「X=1」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The bit-wise inversion ofx is defined as -(x+1). 例文帳に追加

x のビット単位反転は、 -(x+1) として定義されています。 - Python

The thickness of an InxGa1-xN (0<x<1) well layer is 1.5-4.5 nm, and the thickness of a barrier layer is preferably 1.5-5.0 times the film thickness of the well layer.例文帳に追加

In_xGa_1-xN(0<X<1)well層の膜厚は1.5〜4.5[nm]、 barrier層の膜厚は、In_xGa_1-xN(0<X<1) well層の膜厚の1.5〜5.0倍が良い。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SiOx (x<1)例文帳に追加

ＳｉＯｘ（ｘ＜１）の製造方法 - 特許庁

The yellow light-emitting phosphor is represented by the following compositional formula: Ca_1-x-ySr_xAlSiN_3:Ce^3+_y (wherein, x and y satisfy each 0<x<1 and 0.001≤y≤0.1; or x and y satisfy each 0≤x<1 and 0.005≤y≤0.1).例文帳に追加

Ca_1-x-ySr_xAlSiN_3:Ce^3+_y（式中、ｘおよびｙは0＜x＜1、0.001≦y≦0.1を満たす、或いは、ｘおよびｙは0≦x＜1、0.005≦y≦0.1を満たす。） - 特許庁

X(1),xev(1), Xlib documentation on key and pointer events 例文帳に追加

関連項目X(1), xev(1), Xlibのキーとポインタイベントに関するドキュメント。 - XFree86

See Also X(1), Xlib ResourceManager documentation, Xt resource documentation 例文帳に追加

関連項目X(1), Xlib リソースマネージャのドキュメント、Xt リソースのドキュメント。 - XFree86

Consider a circle of radius 2 centered at the origin, find its points of intersection with the line y = x - 1 .例文帳に追加

原点を中心とする半径2の円と，直線 y = x − 1 の交点を求めよ。 - Tatoeba例文

The 1/2" (12.5mm) tape is contained in a single spool cartridge (4 x 4 x 1 inches; 100 x 100 x 25 mm). 例文帳に追加

1/2インチ (12.5mm) テープが単リールのカートリッジ (4 x 4 x 1 インチ、100 x 100 x 25 mm)に入っています。 - FreeBSD

If you have a dual port adapter, port A will be configured as eth[x] and port B as eth[x+1] . 例文帳に追加

2 ポートのアダプタを持っている場合、ポート A をeth[x]に、ポート B をeth[x+1]に設定することができる。 - JM

If this value is negative, the length of the sequence is added to it (so that, e.g., x[-1] selects the last item ofx.)例文帳に追加

値が負の場合、シーケンスの長さが加算されます(x[-1] がx の最後の要素を指すことになります)。 - Python

Xman supports all standard Toolkit command line arguments(see X(1)). 例文帳に追加

xman は X ツールキット標準のコマンド行オプション(X(1) 参照)を全てサポートしている。 - XFree86

An AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 is used as a group III nitride type compound semiconductor element substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１を用いる。 - 特許庁

The target material for sputtering is expressed by the composition of (Zr_x, Hf_1-x)Si_yO_2(1+y) (0≤x≤1, and 0.5≤y≤1.2).例文帳に追加

(Zr_x，Hf_1-x)Si_yO_2(1+y)(0≦x≦1、0.5≦y≦1.2)の組成で表されるスパッタリング用ターゲット。 - 特許庁

The vertical magnetic recording medium characterized by having SiC and SiOx (x=1 to 2) is provided.例文帳に追加

SiCとSiO_x(x=1〜2)とを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

Code Listing2.2: Created symlinks $ ls -l /dev/hda4lr-xr-xr-x 1 root root 33 Aug 25 12:08 /dev/hda4 - ide/host0/bus0/target0/lun0/part4 例文帳に追加

