「X=1」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

# ls -ltotal 4lrwxrwxrwx 1 root root 25 Jan 18 14:20 c++ - sparc-unknown-linux-gnu-wrapperlrwxrwxrwx 1 root root 25 Jan 18 14:20 cc - sparc-unknown-linux-gnu-wrapperlrwxrwxrwx 1 root root 25 Jan 18 14:20 g++ - sparc-unknown-linux-gnu-wrapperlrwxrwxrwx 1 root root 25 Jan 18 14:20 gcc - sparc-unknown-linux-gnu-wrapperlrwxrwxrwx 1 root root 15 Nov 21 10:42 sparc-unknown-linux-gnu-c++ - /usr/bin/distcclrwxrwxrwx 1 root root 15 Nov 21 10:42 sparc-unknown-linux-gnu-g++ - /usr/bin/distcclrwxrwxrwx 1 root root 15 Jul 27 10:52 sparc-unknown-linux-gnu-gcc - /usr/bin/distcc-rwxr-xr-x 1 root root 70 Jan 18 14:20 sparc-unknown-linux-gnu-wrapper 例文帳に追加

おめでとうございます。 - Gentoo Linux

The structure commonly had size of hashirama (bay, space or distance between two pillars) of 1 ken (unit of distance between two pillars) x 2 ken, and some had different variations such as 1 ken x 1 ken or 1 ken x 3 ken. 例文帳に追加

主な形態のものは柱間が1間×2間の規模のもので、これに1間×1間、1間×3間などのバリエーションが加わる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the formula, X^1 represents a tertiary alkyl group; and R^1 to R^10 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.例文帳に追加

（式中、Ｘ^１は３級アルキル基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。） - 特許庁

In the formula, X^1 represents a secondary alkyl group, and each of R^1 to R^10 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.例文帳に追加

（式中、Ｘ^１は２級アルキル基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。） - 特許庁

In the general formula (1), X^1 represents oxygen atom, sulfur atom, SO_2 group or NH group, and R^1 represents alkyl group or aryl group.例文帳に追加

（一般式（１）中Ｘ^1は酸素原子、硫黄原子、ＳＯ_2基またはＮＨ基を表し、Ｒ^1は、アルキル基またはアリール基を表す。） - 特許庁

The ratio x of In in indium nitride gallium (In_xGa_1-xN:0<X≤1) by the method is 0.5 or larger.例文帳に追加

この方法により、窒化インジウムガリウム（Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ：０＜Ｘ≦１）中のＩｎの比率Ｘが０．５以上である。 - 特許庁

In the general formula (1) and (2), A^1 and A^2 are each an aryl group or amine structure and X^1 is an arylene group or polycyclic structure.例文帳に追加

（一般式（１）および（２）中、Ａ^1およびＡ^2は、アリール基あるいはアミン構造体であり、Ｘ^1はアリーレン基または多環構造体である。） - 特許庁

The exhaust gas cleaning catalyst is formed of a substitutional solid solution crystal having a spinel structure of CoXAO2O3+X (0<X<1).例文帳に追加

排気ガス浄化用触媒は、Ｃo_XＡl_2Ｏ_3+X（０＜Ｘ＜１）のスピネル型構造を有する置換固溶体結晶からなる。 - 特許庁

The secondary battery uses lithium containing oxides expressed by xLi_2 MO_2 - (1-x)LiM'O_2 (0<x<1) as positive-electrode active material.例文帳に追加

ｘＬｉ_２ ＭＯ_２ ・（１−ｘ）ＬｉＭ’Ｏ_２ （０＜ｘ＜１）により表されるリチウム含有酸化物を正極活物質として用いる。 - 特許庁

In formula (1), X^1 is a hydrogen atom (H) or a deuterium atom (D); and Y^1 is H, D, CH_3, CD_3, a halogen atom or a CF_3 group.例文帳に追加

式中、Ｘ^１は水素原子（Ｈ）または重水素原子（Ｄ）を表し、Ｙ^１はＨ、Ｄ、ＣＨ_３、ＣＤ_３、ハロゲン原子またはＣＦ_３基を表す。 - 特許庁

In the formula, L^1 represents a bidentate ligand having an anionic coordination atom X^1 and a neutral coordination atom Y^1.例文帳に追加

式中、Ｌ^1は、アニオン性配位原子Ｘ^1と中性配位原子Ｙ^1とを有する二座配位子を表す。 - 特許庁

The buffer layer 64 contains titanium and cobalt as metal elements, and its metal element ratio is the following, where Ti:Co=1-x:x, 0.05≤x<1.例文帳に追加

バッファ層６４は、金属元素としてチタン及びコバルトを含み、金属元素比がＴｉ：Ｃｏ＝１−ｘ：ｘとすると０．０５≦ｘ＜１である。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor element structure has an In_xGa_1-xN (0≤x≤1) layer on a nitride semiconductor thin film and an AlN layer thereon.例文帳に追加

窒化物半導体薄膜上に、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層を有し、その上にＡｌＮ層を有する窒化物半導体素子構造とする。 - 特許庁

