「SigE」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the silicide film 18 is formed on the epitaxial SiGe layer 16, and a p-type semiconductor region 17 is formed on the silicon substrate 11 under the epitaxial SiGe layer 16.例文帳に追加

さらに、エピタキシャルＳｉＧｅ層１６上にはシリサイド膜１８が形成され、エピタキシャルＳｉＧｅ層１６下のシリコン基板１１にはｐ型半導体領域１７が形成されている。 - 特許庁

An Si layer and an SiGe layer are formed on the same substrate, and the SiGe layer is selectively removed by etching using fluoro-nitric acid processing within three minutes.例文帳に追加

Ｓｉ層とＳｉＧｅ層とを同一基板上に形成し、３分以内の時間内でＳｉＧｅ層をフッ硝酸処理にて選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

An SiGe layer 13 is formed on an Si substrate 1, and a supporter hole to expose the Si substrate 1 is formed by selectively etching the SiGe layer 13.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１３を形成し、ＳｉＧｅ層１３を選択的にエッチングしてＳｉ基板１を露出させる支持体穴を形成する。 - 特許庁

The invention relates to the forming of a PMOS transistor, and in the forming, the layer of silicon or SiGe restrains a p-type dopant from invading into an underlying gate dielectric layer.例文帳に追加

本発明はＰＭＯＳトランジスタの形成に関し、この形成において、シリコン又はSiGeの層は、ｐ型ドーパントが、下にあるゲート誘電体層に入り込むことを抑制する。 - 特許庁

The step to selectively form the SiGe optical path in a pile on the Si perpendicular features includes a step to form the SiGe perpendicular optical path in a pile on the wall of the perpendicular features.例文帳に追加

Ｓｉ垂直フィーチャの上に重ねてＳｉＧｅ光路を選択的に形成するステップは、垂直フィーチャの壁の上に重ねてＳｉＧｅ垂直光路を形成するステップを含む。 - 特許庁

To provide a distorted silicon wafer and a manufacturing method thereof which is capable of further reducing the threading dislocation density of a distorted Si layer formed on a SiGe layer in a distorted silicon wafer with the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウエハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウエハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin, dislocation density can be reduced and an undislocated strained Si layer can be formed.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化、かつ、転位密度の低減化を図ることができ、しかも、無転位の歪Ｓｉ層を形成することができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is provided on the epitaxial layer 2, and a silicon film 5 and an n-type diffusing layer (emitter layer) 6 are provided on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

エピタキシャル層２上にはＳｉＧｅ合金層４を設け、ＳｉＧｅ合金層４上にはシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を設ける。 - 特許庁

A p-type SiGe mixed crystal layer 49a is formed in a groove 8 by epitaxial growth, and a p-type SiGe mixed crystal layer 49b is formed thereupon by epitaxial growth.例文帳に追加

溝８内にｐ型のＳｉＧｅ混晶層４９ａがエピタキシャル成長法により形成され、その上にｐ型のＳｉＧｅ混晶層４９ｂがエピタキシャル成長法により形成されている。 - 特許庁

After a boron is ion-implanted into the SiGe layer 13 through the Si layer 14 in amorphous, the SiGe layer 13 and the Si layer 14 are patterned to form a gate electrode 15.例文帳に追加

アモルファス状態のＳｉ層１４を介してＳｉＧｅ層１３にボロンをイオン注入した後、ＳｉＧｅ層１３及びＳｉ層１４をパターン化してゲート電極１５を形成する。 - 特許庁

This device comprises a SiGe base bipolar transistor having an inclined profile of Ge wherein the Ge density of a SiGe base layer increases from an emitter region side toward a collector region side from 0% to 10%.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース層のＧｅ濃度をエミッタ領域側からコレクタ領域側に向かって０％から１０％まで増加するような傾斜Ｇｅプロファイルを備えたＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing deterioration in the etching selection ratio of SiGe to Si when etching the SiGe formed on the Si.例文帳に追加

Ｓｉ上に形成されたＳｉＧｅをエッチングする際に、Ｓｉに対するＳｉＧｅのエッチング選択比の劣化を抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are successively formed on an Si substrate 1, and a trench h is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3 to expose the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基材１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基材１を露出させるトレンチｈを形成する。 - 特許庁

To form an Si epitaxial growth film in which B of a uniform B concentration is doped, a SiGe epitaxial growth film in which B is doped and a SiGe epitaxial growth film in which B and C are doped.例文帳に追加

Ｂ濃度が均一なＢがドーピングされたＳｉエピタキシャル成長膜、ＢがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜、ＢとＣがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an SiGe layer 15 formed on SiC (11, 12); and an ohmic electrode 18 formed on the SiGe layer 15.例文帳に追加

