「X=1」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A first compound semiconductor layer containing Al_xGa_1-xN (0≤x<1) having a first bandgap is formed over a substrate.例文帳に追加

基板の上方に、第１のバンドギャップのＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）を含む第１の化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

The reactive silicon group is -SiX^1_2R^1, wherein R^1 is a monovalent organic group having 1-20 carbons, and X^1 is a hydroxyl group or a hydrolyzable group.例文帳に追加

反応性ケイ素基は−ＳｉＸ^１_２Ｒ^１［Ｒ^１は炭素数１〜２０の１価の有機基、Ｘ^１は水酸基又は加水分解性基］。 - 特許庁

A thickness of the Al_xGa_1-xN (0<x<1) layer 132 is within a range that allows electrons to tunnel and holes to be trapped therein.例文帳に追加

Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２の厚さは、電子がトンネル可能であり、正孔を閉じ込める範囲の厚さである。 - 特許庁

The insulating film for the electromagnetic element has a composition represented by 12(Ca_xSr_1-x)O-7Al_2O_3 (0≤x≤1), and has an amorphous structure.例文帳に追加

１２(Ｃａ_xＳｒ_1-x)Ｏ・７Ａｌ_2Ｏ_3（０≦ｘ≦１）で表される組成を有し、アモルファス構造を備えた電磁気素子用絶縁膜。 - 特許庁

In the formula 1, 0<a<1, w+x+y+z=1, 0≤w≤1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, and A is a metallic element.例文帳に追加

前記式中、０＜ａ＜１、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、Ａは金属元素である。 - 特許庁

Guide layers 15, 17 are each composed of InGaN, and clad layers 14, 18 are each composed of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1).例文帳に追加

ガイド層１５，１７はＩｎＧａＮからなり、クラッド層１４，１８は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｘ＋ｙ＜１）からなる。 - 特許庁

The ferrite particle essentially includes a material expressed by general formula Mg_XFe_3-XO_4 (where X satisfies 0≤X≤1) and contains carbon of 16 ppm or more.例文帳に追加

一般式Ｍｇ_ＸＦｅ_３−ＸＯ_４（但し、０≦Ｘ≦１）で表わされる材料を主成分とし、炭素を１６ｐｐｍ以上含有させる。 - 特許庁

The ferrite particle includes a material represented by general formula Mg_XFe_3-XO_4 (wherein 0≤X<1), as its main component, and carbon which is contained at a concentration of 15 ppm or less.例文帳に追加

一般式Ｍｇ_ＸＦｅ_３−ＸＯ_４（但し、０≦Ｘ＜１）で表わされる材料を主成分とし、炭素を１５ｐｐｍ以下含有させる。 - 特許庁

In chemical formula (1), M is at least one element selected from Al, Ga, In, Mg, Zn, Li, Na, K, Gd, Y and La; and x meets the relationship: 0≤x≤1.例文帳に追加

ここで、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｇｄ、Ｙ、およびＬａから選ばれた少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。 - 特許庁

In the formula, the composition ratio "x" of a component Zn is 0<x≤1 and the composition ratio "e" of Mn is 0.001≤e≤0.2.例文帳に追加

前記式中において、成分Ｚｎの組成比を示すｘ、およびＭｎの組成比を示すｅは、それぞれ０＜ｘ≦１、０．００１≦ｅ≦０．２である。 - 特許庁

This thermal storage material has, as its main component, potassium dititanate represented by general formula: K_2Ti_2O_5-xnH_2O (0≤x≤1, 0≤n≤2.7).例文帳に追加

一般式Ｋ_2 Ｔｉ_2 Ｏ_5-x ・ｎＨ_2 Ｏ（０≦ｘ≦1 、０≦ｎ≦２．７）で表記される二チタン酸カリウムを蓄熱材料の主成分とする。 - 特許庁

The wavelength conversion element 10a includes a first crystal 11 comprising Al_xGa_(1-x)N (0.5≤x≤1) and a second crystal 12 having the same composition as the first crystal 11.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０．５≦ｘ≦１）よりなる第１の結晶１１と、第１の結晶１１と同じ組成の第２の結晶１２とを備えている。 - 特許庁

The electroluminiscent material is represented by the composition formula: CaXSr1-XS: Bi3+ (X is a real number in the range of 0≤X≤1).例文帳に追加

組成式Ｃａ_XＳｒ_1-XＳ：Ｂｉ^3+（但し、Ｘは０≦Ｘ≦１の範囲の実数）で表されるＥＬ材料である。 - 特許庁

When image processing is completed, the measured number N is counted, X=A+1-N is calculated, and it is determined whether 1≤X or X<1.例文帳に追加

