「X=1」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

X as the proportion of Mg to Zn within the p-type Mg_xZn_1-xO-based thin film 1 is designed to be 0≤X<1, preferably 0≤X≤0.5.例文帳に追加

ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１内のＺｎに対するＭｇの比率であるＸは、０≦Ｘ＜１、好ましくは、０≦Ｘ≦０．５となるように構成されている。 - 特許庁

An optical power meter outputs the intensity of light having prescribed wavelengths and irradiating a photodetector, and the photodetector is equipped with a semiconductor photodetection region formed of In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1).例文帳に追加

受光素子に照射された所定の波長の光の強度を出力する光パワーメータであって、前記受光素子がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体受光領域を備えて構成される。 - 特許庁

It is preferable that molybdenum is deposited so that the concentration of deposited molybdenum after fired is 2-12 wt.% of the carrier and silver is deposited so that the molar ratio of Ag:Mo=X:1 is (0.01-0.3):1.例文帳に追加

前記モリブデンは前記焼成した後の担持濃度が前記担体に対して２〜１２重量％となると共に前記銀はモリブデンとのモル比Ａｇ：Ｍｏ＝Ｘ：１の比率Ｘが０．０１〜０．３となるように担持するとよい。 - 特許庁

In the formula, X^1 and X^2 each represents a halogen atom; M^2 represents a hydrogen ion, an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion, an ammonium ion, a primary ammonium ion, a secondary ammonium ion, a tertiary ammonium ion or a quaternary ammonium ion.例文帳に追加

（式中、Ｘ^1、Ｘ^2はハロゲン原子を表す。Ｍ^2は水素イオン、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン、第１級アンモニウムイオン、第２級アンモニウムイオン、第３級アンモニウムイオンまたは第４級アンモニウムイオンを表す。） - 特許庁

This lithium manganese compound oxide with stratified rock salt structure of the formula Li1-xAxMnO2 (A is an alkali metal except Li; and 0<x<1) is such one as to substitute part of lithium atoms by larger alkali metal atoms to stabilize the crystal structure.例文帳に追加

リチウム原子の一部を同じアルカリ金属であってリチウムより大きい金属元素の原子で置換することにより結晶構造を安定させた、組成式Ｌｉ_1-_xＡ_xＭｎＯ_2（ＡはＬｉを除くアルカリ金属：０＜ｘ＜１）で表される層状岩塩構造リチウムマンガン複合酸化物。 - 特許庁

Halogenated aryls represented by the general formula: Ar-X (1) (wherein Ar is an optionally substituted phenyl or naphthyl group; and X is iodine, bromine or chlorine) are caused to react with pyridine in the presence of potassium tert-butoxide, a reducing agent and a nickel catalyst.例文帳に追加

カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、還元剤およびニッケル触媒の存在下、一般式 Ａｒ−Ｘ （１）（式中、Ａｒは置換されていても良いフェニル基またはナフチル基を示し、Ｘはヨウ素、臭素または塩素を示す。）で表されるハロゲン化アリール類とピリジンを反応させる。 - 特許庁

In the composition, 0<x≤1; A is at least one selected among alkali metals; B is at least one selected among alkaline earth metals; Ln is at least one selected among rare earth elements; and M is at least one selected from molybdenum and tungsten.例文帳に追加

但し０＜ｘ≦１，組成中のAはアルカリ金属より選ばれた少なくとも1種であり，Bはアルカリ土類金属より選ばれた少なくとも1種であり，Lnは希土類元素より選ばれた少なくとも1種であり，Mはモリブデンまたはタングステンから選ばれた少なくとも1種である。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

The electrolytic solution contains at least one or more kinds of quarternary aliphatic ammonium salt expressed in general formula: NR^1R^2R^3R^4 X^1 and one or more kinds of lithium salt expressed in general formula: LiX^2.例文帳に追加

一般式、ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ Ｘ^１で表される一種類以上の脂肪族４級アンモニウム塩と一般式ＬｉＸ^２で表される一種類以上のリチウム塩とを含むことを特徴とするアルミニウム不働態皮膜形成能を有する電解液。 - 特許庁

In the general formula (1), X^1 and X^2 each independently represents a 1-8C alkyl group which may have branches or a 2-8C alkenyl group which may have branches and cyclohexane rings in the general formula (1) each represents a trans form.例文帳に追加

（一般式（１）中、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、分岐を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキル基又は分岐を有してもよい炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、一般式（１）中のシクロヘキサン環は何れもトランス体を表す。） - 特許庁