ＳｉＣ１１、１２上に形成されたＳｉＧｅ層１５と、前記ＳｉＧｅ層１５上に形成されたオーミック電極１８とを備えている半導体装置とする。 - 特許庁

Thereafter, the Si layer 31 and the SiGe layer 13 are selectively etched one by one, and a groove 43 exposing a side surface of the SiGe layer 13 is formed.例文帳に追加

そして、Ｓｉ層３１及びＳｉＧｅ層１３を順次、選択的にエッチングして、ＳｉＧｅ層１３の側面を露出させる溝４３を形成する。 - 特許庁

An insulation layer on a Si substrate and an SiGe layer on another Si substrate are bonded, using the semiconductor laminating technology, and the Si substrate at the SiGe layer side is removed by polishing, etc.例文帳に追加

Ｓｉ基板上の絶縁層と、別のＳｉ基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を用いて接合し、ＳｉＧｅ層側のＳｉ基板を研磨等により除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate having an SiGe layer for making thin the SiGe layer, and relaxing its distortion, and reducing its threading-dislocation density.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図り、しかも、歪みが緩和され、かつ、貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A phosphorus doped amorphous SiGe film 2 is deposited (a) on a substrate 1 and crystallized by heat treatment to obtain (b) a polycrystalline SiGe film 3.例文帳に追加

基板１上に、リンドープの非晶質ＳｉＧｅ膜２を堆積させ（ａ）、熱処理を行って非晶質ＳｉＧｅ膜２を結晶化させて、多結晶ＳｉＧｅ膜３を得る（ｂ）。 - 特許庁

An insulation layer on a Si substrate and an SiGe layer on another semiconductor substrate are bonded, by using a semiconductor lamination technique, and the semiconductor substrate on the SiGe layer side is removed by polishing, or the like.例文帳に追加

Ｓｉ基板上の絶縁層と、別の半導体基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を用いて接合し、ＳｉＧｅ層側の半導体基板を研磨等により除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which does not implant SiGe in a source/drain region of an nMOSFET, but implants SiGe reproducibly in only a source/drain region of a pMOSFET.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にはＳｉＧｅを埋め込まず、ｐＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にのみＳｉＧｅを再現性よく埋め込むことが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, there are also provided a substantially relaxed SiGe-on-insulator, having an SiGe layer in which the flat surface defect density is decreased, and a heterostructure comprising the insulator.例文帳に追加

また、平面欠陥密度が低下したＳｉＧｅ層を有する実質的に緩和したＳｉＧｅ−オン−インシュレータおよびこれを含むヘテロ構造も提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate for sufficiently relieving strain of an SiGe film and suppressing penetration dislocation on a region forming an element in the SiGe film formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＧｅ膜について、ＳｉＧｅ膜の歪を十分に緩和するとともに素子が形成される領域に発生する貫通転位を抑制するようにした半導体基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A patterned insulating layer is formed on the SiGe base region and moreover, an emitter is formed on the patterned insulating layer and comes into contact with the SiGe base region through an emitter window aperture.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース領域上にパターン化絶縁層が形成され、更にエミッタがパターン化絶縁層上に形成されて、エミッタ・ウィンドウ開口を通じて、ＳｉＧｅベース領域と接触する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The self-aligning oxide mask is formed on a CVD growth base NPN base layer including a single crystal Si52 (Si/SiGe) in an active area and a poly-crystal Si51 (Si/SiGe).例文帳に追加

能動領域の単結晶Ｓｉ52（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）およびフィールド上の多結晶Ｓｉ51（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）を含むＣＶＤ成長ベースＮＰＮベース層上に自己整合酸化物マスクを形成する。 - 特許庁

Subsequently, dry etching of the SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer exposed from the underside of the support material 22 forms a groove h2 which exposes a lateral side of the SiGe layer.例文帳に追加

続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the aggregation of an SiGe layer is suppressed in a MOS transistor having a gate electrode formed by forming a polycrystalline silicon film on the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層上に多結晶シリコン膜を形成したゲート電極をもつＭＯＳトランジスタにおいて、ＳｉＧｅ層の凝集を抑制する半導体装置の製造技術が求められている。 - 特許庁

An SiGe source/drain layer, a strain Ge channel layer, and an SiGe source/drain layer are formed in layers and a gate electrode is formed on the sidewall through a gate insulation film.例文帳に追加

ＳｉＧｅソース／ドレイン層、ひずみＧｅチャネル層、ＳｉＧｅソース／ドレイン層を積層し、側壁にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the support 7, the Si layer 5 and the SiGe layer 3 are etched sequentially and selectively to form an opening surface H for exposing the side face of the SiGe layer 3 under the support 7.例文帳に追加

