「X=1」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the formula, Ar^1 to Ar^3 represent an aromatic residue, R^1 to R^8 represent H, an alkyl group or an aryl group, X^1 represents a substituent having 3-7C branched alkyl structure, and n^1 and n^2 represent 1 to 5.例文帳に追加

（Ａｒ^１〜Ａｒ^３は芳香族残基を、Ｒ^１〜Ｒ^８はＨ，アルキル基又はアリール基を、Ｘ^１はＣ３〜７の分岐アルキル構造を有する置換基を、ｎ^１〜ｎ^２は１〜５を表わす。） - 特許庁

A plurality of video signal wirings X (1 to n) and a signal line driving circuit 15 which supplies a signal wiring current to the respective video signal wirings are provided.例文帳に追加

複数の映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）と、各映像信号配線に信号配線電流を供給する信号線駆動回路１５とが設けられている。 - 特許庁

At the time of verification, the hash of the signed data included in the newest signature extended document (x+1) 107 are compared with the hash of signed data obtained by calculation to verify the hash of the signed data.例文帳に追加

検証の際には、最新の署名延長証書（ｘ＋１）１０７に含まれる署名付きデータのハッシュと、計算によって得られる署名付きデータ１０４のハッシュを比較し、検証する。 - 特許庁

The iron oxide-based yellow pigment is manufactured by firing Al-substituted Zn ferrite having a structure of Zn(Fe_(1-x)Al_x)_2O_4 (where 0<x<1) at 500-1,400 °C.例文帳に追加

本発明にかかる酸化鉄系黄色顔料は、Ｚｎ（Ｆｅ_(1-x)Ａｌ_x）_2Ｏ_4（ただし０＜ｘ＜1）なる構造をもつＡｌ置換Ｚｎフェライトを、５００℃〜１４００℃において焼成することにより製造することができる。 - 特許庁

A storage means 27 stores addresses of terminals 1-x (x=1, 2,..., n) connected to the private network 4 and a port number corresponding to the service provided by the terminal 1-x in advance.例文帳に追加

記憶手段２７に予めプライベートネットワーク４に接続される端末装置１—ｘ（ｘ＝１、２、…、ｎ）のアドレスと該端末装置１—ｘが提供するサービスに対応するポート番号を登録しておく。 - 特許庁

The molten salt contains anions composed of more than one kind of ion which is represented by the general, chemical structural formula (1) and has a different combination of X^1 and X^2.例文帳に追加

また溶融塩は、アニオンとして、一般的な化学構造式が下記（１）式で表されるイオンの内、Ｘ^1及びＸ^2の組合せが互いに異なる複数種類のイオンを含んでいる。 - 特許庁

In a magnetic sensor, a semiconductor intermediate layer 13 is formed between an InxGa1-xAsySb1-y (0<x≤1 and 0≤y≤1) thin film 2 and a protective film 11 composed of an inorganic insulating layer.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）薄膜と無機質絶縁層である保護膜との間に半導体中間層が形成されている磁気センサーである。 - 特許庁

This single crystal substrate is configured by forming a new surface 2a as a (0001) face by carrying out the epitaxial growth of a zirconium boride titanium layer 2 constituted of Zr_1-xTi_xB_2(0<x≤1) on the main surface 1a of a substrate 1.例文帳に追加

基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。 - 特許庁

A cathode composition for a lithium-ion battery is expressed in a formula: Li[M^1_(1-x)Mn_x]O_2 where 0<x<1 and M^1 represents one or more metal elements, however, M^1 is a metal element other than chromium.例文帳に追加

式Ｌｉ［Ｍ^1_(1-x)Ｍｎ_x］Ｏ_2を有し、０＜ｘ＜１であり、Ｍ^1が１つ以上の金属元素を表すが、ただし、Ｍ^1がクロム以外の金属元素である、リチウムイオン電池用カソード組成物。 - 特許庁