コード表示2.2:作成されたsymlink - Gentoo Linux

The preferred format is x:x:x:x:x:x:x:x . 例文帳に追加

1. 3 推奨形式はx:x:x:x:x:x:x:xである。 - JM

The target is only evaluated once.An augmented assignment expression like x += 1 can be rewritten as x = x + 1 to achieve a similar, but not exactly equal effect.例文帳に追加

ターゲットは一度しか評価されません。 x += 1 のような累算代入式は、x = x + 1 のように書き換えてほぼ同様の動作にできますが、厳密に等価にはなりません。 - Python

X(1) for a full statement of rights and permissions. 例文帳に追加

TrueColor ディスプレイでは色の割り当てに失敗する。 - XFree86

resize(1), X(1), pty(4), tty(4) Xterm Control Sequences (this is the file ctlseqs.ms). 例文帳に追加

関連項目resize(1), X(7), pty(4), tty(4)Xterm Control Sequences(ファイル名は ctlseqs.ms である)。 - XFree86

Sustain electrodes (X 1, X 2, ...) of a PDP (20) are grounded.例文帳に追加

ＰＤＰ(20)の維持電極(X1、X2、…)が接地される。 - 特許庁

The magnesium fluoride is preferably MgF_2-x(OH)_x (x=1-0).例文帳に追加

好ましくは、フッ素化マグネシウムがMgF_2-x（OH）_x（x=1〜0）とする。 - 特許庁

(wherein, in formula, a mol fraction x satisfies 0<x<1).例文帳に追加

（式中、モル分率Ｘは、０＜Ｘ＜１） - 特許庁

The titanium film 101 is a TiNx (x<1) film.例文帳に追加

また、チタン膜１０１をＴｉＮｘ（Ｘ＜１）膜とする。 - 特許庁

Here, the following formulas are satisfied: 0<x<1, 0<y≤1, 0<i,j.例文帳に追加

ここで、０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０＜ｉ，ｊである。 - 特許庁

In the Formula, 0<x<1.例文帳に追加

（Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘ）Ｐ …（Ｉ） （式中、０＜ｘ＜１） - 特許庁

In formula (I), X^1 represents -O-CO-.例文帳に追加

式（Ｉ）中、Ｘ^１は−Ｏ−ＣＯ−を表す。 - 特許庁

X^1 shows a single bond or bivalent organic group.例文帳に追加

Ｘ^１は単結合か２価の有機基を示す。 - 特許庁

The emitter 12b includes at least one of materials selected from BaO1-X (0≤X≤1), SrO1-X (0≤X≤1), CaO1-X (0≤X≤1), and MgO1-X (0≤X≤1), and glass.例文帳に追加

エミッタ１２ｂは、ＢａＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）、ＳｒＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）、ＣａＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）およびＭｇＯ_1-X（ただし、０≦Ｘ≦１）から選ばれる少なくとも一つとガラスとを含む。 - 特許庁

An output terminal Q_x of the JKFF circuit 12_x is connected to a clock input terminal CP_x+1 of the JKFF circuit 12_x+1 of the next stage.例文帳に追加

ＪＫＦＦ回路１２_xの出力端子Ｑ_xは、次段のＪＫＦＦ回路１２_x+1のクロック入力端子ＣＰ_x+1に接続される。 - 特許庁

The ultraviolet ray transparent electroconductive material consists of a Na site detect perovskite type crystal structured material expressed by composition formula 2 of NaxWO3 (0.3≤x≤ 1).例文帳に追加

２．組成式Na_XWO_3 （２） (0.3≦x≦1である)で示されるNaサイト欠損ペロブスカイト型結晶構造材料からなる紫外光透明電気伝導性体。 - 特許庁

This fluorescent substance is expressed by general formula La_1-xSi_3N_5:xCe (x is a amount of activation, 0; x; 1), a part of the lanthanum ion is activated by substituting and forming a solid solution of the cerium ion.例文帳に追加

一般式La_1-xSi_3N_5:xCe（付活量xは、0<x<1）で示され、ランタンイオンサイトに固溶置換によりセリウムイオンが付活している。 - 特許庁

A nitride semiconductor shown in general formula Al_xGa_yIn_1-x-yN (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤1-x-y≤1) is used for the semiconductor region 12.例文帳に追加

