Ge) by a liquid phase method.例文帳に追加

液相法により、高純度のＢｉ_12ＭＯ_20粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。 - 特許庁

To provide a phosphor comprising an Si element and/or a Ge element and exhibiting high luminance.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有する高い輝度を示す蛍光体を提供する。 - 特許庁

On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.例文帳に追加

この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁

An impurity as an acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.例文帳に追加

そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb, Zn, Sn, Al and Sb.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium oxide nanostructure comprises the steps of: using a sintered compact comprising gallium oxide powder and the powder of at least one element selected from Si, Ge and Sn or the oxide powder of the selected element as a base stock; and heating the sintered compact in a substantially oxygenless atmosphere to mix at least one element selected from Si, Ge and Sn in the gallium oxide crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 - 特許庁

The impurity as the acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.例文帳に追加

そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁

To produce a thick, smooth, and relaxed Si_xGe_1-x film with high Ge content.例文帳に追加

高いＧｅ含有率を有する厚く平滑な緩和Ｓｉ_ＸＧｅ_１−Ｘ膜を製造すること。 - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

An Si active area 2 and a Ge active area 3 are formed in an Si substrate, and a gate is formed, and then an HDD, an LDD, and halos are formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板1中に、Ｓｉ活性領域２とＧｅ活性領域３が形成され、ゲート形成後、ＨＤＤ、ＬＤＤ、ハロを形成する。 - 特許庁

In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。 - 特許庁