This photo electric face is that in which a mixed crystal layer of magnesium oxide and zinc oxide expressed by a composition formula Mg_xZn_(1-x)O (0<x<1) is film formed on a substrate, and emit photoelectrons into vacuum.例文帳に追加

本発明に係る光電面は、基板上に、組成式Ｍｇ_ｘＺｎ_（１−ｘ）Ｏ（０＜ｘ＜１）にて表わされる酸化マグネシウムと酸化亜鉛との混晶層を製膜した光電面であって、真空中に光電子を放出することを特徴とする。 - 特許庁

In the oxide magnetic composition consisting essentially of oxide ferrite having a hexagonal crystal structure comprising a composition expressed by a general formula, (Sr_1-XBa_X)_2Co_2Fe_12O_22, the oxide ferrite is replaced in 0<X≤1.例文帳に追加

一般式（Ｓｒ_1-XＢａ_X）_2Ｃｏ_2Ｆｅ_12Ｏ_22によって表される組成から成る六方晶型の結晶構造を有する酸化物フェライトを主成分とする酸化物磁性組成物において、前記酸化物フェライトが０＜Ｘ≦１で置換されていることを特徴とする。 - 特許庁

The boron nitride-based porous body includes whole porous bodies expressed by general formula: BC_XN (0≤X≤1) (that is to say, boron nitride porous bodies and boron carbonitride porous bodies).例文帳に追加

本発明による窒化ホウ素系多孔体ＢＣ_XＮ（０≦Ｘ≦１）を製造する方法は、メソポーラスカーボンとホウ素源とを混合する工程と、混合する工程によって得られた混合物を、窒素雰囲気中、１３００℃〜１８００℃の温度で、３０分〜６０分間、加熱する工程とを包含する。 - 特許庁

In formula (1), R^1 and R^2 are each independently 11-20C normal chain alkyl group, R^3 is hydrogen atom or 11-20C normal chain alkyl group, X^1, X^2 and X^3 are each independently oxygen atom or sulfur atom.例文帳に追加

（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ個別に、炭素数１１〜２０の直鎖型アルキル基を示し、Ｒ^３は水素原子または炭素数１１〜２０の直鎖型アルキル基を示し、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３は、それぞれ個別に、酸素原子又は硫黄原子を示す。） - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer having the buffer layer 2 on a substrate 1, an Al_XGa_1-XN buffer layer 23 (0≤X<1), an AlN buffer layer 22, and a GaN buffer layer 21 are formed successively in the buffer layer 2.例文帳に追加

基板１の上にバッファ層２を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層２がＡｌ_XＧａ_1-XＮバッファ層２３（０≦Ｘ＜１）、ＡｌＮバッファ層２２、ＧａＮバッファ層２１を順に形成した構造からなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。 - 特許庁

To provide a manganese-cobalt flaky oxide which is different from flaky oxides reported in the past, and has a specific component expressed by compositional formula: Mn_XCo_1-XO_2 (0<X<1), a nanometer-level thickness, and excellent film-forming property.例文帳に追加

本発明は、従来報告された薄片状酸化物とは異なり、組成式がＭｎ_ＸＣｏ_１−ＸＯ_２（０＜Ｘ＜１）で表される特有な成分を有し、ナノレベルの厚みを有する製膜性に富んだマンガン・コバルト薄片状酸化物を提供しようというものである。 - 特許庁

The semiconductor photodetector is provided with an InP substrate 11, an In_xGa_1-xAs buffer layer 12 (0≤x≤1) and a light-receiving layer 13 which is positioned on the In_xGa_1-xAs buffer layer 12 and contains nitrogen.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＰ基板上に位置するＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓバッファ層１２（０≦ｘ≦１）と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓバッファ層１２上に位置する、窒素を含む化合物半導体の受光層１３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Each of the golf clubs is orthogonal to the projection line and the axis of the golf club shaft separately while the inertial moment [I_c+W×(X+1)^2] is almost constant on the center axis or on the straight line as axis passing the extension line thereof.例文帳に追加

このとき、１０本のゴルフクラブは、この投影線と、ゴルフクラブシャフトの中心軸のそれぞれに直交し、かつこの中心軸又はこの延長線上を通る直線を軸とするゴルフクラブの慣性モーメント［Ｉ_ｃ＋Ｗ・（Ｘ＋ｌ）^2］が略一定である。 - 特許庁