画像処理が完了したら、測定数Ｎをカウントし、Ｘ＝Ａ＋１−Ｎを計算し、１≦Ｘか、Ｘ＜１を判断する。 - 特許庁

The liquid crystal display is installed with the above medium (in the formula, R^1 is an alkyl group or the like; A^11 is a pyran ring or the like; A^12 is cyclohexane ring or the like; and X^1 is halogen or the like).例文帳に追加

（式中、Ｒ^１はアルキル基等、Ａ^１１はピラン環等、Ａ^１２はシクロヘキサン環等、Ｘ^１はハロゲン等を意味する。） - 特許庁

A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、ＣｄがドープされたＧａＮまたはＡｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を、この層に使用することができる。 - 特許庁

At least first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers 14a, 14b and 14c are formed on an insulating film 13.例文帳に追加

少なくとも第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層１４ａ，１４ｂ，１４ｃが絶縁膜１３上に形成されている。 - 特許庁

(where [Mn], [Cu], [Ni], [Nb] and [C] represent contents of Mn, Cu, Ni, Nb and C, respectively) satisfies the relation of (value X>1); and has a microstructure which mainly includes bainite.例文帳に追加

Ｋ_0＝{０．０８［Ｍｎ］＋０．０４（［Ｃｕ］＋［Ｎｉ］）＋２［Ｎｂ］}／５［Ｃ］ …（１） 但し、［Ｍｎ］、［Ｃｕ］、［Ｎｉ］、［Ｎｂ］および［Ｃ］は、夫々Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣの含有量を示す。 - 特許庁

The measuring frequency counter 16A counts a measured data number every time the measured values x(0), x(1), ..., x(n-1) are inputted.例文帳に追加

測定回数計数器１６Ａは、測定値ｘ（０），ｘ（１），・・・ｘ（ｎ−１）が入力される毎に測定データ数を計数する。 - 特許庁

Defectives of the (x+1) bits or more per one position information are discriminated as a defective chip by the parallel test circuit.例文帳に追加

上記パラレルテスト回路により、１つの位置情報につき上記ｘ＋１ビット以上の不良をもって不良チップと判定する。 - 特許庁

The composition for the conductive material contains a compound represented by a formula (1), and a vinyl compound used as a cross linking agent for crosslinking the compounds in any one of substituents X^1, X^2, X^3 and X^4.例文帳に追加

導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物と、その架橋剤としてのビニル化合物とを含有する。 - 特許庁

As a result, the iron-based layered double hydroxide, e.g. expressed by the chemical formula of [Zn^2+_(1-x)Fe^3+_x(OH)_2][Cl^-_x-nH_2O] (wherein, 0<x<1) can be obtained.例文帳に追加

その結果、例えば化学式：［Ｚｎ^2+_(1-x)Ｆｅ^3+_x（ＯＨ）_2］［Ｃｌ^-_x・ｎＨ_2Ｏ］（但し、０＜ｘ＜１）で表される鉄系層状複水酸化物が得られる。 - 特許庁

A buffer layer is constituted of the superstructure of AlXGa1-XAs (0≤X≤1), where carrier concentration and a compensation ratio are regulated.例文帳に追加

緩衝層をキャリア濃度と補償比とが規定されたＡｌ_XＧａ_1-XＡｓ（０≦Ｘ≦１）の超格子構造から構成する。 - 特許庁

At least first and second material layers 15, 16 and 17 are formed in correspondence on the first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers.例文帳に追加

第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層上に対応して少なくとも第１、第２の材料層１５，１６，１７が形成されている。 - 特許庁

The n-type MgZnO layer 3 is composed of a Mg_xZn_x-1O (but 0≤x≤1) mixed crystal in which Mg is included in ZnO.例文帳に追加

ｎ型ＭｇＺｎＯ層３は、ＺｎＯにＭｇが含有されたＭｇ_ｘＺｎ_ｘ−１Ｏ（ただし、０≦ｘ≦１）混晶からなる。 - 特許庁

When receiving no master machine packet P0, the respective slave machines 1X (X=1-3) stop the progress of the game and retain the present display state (from S24 to S25 to from S26 to S24).例文帳に追加

一方、各子機1X(X=1〜3)側では、親機パケットP0が受信できない場合には、ゲームの進行を停止して、現状の表示状態を維持する（S24→S25,S26→S24）。 - 特許庁

