「an sic」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A flow-in port is formed by providing a gap S2 between a crucible body 1a and a raw material vessel 1b, and a flow-out port is formed by providing a gap S1 between the crucible body 1a and a cap material 1b so that a gas 5 flows from the flow-in port to the flow-out port when an SiC single crystal 4 is grown.例文帳に追加

るつぼ本体１ａと原料容器１ｂとの間に隙間Ｓ２を設けることによって流入口を形成すると共に、るつぼ本体１ａと蓋材１ｂとの間に隙間Ｓ１設けることによって流出口を形成し、ＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、流入口から流出口に向かってガス５が流動するようにする。 - 特許庁

A first sidewall 111 composed of a stress film having expandability itself is formed on a side face of a gate electrode 101, a second sidewall 112 composed of a film having small stress relative to it is formed on the first sidewall 111, and a semiconductor layer, which is, for example, an SiC layer 104 is separated from the first sidewall 111 by the second sidewall 112.例文帳に追加

ゲート電極１０１の側面に、自身は膨張性を有する応力膜からなる第１のサイドウォール１１１と、第１のサイドウォール１１１上にこれに比して応力の小さい膜からなる第２のサイドウォール１１２とが形成されており、半導体層、例えばＳｉＣ層１０４が第２のサイドウォール１１２により第１のサイドウォール１１１から離間する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a method for manufacturing the same and a substrate for such a semiconductor device having a substrate body of a sapphire, SiC, GaN or the like and an AlxGayInzN (x+y+z=1, x, y, z≥0) film having good crystallinity and flatness and epitaxially deposited on its surface directly or via a buffer film.例文帳に追加

サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本体と、その表面に直接またはバッファ膜を介してエピタキシャル堆積された良好な結晶性および平坦性を有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜とを具える半導体デバイスおよびその製造方法およびこのような半導体デバイス用の基板を提供する。 - 特許庁

The compressor includes: a compression component for compressing a refrigerant; a six-pole motor for driving the compression component, and having a rotor using neodymium rare earth magnet including iron, neodymium, boron, and dysprosium of 4 wt.% or less; and a driving circuit for driving the electric motor, and using a SiC component in a switching part of an inverter main circuit.例文帳に追加

この発明に係る圧縮機は、冷媒を圧縮する圧縮要素と、圧縮要素を駆動し、鉄、ネオジウム、ボロン及び４重量％以下のディスプロシウム含むネオジウム希土類磁石を用いる回転子を有する６極の電動機と、電動機を駆動し、インバータ主回路のスイッチング部にＳｉＣ素子を用いる駆動回路と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

An equiaxial crystallization accelerating agent consisting of ≥1 kind among MgAl2O4, CaS, CeS, TiN, Ce2O3, TiC and SiC is blown to the surface of molten steel by using working gas for a plasma heater in a tundish or ladle for continuous casting of steel and the molten steel obtained by the same is continuously cast.例文帳に追加

鋼の連続鋳造用タンディッシュ、或いは取鍋において、プラズマ加熱装置の作動ガスを用いて、ＭｇＡｌ_2 Ｏ_4 、ＣａＳ、ＣｅＳ、ＴｉＮ、Ｃｅ__2 Ｏ_3 、ＴｉＣおよびＳｉＣの内、少なくとも１種類以上からなる等軸晶化促進剤を溶鋼表面に吹き付け、これにより得られた溶鋼を連続鋳造する。 - 特許庁

This CNT chip 10 includes a support 12 having an acute part 12b at the tip, at least the tip of which is formed of SiC; and at least one carbon nanotube 14 grown at the tip of the acute part 12b by the surface decomposition of a CNT generating part constituting the tip of the acute part 12b.例文帳に追加

本発明に係るＣＮＴチップ１０は、その先端に先鋭部１２ｂを有し、かつ少なくとも先鋭部１２ｂの先端部分がＳｉＣからなる支持体１２と、先鋭部１２ｂの最先端部分を構成していたＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させることによって先鋭部１２ｂの先端に成長させた少なくとも１本のカーボンナノチューブ１４とを備えている。 - 特許庁

The body part 30 of the film formation apparatus 100, used for forming an epitaxial layer of e.g. SiC and Si on one main surface of a substrate 11, is equipped with a film deposition region 21 conducting film deposition using a raw material gas supplied from a gas supply part 9, and a decomposition region 22 decomposing unreacted residual gas not used for film deposition.例文帳に追加

基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 - 特許庁

A composite body contg. at least aluminum and preferably SiC is charged into a vessel charged with aluminum fluoride powder and water, and, after that, the vessel is heated, by which the composite body is subjected to heat treatment at ≥100°C, and aluminum exposed to the surface of the composite body is covered with fluoride preferably contg. an aluminum hydroxide- fluoride main crystal phase.例文帳に追加