In the method for generating singlet oxygen, a compound of formula (1) (where X^1 to X^3 are each an atomic group required to form a 5-membered aromatic heterocycle; Y is hydroxy, amino, alkyl, aryl, alkoxy or aryloxy; and L is a substituent).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される化合物を用いることを特徴とする一重項酸素発生方法及び一重項酸素検出方法である〔Ｘ^1〜Ｘ^3：５員芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子団；Ｙ：水酸基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基；Ｌ：置換基〕。 - 特許庁

The semiconductor element has a structure in which a nitride semiconductor layer including a light-emitting layer is formed on a substrate, wherein the nitride semiconductor layer consists of only the AlInN mixed crystal represented by Al_xIn_(1-x)N(0<x<1).例文帳に追加

基板上に発光層を含む窒化物半導体層が形成されてなる半導体素子であって、前記窒化物半導体層が、Ａｌ_ｘＩｎ_（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ＜１）で表されるＡｌＩｎＮ混晶のみからなることを特徴とする半導体素子とする。 - 特許庁

The compound is represented by formula (1) (wherein R^1 is a hydrogen atom, optionally substituted 1-20C hydrocarbon group, cyano group, carboxy group, alkoxycarbonyl group or alkenyloxycarbonyl group; and X^1 and X^2 are each independently a halogen atom).例文帳に追加

下記式（１）（式（１）中、Ｒ^1は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基またはアルケニルオキシカルボニル基を示し、Ｘ^1およびＸ^2はそれぞれ独立にハロゲン原子を示す。 - 特許庁

The element A in composition formula (2) is at least one of magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr) and barium (Ba); and m, x, z and n in composition formula (2) satisfy 3<m<5, 0<x<1, 0<z<9, 0<n<10.例文帳に追加

ただし、組成式（２）中の元素Ａは、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、またはバリウム（Ｂａ）の少なくとも１つであり、組成式（２）中のｍ、ｘ、ｚ、ｎは、３＜ｍ＜５、０＜ｘ＜１、０＜ｚ＜９、０＜ｎ＜１０なる関係を満たす。 - 特許庁

For example, the semiconductor substrate 100 additionally comprises an inhibitor 108 for inhibiting crystal growth, the inhibitor being formed on the silicon crystal and having an opening 110 from which the silicon crystal is exposed, and the Si_xGe_1-xC (0≤x<1) epitaxial crystal 104 is formed inside the opening 110.例文帳に追加

一例として、当該半導体基板１００は、シリコン結晶上に形成され、かつ、シリコン結晶を露出する開口１１０を有し、結晶の成長を阻害する阻害体１０８をさらに含み、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４は、開口１１０の内部に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing SiO_x (x<1) which has excellent cycle properties when used as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, and which enables a vapor deposition film to be deposited, the vapor deposition film having excellent gas barrier properties when used as a vapor deposition material for a barrier film.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた場合に優れたサイクル特性を有し、バリアフィルムの蒸着材料として用いた場合にガスバリア性に優れた蒸着膜を形成できるＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic device having the ohmic electrode of Al_xGa_1-xN (0<x≤1)/Al_yGa_1-yN (0<y≤1) heterojunction without the need for an ion implantation process by allowing annealing at a high temperature and in a short period of time in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程において高温で短時間のアニールを可能にすることにより、イオン注入の工程が不要なＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ／Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮヘテロ接合のオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the strain-balancing layer is made of In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) of a quaternary alloy composition, whose lattice-constant is adjusted to apply opposite strains to adjacent layers within the active region.例文帳に追加

一実施形態において、歪平衡層は、四元合金組成であるＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）から構成され、その格子定数を調節することによって、相反する歪を活性領域における隣接している層に加える。 - 特許庁

There are provided a carrier travel layer 2 of GaN, a carrier supply layer 3 of Al_xGa_1-xN (0<x≤1) formed on the carrier travel layer, and a GaN system protection layer 4 of a first conduction type GaN, which is the same conduction type as the travel carrier formed on the carrier supply layer.例文帳に追加

ＧａＮのキャリア走行層２と、前記キャリア走行層上に形成されたＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）のキャリア供給層３と、前記キャリア供給層上に形成された走行キャリアと同導電型の第一導電型のＧａＮのＧａＮ系保護層４とを設ける。 - 特許庁

The positive electrode 22 includes a nonaqueous secondary battery active material having a silicon oxide as expressed by a general formula Li_2M_1-xD_xSiO_4 (M is one or more selected from Fe, Co, Ni, and Mn; D is one or more selected from Mg, Ca, and Zn; and x satisfies 0<x<1).例文帳に追加

この正極２２は、一般式Ｌｉ_2Ｍ_1-xＤ_xＳｉＯ_4（ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれる１種以上、ＤはＭｇ，Ｃａ，Ｚｎから選ばれる１種以上、ｘは０＜ｘ＜１を満たすものである）で表されるケイ素酸化物を有する非水系二次電池用活物質を備えている。 - 特許庁