It contains a compound which is represented by a general formula (I), (R^1)_mSi(X^1)_(4-m) and its hydrolyzate or its condensate.例文帳に追加

一般式（Ｉ）（Ｒ^１）_ｍＳｉ（Ｘ^１）_（４−ｍ）式中、 Ｒ^１は炭素原子２個以上を含有する、無置換もしくは置換基を有するアルキル基である。 - 特許庁

The phosphor comprises a mother material represented by the general formula: Ba_1-xZn_xS (0<x<1) and a luminous center to this mother material.例文帳に追加

一般式： Ｂａ_1-xＺｎ_xＳ（０＜ｘ＜１） で表わされる母材と、この母材に対し発光中心が含有されている蛍光体。 - 特許庁

The fluorophor material is such that an emission center with Eu as the main element is provided in a matrix material represented by the formula:Sr_xBa_1-xGa_2S_4(0<x<1).例文帳に追加

Ｓｒ_XＢａ_1-XＧａ_2Ｓ_4（０＜Ｘ＜１）で示される母体材料中にＥｕを主元素とする発光中心を備えた蛍光体材料とする。 - 特許庁

A nonaquoeus electrolyte battery uses a positive active material represented by FeF3.xH2O (where x is in the range of 0<x<3, excepting x=1).例文帳に追加

非水電解質電池を、正極活物質にＦｅＦ_3・ｘＨ_2Ｏ（ｘは０＜ｘ＜３の範囲であり、かつｘ＝１の場合を除く）を含むように構成する。 - 特許庁

This anthracene compound is represented by the general formula (wherein, R is a 1-8C alkyl group; and X^1 and X^2 are each independently hydrogen or a halogen).例文帳に追加

下記の一般式4で表されることを特徴とするアントラセン化合物およびこれを含む化学発光組成物を提供する。 - 特許庁

Here, A is alkaline earth element, R is rare earth element, m is an integer of 1 or larger, and x is a numerical value where 0≤x≤1.例文帳に追加

ここで、Ａはアルカリ土類元素であり、Ｒは希土類元素であり、ｍは１以上の整数であり、ｘは０≦ｘ≦１の数値である。 - 特許庁

Disclosed are a carbazole compound represented by formula (1) (wherein X^1 is a halogen atom; and R^1 is a 4-20C alkyl group) and a tetrahydrocarbazole compound represented by formula (2) (wherein X^1 and R^1 are as defined above).例文帳に追加

式（１）（式中、Ｘ^１はハロゲン原子を表わし、Ｒ^１は炭素数４〜２０のアルキル基を表わす。）で示されるカルバゾール化合物および式（２）（式中、Ｘ^１およびＲ^１は上記と同一の意味を表わす。）で示されるテトラヒドロカルバゾール化合物。 - 特許庁

To provide a method for more industrially advantageously producing a thiazole compound of formula(3)( wherein, X^1 is H or a halogen atom ) using inexpensive ammonia to suppress forming a compound of formula(4) ( wherein, X^1 means the same as mentioned above ) as byproduct.例文帳に追加

安価なアンモニアを用いて、式（４）（式中、Ｘ^１は水素原子またはハロゲン原子を表わす。）で示される化合物の副生を抑え、より工業的に有利に式（３）（式中、Ｘ^１は上記と同一の意味を表わす。）で示されるチアゾール化合物を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

When setting a face-down paper ejecting mode, after guiding recording paper P(X) fed in the first place and recording the image to a second carrying part 28, recording paper P(X+1) is fed so that the recording paper P(X) and the recording paper P(X+1) overlap each other by being dislocated by a predetermined quantity L.例文帳に追加

フェイスダウン排紙モードが設定された場合に、先に給紙され、画像が記録された記録紙Ｐ（Ｘ）を第２搬送部２８に案内した後に、記録紙Ｐ（Ｘ）と記録紙Ｐ（Ｘ＋１）とが第１所定量Ｌだけずれて重なるように記録紙Ｐ（Ｘ＋１）を給紙する。 - 特許庁

This semiconductor device is composed by containing genuine or essentially genuine non-single crystal SixGe1-X (0<X<1) and setting oxygen concentration in the non-single crystal SixGe1-X (0<X<1) to 5×1018 cm-3 or less, and carbon concentration to 4×1018 cm-3 or less.例文帳に追加

真性または実質的に真性な非単結晶Ｓｉ_xＧｅ_1-X（０＜Ｘ＜１）を含み、前記非単結晶Ｓｉ_xＧｅ_1-X（０＜Ｘ＜１）中の酸素濃度が５×１０^18ｃｍ^-3以下、且つ炭素濃度が４×１０^18ｃｍ^-3以下で半導体装置を構成する。 - 特許庁