少なくともアルミニウムと、好ましくはＳｉＣを含んでなる複合体を、フッ化アルミニウム粉末と水とが入った容器中に入れ、その後、この容器を加熱することによって、前記複合体に１００℃以上の温度で熱処理を施し、前記複合体の表面に露出したアルミニウムを、好ましくは、水酸化フッ化アルミニウム主結晶相を含んだフッ化物で覆う。 - 特許庁

The member for a brake is composed of a fiber composite at least provided with: a yarn aggregate in which a yarn of carbon fibers and a yarn comprising a carbon component other than carbon fibers are three-dimensionally combined, and are integrated not so as to be separated from each other; and a matrix composed of an Si-SiC based material packed into the adjoining yarns in the yarn assembly.例文帳に追加

少なくとも炭素繊維の束と炭素繊維以外の炭素成分とを含有するヤーンが三次元的に組み合わされ、互いに分離しないように一体化されているヤーン集合体と、このヤーン集合体中で隣り合う前記ヤーンの間に充填されている、Ｓｉ−ＳｉＣ系材料からなるマトリックスとを備えている繊維複合材料からなるブレーキ用部材を採用することで達成。 - 特許庁

A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.例文帳に追加

本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing an alignment mark used for overlapping in a manufacturing process from being deformed asymmetrically in a heat-treatment process, such as activation annealing treatment and epitaxial growth in a manufacturing process in the semiconductor device using SiC for a substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置において、製造工程の重ね合わせに用いるアライメントマークが、製造工程中の活性化アニール処理やエピタキシャル成長などの熱処理工程で非対称に変形することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An aqueous emulsion contains an organopolysiloxane having a group having an aliphatic multiple bond bonded to the SiC bond at the terminal unit, an organopolysiloxane having at leant three hydrogens bonded to silicon, a catalyst for accelerating the addition of the hydrogens bonded to silicon to the aliphatic multiple bond, an organosilicon compound suitable as the adhesion accelerator, a silicone resin, an emulsifier, water and carbon black.例文帳に追加

（１）末端単位にＳｉＣ結合した脂肪族多重結合を有する基を有するオルガノポリシロキサン、（２）Ｓｉに結合した水素原子少なくとも３個を有するオルガノポリシロキサン、（３）脂肪族多重結合へのＳｉ結合した水素の付加を促進する触媒、（４）接着促進剤として適した有機ケイ素化合物、（５）シリコーン樹脂、（６）乳化剤、（７）水および（８）カーボンブラックを含有することにより特徴付けられる水性エマルジョン。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer for a CMOS device having the optimal characteristics even for a small transistor having a p-MOS transistor and an n-MOS transistor with the same characteristics and equipped with a SiGe film providing a strain characteristic by an optimal stress for the n-MOS transistor and a SiC film providing a strain characteristic by an optimal stress for the p-MOS transistor on the same silicon substrate.例文帳に追加

同じ特性のｎ−ＭＯＳトランジスタとｐ−ＭＯＳトランジスタとを有し、ｎ−ＭＯＳトランジスタに最適な応力による歪特性をもたらすＳｉＧｅ膜と、ｐ−ＭＯＳトランジスタに最適な応力による歪特性をもたらすＳｉＣ膜とを同一シリコン基材上に備えた、小さいサイズのトランジスタに対しても、最適な特性を持つＣＭＯＳデバイス用のシリコンウェハの製造方法の提供。 - 特許庁

An SiC monocrystal substrate is mechanically lapped using a lapping plate formed with a predetermined flatness manufactured by a facing process of cutting the surface of the lapping plate made of material quality having a predetermined hardness and generating two kinds of grooves by machining, a shaving process of shaving with a circular-arc shaving tool, and a process of charging the lapping plate after the shaving process using a charging ring.例文帳に追加

所定の硬度の材質よりなる前記ラッピング定盤の表面を平坦に切削するとともに２種類の溝を加工生成するフェージング工程と、円弧状のシェービング治具でシェービングするシェービング工程と、該シェービング工程後のラッピング定盤をチャージングリングを用いてチャージングする工程とにより製作される所定の平坦度に形成されたラッピング定盤を使用して、ＳｉＣ単結晶基板をメカニカルラッピングする。 - 特許庁

Heat resistance is enhanced by making each member of the light-emitting device 1 of an inorganic material, white light having good color rendering properties is obtained by combining the broad luminescence of the SiC fluorescent substrate 10 and the luminescence of the LED elements of ultraviolet, blue, green and red, and smooth transmission of heat is achieved by the AuSn based alloy layer.例文帳に追加

紫外、青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子が柱状結晶を有するＡｕＳｎ系合金層を介して搭載され、ＢとＡｌの少なくとも一方及びＮがドープされたＳｉＣ蛍光基板１０を備え、発光装置１の各部材を無機材料とすることにより耐熱性を向上させるとともに、ＳｉＣ蛍光基板１０のブロードな発光と青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子の発光の組合せにより良好な演色性の白色光を得ることができ、ＡｕＳｎ系合金層によりスムースな熱伝達が実現された。 - 特許庁