「SigE」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The SiCMOS structure is formed by the steps which include a step where a relaxing SiGe layer is formed on a substrate surface, a step where a separation region and a well implanting region are formed in the relaxing SiGe layer, and a step where a strain Si layer is formed on the relaxing SiGe layer.例文帳に追加

基板表面上に緩和ＳｉＧｅ層を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層内に分離領域およびウェル打込み領域を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を形成するステップとを含むステップで、歪みＳｉＣＭＯＳ構造が形成される。 - 特許庁

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

The body region (5) is provided with another semiconductor region (5b) which is jointed to the drain region (6) and is mainly composed of a semiconductor material except for SiGe and with a SiGe region (5a) which is arranged between the other semiconductor region (5b) and the source region (4) and which is mainly composed of SiGe.例文帳に追加

ボディ領域（５）は、ドレイン領域（６）に接合され、ＳｉＧｅ以外の半導体材料を主成分とする他半導体領域（５ｂ）と、他半導体領域（５ｂ）とソース領域（４）との間に介設され、ＳｉＧｅを主成分とするＳｉＧｅ領域（５ａ）とを備えている。 - 特許庁

The method of producing a semiconductor substrate characterised by being provided with a step for forming an SiGe layer on a silicon substrate with a critical film thickness or less, a step for dividing the SiGe layer into a plurality of parts, and a step for forming an Si layer on the divided SiGe layer, is used.例文帳に追加

シリコン基板上にＳｉＧｅ層を臨界膜厚以下で形成する工程と、前記ＳｉＧｅ層を複数部分に分割する工程と、分割された前記ＳｉＧｅ層上にＳｉ層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

An SiGe heterojunction bipolar transistor comprises a semiconductor substrate with a collector and a subcollector.例文帳に追加

ＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタは、コレクタ及びサブコレクタが形成された半導体基板を含む。 - 特許庁

To provide a silicon/germanium (SiGe) superlattice temperature sensor, together with a production method thereof.例文帳に追加

シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THERMALLY STABILIZED NICKEL GERMANOSILICIDE ON SiGe例文帳に追加

ＳｉＧｅ上に熱的に安定化したニッケルゲルマノシリサイドを形成するための方法 - 特許庁

A side wall spacer 26 is formed preferably on the side wall of the SiGe layer and the polysilicon layer.例文帳に追加

側壁スペーサ26が、好ましくは、ＳｉＧｅ層およびポリシリコン層の側壁に形成される。 - 特許庁

Thus, the SiGe crystal film 4a suppresses the natural oxidization of the Si crystal film 4b.例文帳に追加

前述の構成によれば、ＳｉＧｅ結晶膜４ａがＳｉ結晶膜４ｂの自然酸化を抑制する。 - 特許庁

An SiGe layer is partially etched, so as to form grooves h1 with an Si substrate 1 as a bottom surface.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を部分的にエッチングして、Ｓｉ基板１を底面とする溝ｈ１を形成する。 - 特許庁

The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加

ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁

On the Si layer 8, a P+ type SiGe layer 9 including the external base region is formed.例文帳に追加

そのＳｉ層８上に外部ベース領域を含むＰ＋型ＳｉＧｅ層９が形成されている。 - 特許庁

To form an SiGe film having no void and excellent in surface flatness on a high dielectric film.例文帳に追加

ボイドが無く表面平坦性に優れたＳｉＧｅ膜を高誘電体膜上に形成する。 - 特許庁

A SiGe-on-insulator having improved properties and a heterostructure including it are also provided.例文帳に追加

改善された性質を有するＳｉＧｅオンインシュレータ、およびそれを含むヘテロ構造も提供される。 - 特許庁

Further, the semiconductor device has silicide 11 formed on the SiGe layer 8 in the source-drain region.例文帳に追加

そして、ソース・ドレイン領域のうちＳｉＧｅ層８上に形成されたシリサイド１１とを備える。 - 特許庁

A gate insulating film 27 and a gate electrode 28 are formed on the SiGe layer 25.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層２５の上には、ゲート絶縁膜２７およびゲート電極２８が形成されている。 - 特許庁

The method is for manufacturing an SiCGe crystal thin film by carbonizing an SiGe crystal thin film on a substrate.例文帳に追加

基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 - 特許庁

A facet 16A is formed in the epitaxial SiGe layer 16 at the side of the element isolation region 12.例文帳に追加

素子分離領域１２側のエピタキシャルＳｉＧｅ層１６にはファセット１６Ａが形成される。 - 特許庁

Then, a strained semiconductor cap of strained Si etc. is formed on the strained SiGe alloy.例文帳に追加

次に、緩和したＳｉＧｅ合金の上に、歪みＳｉなどの歪み半導体キャップが形成される。 - 特許庁

An SiGe layer 11 and an Si layer (SOI layer) 13 are deposited successively on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１とＳｉ層（ＳＯＩ層）１３とを順次成膜する。 - 特許庁

STRAINED SiMOSEFT ON TENSILE STRAIN SiGe-ON-INSULATOR (SGOI)例文帳に追加

引張り歪みＳｉＧｅオン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）上の歪みＳｉＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

Then, strained SiGe alloy is formed on the Si content substrate comprising the damage region.例文帳に追加

次いで、損傷領域を含むＳｉ含有基板の上に、歪みＳｉＧｅ合金が形成される。 - 特許庁

The light receiving element 2 is a mid-infrared ray receiving element formed of an SiGe/Si quantum well (50 layers).例文帳に追加

