「Zn-doped」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Silicon and boron are doped in an amount of 1×1017 to 2×1018/cm3 and 1×1018 to 5×1018/cm3, respectively, into the Zn-doped GaAs.例文帳に追加

ＺｎドープＧａＡｓ中に、１×１０^17〜２×１０^18ｃｍ^-3の濃度のシリコンと１×１０^18〜５×１０^18ｃｍ^-3の濃度のホウ素を含有させる。 - 特許庁

The p-type first buried layer 70a_1 is composed of InP doped with n-type impurities and p-type impurities (Zn).例文帳に追加

ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１は、ｎ型不純物及びｐ型不純物（Ｚｎ）がドープされたＩｎＰからなる。 - 特許庁

A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、ＣｄがドープされたＧａＮまたはＡｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を、この層に使用することができる。 - 特許庁

A Zn-doped InP layer 14 is formed on the active layers 12a and 12b of the optical elements 21 and 22, respectively.例文帳に追加

これらの光素子の活性層１２ａ、１２ｂ上には、ＺｎドープＩｎＰ層１４が形成されている。 - 特許庁

Since only the outermost surface is doped with the Zn, there is little time for occurring diffusion by heat, so that no problem occurs.例文帳に追加

Ｚｎは、最表面でのみドープされているため、熱による拡散が起きる時間もほとんど無いため、問題が起きることは無い。 - 特許庁

Further, by providing a contact layer where a carbon is doped by a specified amount at a place comprising Zn and the like, a contact resistance to an ITO electrode is reduced.例文帳に追加

さらに、Znなどを用いた場所定量の炭素をドーピングしたコンタクト層を設けることにより、ＩＴＯ電極との接触抵抗を低下させることができる。 - 特許庁

The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius.例文帳に追加

井戸層は、Ｚｎと、Ｏと、Ｏ以外のＶＩ族元素であるＳとからなり、かつＺｎよりもイオン半径の小さいｎ型不純物元素である、Ｂ、Ａｌ、又はＧａがドーピングされている。 - 特許庁

Since Zn doped in the heavily doped p-type first clad layer 8 can be diffused to the first undoped layer 7 and the second undoped layer 9, thickness of the first undoped layer 7 can be reduced.例文帳に追加

このため、高濃度ｐ型第１クラッド層８にドープされたＺｎの拡散を第１アンドープ層７と第２アンドープ層９とに分散させることができるので、第１アンドープ層７の厚みを小さくすることができる。 - 特許庁

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

P^--type semiconductor layers 23 consisting of InP doped in low concentration with Zn, P^+-type semiconductor layers 25 consisting of InP doped in high concentration with Zn, and semiconductor layers 27 consisting of InP doped with Si are stacked sequentially and embedded on both sides of this waveguide structure so as to form a current throttling region.例文帳に追加

この光導波路構造の両側に、Ｚｎを低濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^−型半導体層２３、Ｚｎを高濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^＋型半導体層２５、およびＳｉをドープしたＩｎＰからなるｎ型半導体層２７が順次積層され、埋め込まれ電流狭窄領域を形成している。 - 特許庁

The Zn-doped group 3B nitride crystal has specific resistance of not less than 1×10^2 Ω cm, Zn concentration of from 1.0×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 in the group 3B nitride crystal, and etch pit density of not more than 5×10^6/cm^2.例文帳に追加

本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０^2Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２×１０^19ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下、エッチピット密度が５×１０^6／ｃｍ^2以下のものである。 - 特許庁

In a GaN substrate 100, the light output surface 103 side is doped with Si having a concentration of 1×10^19 /cm^3 to form a yellow region emitter 101, and the epitaxial growth surface side is doped with Si and Zn both having a concentration of 1×10^19 /cm^3 to form a blue region emitter 102.例文帳に追加

ＧａＮ基板１００中の光出力面１０３側にＳｉを１×１０^19/cm^3濃度に添加して黄色領域発光部１０１を形成し、エピタキシャル成長面側にＳｉとＺｎを共に１×１０^19/cm^3濃度添加した青色領域発光部１０２を形成した。 - 特許庁

The p type cladding layer 20 has a first part 2 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows; a second part 3 consisting of an AlGaInP layer doped with Zn with low concentration when it grows; and a third part 4 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows from the side of the active layer 1.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 - 特許庁

Zn and Be are doped simultaneously as p-type dopant of a p-type AlGaAs active layer 2 and a p-type AlGaAs clad layer 3 in an AlGaAs light emitting diode.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系発光ダイオードにおけるｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層２、およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３のｐ型ドーパントとして、ＺｎとＢｅを同時にドープするようにした。 - 特許庁

An outermost surface of a p-type semiconductor multilayer film reflecting mirror 7 consists of a GaAs layer that grows after doped with Zn by 1.0 E 10 cm^-3 with the use of, for example, DMZn (dimethyl zinc) as a dopant.例文帳に追加

