「TG2」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Outputs of the transfer gates TG1 and TG2 are connected to the segment electrode VSEG0.例文帳に追加

また、転送ゲートＴＧ１，ＴＧ２の出力はセグメント電極ＶＳＥＧ０に接続される。 - 特許庁

A first transfer gate TG1 for inputting first and first inversion clock gate signals ZG1, XG1 and a second transfer gate TG2 for inputting second and second inversion clock gate signals ZG2, XG2 are not turned on simultaneously.例文帳に追加

第１及び第１反転クロックゲート信号ZG1 ，XG1 を入力する第１トランスファーゲートTG1 と第２及び第２反転クロックゲート信号ZG2 ，XG2 を入力する第２トランスファーゲートTG2は同時にオンしない。 - 特許庁

At this point, column latches G3, G4 are separated from the bit line BL2 being not latched by a transfer gate TG2.例文帳に追加

このとき、カラムラッチＧ３、Ｇ４とリセットされていないビット線ＢＬ２とはトランスファーゲートＴＧ２により分離されている。 - 特許庁

A transfer gate TG2 is configured by arranging a polysilicon layer 54a through an insulating layer between buried photodiodes PD1 and PD2.例文帳に追加

埋込型フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の間に、絶縁膜を介してポリシリコン層５４ａを配置することで、転送ゲートＴＧ２を構成する。 - 特許庁

The 1st and 2nd detection parts DET1 and DET2 are equipped with sensor parts SEN1 and SEN2 each of which is composed of plural photodetecting elements and light-transmissive windows TG1 and TG2, and the signal processing part PRO adjusts the number of outputs of photodetecting elements according to how much the light-transmissive windows TG1 and TG2 are fouled.例文帳に追加

そして、第１及び第２の検知部ＤＥＴ１、ＤＥＴ２は、各々複数の受光素子からなるセンサ部ＳＥＮ１，ＳＥＮ２、透光性窓ＴＧ１、ＴＧ２を備え、信号処理部ＰＲＯは、透光性窓ＴＧ１、ＴＧ２の汚損度に応じて、複数の受光素子の出力数を加減制御する。 - 特許庁

The solid polymer electrolyte membrane for fuel cell is composed of a hydrophilic segment containing a sulfonic acid group and a hydrophobic segment not containing the sulfonic acid group, and is composed of a block co-polymer having a relation of Tg1>Tg2 between a glass transition temperature (Tg1) of the hydrophobic segment and a glass transition temperature (Tg2) of the hydrophilic segment.例文帳に追加

スルホン酸基を含有する親水性セグメントとスルホン酸基を含有しない疎水性セグメントからなり、疎水性セグメントのガラス転移温度（Ｔｇ１）と親水性セグメントのガラス転移温度Ｔｇ２の関係がＴｇ１＞Ｔｇ２にあるブロック共重合体からなることを特徴とする燃料電池用の固体高分子電解質を用いる。 - 特許庁

In the sheet for the card, the glass transition temperature (Tg1) of a resin composition for forming the color development layer and the glass transition temperature (Tg2) of a resin composition for forming the adhesive layer satisfy expression (1): Tg1≥Tg2.例文帳に追加

カード用シートは、レーザビームを照射することによって発色する発色層と、少なくとも一方の表面に接着層とを有するカード用シートであって、発色層を形成する樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ１）と、接着層を形成する樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ２）とが、（式１） Ｔｇ１ ≧ Ｔｇ２ を満たし、かつ、接着層は、表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が３μｍ〜４０μｍである。 - 特許庁

Then, a tag TG1 on a developing side is attached to a position opposed to the ID tag TG2 on the cartridge side inside a toner cartridge loading part 11.例文帳に追加

また、トナーカートリッジ装着部１１の内部であって、カートリッジ側ＩＤタグＴＧ２の対向する位置に現像側タグＴＧ１を取り付ける。 - 特許庁

A flat tag attaching part 35 is formed on the bottom face of the toner cartridge 30, and an ID tag TG2 on the cartridge side is attached to the tag attaching part 35.例文帳に追加

トナーカートリッジ３０の底面に平坦状のタグ取付部３５を形成し、このタグ取付部３５にカートリッジ側ＩＤタグＴＧ２を取り付ける。 - 特許庁

In addition, on the same time axis as with the trend graph (TG1, TG2), the originating points of the selected event and the other events associated with the selected event are displayed, attached with their contents (arrow marks M).例文帳に追加

また、トレンドグラフ（ＴＧ１，ＴＧ２）と同一の時間軸上に、選択されたイベントおよびそのイベントに関連付けられている他のイベントの発生点をその内容を付して表示する（矢印マークＭ）。 - 特許庁

The first device control signal generation block 440 and the second device control signal generation block 470 output clock signals CLK1, CLK2 and trigger signals TG1, TG2 based on the inputted counter values.例文帳に追加

