「an sic」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor element capable of preventing progress of crystal degradation of an SiC semiconductor device without increasing the number of components.例文帳に追加

部品点数を増やすことなく、ＳｉＣ半導体装置の結晶劣化の進行を抑制することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of eliminating an alteration layer including SiC formed on the surface of silicon by plasma processing while minimizing erosion to the silicon surface.例文帳に追加

プラズマ処理によりシリコン表面に形成される、ＳｉＣを含む変質層を、シリコン表面の侵食を最小限に抑止しながら除去する。 - 特許庁

Then, the nitride semiconductor crystal is laminated on a surface where an ohmic contact region 3 is formed on the SiC substrate 1.例文帳に追加

この後、ＳｉＣ基板１のオーミック接触領域３が形成されている面上に窒化物半導体結晶を積層する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a 4H polytype SiC substrate 10, and an electrode 6 formed on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１００は、４Ｈ構造の炭化珪素基板１０と、基板１０の表面に形成されている電極６を備えている。 - 特許庁

To provide an SiC/Si composite material having high rigidity and excellent wear resistance as well as electrical conductivity and a high thermal conductivity.例文帳に追加

導電性と高い熱伝導率を有すると共に、高剛性で耐摩耗性に優れたＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を提供する。 - 特許庁

Then, the nitride semiconductor crystal containing In is laminated at a side opposite to a surface where an ohmic contact region 3 is formed on the SiC substrate 2.例文帳に追加

この後、ＳｉＣ基板２のオーミック接触領域３が形成されている面とは反対側にＩｎを含む窒化物半導体結晶を積層する。 - 特許庁

To provide an extremely high-quality SiC semiconductor wherein crystal defects by misfit dislocation are markedly reduced.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥を大幅に抑制した極めて高品質なＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

Then, the fine particles of silicon carbide (SiC) are jetted to the side in contact with an electrode in each stripy recessed part 12 at a high speed.例文帳に追加

そして、この筋状凹部１２の電極に接触する側に対して、炭化珪素（ＳｉＣ）の微粒子を高速で噴射する。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

A planar object 1 to be processed equipped with a hexagonal SiC substrate 12 having a surface 12a at an off angle to the c-plane is prepared.例文帳に追加

ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。 - 特許庁

A pin diode 70 is provided with an n-type 4H type SiC substrate 21 and a drift layer 23 formed thereon.例文帳に追加

ｐｉｎダイオード７０はｎ型４Ｈ型ＳｉＣ基板２１とＳｉＣ基板２１上に形成されたドリフト層２３を備える。 - 特許庁

A heat sink (14), a substrate (11), and a pattern (12) are successively stacked; and a semiconductor chip (13) comprising an SiC semiconductor is mounted on the surface.例文帳に追加

放熱器（14）、基板（11）、パターン（12）の順に積層して、その表面にＳｉＣ半導体からなる半導体チップ（13）を実装する。 - 特許庁

This heat radiating plate consists of the carbon fiber reinforced carbon composite material formed with an SiC layer of a thickness 10 to 500 μm on its surface.例文帳に追加

表面に１０〜５００μｍの厚さのＳｉＣ層が形成されている炭素繊維強化炭素複合材料からなることとした放熱板。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor which can reduce the occurrence of carriers and can save resources of materials and can shorten manufacturing time.例文帳に追加

キャリアの発生を低減しつつ、原料の省資源化が可能であると共に、製造時間を短縮し得るＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

To produce an SiC single crystal reduced in micropipes exposed on the surface and lamination defect and provide a method for growing the single crystal.例文帳に追加

表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたＳｉＣ単結晶およびその成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device in which a crystallinity is not deteriorated even if an ion implantation is made to SiC at a low temperature.例文帳に追加

低温でＳｉＣへイオン注入を行っても結晶性の劣化しない炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing an SiC:H film having a low dielectric constant and desirable characteristics.例文帳に追加

低い比誘電率を有し、かつ望ましい特性を有するＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor apparatus which alleviates electric field concentration on a gate oxide film formed in a trench.例文帳に追加

トレンチ内に形成するゲート酸化膜での電界集中をより緩和できるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

A shielding part 6 which has a shielding plate 6a which is oppositely arranged to an SiC single crystal substrate 3 becoming a seed crystal is provided.例文帳に追加

種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate.例文帳に追加

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for protecting the surface of an SiC substrate having no defects in a conventional technology.例文帳に追加

本発明の目的は、従来技術の欠点を有さない、ＳｉＣ基板の表面の保護を提供することである。 - 特許庁

To provide an SiC Schottky diode, where a forward on voltage is low, and a reverse leakage current is small and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

順方向のオン電圧が小さく、逆漏れ電流の小さいＳｉＣショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the activation annealing stage, the wafer 3 is heated in a state wherein an SiC substrate 61 is arranged along the principal surface of the wafer 3.例文帳に追加

そして、活性化アニール工程では、ウェハ３の主面に沿って、ＳｉＣ基板６１が配置された状態で、ウェハ３が加熱される。 - 特許庁

An SiC substrate 93, as a substrate, is mounted on the stage 5 through a quartz plate 94.例文帳に追加