半導体領域１２には、一般式がAl_x Ga_y In_1-x-yＮ（但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1）で表される窒化物半導体が用いられている。 - 特許庁

The database for search comprises a series of buckets obtained by dividing the section (x(1) to x(n)) of the set of real numbers into m buckets without any space and at equal intervals.例文帳に追加

探索用データベースは、実数群の区間（x[1]〜x[n]）をバケットで隙間無くかつ等間隔でｍ個に区分したバケット列を有する。 - 特許庁

The laser medium with optical amplification action uses the optical transition of Eu in the mixed crystal compound expressed by the chemical formula M_1-xEu_xGa_2S_4 (where M is one or more of Ca, Sr, Ba, and 0.01≤x<1).例文帳に追加

M_1-xEu_xGa_2S_4（ただし、Mは、Ca, Sr, Baの１種以上、0.01≦x＜1）の化学式で表される混晶化合物のEu光学遷移を利用した光増幅作用をもつレーザ媒質。 - 特許庁

In short, the light-emitting layer of the light-emitting diode is represented by a general formula InxGa1-xN1-yXy (0<x<1; X=P, As, Ab, Bi; y=0<y<0.01/0<y<0.005).例文帳に追加

すなわち、本発明に係る発光ダイオードの発光層は一般式In_xGa_1-xN_1-yX_y（0＜x＜1;X=P,As,Sb,Bi;y=0＜y＜0.01/0＜y＜0.005）で表される。 - 特許庁

On top of this, an intermediate layer 14 of film thickness of about 3,000 Å comprising non-doped InxGa1-xN (0<x<1) is formed.例文帳に追加

この高キャリア濃度ｎ^+ 層１３の上には、ノンドープのIn_x Ga_1-X N (0<x<1) から成る膜厚約３０００Åの中間層１４が形成されている。 - 特許庁

Here, 0<a<1, 0<x<1, 0<y, 0<z and y+z≤1.例文帳に追加

ここに、０＜ａ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｙ、０＜ｚ、ｙ＋ｚ≦１とする。 - 特許庁

The quantum wire 5 is composed of In_XGa_1-XAs (0<X≤1) for instance.例文帳に追加

量子細線５は、例えばＩｎ_XＧａ_1-XＡｓ（０＜Ｘ≦１）からなる。 - 特許庁

(Bi_1-xBa_x)(Fe_1-xTi_x)O_3...(1), where 0<x<1.例文帳に追加

(Ｂｉ_1-xＢａ_x)（Ｆｅ_1-xＴｉ_x）Ｏ_3・・・（１）但し，０＜ｘ＜１である。 - 特許庁

Here, m, n, x, q are positive integer and (x+1)>m, n>2q.例文帳に追加

但し、ｍ、ｎ、ｘ、ｑは正の整数で、（ｘ＋１）＞ｍ、ｎ＞２^ｑとする。 - 特許庁

In composition formula (1), (x) is 0.5≤x≤1 and (y) is 5≤y≤30.例文帳に追加

ただし、組成式（１）において、ｘは０．５≦ｘ≦１、ｙは５≦ｙ≦３０である。 - 特許庁

The channel layer is formed by an AlXGa1-XN layer (0<X<1).例文帳に追加

前記チャネル層は、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ層（０＜Ｘ＜１）によって形成されている。 - 特許庁

In the composition formula, x desirably satisfies 0.13<x<1.例文帳に追加

前記式中、ｘは、０．１３＜ｘ＜１を満たすことが好ましい。 - 特許庁

When the X=A+1-N becomes X<1, the measurement ends.例文帳に追加

前記Ｘ＝Ａ＋１−ＮがＸ＜１となったとき、測定ＥＮＤとなる。 - 特許庁

The positive electrode active material mainly contains a compound expressed by a general formula Li_xFePO_4 (where, 0<x≤1).例文帳に追加

一般式Ｌｉ_ｘＦｅＰＯ_４（ただし、０＜ｘ≦１である。 - 特許庁