「an sic」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A groove is dug in an SiC substrate, and an electrode is embedded in the groove.例文帳に追加

ＳｉＣ基板に溝を掘り、この溝に電極を埋め込むこと。 - 特許庁

An SiC wafer 12 is temporarily fixed to an Si wafer 18 with a wax 20.例文帳に追加

ＳｉＣウェハ１２をワックス２０でＳｉウェハ１８に仮留めする。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal ingot that can give a high quality substrate with few dislocation defects, and to provide a substrate and an epitaxial wafer obtained from the ingot.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

To improve element characteristics by reducing step bunching of a surface of an SiC epitaxial layer formed on an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層表面のステップバンチングを低減して素子特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor device with improved characteristics, and an apparatus of manufacturing the SiC semiconductor device.例文帳に追加

特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To miniaturize an SiC semiconductor device and to improve the precision of a structural size by obtaining self machining technique for an SiC power MOSFET.例文帳に追加

ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴにおける自己整合技術を得ることで、ＳｉＣ半導体装置の小型化と構造寸法の高精度化を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal stably obtaining an SiC single crystal having a flat growing surface without occurrence of polycrystallization.例文帳に追加

多結晶化を起こすことなく、平坦な成長表面を持つＳｉＣ単結晶が安定して得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which can stabilize breakdown voltage over a wide range of temperature variation, and to provide a manufacturing method for such an SiC semiconductor device.例文帳に追加

広範囲な温度変化に対して耐圧を安定させることが可能なＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing an SiC crystal by a sublimation method, an atmospheric gas for growing the SiC crystal contains He.例文帳に追加

昇華法によりＳｉＣ結晶を製造する方法において、ＳｉＣ結晶を成長する雰囲気ガスがＨｅを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing an SiC single crystal whereby the influence of SiC polycrystals falling onto the inside of a heating vessel is suppressed.例文帳に追加

加熱容器内に落下するＳｉＣ多結晶の影響を抑制できるＳｉＣ単結晶製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。 - 特許庁

To provide a technology which anneals an impurity layer on an SiC substrate without suffering a loss of Si in SiC.例文帳に追加

ＳｉＣ中のＳｉ欠損を発生させずにＳｉＣ基板の不純物層をアニールする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC semiconductor element, capable of maintaining a high-quality element formation region even if subjected to an SiC element forming step.例文帳に追加

ＳｉＣ素子形成工程を経ても高品質な素子形成領域を維持できるＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device having an N-type SiC layer 3, which has a hexagonal crystal structure, a P-type SiC region 4 provided on the main plane of the N-type SiC layer 3, and a P-type conductive layer 6 provided on the surface of the P-type SiC region 4, wherein the P-type SiC region 4 includes cubic structure SiC in the part touching the P-type conductive layer 6.例文帳に追加

六方晶構造を有するＮ型ＳｉＣ層３と、Ｎ型ＳｉＣ層３の主面に設けられたＰ型ＳｉＣ領域４と、Ｐ型ＳｉＣ領域４の表面上に設けられたＰ型導電層６と、を備え、Ｐ型ＳｉＣ領域４のうちのＰ型導電層６に接する部分は、立方晶構造のＳｉＣを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

The composite member is produced by making the substrate by infiltrating molten Mg or molten Mg alloy into an SiC aggregate stored into a molding, further, providing a non-filled region in which SiC is not filled between the die and the SiC aggregate, and forming the metal coating layer by a metal made to exist in the non-filled region.例文帳に追加

鋳型に収納されたSiC集合体に、溶融したMg又はMg合金を溶浸させて上記基板を作製すると共に、鋳型とSiC集合体との間にSiCが充填されない非充填領域を設けて、この非充填領域に存在させた金属により、金属被覆層を形成することで、上記複合部材を製造する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity.例文帳に追加

ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To flatten the surface of an SiC substrate by hydrogen etching.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の水素エッチングにより、基板表面を平坦化させる。 - 特許庁

An Al_2O_3 substrate, a ZnO substrate, and a SiC substrate are used as a substrate.例文帳に追加

基板としてはＡｌ_2 Ｏ_3 基板、ＺｎＯ基板、ＳｉＣ基板などを用いる。 - 特許庁

An SiC layer (106) is formed on a dielectric layer (102).例文帳に追加

誘電体層（１０２）の上に、ＳｉＣ層（１０６）を形成する。 - 特許庁

A Ni layer 12 is formed on an n-type SiC layer 11 (Fig. 1(a)).例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ層１１上にＮｉ層１２が形成される（図１（ａ））。 - 特許庁

An SiC epitaxial layer is formed on the inner wall surface of the trench 91.例文帳に追加

トレンチ溝９１の内壁面にはＳｉＣエピ層が形成されている。 - 特許庁

The surface of SiC may be subjected to an oxidation treatment to form a SiO_2 film.例文帳に追加

ＳｉＣの表面を酸化処理し、ＳｉＯ_２被膜を形成させてもよい。 - 特許庁

After an SiC substrate 10 is set up in a reaction furnace 1, a hydrogen gas is introduced to the furnace 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０を反応炉１に配置し、水素ガスを導入する。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device using an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いた半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A p^+-type gate region 2 is embedded into an SiC substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+型ゲート領域２をＳｉＣ基板１の内部に埋め込んだ構造とする。 - 特許庁