The amount of the supported molybdenum is 2 to 12% by weight relative to the amount of the whole catalyst obtained after calcining, and the amount of the supported copper relative to the supported molybdenum in terms of molar ratio (Cu:Mo=X:1) is from 0.01 to 0.8.例文帳に追加

前記モリブデンは前焼成後のモリブデンの担持量が触媒全体量に対して２〜１２重量％となると共に前記銅はモリブデンとのモル比Ｃｕ：Ｍｏ＝Ｘ：１の比率が０．０１〜０．８となるように担持するとよい。 - 特許庁

In general formula I, M indicates a transition metal atom of the group 4 of the Periodic Table of Elements; Q indicates a divalent substituent; and X^1 and X^2 indicate a monovalent anionic ligand.例文帳に追加

ここでＭは、元素の周期律表４族の遷移金属原子、Ｑは２価の置換基、Ｘ^１およびＸ^２は１価の陰イオン系配位子である。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor means a compound expressed by general formula: In_xGa_yAl_zN (wherein, x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤z≤1).例文帳に追加

一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物を意味する窒化物系化合物半導体。 - 特許庁

The obtained silicon oxide becomes noncrystalline SiO_x (x<1) which does not show a diffraction peak derived from metal silicon and silicon dioxide in X-ray diffraction measurement.例文帳に追加

得られた珪素酸化物は、Ｘ線回折測定において金属珪素および二酸化珪素に由来する回折ピークを示さない、非結晶質のＳｉＯ_x（ｘ＜１）となる。 - 特許庁

The silane triflate can include H_XSi(OSO_2CF_3)_4-x or H_XSi(OSO_2C_4F_9)_4-x wherein x=1 or 2.例文帳に追加

該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。 - 特許庁

In formula (I), X^1 is a substituted or unsubstituted cycloalkyl group or aryl group; R^1 is a monovalent hydrocarbon group; and m and n are each independently an integer of 1 or more.例文帳に追加

但し、式（Ｉ）中、Ｘ^１は置換又は未置換のシクロアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ^１は１価の炭化水素基を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に１以上の整数を示す。 - 特許庁

The cathode 22 contains a cathode active material expressed in a general formula: Li_2Mn_1-xD_xSiO_4 (D is a divalent ion with a smaller ion radius than that of Mn, and x satisfies 0<x<1).例文帳に追加

この正極２２には、一般式Ｌｉ_2Ｍｎ_1-xＤ_xＳｉＯ_4（ＤはＭｎよりもイオン半径が小さい２価イオン，０＜ｘ＜１）で表される正極活物質が含まれている。 - 特許庁

In the method for producing SiO_x (x<1), a raw material generating an SiO gas is vaporized by plasma heating to be formed into SiO gas, then the SiO gas is deposited as a silicon oxide.例文帳に追加

ＳｉＯガスが発生する原料をプラズマ加熱により気化させてＳｉＯガスとした後、珪素酸化物として析出させることを特徴とするＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法である。 - 特許庁

At least part of the n+ type layer D3 is comprised of a silicon-carbide mixture (Si_1-xC_x(0<x<1)) and the p+ type layer D1 is comprised of silicon (Si).例文帳に追加

ｎ＋型層Ｄ３の少なくとも一部がシリコン−カーバイド混合物（Ｓｉ_１−ｘＣ_ｘ（０＜ｘ＜１））で構成され、ｐ＋型層Ｄ１がシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

On a portion of a substrate 10 made of n-type GaAs, a composition modulation buffer layer 20 made of n-type GaAs_xN_1-x (0≤x≤1) mixed crystal is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上の一部に、ｎ型ＧａＡｓ_ｘＮ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）混晶からなる組成変調バッファ層２０が形成されている。 - 特許庁

The n-type-layer-side cladding layer 103 is a superlattice layer having a periodic structure of In_yGa_1-yN (0<y<1) layer 131, Al_xGa_1-xN (0<x<1) layer 132 and a GaN layer 133.例文帳に追加

