「a NAND」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Configured as a series of nand gates.例文帳に追加

ナンドゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

To provide a NAND flash memory device and a method of reading the NAND flash memory device.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びその読み取り方法を提供すること。 - 特許庁

It's an array of floating gate transistors, configured as a series of nand gates.例文帳に追加

これはフローティングゲートの トランジスタのアレイだ nandゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

It's an array of floating gate transistors, configured as a series of nand gates.例文帳に追加

これはフローティングゲートの トランジスタのアレイだ NANDゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

This invention is applicable, for example, to reading of data from a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、例えば、NAND型フラッシュメモリからのデータの読み出しに適用できる。 - 特許庁

A host computer 10 having an SDRAM I/F and a first data buffer and an SDRAM 12 are connected to a system bus 11, and a NAND flash memory 13 is connected to the system bus 11 through a NAND memory controller 20.例文帳に追加

SDRAM I/F および第１のデータバッファを有するホストコンピュータ１０、SDRAM １２がシステムバス１１に接続され、システムバスにはNANDメモリコントローラ２０を介してNANDフラッシュメモリ１３が接続されている。 - 特許庁

An inverter INV1 and the NOR-NAND circuit NND2 configure a data storage section HD1, and an inverter INV2 and the NOR-NAND circuit NND4 configure a data storage section HD2.例文帳に追加

インバータINV1とNOR-NAND回路NND2とでデータ保持部HD1を構成しており、インバータINV2とNOR-NAMD回路4とでデータ保持部HD2が構成されている。 - 特許庁

The memory card with a memory module having a NAND flash ROM 18 and a FeRAM 20 uses the NAND flash ROM 18 as its main memory and the FeRAM 20 as the cache memory of the main memory.例文帳に追加

NAND flash ROM１８とＦｅＲＡＭ２０とを備えるメモリモジュ−ルを具備するメモリカ−ドであって、NAND flash ROM１８をメインメモリとして用い、当該メインメモリのキャッシュメモリとしてＦｅＲＡＭ２０を用いる。 - 特許庁

Each memory device includes a memory, such as a NAND-type flash memory, a NOR-type flash memory, a RAM, and a static RAM.例文帳に追加

各メモリデバイスは、例えばNANDタイプフラッシュメモリ、NORタイプフラッシュメモリ、ＲＡＭ及びスタティックＲＡＭ等のメモリを含む。 - 特許庁

A NAND flash memory device includes an array of NAND flash memory cells; a plurality of word lines connected to the NAND flash memory cells; and a plurality of bit lines connected to the NAND flash memory cells.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置はＮＡＮＤフラッシュメモリセルアレイ、ＮＡＮＤフラッシュメモリセルに接続された複数のワードライン、そしてＮＡＮＤフラッシュメモリセルに接続された複数のビットラインを含む。 - 特許庁

To provide a NAND flash-memory interface device interfacing between a host processor and a NAND flash memory.例文帳に追加

ホストプロセッサとＮＡＮＤフラッシュメモリとの間をインタフェースするＮＡＮＤフラッシュメモリインタフェース装置を提供する。 - 特許庁

At an end in the row direction of a cell array of NAND cells in which selection gate transistors having a stacked gate structure are connected in series to a plurality of memory cell transistors having a stacked gate structure on a semiconductor substrate 30 of an NAND type flash memory, an STI region 20 is formed in the column direction, and dummy NAND cells are formed at an end portion in the row direction.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの半導体基板30上に積層ゲート構造を有する複数のメモリセルトランジスタに直列に積層ゲート構造を有する選択ゲートトランジスタを接続したNANDセルのセルアレイの行方向端には列方向にSTI 領域20が形成され、行方向端部にダミー用NANDセルが形成されている。 - 特許庁

The delay circuit part 30 is reset in a short time for the four stages of NAND gate 31-NAND gate 37.例文帳に追加

遅延回路部は、ＮＡＮＤゲート３１〜ＮＡＮＤゲート３７の４段分の短時間でリセットされる。 - 特許庁

To provide the refresh method of a NAND type flash memory device which does not apply an excessive load to the controller of the device.例文帳に追加

デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。 - 特許庁

A NAND-type flash memory device comprises a plurality of row selectors.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数の行選択器を含む。 - 特許庁

A memory card 1 has a controller 4 and a NAND type flash memory 3.例文帳に追加

メモリカード１は、コントローラ４とＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３とを有する。 - 特許庁

The electronic device includes a NAND flash memory, a processing unit, and a program memory.例文帳に追加

電子デバイスは、ＮＡＮＤフラッシュ、処理ユニットとプログラムメモリを有する。 - 特許庁

The control gate operates a cell array in NAND arrangement.例文帳に追加

制御ゲートがセルの配列をＮＡＮＤ構成で動作する。 - 特許庁

To enable early detection of degradation in a NAND flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリの劣化早期検知を提供する。 - 特許庁

A NAND gate 311 generates a sampling pulse N 1 indicating NAND of the output signals Q 1 and Q 2.例文帳に追加

ＮＡＮＤゲート３１１は、これらの出力信号Ｑ１，Ｑ２の否定論理積を示すサンプリングパルスＮ１を生成する。 - 特許庁

The precharge circuit includes a second transistor and a NAND circuit.例文帳に追加

また、プリチャージ回路は、第２のトランジスタと、ＮＡＮＤ回路と、を含む。 - 特許庁

On a substrate (or well) 12, a NAND cell unit is formed.例文帳に追加

基板（又はウェル）１２上には、ＮＡＮＤセルユニットが形成される。 - 特許庁

The pre-charge circuit includes a second transistor and a NAND circuit.例文帳に追加

また、プリチャージ回路は、第２のトランジスタと、ＮＡＮＤ回路と、を含む。 - 特許庁

An output signal ZA from an NAND 48a is supplied to a first input of an NAND 48b as well as to a second input of the NAND 48b through a delay circuit.例文帳に追加

ＮＡＮＤ４８ａの出力信号ＺＡを、ＮＡＮＤ４８ｂの第１入力に与えると共に遅延回路を介してこのＮＡＮＤ４８ｂの第２入力に与える。 - 特許庁

An output signal ZB of the NAND 48b is supplied to a first input of the NAND 48a as well as a second input of the NAND 48a through a delay circuit.例文帳に追加

また、ＮＡＮＤ４８ｂの出力信号ＺＢを、ＮＡＮＤ４８ａの第１入力に与えると共に遅延回路を介してこのＮＡＮＤ４８ａの第２入力に与える。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory element and its driving method.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The NAND gate 23 outputs a monitor signal M-0 of a H level.例文帳に追加

ＮＡＮＤゲート２３は，Ｈレベルのモニタ信号Ｍ＿０を出力する。 - 特許庁

The first to the third logic gate may be a NAND gate or a NOR gate.例文帳に追加

第1ないし第3ロジックゲートは、各々NANDゲートあるいはNORゲートであり得る。 - 特許庁

A stacked NAND cell array has at least one NAND set including a plurality of NAND strings vertically stacked on the substrate, and at least one signal line.例文帳に追加

積層ＮＡＮＤセルアレイは、基板上に垂直に積層された複数のＮＡＮＤストリングを含む少なくとも１つのＮＡＮＤセットと、少なくとも１本の信号ラインとを有する。 - 特許庁

Such a current cut signal is supplied to a NAND circuit 101 as to cause an AZ control signal to go to a low level at least during a period, in which the AZ control signal is at a high level.例文帳に追加

NAND回路１０１には、少なくともAZ制御信号がHiレベルとなっている期間はLoレベルとなるような電流カット信号が供給される。 - 特許庁

To shorten the time to detect fail bits by identifying the fail bit areas at high speed in the memory cell array of a NAND flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイ中のフェイルビット箇所を高速に同定し、フェイルビット検知時間を短縮する。 - 特許庁

To prevent breakdowns of an insulating film between stacked gates and a gate insulating film of a transistor in an NAND cell, even if an etching residue of a polysilicon film for forming a floating gate is generated in the column direction along a projection side face of an STI region at an end in the row direction of a cell array of an NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのセルアレイの行方向端におけるSTI 領域の突出側面に沿って列方向に浮遊ゲート形成用ポリシリコン膜のエッチング残りが発生しても、NANDセル内のトランジスタの積層ゲート間絶縁膜およびゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁

The comparison circuit 14 is provided with differential circuits D1 to D3, and 2-input NAND gates NAND 21 to NAND 23 and a 3-input NAND gate NAND 24 executes majority decision of output values of the differential circuits D1 to D3 and the comparison circuit 14 provides an output of the result of majority decision.例文帳に追加

比較回路１４には差動回路Ｄ１乃至Ｄ３を設け、２入力のナンドゲートＮＡＮＤ２１乃至ＮＡＮＤ２３及び３入力のナンドゲートＮＡＮＤ２４が、差動回路Ｄ１乃至Ｄ３の出力値の多数決をとって比較回路１４から出力するようにする。 - 特許庁

DRAM devices and SRAM devices have a NAND interface system (interface system in which the same pin is commonly used for an address and data) so as to be coupled directly to a bus (address/data bus and control bus) of a NAND flash memory device connected to a microprocessor.例文帳に追加

本発明によると、DRAM装置及びSRAM装置はマイクロプロセッサーに連結されたNAND型フラッシュメモリ装置のバス（アドレス/データバス及び制御バス）に直接連結されるようにNANDインターフェイス方式（同一のピンがアドレス及びデータに共通に使用されるインターフェイス方式）を有する。 - 特許庁

Logic of the POWER-ON signal and the output signal A is performed by a NAND gate 9, and logic of the output signal and an output signal of the NAND gate 4 is performed by a NAND gate 5.例文帳に追加

ＰＯＷＥＲ−ＯＮ信号と出力信号Ａの論理をＮＡＮＤゲート９でとり、その出力信号とＮＡＮＤゲート４の出力信号との論理をＮＡＮＤゲート５でとる。 - 特許庁

To provide a NAND-type flash memory for suppressing variations in a threshold of a selection transistor in a write operation of the NAND-type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作において、選択トランジスタの閾値の変動を抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The memory card includes a NAND flash memory and a memory controller.例文帳に追加

本発明のメモリーカードは、ＮＡＮＤフラッシュメモリーおよびメモリーコントローラーを含む。 - 特許庁

To provide a highly-integrated vertical NAND channel having a high operation speed, a nonvolatile memory device including the same, and a vertical NAND memory device.例文帳に追加

高集積化され、動作速度が速い垂直ＮＡＮＤチャンネルとこれを含む不揮発性メモリー装置、及び垂直ＮＡＮＤメモリー装置を提供する。 - 特許庁

To shorten a time elapsed until a NAND flash memory is usable.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリが使用できるようになるまでの時間を短縮する。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a NAND string having the vertical structure.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置は垂直構造のＮＡＮＤストリングを含む。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory device and its programming method.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

This NAND flash-memory interface device has a register file, an internal memory, a flash interface part, and a state machine.例文帳に追加

本発明は、レジスタファイル、内部メモリ、フラッシュインタフェース部及びステートマシンを備える。 - 特許庁

The comparator 4 compares the output voltage of the rectifying circuit 2 with the reference voltage Ref3, and outputs the logical value to a NAND circuit 6.例文帳に追加

また、コンパレータ４は、整流回路２の出力電圧とリファレンス電圧Ref3を比較して、論理値をNAND回路６へ出力する。 - 特許庁

The NAND circuit 6 conducts a NAND operation between the logical value output from the inverter 5 and the logical value output from the comparator 4, and outputs the result as a signal-interruption detecting signal.例文帳に追加

NAND回路６は、インバータ５から出力される論理値と、コンパレータ４から出力される論理値との否定論理積演算を行ない、その結果を信号断検出信号として出力する。 - 特許庁

To shorten a required time for a whole write sequence by enabling input operation of write data in parallel with data write operation, in a NAND cell type EEPROM.例文帳に追加

NANDセル型EEPROMにおいて、データ書込み動作中に並行して書き込みデータの入力動作を可能とし、書き込みシーケンス全体の所要時間を短縮する。 - 特許庁