Also in compositional formula (1), m, x, y and n satisfy the relationships 3<m<5, 0<x<1, 0<y<9, and 0<n<10.例文帳に追加

また、組成式（１）中、ｍ、ｘ、ｙ、ｎは、３＜ｍ＜５、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜９、０＜ｎ＜１０なる関係を満たす。 - 特許庁

The superlattice layer is the structure where the InN layer and In_xGa_1-xN (0≤x<1) layer are alternately laminated.例文帳に追加

一方、前記超格子層は、ＩｎＮ層とＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）層が交互に積層された構造である。 - 特許庁

The first semiconductor layer 13 is provided on a semiconductor surface 21a composed of Al_XGa_1-XN (0<X≤1).例文帳に追加

第１の半導体層１３は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる半導体表面２１ａの上に設けられる。 - 特許庁

The element layer consisting of Mg_xZn_1-xO (here: 0≤x≤1) is grown on the buffer layer 11 through epitaxial growth.例文帳に追加

該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

Furthermore, the nitride chemical compound semiconductor layer contains Al_xGa_1-xN (0≤x<1), and the impurity contains at least one of In, As, P, Sb.例文帳に追加

また、窒化物系化合物半導体層はＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）、不純物はＩｎ，Ａｓ，Ｐ，Ｓｂのうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする。 - 特許庁

These gases are made to react with each other on the substrate 5, to produce a Ta1-XTiXO hybrid dielectric thin film (0<X<1) on the substrate 5.例文帳に追加

そして、基板５上でこれらガスを反応させることによってＴａ_１−ＸＴｉ_ＸＯ混成誘電体薄膜（０＜Ｘ＜１）を作製する。 - 特許庁

In consequence, a desired pattern can be projected onto the substrate and can be exposed with accuracy at a projection magnification of 1:1 or x:1.例文帳に追加

その結果、前記基板上に所望のパターンを正確に投影倍率１：１またはｘ：１で投影させて露光させることができる。 - 特許庁

In formula (1), n represents a number of 1 to 100; X^1 represents ammonia or formula (2); and p is a number satisfying 0<p≤n+2.例文帳に追加

式（１）中、ｎは１〜１００の数、Ｘ^1はアンモニア又は式（２）、ｐは０＜ｐ≦ｎ＋２を満たす数である。 - 特許庁

The method for producing the compound represented by formula (7) (wherein, n is 1 or 2; and X^1 and X^2 are each independently a halogen atom) is provided.例文帳に追加

式（７）で表される化合物（式中、ｎは、１または２を表し、Ｘ^1およびＸ^2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子を表す。）の製造方法。 - 特許庁

A buffer layer 13 composed of AlxGa1-xN (0<x<1) is arranged below a GaN electron transit layer 14, and negative piezoelectric charges are accumulated in this interface.例文帳に追加

ＧａＮ電子走行層１４の下側にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）バッファ層１３を設けこの界面に負のピエゾ電荷を蓄積する。 - 特許庁

The coefficient α_i of the all-path filter 6 is given as α_i(x)=1-(Δt_i(x)-d_i(x)).例文帳に追加

オールパスフィルタ６の係数α_ｉは、α_ｉ（ｘ）＝１−（Δｔ_ｉ（ｘ）−ｄ_ｉ（ｘ））によって与えられること。 - 特許庁

In the composition formula (1), (m), (x), (y) and (n) satisfy relationships of 3<m<5, 0<x<1, 0<y<2 and 0<n<10.例文帳に追加

組成式（１）中のｍ、ｘ、ｙ、ｎは、３＜ｍ＜５、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜２、０＜ｎ＜１０なる関係を満たす。 - 特許庁

X is a molar fraction of 0 < X < 1, and N is an element selected among La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu.例文帳に追加

Xはゼロより大きく１より小さいモル分率であり、Ｎは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ、およびＬｕから選択された元素である。 - 特許庁

The laser element has a superlattice structure, which consists of AlxGa1-xN/InyGa1-yN (0<x<1, 0≤y<1).例文帳に追加

また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層はＡｌ_xＧａ_1-xＮ／Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）からなる超格子構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

Since the tube 22 has a shrinkage percentage (x) of <1 (x<1), the tube 22 shrinks after a prescribed thermal load is imposed upon the tube 22.例文帳に追加

この処置具チューブ２２は収縮率がｘであり、ｘ＜１、すなわち、所定の熱的負荷を与えた後に縮む特性を有する。 - 特許庁

The conductive and visible light sensitive titanium oxide is represented by formula TiO_2-xN_y (wherein, 0<x<1, 0<y<1).例文帳に追加

式：ＴｉＯ_２−ｘＮ_ｙ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）を有する導電性可視光感応型酸化チタンからなる。 - 特許庁

The conductive material contains an Ru based composite oxide having basic composition represented by A_(x)RuO_3 (A is an arbitrary element), where 0<x<1.例文帳に追加

基本組成がＡ_(x)ＲｕＯ_3（ただし、式中Ａは任意元素である。）で表され、０＜ｘ＜１であるＲｕ系複合酸化物を含有する。 - 特許庁

To provide a Zn diffusion region 7, having a Zn concentration of 5E18/cm^3 or lower inside an Al_xGa_1-xAs (0<x<1) semiconductor crystal 1.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）半導体結晶１中に５Ｅ１８個／ｃｍ^3以下のＺｎ濃度を有するＺｎ拡散領域７を提供する。 - 特許庁