The SiC single crystal is obtained as follows: an SiC exciting- layer 12 is formed by irradiating an SiC layer with an exciting beam 10, and the layer 12 is converted into an SiC single crystal layer 16 by heating the layer 12.例文帳に追加

本発明に係る単結晶ＳｉＣは、ＳｉＣ層に励起ビーム１０を照射してＳｉＣ励起層１２を形成し、このＳｉＣ励起層１２を加熱してＳｉＣ励起層１２をＳｉＣ単結晶層１６に転換させて得られることを特徴としている。 - 特許庁

The SiC film 7 is then etched by using an SiO_2 film 8.例文帳に追加

次いで、ＳｉＯ_２膜８を用いてＳｉＣ膜７をエッチングする。 - 特許庁

An SiC element is used for the switching element 21 for motor drive.例文帳に追加

モータ駆動用スイッチング素子２１にはＳｉＣ素子が使用されている。 - 特許庁

To provide a cleaning method for an SiC epitaxial growth device.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To realize an SiC semiconductor element in which the on-voltage is low.例文帳に追加

低いオン電圧のＳｉＣ半導体素子を実現すること。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal having few anisotropic crystals or heterogeneous polymorphic crystals, allowing cutting out of a large-diameter {0001} plane substrate, and to provide a method for producing the SiC single crystal, and an SiC wafer cut out from such an SiC single crystal.例文帳に追加

異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。 - 特許庁

An SiC film for covering the carbon nanotube and a boron-doped SiC film are obtained by using a chemical reaction between SiO gas and CO gas.例文帳に追加

ＳｉＯガスとＣＯガスとの化学反応を用いることにより、カーボンナノチューブを被覆するＳｉＣ膜およびボロンドープＳｉＣ膜を得る。 - 特許庁

Afterwards, the substrate is heated in a CVD, and an SiC epitaxial growth layer 14 is formed on the SiC balk substrate 11.例文帳に追加

その後、ＣＶＤ炉内で基板を加熱して、ＳｉＣバルク基板１１上にＳｉＣのエピタキシャル成長層１４を形成する。 - 特許庁

To manufacture a SiC single crystal with high yield by achieving an increase in the diameter of a SiC single crystal ingot.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶インゴットの径を大きくできるようにすることで歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a circuit layer having an active element formed in a Si substrate and also includes a SiC layer provided in the lower side of the circuit layer.例文帳に追加

Si基板に形成された能動素子からなる回路層と、前記回路層の下側に設けられたSiC層と、を有する半導体装置など。 - 特許庁

When light is made incident on the n-type SiC layer just below or at a periphery of the conductive oxide layer, the diode functions as an ultraviolet ray detection element.例文帳に追加

導電性酸化物層の直下又は周辺のn形SiC層に光が入射すると、前記ダイオードは紫外線検出素子として機能する。 - 特許庁

An extremely flattened (stabilized) single crystal SiC substrate 15 can be obtained by further applying slight thermal etching to the resulting single crystal SiC substrate 15 after that (e).例文帳に追加

このあと更に若干量熱エッチングすることで、非常に平坦化（安定化）された単結晶ＳｉＣ基板１５を得ることができる（ｅ）。 - 特許庁

To provide a furnace for manufacturing an SiC single crystal in which the polycrystallization of the SiC single crystal can be prevented by suppressing excess degree of supersaturation and optimizing the degree of supersaturation.例文帳に追加

過剰な過飽和度を抑制して適正化することにより多結晶化を防止したＳｉＣ単結晶製造炉を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor which can realize a β-SiC single crystalline thin film of high quality which is excellent in crystallinity.例文帳に追加

β−ＳｉＣ単結晶薄膜を結晶性に優れた高品質なものとし得るＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

A 4H-SiC epitaxial layer 104 is formed to a thickness of 10 or more μm on an SiC wafer 102 by epitaxially growing SiC.例文帳に追加

ＳｉＣウェハ１０２上に、ＳｉＣをエピタキシャル成長させて、４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層１０４を層厚十数μｍ形成する。 - 特許庁

To improve precision of the thickness of an SiC wafer by making small a difference between the maximum thickness and the minimum thickness of the SiC wafer.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの最大厚みと最小厚みとの差を小さくして、ＳｉＣウェハの厚さの精度を向上させる。 - 特許庁

An SiC single crystal thin film of a single phase which comprises no anti-phase boundary (APB) and has less crystal defect can be formed on account of this anisotropy.例文帳に追加

この異方性によって、アンチフェーズバウンダリー(APB)を含まない結晶欠陥の少ない単相のSiC単結晶薄膜を形成可能とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC single crystal by a sublimation process capable of growing the SiC single crystal into long length while keeping the high quality thereof.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を高品質のまま長尺に成長させることが可能な、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for p-type SiC which ensures proper surface morphology and gives less amount of damage on a semiconductor crystal layer during the formation of the electrode.例文帳に追加

表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への損傷が少ないp型SiC用電極を提供する。 - 特許庁