「SigE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photodetector structure for an SiGe surface normal optical path and a method for forming the SiGe normal optical path structure.例文帳に追加

ＳｉＧｅ面法線光路光検出器構造およびこのＳｉＧｅ光路法線構造を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, a strain SiGe layer 6 is formed based on the reference between the lattice constant of the n^- well 3n and that of the SiGe layer.例文帳に追加

この結果、Ｎ^−ウェル３ｎの格子定数とＳｉＧｅ層の格子定数との相違から、歪ＳｉＧｅ層６が形成される。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

In the first SiGe layer forming process, a concentration of Ge in the first SiGe layer 14 is set to not larger than 5%.例文帳に追加

第１のＳｉＧｅ層形成工程では、第１のＳｉＧｅ層１４中のＧｅ濃度を５％以下にする。 - 特許庁

The collector junction consists of hetero-junction (P^+-SiGe/N^--Si).例文帳に追加

コレクタ接合はヘテロ接合（Ｐ^+−ＳｉＧｅ／Ｎ^-−Ｓｉ）より成る。 - 特許庁

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

After the above process, a silicon germanium (SiGe) layer 18 is accumulated.例文帳に追加

この工程の後、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）の層18が堆積される。 - 特許庁

THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MADE OF SiGe THERMOELECTRIC MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳｉＧｅ熱電材料からなる熱電変換素子とその製造方法。 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR SiGe MIXED-CRYSTAL SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉＧｅ混晶半導体結晶のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

SiGe DIFFERENTIAL CASCODE AMPLIFIER WITH MILLER EFFECT RESONATOR例文帳に追加

ミラー効果共振器を有するＳｉＧｅ差動カスコード増幅器 - 特許庁

Annealing is performed to loosen the distorted SiGe layer.例文帳に追加

この歪みＳｉＧｅ層を緩和するためにアニールを実施する。 - 特許庁

TRENCH CAPACITOR USING SiGe AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ＳｉＧｅを利用したトレンチキャパシタ及びその形成方法 - 特許庁

At least one of the plurality of the dummy patterns 20 contains SiGe.例文帳に追加

複数のダミーパターン２０のうち少なくとも１つがＳｉＧｅを含む。 - 特許庁

An SiGe layer 10 is formed on a silicon substrate 9.例文帳に追加

シリコン基板９上に、ＳｉＧｅ層１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin and the density of threading dislocation in the SiGe layer incident to lattice mismatch of Si and SiGe can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図ることができ、かつ、ＳｉとＳｉＧｅとの格子不整合により発生するＳｉＧｅ層における貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Si/SiGe HETEROSTRUCTURE FOR HIGH-SPEED COMPOSITE P-CHANNEL FIELD EFFECT DEVICE例文帳に追加

電界効果デバイス用高速複合ｐチャネルＳｉ／ＳｉＧｅヘテロ構造 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND Si-SiGe STACK例文帳に追加

半導体基板及びその製造方法、並びにＳｉ−ＳｉＧｅ積層体 - 特許庁

An EOR damage is given by performing an ionic injection of atoms onto the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層上に原子をイオン注入してＥＯＲ損傷を与える。 - 特許庁

At least one of the dummy patterns contains SiGe.例文帳に追加

複数のダミーパターンのうち少なくとも１つがＳｉＧｅを含む。 - 特許庁

A compressed distortional SiGe layer is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

圧縮歪みＳｉＧｅ層がシリコン基板上に形成される。 - 特許庁

To provide a trench capacitor using SiGe and its forming method.例文帳に追加

ＳｉＧｅを利用したトレンチキャパシタ及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR OF SIGE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＳｉＧｅチャンネルのＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CRYSTAL DEFECT IN THIN Si/SiGe DOUBLE LAYER例文帳に追加

薄いＳｉ／ＳｉＧｅ二重層において結晶欠陥を測定する方法 - 特許庁

The tensile distortional silicon layer is formed on the loosened SiGe layer.例文帳に追加

引っ張り歪みシリコン層が緩和ＳｉＧｅ層上に形成される。 - 特許庁

To provide an effective manufacturing method of a loosened SiGe layer.例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ層を製造する有効な方法を提供すること。 - 特許庁

By having the germanium concentration of a first SiGe layer 12a, formed on a semiconductor substrate 11, set up lower than the germanium concentration of a second SiGe layer 13a formed in the upper part, the etching rates of the first SiGe layer 12a and the second SiGe layer 13a are made almost the same.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成される第１ＳｉＧｅ層１２ａのＧｅ濃度を、その上方に形成される第２ＳｉＧｅ層１３ａのＧｅ濃度より低く設定することで、第１ＳｉＧｅ層１２ａと第２ＳｉＧｅ層１３ａのエッチングレートをほぼ同じにする。 - 特許庁

Usually, the SiGe has the Ge concentration in range of 5 to 100 %.例文帳に追加

通常、ＳｉＧｅは、５〜１００％の範囲のＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

The base of the bipolar transistor is made of an SiGe alloy.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのベースはＳｉＧｅ合金で形成される。 - 特許庁

SiGe-ON-INSULATOR SUBSTRATE MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＧｅオンインシュレータ基板材料及びその製造方法 - 特許庁