そして、支持体７、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次、選択的にエッチングして、支持体７下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

With such a composition, while high-speed etching of Si layer is prevented, the etching residue of the SiGe layer 13a and the like, selective etching is made possible in the SiGe layers 12a and 13a of multilayer structure.例文帳に追加

このような構成であれば、Ｓｉ層の増速エッチングや、ＳｉＧｅ層１３ａのエッチング残り等を防止しつつ、多層構造のＳｉＧｅ層１２ａ、１３ａの選択エッチングが可能である。 - 特許庁

A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層及びＳｉ層（ＳＯＩ層）５を順次積層し、ＳｉＧｅ層及びＳｉ層５を貫く溝ｈをＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

After a gate insulating film 12 is formed on a silicon substrate 11, an SiGe layer 13 is film-formed on the gate insulating film 12, and then an Si layer 14 is film-formed on the SiGe layer 13 as amorphous.例文帳に追加

シリコン基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成した後、ゲート絶縁膜１２上にＳｉＧｅ層１３を成膜し、その後、ＳｉＧｅ層１３上にＳｉ層１４をアモルファス状態で成膜する。 - 特許庁

Further, by removing the relaxed SiGe block without substantially influencing the stress of the strained Si film, a second gate oxide can be formed on the surface previously occupied by the relaxed SiGe block.例文帳に追加

さらに、歪みＳｉ膜の応力に実質的に影響を及ぼすことなく、緩和ＳｉＧｅブロックを除去して、以前緩和ＳｉＧｅブロックが占めていた表面上に第２のゲート酸化物を形成することができる。 - 特許庁

Between SiGe layers 12, 14 that are first and third epitaxial layers, there is provided a Si layer 13 that is a second epitaxial layer having a different lattice constant from those of the SiGe layers.例文帳に追加

第１及び第３のエピタキシャル層であるＳｉＧｅ層１２、１４の間に、それらと格子定数の異なる第２のエピタキシャル層であるＳｉ層１３を設ける。 - 特許庁

At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。 - 特許庁

An SiGe layer and an Si layer 5 are successively formed on an Si substrate 1 and are etched partially, thus forming a groove for exposing the side of the SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層とＳｉ層５を順次形成し、Ｓｉ層５とＳｉＧｅ層とを部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝を形成する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor which can restrain a leakage current in a SiGe alloy base layer, while increasing the Ge concentration of the SiGe alloy base layer, and which is superior in high-frequency characteristics.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金ベース層のＧｅ濃度を上げつつ、リーク電流を抑制可能とし、高周波特性に優れたＳｉＧｅ合金ベース層のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To prevent the unstable factor of a device characteristic by solving the problem that a Ge layer is formed in the growth interface of an SiGe layer in a conventional technique.例文帳に追加

本発明は、従来技術においてSiGe層成長界面にGe層が形成される可能性があるという課題を解決することにより、デバイス特性の不安定要因を回避しようとするものである。 - 特許庁

Then, the Si layer 10 outside the transistor forming region and the SiGe layer 3 outside thereof are etched and eliminated, thereby exposing the side surface of the SiGe layer 3 along the periphery of the transistor forming region.例文帳に追加

そして、トランジスタ形成領域の外側にあるＳｉ層１０と、当該外側にあるＳｉＧｅ層３とを順次エッチングして取り除くことにより、トランジスタ形成領域の周囲に沿ってＳｉＧｅ層３の側面を露出させる。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成する。 - 特許庁

The semiconductor structure has an Si substrate, an SiGe layer of a thickness equal to or smaller than the critical thickness which is formed on it and contains a Ge composition ≥20% and ≤80%, and a Ge epitaxial layer which is formed on the SiGe layer.例文帳に追加

この半導体構造は、Ｓｉ基板と、その上に形成された臨界膜厚以下の厚さのＧｅ組成が２０％以上８０％以下のＳｉＧｅ層と、ＳｉＧｅ層上に形成されたＧｅエピタキシャル層とを有する。 - 特許庁

The SiGe layer 11 is etched by a nitric acid solution via the SiGe removal hole, thus forming the cavity between the Si substrate 1 in the element region and the Si layer 13.例文帳に追加

そして、ＳｉＧｅ除去穴を介してＳｉＧｅ層１１をフッ硝酸溶液等でエッチングすることによって、素子領域のＳｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus which can form an excellent film by suppressing oxygen concentration increase of a substrate interface when performing a process of forming a film of Epi-SiGe or the like by supplying a Ge-containing gas.例文帳に追加

本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。 - 特許庁