R×M pieces of sequence specified by a ZC sequence number r(r=1 to R) and a cyclic shift sequence number m (m=1 to M) are classified into a plurality of sequence groups X (X=1 to R) in accordance with the transmission bandwidth of a reference signal, so that the ZC sequence is allocated to each cell in each sequence group unit.例文帳に追加

ＺＣ系列番号ｒ（ｒ＝１〜Ｒ）と巡回シフト系列番号ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）とで特定されるＲ×Ｍ個の系列をリファレンス信号の送信帯域幅に応じて複数の系列グループＸ（Ｘ＝１〜Ｒ）に分類し、各系列グループ単位でＺＣ系列を各セルに割り当てる。 - 特許庁

In the NOx reduction catalyst, a metal element of a group 6-11 or a metal compound containing the metal element is supported on a proton conductor composed of a compound represented by general formula: M1_x×M2_1-xP_2O_7 (M1 represents a tetravalent metal element, M2 represents a trivalent metal element, and 0.5≤X≤1).例文帳に追加

ＮＯ_x還元触媒は、６〜１１族の金属元素又は該金属元素を含む金属化合物が、一般式：Ｍ１_X・Ｍ２_1-XＰ_2Ｏ_7（Ｍ_1は４価の金属元素、Ｍ２は３価の金属元素、０．５≦Ｘ≦１）で表される化合物からなるプロトン導電体に担持されている。 - 特許庁

(B) A semiconductor film including, from the growth substrate side, a first conductivity type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type second semiconductor layer respectively constituted of Al_xIn_yGa_zN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ z≤1, x+y+z=1) on the growth substrate is formed.例文帳に追加

（ｂ）成長基板上に、成長基板側から、各々Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成される、第１導電型の第１半導体層、活性層、第２導電型の第２半導体層を含む半導体膜を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 17 in the p-channel MIS transistor (Qp) is constituted of a Pt silicide film, where the ratio of Si atoms to Pt atoms is less than 1 (PtSi_x:x<1) in the vicinity of the region adjacent to the gate insulating film 5, and Fermi level pinning of the gate electrode 17 is suppressed.例文帳に追加

ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）のゲート電極１７は、ゲート絶縁膜５と接する領域の近傍において、Ｐｔ原子に対するＳｉ原子の比が１未満（ＰｔＳｉ_x：ｘ＜１）のＰｔシリサイド膜で構成され、ゲート電極１７のフェルミレベルピニングが抑制されている。 - 特許庁

The ultraviolet absorbing resin composition comprises a solvent-type surface active agent represented by formula (1) (wherein X^1 is a sulfonate or a phosphate and n is 0-12) and an ultraviolet absorbing polymer prepared by polymerizing a composition containing a monomer selected from the group of ultraviolet absorbing monomers represented by formula (2).例文帳に追加

紫外線吸収性樹脂組成物は、式（１）［Ｘ^１はスルホン酸塩またはリン酸塩、ｎは０〜１２］で表される溶剤系の界面活性剤と、式（２）に代表される紫外線吸収性単量体の群から選ばれる組成物を重合した紫外線吸収性重合体とを含有する。 - 特許庁

The blue dye mixture comprises a dyestuff represented by structural formula [1] (wherein the dyestuff is a mixture of two kinds of isomers in which one of X^1 and X^2 is NO_2 and the other thereof is OH) or the like.例文帳に追加

下記構造式［１］で示される色素等を含有する青色系染料混合物、並びにこれと構造式［４］で示される色素等を含有する黄色系染料混合物及び／又は構造式［７］で示される色素等を含有する赤色系染料混合物を含有する染料混合物。 - 特許庁

For the alkali dry cell comprising a negative electrode, an electrolyte and a positive electrode containing manganese dioxide and graphite powder, a double oxide of titanium and silicon expressed by the formula (1): Ti_xSi_(1-x)O_2 (in the formula, 0.5≤x<1) is added to the positive electrode.例文帳に追加

負極と、電解質と、二酸化マンガンおよび黒鉛粉末を含む正極とを具備するアルカリ乾電池において、前記正極に、式（１）：Ｔｉ_xＳｉ_(1-x)Ｏ__2（式中、０．５≦ｘ＜１）で表されるチタンケイ素複合酸化物を添加する。 - 特許庁