The Ge density of the SiGe layer 24 is made small near to a PN junction 23.例文帳に追加

ＳiＧe層２４のＧe濃度をＰＮ接合２３に近い程小さくする。 - 特許庁

A groove h2 for exposing the side of the SiGe layer 11 is formed.例文帳に追加

次に、ＳｉＧｅ層１１の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。 - 特許庁

Thereby, the SiGe epitaxial growth film 15 is formed in the recess 12.例文帳に追加

これにより、リセス部１２に対して、ＳｉＧｅエピ成長膜１５を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for making a metastable strained SiGe layer.例文帳に追加

準安定な歪みＳｉＧｅ層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

A laminated structure with a first SiGe layer 14 is formed on a buried insulating layer 21 through a laminating method, thereafter a second SiGe layer 41 higher in germanium content than the first SiGe layer 14 is formed on the first SiGe layer 14, and a silicon layer 42 is formed thereon.例文帳に追加

貼り合わせ方により、埋め込み絶縁層２１上に第１のＳｉＧｅ層１４を有する積層構造体を作製し、その後、第１のＳｉＧｅ層１４上にそれよりゲルマニウム濃度が高い第２のＳｉＧｅ層４１を形成し、その上にシリコン層４２を形成する。 - 特許庁

The carbon can be doped over the entire SiGe layer.例文帳に追加

カーボンは、ＳｉＧｅ層全体にわたってドープすることもできる。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

STEP-EMBEDDED SiGe STRUCTURE WITH ENHANCED PFET MOBILITY例文帳に追加

ＰＦＥＴの移動度を強化したステップ埋め込みＳｉＧｅ構造 - 特許庁

SiGe layers 4 are thinly formed along the side walls of the trench 10 formed into the silicon substrate 1, and B-containing SiGe layers 5 are formed in the SiGe layers 4 (on the trench 10 side).例文帳に追加

シリコン基板１におけるトレンチ１０の側壁に沿ってＳｉＧｅ層４が薄く形成され、このＳｉＧｅ層４内（トレンチ１０側）にＢ含有ＳｉＧｅ層５が形成される。 - 特許庁

To reduce an electric field applied to an SiGe semiconductor layer by preventing an SiGe-PIN optical semiconductor element from having a PIN structure formed in the SiGe semiconductor layer itself.例文帳に追加

ＳｉＧｅ−ＰＩＮ光半導体素子において、ＳｉＧｅ半導体層自身にＰＩＮ構造が形成されることを防止し、ＳｉＧｅ半導体層に印加される電界を低減する。 - 特許庁

To provide a process for producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin, dislocation density can be reduced and the surface of the SiGe layer is flattened.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化、かつ、転位密度の低減化を図ることができ、しかも、ＳｉＧｅ層表面が平坦化された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high quality SiGe crystal by suppressing dislocation in the vicinity of the oxide film interface of an SiGe layer and to enable the sufficient lattice relaxation of the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層の酸化膜界面近傍における転位の発生を抑制して高品質のＳｉＧｅ結晶を得ることができ、且つＳｉＧｅ層の十分な格子緩和をはかる。 - 特許庁

In an HCMOS, an n-type SiGe heavily-doped layer 4, an SiGe spacer layer 5, and an Si n-channel layer 6 are provided in this order on an SiGe buffer layer 3.例文帳に追加

ＨＣＭＯＳにおいて、ＳｉＧｅバッファ層３の上に、ＳｉＧｅからなるｎ型高濃度ドープ層４と、ＳｉＧｅからなるスペーサー層５と、Ｓｉからなるｎチャネル層６とが設けられている。 - 特許庁

SiGe layers 3, 4 are provided on a Si substrate 1, where a high concentration region 2, in which impurity concentration is higher than that of the surface region of the SiGe layers, is provided on the surface of the Si substrate, or in at least a part of the inside of the SiGe layers.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３、４を備え、前記Ｓｉ基板表面又は前記ＳｉＧｅ層の内部の少なくとも一部にＳｉＧｅ層の表面よりも不純物濃度を高くした高濃度領域２を備える。 - 特許庁

After an SiGe layer 14 is formed on a silicon layer 13 of a substrate 21, a P++ doped SiGe layer 15 with a thickness about 10 nm-100 nm is formed and then an SiGe layer 16 with a thickness of about 500 nm-1000 nm is formed.例文帳に追加

基板２１のシリコン層１３上にＳｉＧｅ層１４を形成した後、Ｐ^^^++ドープのＳｉＧｅ層１５を膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成し、続いてＳｉＧｅ層１６を膜厚５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成する。 - 特許庁

With such a constitution, a tensile tension is applied to the silicon layer 13, the strains of the SiGe layers 14, 15, and 16 are relieved, and then the SiGe layers 15 and 16 are removed by etching with the SiGe layer 15 as an etching stopper.例文帳に追加

これにより、シリコン層１３に引っ張り応力を印加するとともにＳｉＧｅ層１４，１５，１６の歪緩和を惹起し、しかる後にＳｉＧｅ層１５をストッパーとしてＳｉＧｅ層１５，１６をエッチング除去する。 - 特許庁