ｎ層側クラッド層１０３は、Ｉｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）層１３１、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２、及び、ＧａＮ層１３３の周期構造から成る超格子層である。 - 特許庁

The anode active material for a nonaqueous electrolyte secondary battery contains a compound, having a crystal lattice structure expressed in general formula: M_xP (M: a transition metal x≥1), and is indexed as a C22(Fe_2P)-type by Strukturbericht designation.例文帳に追加

一般式Ｍ_ｘＰ（Ｍ：遷移金属、ｘ≧１）で表され、Strukturbericht designationによりＣ２２（Ｆｅ_２Ｐ）型に指標付けられる結晶格子構造を有する化合物を含有することを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質である。 - 特許庁

At least one of the first and second conductivity-type clad layers is an In_xAl_yGa_(1-x-y)N layer (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1), and the dispersion in the thickness lies within 6%.例文帳に追加

第１および第２導電型クラッド層の少なくとも一方がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）であり、厚みのばらつきが６％以内である。 - 特許庁

The ferrite particle contains as a principal component a material represented by the general formula: Mn_xFe_3-xO_4 (wherein 0≤x≤1), and has a surface roughness of 0.4 to 0.6 μm and a saturation magnetization of 60 emu/g or more.例文帳に追加

一般式Ｍｎ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４（但し、０≦ｘ≦１）で表される材料を主成分とし、粒子の表面粗さを０．４〜０．６μｍの範囲とし、飽和磁化を６０ｅｍｕ／ｇ以上とする。 - 特許庁

To a composition of (Ba,Sr)TiO3, materials such as Ca1-x-yBaxSryTi1-zCrzO3-δNp are included, where 0<x<1, 0<y<1, 0≤z≤0.01, 0≤δ≤1, 0≤p≤1.例文帳に追加

（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３の組成物には、Ｃａ１−ｘ−ｙＢａｘＳｒｙＴｉ１−ｚＣｒｚＯ３−δＮｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。 - 特許庁

The ferrite particle comprises a material expressed by compositional formula Mg_XFe_3-XO_4 (provided that 0≤X<1) as the principal component and contains Si as well, further Mg and Si are made exist at the same site of the surface of the particle.例文帳に追加

組成式Ｍｇ_ＸＦｅ_３−ＸＯ_４（但し、０≦Ｘ＜１）で表わされる材料を主成分とすると共にＳｉを含有させ、粒子表面の同一箇所にＭｇとＳｉとを存在させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystal which uniformizes the thickness of In_xAl_yGa_(1-x-y)N crystal (0≤x<1, 0≤y<1, 0<x+y≤1), and improving the growth speed, and to provide a method of manufacturing a light-emitting element.例文帳に追加

Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Herein, x is 0<x<1; M is at least one or more elements selected from Mn, Ti and Zr; and M' is at least one or more elements selected from Ni, Co, Mn, Fe, Ti, Zr, Al, Mg, Cr and V.例文帳に追加

なお、ｘは０＜ｘ＜１であり、ＭはＭｎ、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれる１種類以上の元素であり、Ｍ’はＮｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｖから選ばれる１種類以上の元素である。 - 特許庁

The compositions of the (Ba, Sr)TiO_3 include the materials such as Ca_1-x-yBa_xSr_yTi_1-zCr_zO_3-δN_p, wherein 0<x<1; 0<y<1; 0≤z≤0.01; 0≤δ≤1; 0≤p≤1.例文帳に追加

（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_１−ｘ−ｙＢａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。 - 特許庁

The active matrix display device is provided with a plurality of scanning signal lines, a plurality of video signal lines X(1 to n), and a signal line driving circuit 15 which supplies video signal currents to the respective video signal lines.例文帳に追加

複数の走査信号線と、複数の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）と、各映像信号線に映像信号電流を供給する信号線駆動回路１５とが設けられている。 - 特許庁