A block having the calculated feature amount is searched within the next frame image X+1 (S203), and a motion vector is calculated (S204).例文帳に追加

この算出した特徴量を有するブロックを次フレーム画像Ｘ＋１内にて探索し（Ｓ２０３）、移動ベクトルを算出する（Ｓ２０４）。 - 特許庁

In the formulae, the rings A, B and C express each 1, 4-cyclohexylene, 1, 4-phenylene or the like; X^1 and X^2 express each H or F; n expresses 0-2.例文帳に追加

（式中、環Ａ、Ｂ、Ｃは１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン等を、Ｘ^１、Ｘ^２は水素またはフッ素を、ｎは０〜２を示す。） - 特許庁

The electrode active material has a tabular particle shape and is represented by a compositional formula: Na_1+xMnPO_4F_x (in the formula, x satisfies 0<x≤1).例文帳に追加

電極活物質は、粒子形状が板状であって、組成式Ｎａ_１＋ｘＭｎＰＯ_４Ｆ_ｘ（式中、ｘは０＜ｘ≦１）で表される。 - 特許庁

It is preferable that the electron emission layer comprise at least one layer of Ga_xSc_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N(0≤x<1, 0≤y<1).例文帳に追加

前記電子放出層は、少なくとも１つのＧａ_xＳｃ_(1-x)Ｎ／Ａｌ_yＧａ_(1-y)Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）層からなることが好ましい。 - 特許庁

Mn as an activator is contained in a host substance represented by the general formula: (ZnO)_1-x(GaN)_x(0<x<1).例文帳に追加

一般式：（ＺｎＯ）_1-ｘ（ＧａＮ）_ｘ（０＜ｘ＜１）で表される母体に賦活剤としてＭｎを含有させた。 - 特許庁

Both the first fine powder and the second fine powder have the main phase having a composition expressed by (LR_1-xHR_x)_2T_14A (0≤x<1).例文帳に追加

第１微粉末および第２微粉末はいずれも、（ＬＲ_1-xＨＲ_x）_2Ｔ_14Ａ（０≦ｘ＜１）で表される組成の主相を有する。 - 特許庁

The invention further includes a thin film dielectric having a composition represented by (Ba_1-xSr_x)_aTiO_3(0≤x≤1, 1.0≤a≤1.2).例文帳に追加

さらに、本願発明には、組成式が（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ａＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、１．０≦ａ≦１．２）で表される薄膜誘電体も含まれる。 - 特許庁

In this compound semiconductor, Ga1-xAlxN layer (0≤x≤1) is added with In and is doped with donors.例文帳に追加

本発明の化合物半導体によれば、Ｇａ_1-xＡｌ_xＮ層（０≦ｘ≦１）に、Ｉｎが添加されるとともに、ドナー不純物がドーピングされることを特徴とする。 - 特許庁

Subsequently, an etching stop layer 6 of p-type In_1-xGa_xAs_yP_1-y (0≤x≤1; 0.32<y≤1) is formed on the active layer 3.例文帳に追加

次いで、活性層３上に、ｐ型Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＡｓ_ｙＰ_１−ｙ（０≦ｘ≦１；０．３２＜ｙ≦１）であるエッチングストップ層６を形成する。 - 特許庁

To increase the coercive electric field while lowering the dielectric constant of a dielectric film having a composition represented by Sr_2(Ta_1-xNb_x)O_7(0≤x≤1).例文帳に追加

Ｓｒ_２（Ｔａ_１−ｘＮｂ_ｘ）Ｏ_７（０≦ｘ≦１）の強誘電体膜の比誘電率を低下させつつ，抗電界を増大させる。 - 特許庁

In the formula (1): at least one of X^1, X^2 and X^3 is a group represented by formula (Ia) or a hydroxy group.例文帳に追加

［Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３の少なくとも１つが、式（Ｉａ）で表される基又は水酸基である。 - 特許庁

The fluorescent substance is represented by general formula, (AlN)_1-X(SiC)_X:Re (X satisfies 0<X<1, Re is a rare earth element).例文帳に追加

一般式 （ＡｌＮ）_１−Ｘ（ＳｉＣ）_Ｘ：Ｒｅ （Ｘは、０＜Ｘ＜１である。Ｒｅは希土類元素である。）で表される蛍光体に関する。 - 特許庁

Each of the plurality of second semiconductor regions is made from a material containing Si_1-xGe_x (0<x≤1) as a main component.例文帳に追加

複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。 - 特許庁

To improve charge-discharge cycle performance of a nonaqueous electrolyte battery equipped with a positive electrode containing phosphoric acid iron compound Li_XFePO_4 (0≤x≤1).例文帳に追加

リン酸鉄化合物Ｌｉ_XＦｅＰＯ_4（０≦ｘ≦１）を含有する正極を備えた非水電解質電池の充放電サイクル性能を向上させること。 - 特許庁