第１デバイス制御信号生成ブロック４４０，第２デバイス制御信号生成ブロック４７０は、入力されたカウンタ値に基づきクロック信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２、トリガ信号ＴＧ１，ＴＧ２を出力する。 - 特許庁

After the region of interest ROIa is set, the transmitted gain Tg of an analog circuit 53 is changed in order of Tg=Tg1, Tg2, ..., Tgn from the region of interest ROIa, and the magnetic resonance signal is collected.例文帳に追加

関心領域ＲＯＩａを設定した後、関心領域ＲＯＩａから、アナログ回路５３の送信ゲインＴｇを、Ｔｇ＝Ｔｇ１、Ｔｇ２、・・・、Ｔｇｎの順で変更しながら、磁気共鳴信号を収集する。 - 特許庁

The prescribed periods (TG1 to TG2) and (TA1 to TA2) are such periods in each of which the tension of the connecting member rapidly changes according to the rapid change of the motor torque MT.例文帳に追加

所定期間（ＴＧ１〜ＴＧ２）及び所定期間（ＴＡ１〜ＴＡ２）は、モータトルクＭＴの急変に伴って連結部材の張力が急激に変化する期間である。 - 特許庁

When the original of A4 size (drawn to the edge) is read, a changeover switch SW1 is switched so that a trigger signal TG2 may be input in an image sensor IC chip CH2.例文帳に追加

Ａ４サイズ（端寄せ）の原稿を読み取るときには、トリガ信号ＴＧ２がイメージセンサＩＣチップＣＨ２に入力するように切替スイッチＳＷ１を切り替える。 - 特許庁

After time tL + positive energization time Tg2 calculated according to exposure time Texp elapses after the blade group 3 of the shutter 1 fully opens, close drive of the blade group 3 is started.例文帳に追加

シャッタ１の羽根群３が全開した以降に、露光時間Ｔexpに応じて算出される時間ｔＬ＋正通電時間Ｔｇ２が経過してから羽根群３の閉鎖駆動を開始させる。 - 特許庁

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

[Tg1 is a glass transition temperature (°C) of the high-melting polymer, and Tg2 and Tm2 are glass transition temperature (°C) and melting point (°C), respectively].例文帳に追加

６５≦Ｔｇ_1 ……（１） ７５≦Ｔｇ_2 ≦１５０ ……（２） ０≦Ｔｍ_2 −Ｔｇ_2 ≦ ８０ ……（３） Ｔｍ_2 ≦２００ ……（４） (Ｔｇ_1 は高融点の重合体のガラス転移温度（℃）を示し、Ｔｇ_2 、Ｔｍ_2 はそれぞれ、低融点の重合体のガラス転移温度、融点（℃）を示す） - 特許庁

When the glass transition temperature of a material to be core part 12 is Tg1 and that of cladding layer 11 is Tg2, and temperature difference of (Tg1-Tg2) is made 60°C or larges.例文帳に追加

コア部１２となる材料のガラス転移温度をＴｇ１、クラッド層１１となる材料のガラス転移温度をＴｇ２としたとき、「Ｔｇ１−Ｔｇ２」の温度差を６０℃以上とするものである。 - 特許庁

When the glass transition temperature of the core part is Tg1 and the glass transition temperature of the shell part is Tg2, 30C°≤Tg1≤40°C, and 45C°≤Tg2≤55°C, and the heat resistance index is ≤20%.例文帳に追加

少なくとも樹脂と着色剤を含有するコアの表面にシェルを有するコア・シェル構造の静電荷像現像用トナーであって、当該シェルの８点平均膜厚が１００〜３００ｎｍであり、かつ当該シェルの最大膜厚をＨｍａｘ、最小膜厚をＨｍｉｎとしたときに、両者の比：Ｈｍａｘ／Ｈｍｉｎが１．５０未満であり、かつ当該コア部のガラス転移温度をＴｇ１、当該シェル部のガラス転移温度をＴｇ２としたとき、３０℃≦Ｔｇ１≦４０℃、４５℃≦Ｔｇ２≦５５℃であり、かつ耐熱指数が２０％以下であることを特徴とする静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

An output circuit X40 which supplies a drive voltage to a segment electrode VSEG0 has transfer gates TG1 and TG2 which are complementary opened and closed based upon the signal level of a data signal DIN based upon voltage data composing serial data.例文帳に追加

セグメント電極ＶＳＥＧ０に駆動電圧を供給する出力回路Ｘ４０は、シリアルデータを構成する電圧データに基づくデータ信号ＤＩＮの信号レベルに基づいて相補的に開閉される転送ゲートＴＧ１，ＴＧ２を備える。 - 特許庁

The variable delay circuit comprises a transfer gate TG1 and a transfer gate TG3 for delaying input signals, and a transfer gate TG2 and a transfer gate TG4 provided between the transfer gate TG1 and the transfer gate TG3 and the input signals.例文帳に追加

