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SigEとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 シリコンゲルマニウムとは、シリコンにゲルマニウムを組み合わせた半導体のことである。

発音記号・読み方
/ˈsije(米国英語)/

電気・電子用語集での「SigE」の意味

SiGe


「SigE」を含む例文一覧

該当件数 : 611



例文

The second semiconductor region is formed of SiGe or SiGeC.例文帳に追加

第2の半導体領域はSiGe若しくはSiGeCで形成する。 - 特許庁

The composition of the thin film 2 is SiGe, for example.例文帳に追加

薄膜2の組成としては、例えばSiGeである。 - 特許庁

The p-type dopant can be added to a gate electrode material coated on the layer of silicon or SiGe, and can diffuse toward the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加

p型ドーパントは、シリコン又はSiGe層に被覆するゲート電極材料に付加され得、シリコン又はSiGe層に向かって拡散し得る。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING SiGe FILM例文帳に追加

SiGe膜のエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING RELAXED SiGe LAYER例文帳に追加

緩和SiGe基板の製造方法 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SiGe THIN FILM例文帳に追加

SiGe薄膜の成長方法 - 特許庁

例文

METHOD OF FORMING RELAXED SiGe LAYER例文帳に追加

緩和SiGe層の形成方法 - 特許庁

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日英固有名詞辞典での「SigE」の意味

Sige

日本人苗字

寺家;茂;


Sige

日本人名前

;しげ;げ;ゲ;董;;稠;;しゲ;;滋;茂;シゲ


遺伝子名称シソーラスでの「SigE」の意味

sigE

bacillus遺伝子名sigE
同義語(エイリアス)RNA polymerase sigma-E factor precursor; spoIIGB; Stage II sporulation protein GB; SigE; P31; Sigma-29; BSU15320
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:P06222
EntrezGeneのID---
その他のDBのIDSubtilist:BG10235

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
Subtilist
枯草菌ゲノムプロジェクトにより運営されている枯草菌に由来するDNAタンパク質配列のデータベース

Weblio英和対訳辞書での「SigE」の意味

SiGe

シリコンゲルマニウムとは、シリコンゲルマニウム組み合わせた半導体ことである。
Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「SigE」を含む例文一覧

該当件数 : 611



例文

METHOD FOR DEPOSITING SiGe FILM例文帳に追加

SiGe膜の形成方法 - 特許庁

The SiGe layer comprises a polycrystalline Si region and an SiGe base region.例文帳に追加

SiGe層は多結晶Si領域及びSiGeベース領域を含む。 - 特許庁

The smaller the diffusion coefficient of B in the SiGe layer is the higher the Ge compsn. is.例文帳に追加

SiGe層中のBの拡散係数はGe組成が高いほど小さくなる。 - 特許庁

The dopant can have its peak concentration within the layer of silicon or SiGe near an interface with the underlying layer of the gate electrolyte material.例文帳に追加

このドーパントは、シリコン又はSiGe層の、下にあるゲート誘電体材料の層との界面近くのシリコン又はSiGe層内でピーク濃度を有し得る。 - 特許庁

An SiGe layer is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 having a selection ratio smaller than that of the SiGe layer is formed on the SiGe layer.例文帳に追加

Si基板1上にSiGe層を形成し、SiGe層よりもエッチングの選択比が小さなSi層5をSiGe層上に形成する。 - 特許庁

To suppress variations sof Ge concentration in a SiGe film and film thickness of the SiGe film in FET where the SiGe film is used for a channel region.例文帳に追加

SiGe膜をチャネル領域に用いるFETにおいて、このSiGe膜中のGe濃度及びSiGe膜の膜厚のばらつきを抑制する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加

Si基板1上にSiGe層3を形成し、SiGe層3上にSi層5を形成する。 - 特許庁

例文

SiGe DEVICE INCLUDING SiGe-EMBEDDED DUMMY PATTERN FOR REDUCING MICRO LOADING EFFECT例文帳に追加

マイクロローディング効果を軽減するためのSiGe埋め込みダミーパターンを備えたSiGe装置 - 特許庁

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「SigE」の意味に関連した用語

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