ｐ型半導体多層膜反射鏡７の最表面は、例えばＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）をドーパントとして用い、Ｚｎを１．０Ｅ１９ｃｍ^-3ドープして成長したＧａＡｓ層からなっている。 - 特許庁

Since a region doped heavily with Zn can be located in the vicinity of the active layer 5, carriers can be confined sufficiently in the active layer 5, resulting in enhancement of the element characteristics.例文帳に追加

これにより、Ｚｎ濃度が高濃度に維持された高濃度領域を活性層５の近傍に位置するように構成することができるので、活性層５に十分にキャリアを閉じ込めることができ、その結果、素子特性を向上させることができる。 - 特許庁

The memory layer 17 is doped with an ion conduction material such as Te or the like, Cu, Ag, Ge or Zn as a metal element, and, further, any one from a group of Si, Zr, Al, Ti and Cr.例文帳に追加

記憶層１７は、Ｔｅなどのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ，Ａｇ，ＧｅまたはＺｎ、更に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，ＴｉおよびＣｒのうちのいずれか１種が添加されている。 - 特許庁

In addition, the second dopant is doped, so that the number of atoms is higher than the concentration of Zn vacancy (about 10^18 cm^-3 or more) and the concentration in the ZnTe-based compound crystal is 1% or less.例文帳に追加

また、前記第２のドーパントを、原子個数でＺｎ空孔の濃度以上（〜１０^１８ｃｍ^−３以上）、かつ、前記ＺｎＴｅ系化合物結晶中の濃度が１％以下となるようにドーピングするようにした。 - 特許庁

To provide an epitaxial crystal that can be manufactured utilizing an organic metal vapor phase growth method, and has a modulation doped structure with less Zn diffusion into an adjacent layer, and to provide a light-receiving element.例文帳に追加

有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Zn-doped GaAs single crystal wafer which has a suppressed average dislocation density nearly equal to that of a silicon dope-type wafer, and thereby, can be used as a substrate for semiconductor laser for an optical pick-up, or the like.例文帳に追加

シリコンドープ型ウエハ並みに平均転位密度を低く抑制し、これによって光ピックアップ用半導体レーザの基板等への適用を可能にしたＺｎドープＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

In the semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency; a clad layer 4, adjoining a substrate side of an active layer 5 is doped with diffusion impurities Zn so that the diffusion coefficient of the diffusion impurities becomes large in a portion doped with the diffusion impurities, thereby the impurities are prevented from accumulation in the active layer 5 of the impurities are restrained.例文帳に追加

ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。 - 特許庁

The phosphor film is a phosphor film wherein a zinc sulfide compound is doped with additive elements, and the concentration of the additive elements is 0.2-5 mol% based on the Zn, and the film thickness of the phosphor film is 10 nm to 2 μm.例文帳に追加

本発明による蛍光体膜は、硫化亜鉛化合物中に添加元素を含んでなる蛍光体膜であって、該添加元素の濃度は、Ｚｎに対して、０．２モル％以上５モル％以下であり、当該蛍光体膜の膜厚は、１０ｎｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

The carbon doped semiconductor film 1 is made of a film obtained by doping carbon onto a (1-101) surface 21 that is a nitrogen surface in a nitride semiconductor 2 formulated by a general expression of In_xGa_yAl_zN (wherein x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1).例文帳に追加

一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物半導体２における窒素面である（１−１０１）面２１に、カーボンをドーピングすることにより得られる膜からなるカーボンドープ半導体膜１。 - 特許庁

An acceptor doped layer or/and an active function layer among thin films constituting the ZnO-based semiconductor element is/are not formed of ZnO alone, but formed of a Zn-based compound containing ZnO and other elements.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体素子を構成する薄膜のうち、アクセプタドープ層又はアクティブ機能層のいずれか、あるいは、アクセプタドープ層及びアクティブ機能層の両方をＺｎＯ単体で構成せずに、ＺｎＯと他の元素を含むＺｎＯ系化合物で構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁

As the zinc-doped yttrium oxide sintered compact has such a constitution that zinc (Zn) is segregated in each grain boundary (crystal interface) formed by an infinite number of yttrium oxide single crystal grains constituting the sintered compact, the sintered compact has such a dense structure that the relative density is ≥90%, approximately 90 to 99% or higher.例文帳に追加

本発明の亜鉛ドープ酸化イットリウム焼結体は、焼結体を構成する無数の酸化イットリウム単結晶体により形成される粒界（結晶界面）に亜鉛（Ｚｎ）が偏析している構成となるので、相対密度が９０％以上、概ね９０〜９９％あるいはそれ以上と緻密な構造となる。 - 特許庁