The synthetic tourmaline is composed of a tourmaline having a composition of Na(Zn1-xFex)3Al3(BO3)3(Si6O18) (OH)4(wherein, 0≤x<1) and a binder (for example, lead free frit) for bonding the powder of the tourmaline.例文帳に追加

白色又は淡色の合成電気石は、Ｎa(Ｚｎ_1-xＦｅ_x)_3Ａl_3(ＢＯ_3)_3(Ｓi_6Ｏ_18)(ＯＨ)_4（ここに０≦ｘ＜１）の組成からなる電気石の粉末と、この電気石の粉末を結合するバインダー（たとえば無鉛フリット）とからなる。 - 特許庁

On the assumption that the delay time of each pulse in an input signal xi has the normal distribution of N(x, 1), a multiplication block 20 calculates a numerical value according to the normal distribution of N(wx, 1) while using a correspondence coefficient (w) of coupling.例文帳に追加

入力信号ｘ_i の各パルスの遅延時間がＮ（ｘ，１）の正規分布に従うことを前提とし、乗算ブロック２０が、対応する結合係数ｗを用いて、Ｎ（ｗｘ，１）の正規分布に従う数値を算出する。 - 特許庁

This silane derivative is represented by the general formula [1], wherein, n is an integer of 1 to 20; R^1 to R^10 are each H, an alkyl, or the like; X^1 to X^3 are a halogen or an alkoxy; Y is an ester bond, or the like.例文帳に追加

（式中ｎは１〜２０の整数を表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は水素原子、アルキル基などを表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はハロゲン、アルコキシ基を表し、Ｙはエステル結合などを表す。） - 特許庁

If the composition of the body-centered cubic crystal NiFeCr layer 10 as a base layer is expressed by (Ni1-xFex)1-yCry, 0<x<1, and 0.32<y<0.38 are satisfied in the GMR head.例文帳に追加

下地層としての体心立方晶ＮｉＦｅＣｒ層１０の組成が、（Ｎｉ１−ｘＦｅｘ）１−ｙＣｒｙと表記すると、０＜ｘ＜１、且つ０．３２＜ｙ＜０．３８ であるＧＭＲヘッド。 - 特許庁

Lattice constants of the first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers 14a, 14b and 14c are matched with lattice constants of the first and second material layers 15, 16 and 17 on them.例文帳に追加

第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの格子定数はその上の第１、第２の材料層１５，１６，１７の格子定数に整合されている。 - 特許庁

and/or a compound expressed by general formula (2): Mg_xAl_yO_x+1.5y (x and y satisfy: 0<y/x≤1) in specified amounts, and (F) an inorganic filling material other than the components (D) and (E) as essential components.例文帳に追加

Ｍｇ_ａＡｌ_ｂ（ＯＨ）_２ａ＋３ｂ−２ｃ（ＣＯ_３）_ｃ （１） （ただし、上記一般式（１）中、０＜ｂ／ａ≦１、０≦ｃ／ｂ＜１．５） Ｍｇ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｘ＋１．５ｙ （２） （ただし、上記一般式（２）中、０＜ｙ／ｘ≦１） - 特許庁

The detection output of the unstable state is obtained by comparators 111 to 114 and a logic circuit 120, when the ratio representing unbalances at the maximum values on the plus side and the minus side continues for a fixed time within a fixed value range X (1>X>0).例文帳に追加

次に比較器１１１−１１４、論理回路１２０により、プラス側とマイナス側の最大値のアンバランスを表す比が所定値範囲Ｘ（１＞Ｘ＞０）で所定時間続いた場合、不安定状態の検出出力を得る。 - 特許庁

In the formula, X^1, X^2, and X^3 independently represent a group such as an aryl group which may have -SO_3Y^1, -COOY^2, -P(O)(OY^3)_2, or -OY^4, or a hydrogen atom.例文帳に追加