There is a great difference between potential VA=VA(0) which a combined node shows when x=1 is imparted to the ferroelectric capacitor Cs at s=0 and potential VA=VA(1) which the combined node shows when x=1 is imparted to the ferroelectric capacitor Cs at s=1.例文帳に追加

また、ｓ＝０の強誘電体コンデンサＣｓにｘ＝１を付与したとき結合ノードが示す電位ＶＡ＝ＶＡ（０）と、ｓ＝１の強誘電体コンデンサＣｓにｘ＝１を付与したとき結合ノードが示す電位ＶＡ＝ＶＡ（１）との差が大きい。 - 特許庁

In the semiconductor distribution Bragg reflector having periodical changes in refraction factor and for reflecting incident light by a lightwave interference, a layer having a small refraction factor is composed of Al_xGa_1-xP (0<x≤1) and a layer having a larg refraction factor is composed of Al_yGa_1-yP (0≤y<x≤1).例文帳に追加

屈折率が周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡において、屈折率が小なる層はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＰ（０＜ｘ≦１）からなり、屈折率が大なる層はＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＰ（０≦ｙ＜ｘ≦１）からなる。 - 特許庁

To provide a method for industrially advantageously producing a thiazole compound represented by formula (3) (wherein, X^1 is a hydrogen atom or a halogen atom) by using inexpensive ammonia while reducing the by-production of a compound represented by formula (4) (wherein, X^1 is the same as the above).例文帳に追加

安価なアンモニアを用いて、式（４）（式中、Ｘ^１は水素原子またはハロゲン原子を表わす。）で示される化合物の副生を抑え、より工業的に有利に式（３）（式中、Ｘ^１は上記と同一の意味を表わす。）で示されるチアゾール化合物を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

The present invention relates to a semiconductor substrate 100 which comprises a base substrate 102 having a surface that is composed of a silicon crystal, an Si_xGe_1-xC (0≤x<1) epitaxial crystal t104 hat is formed in a partial region on the silicon crystal, and the group-III nitride semiconductor crystal 106 that is formed on the Si_xGe_1-xC (0≤x<1) epitaxial crystal.例文帳に追加

表面がシリコン結晶であるベース基板１０２と、シリコン結晶上の一部の領域に形成されたＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４と、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４上に形成された３族窒化物半導体結晶１０６とを含む半導体基板１００を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element film 41 is represented by Pbx(ZryTi1-y) O3, where 0.8<x<1, 0.53≤y<1 and preferred orientation is (111) face or 0.8<x<1, 0<y<0.53 and preferred orientation is (100) face.例文帳に追加

この圧電体膜４１は、Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_３で表され、前記ｘは０．８＜ｘ＜１の範囲にあり、前記ｙは０．５３≦ｙ＜１の範囲にあり、かつ、（１１１）面優先配向であるか、前記ｘは０．８＜ｘ＜１の範囲にあり、前記ｙは０＜ｙ＜０．５３の範囲にあり、かつ、（１００）面優先配向であるかのいずれかである。 - 特許庁

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁

The aromatic monomer is one or more kinds of aromatic monomers exemplified by formula (1): X^1-Ar-X^1 (wherein, Ar is an arylene group or a divalent heterocyclic group; X^1 is a chlorine, bromine or iodine atom), and the polyarylene contains a repeating unit represented by formula (2): -Ar-.例文帳に追加

芳香族モノマーは、例えば、式（１）Ｘ^１−Ａｒ−Ｘ^１（式中、Ａｒは、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、Ｘ^１は塩素、臭素又は沃素原子を表す。）で示される１種以上の芳香族モノマーであり、ポリアリーレンが、式（２）−Ａｒ−で示される繰り返し単位を含むポリアリーレンである。 - 特許庁

This method for producing the allyl halide compound represented by the general formula (2) (X^1 and X^2 are each identically or differently a halogen atom; the wavy line shows either one or the mixture of E/Z geometrical isomers) is characterized by treating a halohydrin compound represented by the general formula (1) (X^1 is a halogen) with a halogenating agent.例文帳に追加

一般式（１） （式中、Ｘ^1はハロゲン原子を示す。）で示されるハロヒドリン化合物に、ハロゲン化剤を作用させることを特徴とする一般式（２） （式中、Ｘ^1、Ｘ^2は同一または相異なってハロゲン原子を示し、波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であることを示す。）で示されるアリルハライド化合物の製造法。 - 特許庁