The current collector material for the solid oxide fuel cell is a perovskite-type oxide expressed by a general formula A (Ni_1-xFe_x)O_3 (A is more than one element selected from a group of rare-earth elements, and the range of x is 0<x<1).例文帳に追加

本発明の固体酸化物形燃料電池用の集電体材料は、一般式Ａ(Ｎｉ_１−ｘＦｅ_ｘ)Ｏ_３（ただし、Ａは希土類元素の群から選ばれる１つ以上の元素であり、ｘの範囲は０＜ｘ＜１である）で表されるペロブスカイト型酸化物である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the single crystal expressed by general formula: KTa_1-XNb_XO_3 (0≤X≤1) by a self-flux method, a magnesia ceramic hardly reacting with a raw material melt or vapor is used for a structure or a tool to be exposed to the high temperature part.例文帳に追加

セルフフラックス法により一般式ＫＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３（０≦Ｘ≦１）単結晶を製造する方法において、高温部分に晒される構造物や冶具を、原料メルトや蒸発物との反応が少ないマグネシアセラミクスを使用することを特徴とする大型カリウム塩単結晶の製造方法。 - 特許庁

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤1, 0<y≤1) quantum well layer and GaNzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the upper part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＮ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。 - 特許庁

The composition for controlling plant diseases comprises an α-alkoxyphenylacetic acid compound represented by formula (1) [wherein X^1 is a methyl group, a difluoromethyl group or an ethyl group; X^2 is a methoxy group or a methylamino group; X^3 is a phenyl group, a 2-methylphenyl group or a 2,5-dimethylphenyl group] and ethaboxam as effective ingredients.例文帳に追加

式（１）〔式中、Ｘ^１はメチル基、ジフルオロメチル基、またはエチル基を表し、Ｘ^２はメトキシ基、またはメチルアミノ基を表し、Ｘ^３はフェニル基、２−メチルフェニル基、または２，５−ジメチルフェニル基を表す。 - 特許庁

The ZnO system transparent conductive film 5 is formed by a multilayer film containing at least a set of laminates to be constituted of a Mg_YZn_1-YO layer 5a (0<Y<1) and an Mg_XZn_1-XO layer 5b (0≤X<1) arranged on the Mg_YZn_1-YO layer 5a.例文帳に追加

ＺｎＯ系透明導電膜５は、Ｍｇ_ＹＺｎ_１−ＹＯ層５ａ（０＜Ｙ＜１）と、この上に配置されたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ層５ｂ（０≦Ｘ＜１）とで構成される１組の積層体を少なくとも含む多層膜で形成されている。 - 特許庁

The run-length value of a unit bit string of a table reference address 'X, X, unit bit string, 0, 0 (b)' (X: 1 or 0) having the unit bit string of a table with a start bit of 0 as part of address information is stored in the run-length conversion table corresponding to the table reference address.例文帳に追加

先頭ビットが０から始まる単位ビット列をアドレス情報の一部として持つテーブル参照アドレス「Ｘ，Ｘ，単位ビット列，０，０（ｂ）」（Ｘは１か０を表す）に対応し、この単位ビット列のランレングス値がランレングス変換テーブルに格納されている。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The Zr precursor is represented by general formula; Zr_x(OR)_yL_z (wherein R is an alkyl group; L is a β-diketonate group; x is 1 or 2; y is 2, 4 or 6; and z is 1 or 2), and is used for depositing thin films of or containing zirconium oxide using an MOCVD technique.例文帳に追加

一般式: Zr_x(OR)_yL_z (式中、Rはアルキル基であり; Lはβ-ジケトネート基であり; x = 1又は2であり; y = 2、4又は6であり; z = 1又は2である。）を有する、MOCVD法を用いて酸化ジルコニウムの薄膜又は酸化ジルコニウムを含む薄膜を堆積させるのに用いるジルコニウム前駆物質。 - 特許庁

A GaN substrate 28 according to the present invention comprises a substrate 14 of GaN monocrystal, an intermediate layer 24 of AlGaN(0<x≤1) formed on the substrate 14 by epitaxial growth, and an upper layer 26 of GaN formed on the intermediate layer 24 by epitaxial growth.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The HGF production promoter, as an active ingredient, contains a compound having a skeleton expressed by general formula (1), wherein R^1 to R^6 each independently represent H or a 1-3C alkyl; and X^1 and X^2 each independently represents an ethylene group or vinylene group.例文帳に追加

下記一般式（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は、各々独立に、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｘ^１およびＸ^２は、各々独立に、エチレン基またはビニレン基を示す）で表される骨格を有する化合物を有効成分とする肝細胞増殖因子産生促進剤である。 - 特許庁