（式中、Ｘ^1、Ｘ^2、およびＸ^3は、それぞれ独立に、−ＳＯ_3Ｙ^1、−ＣＯＯＹ^2、−Ｐ（Ｏ）（ＯＹ^3）_２、もしくは−ＯＹ^4を有してもよいアリール基などで表される基または水素原子を表す。） - 特許庁

The active material of a cathode 1 is a metal oxide expressed by Na_x M1_y M2_1-yO_2 (where, M1=Fe or Ni, M2=Mn or Ti, and 0<x≤1, 0<y<1).例文帳に追加

正極１の活物質は、Ｎａ_x Ｍ１_y Ｍ２_１−ｙＯ_2 （但し、Ｍ１はＦｅ又はＮｉ、Ｍ２はＭｎ又はＴｉ、０＜ｘ≦１、０＜ｙ＜１）で表される金属酸化物である。 - 特許庁

Wherein, Z is S or the like; X is CR^4 or the like; X^1 is O, S or the like; and R is CONR^5R^6, CO_2R^5, NR^5R^6, NR^5SO_2R^6, SO_2NR^5R^6 or the like.例文帳に追加

（式中、ＺはＳ，ＸはＣＲ^４，Ｘ^１はＯ，Ｓ，Ｒは−ＣＯＮＲ^５Ｒ^６，−ＣＯ_２Ｒ^５，−ＮＲ^５Ｒ^６，−ＮＲ^５ＳＯ_２Ｒ^６，−ＳＯ_２ＮＲ^５Ｒ^６等を示す。） - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate, which is reduced in defects and is self-contained and is expressed by the formula InxGayAlzN, (where x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1) and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

欠陥が低減された、自立しているＩｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the general formulae (1) and (2), X^1 and X^2 are each independently a 1C-10C alkylene group, a group represented by a general formula (3), a group represented by the formula: -SO_2- or -CO-, an oxygen atom or a single bond.例文帳に追加

式（１）及び式（２）中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキレン基、下記一般式（３）で表される基、式「−ＳＯ_２−」若しくは「−ＣＯ−」で表される基、酸素原子、又は単結合である。 - 特許庁

The amount of molybdenum supported by the zeolite is 2 to 12% by weight relative to the whole catalyst subsequent to its calcination, and the molecular ratio of copper relative to molybdenum each supported by the zeolite, namely X as defined by the equation: (Cu:Mo=X:1), is 0.01 to 0.8.例文帳に追加

前記モリブデンはその担持量が焼成後の触媒全体量に対して２〜１２重量％となると共に前記銅はモリブデンとのモル比Ｃｕ：Ｍｏ＝Ｘ：１の比率が０．０１〜０．８となるように担持するとよい。 - 特許庁

Between the second GaP light extraction layer 90 and the light emitting layer 24, a connection layer 91 composed of GaAs_XP_1-X (where, X is GaAs mixed crystal ratio: 0<X<1) is provided.例文帳に追加

そして、第二のＧａＰ光取出層９０と発光層部２４との間に、ＧａＡｓ_ＸＰ_１−Ｘ（ただし、ＸはＧａＡｓ混晶比：０＜Ｘ＜１）からなる接続層９１を設ける。 - 特許庁

A thickness Y of the conductive material layer 22 and a thickness X of the dots 26 satisfy conditions of 0.5 μm≤X≤1 μm, 0.01 μm≤Y≤0.5 μm, and Y≤1/2X.例文帳に追加

導電材料層２２の厚みＹおよびドット２６の厚みＸは、０．５μｍ≦Ｘ≦１μｍ、０．０１μｍ≦Ｙ≦０．５μｍ、かつＹ≦１／２Ｘの条件を満たす。 - 特許庁

The field effect transistor is formed from single crystal film, as a channel layer, comprised of complex oxide expressed in the following chemical formula: Ca_1-xCe_xMnO_3 (where, x is a real number satisfying 0≤x<1).例文帳に追加

化学式がＣａ_１−ｘＣｅ_ｘＭｎＯ_３（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満たす実数である）で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として、電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