受光素子２は、ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子井戸（５０層）からなる中赤外受光素子である。 - 特許庁

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

Then a support body hole (h) is formed penetrating the Si_3N_4 films 9 and 13, Si layer 5, and SiGe layer.例文帳に追加

次に、Ｓｉ_3Ｎ_4膜９、１３と、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層を貫く支持体穴ｈを形成する。 - 特許庁

To fabricate a high speed CMOS device having an SiGe layer subjected to strain relaxation with high efficiency.例文帳に追加

歪緩和されたＳｉＧｅ層を有する高速のＣＭＯＳデバイスを、効率よく製造することができる。 - 特許庁

An epitaxial SiGe layer on a substrate surface is formed only in a channel of the PFET.例文帳に追加

基板表面上のエピタキシャルＳｉＧｅ層は、ＰＦＥＴのチヤネルのみに形成される。 - 特許庁

To provide a method of depositing highly uniform Si or SiGe over the surface of a substrate.例文帳に追加

均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an SiGe stressor, and to provide a transistor structure of an integrated circuit.例文帳に追加

ＳｉＧｅストレッサの形成方法と集積回路のトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

So, the SiGe layer 14 is grown epitaxially on the Si substrate 10 with high selectivity.例文帳に追加

従って、ＳｉＧｅ層１４はＳｉ基板１０上に高選択性でエピタキシャル成長する。 - 特許庁

The tapered SiGe boundary is configured as a plurality of discrete steps.例文帳に追加

テーパーされたＳｉＧｅ境界は複数のディスクリートなステップとして構成される。 - 特許庁

The predetermined time is the time needed to grow an expected SiGe layer.例文帳に追加

この所定時間は、形成しようとしているＳｉＧｅ層の成長に必要とされる時間である。 - 特許庁

An SiGe layer is formed on the substrate and the recessed and nonrecessed surfaces of each isolation region.例文帳に追加

基板上、並びに各分離領域の凹化面及び非凹化面上に、ＳｉＧｅ層が形成される。 - 特許庁

To obtain the high performance and high reliability of a semiconductor device which has a channel of SiGe.例文帳に追加

ＳｉＧｅのチャネルを有する半導体装置の高性能化及び高信頼化をはかる。 - 特許庁

A semiconductor material (SiGe, SiC, or the like) 116 is deposited in the recess.例文帳に追加

半導体材料（ＳｉＧｅ、ＳｉＣなど）１１６は上記くぼみに堆積される。 - 特許庁

To provide a configuration of an SiGe-embedded dummy pattern capable of alleviating a micro-loading effect.例文帳に追加

マイクロローディング効果を軽減できるＳｉＧｅ埋め込みダミーパターンの構成を提供する。 - 特許庁

E-SiGe AMALGAMATING SOI BOTTOM PREDOPING FOR DECREASING HEIGHT OF POLYSILICON例文帳に追加

ポリの高さ低減のためのＳＯＩ底プレドーピングを合併したｅ−ＳｉＧｅ - 特許庁

To provide a manufacturing method for a CMOS device with low current leakage by using SiGe.例文帳に追加

低電流漏れのＣＭＯＳデバイスがＳｉＧｅを用いて製造され得るならば有利である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STACKED DOUBLE POLYSILICON/MOS CAPACITOR USING SiGe INTEGRAL MECHANISM例文帳に追加

ＳｉＧｅ統合機構を使用した積層ダブル・ポリシリコン／ＭＯＳコンデンサの作製方法 - 特許庁

Then, resist is used for patterning the SiGe/SiGeC film 9, and a base 12 is formed.例文帳に追加

そして、レジストを用いてＳｉＧｅ／ＳｉＧｅＣ膜９をパターニングし、ベース１２を形成する。 - 特許庁

then, an opening surface for exposing one part of the SiGe layer 3 is formed on the SiO_2 film 11.例文帳に追加

そして、ＳｉＯ_２膜１１にＳｉＧｅ層３の端部の一部を露出させる開口面を形成する。 - 特許庁

A base layer 17b of the bipolar transistor 28 is also constituted of an SiGe layer.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ２８のベース層１７ｂも、ＳｉＧｅ層によって構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate has stages: (a) forming a 1st SiGe film on the substrate whose surface is made of silicon; (b) implanting ions of a group IV element into the obtained substrate; (c) forming a 2nd SiGe film on the 1st SiGe film; and (d) forming a cap semiconductor film on the 2nd SiGe film.例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上に第１のＳｉＧｅ膜を形成する工程と、（ｂ）得られた基板に、ＩＶ族元素をイオン注入し、アニールする工程と、（ｃ）第１のＳｉＧｅ膜上に第２のＳｉＧｅ膜を形成する工程と、（ｄ）第２のＳｉＧｅ膜上にキャップ半導体膜を形成する工程とを有する半導体基板の製造方法。 - 特許庁

Then, an SiGe layer is selectively epitaxially grown only on the n^- well 3n.例文帳に追加

続いて、Ｎ^−ウェル３ｎ上にのみＳｉＧｅ層を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

ETCHANT NOT CONTAINING CHROMIUM FOR Si SUBSTRATE AND SiGe SUBSTRATE, METHOD FOR REVEALING DEFECT BY USING THIS ETCHANT, AND PROCESS OF PROCESSING Si SUBSTRATE AND SiGe SUBSTRATE BY USING THIS ETCHANT例文帳に追加

Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、そのエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびそのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセス - 特許庁