基板としてのＳｉＣ基板９３は、ステージ５上に石英プレート９４を介在させて載置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing process in which ON resistance is further decreased using an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用い、オン抵抗のさらなる低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor element capable of reducing the occurrence of element destruction when reverse voltage is applied.例文帳に追加

逆方向電圧が印加された場合の素子破壊の発生を低減することができるＳｉＣ半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC joined body having high joining strength and air tightness and being excellent in the shape accuracy of a cavity even if having the cavity.例文帳に追加

接合強度及び気密性が高く、空洞部を有する場合でも空洞部の形状精度に優れたＳｉＣ接合体を提供する。 - 特許庁

A melt is made to contain Si and C in addition to Al and N by using an SiC single crystal as a seed crystal substrate 3.例文帳に追加

種結晶基板３としてＳｉＣ単結晶を使用し、融液にＡｌ、Ｎに加えてＳｉとＣを含有させる。 - 特許庁

To suppress occurrence of chip cracks in a semiconductor device in which a semiconductor chip including an SiC substrate is mounted on a mounting portion of Cu.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を含む半導体チップがＣｕ実装部に実装された半導体装置において、チップクラックの発生を抑制すること。 - 特許庁

To provide a technique capable of suppressing a conduction deterioration phenomenon without lowering surge resistance in an SiC JBS diode.例文帳に追加

ＳｉＣ製のＪＢＳダイオードにおいて、サージ耐量を低下させることなく、通電劣化現象を抑制することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The sintered body 1 in which an n^+ type SiC layer 2 is joined can be obtained by peeling at the damage layer 12.例文帳に追加

また、ダメージ層１２で剥離させることで、ｎ^+型ＳｉＣ層２が接合された焼結体１を得ることができる。 - 特許庁

To avoid deteriorating a semiconductor device using an SiC substrate due to high temperature heat treatments and improve the reliability of the device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を使用する半導体デバイスにおいて高温熱処理に伴うデバイスの劣化を防止し、デバイスの信頼性向上を図る。 - 特許庁

To provide an Al-SiC composite having high thermal conductivity, which is suitably used as a heat dissipating base plate, especially in a semiconductor device.例文帳に追加

放熱基板、特に半導体装置に有用な高い熱伝導率のＡｌ−ＳｉＣ系の炭化珪素系複合材料を提供する。 - 特許庁

To improve polishing accuracy of an SiC wafer by preventing wafer guides arranged on a wafer holding table from being polished.例文帳に追加

ウェハ保持用テーブルに設けられるウェハガイドが研磨されてしまうことを防止し、ＳｉＣウェハの研磨の精度を向上させる。 - 特許庁

A lower-layer wiring 4 and upper-layer wirings 11a, 11b comprised of copper are formed between a second interlayer dielectric 7 and an SiC film 6.例文帳に追加

第２層間絶縁膜７およびＳｉＣ膜６を挟んで、Ｃｕからなる下層配線４および上層配線１１ａ，１１ｂが形成されている。 - 特許庁

To enhance channel mobility by removing residual carbon on the interface of SiC and a gate oxide film thereby reducing an interface level densi ty.例文帳に追加

ＳｉＣとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal SiC layer with excellent crystallity and surface morphology on an Si substrate.例文帳に追加

本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。 - 特許庁

As a result of this, the tool jointing body 10 having higher flexural strength than an SiC whisker including alumina quantity sintered body by itself, can be provided.例文帳に追加

この結果、ＳｉＣウィスカー含有アルミナ質焼結体単身より曲げ強度の高い工具用接合体１０を得ることができる。 - 特許庁

A channel connecting region 4 is formed on the predetermined position of the surface of a drift region 2 that is formed on an SiC substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に形成されたドリフト領域２の表層部の所定位置に、チャネル接続領域４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for constructing a damascene structure in an insulator section having a barrier layer containing SiC or SiCN while keeping MWBC excellent.例文帳に追加

ＭＷＢＣを良好に保ちつつ、ＳｉＣ又はＳｉＣＮを含むバリア層を有する絶縁体部にダマシン構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a joining material from excessively entering into the inside of an SiC porous body in joining and to attain sufficient joining strength.例文帳に追加

接合時にＳｉＣ多孔体の内部に接合材が過剰に侵入することを防ぐと共に、十分な接合強度を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming graphene in which graphene can be formed on an SiC surface at a low temperature, and to provide a forming apparatus of graphene.例文帳に追加

ＳｉＣ表面上に低温でグラフェンを形成することができるグラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置を提供する。 - 特許庁

Channel regions 4a, 4b comprising an SiC film are formed in the both sides of the aluminum film 7 as contacting to the aluminum film 7.例文帳に追加

そのアルミニウム膜７に接するように、そのアルミニウム膜７の両側に、ＳｉＣ膜からなるチャネル領域４ａ、４ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a production method and a production apparatus for an SiC single crystal, in which a sublimated gas can be continuously supplied from a powder raw material to a seed crystal.例文帳に追加

種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing a high-quality SiC crystal by a sublimation process, and a multilayer film.例文帳に追加

昇華法による高品質のＳｉＣ結晶の製造方法、製造装置および積層膜を提供する。 - 特許庁