可変遅延回路は、入力信号を遅延させるトランスファゲートＴＧ１およびトランスファゲートＴＧ３と、トランスファゲートＴＧ１およびトランスファゲートＴＧ３と入力信号との間に設けられるトランスファゲートＴＧ２およびトランスファゲートＴＧ４と、を備えている。 - 特許庁

The optical lamination film comprising at least two kinds of thermoplastic resins satisfies the following relation; Tg1-Tg2≥100°C, wherein Tg1 is glass transition temperature of one side resin and Tg2 is glass transition temperature of the other side resin.例文帳に追加

少なくとも２種類の熱可塑性樹脂からなる積層フィルムであって、一方の樹脂のガラス転移温度をＴｇ１、他方のガラス転移温度をＴｇ２とした場合、その関係が下記式Ｔｇ１−Ｔｇ２≧１００℃を満たすことを特徴と有する光学用積層フィルム。 - 特許庁

A TG2' (signal generation unit) controls to make a phase of a sample hold signal (SPL) that is a signal determining an effect timing of a sample hold the same as a phase of a master clock (mclk) that is a signal determining an output timing of digital image data.例文帳に追加

ＴＧ２′（信号生成手段）は、サンプルホールドの実効タイミングを決定する信号であるサンプルホールド信号（ＳＰＬ）と、デジタル画像データの出力タイミングを決定する信号であるマスタクロック（ｍｃｌｋ）とを同位相に制御する。 - 特許庁

There are provided the coating agent comprising a polymeric latex which contains a polymer having a first glass transition temperature (Tg1) in the range of -20-30°C and a polymer having a second glass transition temperature (Tg2) in the range of 60-140°C, and the dip molded article coated with the coating agent.例文帳に追加

−２０〜３０℃の範囲にある第１のガラス転移温度（Ｔｇ１）を有する重合体と６０〜１４０℃の範囲にある第２のガラス転移温度（Ｔｇ２）を有する重合体とを含有してなる重合体ラテックスを含むコーティング剤および該コーティング剤をコートしてなるディップ成形品。 - 特許庁

Thereby the control is carried out to set a higher overflow level OFL of the electric charge accumulation part of a CCD image pickup device 105 in a period covering a point of time when the full exposure is over and a charge transfer pulse TG2 is outputted compared with a period of the main exposure 1.例文帳に追加

これにより、ＣＣＤ撮像素子１０５の電荷蓄積部のオーバーフローレベルＯＦＬを、本露光１の期間よりも、全露光終了時点から電荷移送パルスＴＧ２の出力時点に至る期間においてより大きく設定する制御が行われる。 - 特許庁

When a desired event is selected from events displayed among an event list, a display object period is defined with a time margin of ±αin the vicinity of occurrence date and time of the selected event, a series of data related to the selected event in the display object period are read, and a trend graph (TG1, TG2) of this series of data is displayed.例文帳に追加

イベント一覧に表示されているイベントの中から所望のイベントが選択された場合、その選択されたイベントの発生日時を中心としその前後に±αの時間幅を定めて表示対象期間とし、この表示対象期間における選択されたイベントに関連付けられている連続データを読み出し、この連続データのトレンドグラフ（ＴＧ１，Ｔ２）を表示する。 - 特許庁

The second latch circuit 12 includes: a second transfer gate TG2 composed of a P-type transistor TP5 and an N-type transistor TN5 connected in parallel; a second clocked inverter circuit CIV2 for return composed of P-type transistors TP6 and TP7 connected in series and N-type transistors TN7 and N6 connected in series; and a second inverter circuit IV2.例文帳に追加

第２のラッチ回路１２は、並列接続されたＰ型トランジスターＴＰ５及びＮ型トランジスターＴＮ５により構成される第２のトランスファーゲートＴＧ２と、直列接続されたＰ型トランジスターＴＰ６、ＴＰ７、Ｎ型トランジスターＴＮ７、ＴＮ６により構成される帰還用第２のクロックドインバーター回路ＣＩＶ２と、第２のインバーター回路ＩＶ２を含む。 - 特許庁

In a reverse conducting type semiconductor device B1 having IGBT element regions J1 and diode element regions J2 mixed with each other in a single semiconductor substrate 2, a length whereby each second trench gate electrode TG2 of each diode element region J2 protrudes from its anode layer 50 is longer than a length whereby each first trench gate electrode TG1 of each IGBT element region J1 protrudes from its body layer 30.例文帳に追加

同一半導体基板２にＩＧＢＴ素子領域Ｊ１とダイオード素子領域Ｊ２が混在している逆導通型の半導体装置Ｂ１において、ダイオード素子領域Ｊ２の第２トレンチゲート電極ＴＧ２がアノード層５０から突出している長さが、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１の第１トレンチゲート電極ＴＧ１がボディ層３０から突出している長さよりも長い。 - 特許庁