「an sic」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching method for making an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si low dielectric constant film to be high and etching a SiC part when the SiC part of a body to be processed is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film as a mask.例文帳に追加

有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A process for manufacturing a silicon carbide powder for sintering, comprising the steps of decomposing an organ silicon high molecular compound, whose main key components are silicon and carbon, at a temperature between 1600℃ and 2200℃ in the inert gas atmosphere and obtaining a powder whose main component is β-SiC ; obtaining a power made from high-purity β-SiC treated with acids including a hydrofluoric acid after heating this powder to temperatures between 500℃ and 800℃ in the oxidative atmosphere. 例文帳に追加

珪素と炭素を主な骨格成分とする有機珪素高分子化合物を、不活性ガス雰囲気中で1600℃～2200℃の温度で熱分解して、主としてβ-SiCを主成分とする粉末を得、この粉末を酸化性雰囲気中で500℃～800℃の温度に加熱した後、弗酸を含む酸で処理して高純度β-Si Cよりなる粉末を得ることを特徴とする焼結用炭化珪素粉末の製造法。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

To be more precise, the semiconductor device includes the SiC substrate, an Si epitaxial layer formed in the surface of the SiC substrate, the Si oxide film formed on the Si epitaxial layer, a gate electrode formed on the Si oxide film, a source region formed in the Si epitaxial layer, and a drain electrode connected to the SiC substrate.例文帳に追加

具体的には、本発明に係る半導体デバイスは、ＳｉＣ基板と；前記ＳｉＣ基板の表面に形成されたＳｉエピタキシャル層と；前記Ｓｉエピタキシャル層上に形成されたＳｉ酸化膜と；前記Ｓｉ酸化膜上に形成されたゲート電極と；前記Ｓｉエピタキシャル層内に形成されたソース領域と；前記ＳｉＣ基板に接続されたドレイン電極とを備えている。 - 特許庁

The light emitting diode has an SiC layer formed of a 6H type SiC single-crystal substrate doped with B and N, and a nitride semiconductor layer of ≤408 nm in light emission wavelength, and the SiC layer is excited with primary light from the nitride semiconductor layer to emit secondary light in the visible range.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、Ｂ及びＮがドーピングされた６Ｈ型ＳｉＣ単結晶蛍光体からなるＳｉＣ層と、発光波長が４０８ｎｍ以下である窒化物半導体層と、を備え、前記ＳｉＣ層は、前記窒化物半導体層からの１次光により励起され、可視領域の２次光を発するようにした。 - 特許庁

The heat conduction sheet 10 is arranged between a semiconductor chip 20 and a heat sink 30, and includes: an SiC substrate 12; a carbon nano structure layer 11 constituting a contact surface with the semiconductor chip and grown from one surface of the SiC substrate 12; and a carbon nano structure layer 13 constituting a contact surface with the heat sink and grown from the other surface of the SiC substrate 12.例文帳に追加

熱伝導シート１０は、半導体チップ２０とヒートシンク３０との間に設けられる熱伝導シートであって、ＳｉＣ基板１２と、半導体チップとの接触面を構成しＳｉＣ基板１２の一方の面から成長したカーボンナノ構造層１１と、ヒートシンクとの接触面を構成しＳｉＣ基板１２の他方の面から成長したカーボンナノ構造層１３とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the compound semiconductor includes a process wherein, after bonding the surface side of the SiC wafer 1 whereon a compound semiconductor element is formed and a support substrate 2 for supporting the SiC wafer by an adhesive 3 whose softening temperature is above 200°C, the hole 6 is formed by dry-etching from the rear face side of the SiC wafer using a fluorine-contained etching gas.例文帳に追加

化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 - 特許庁

In the treatment method for planarizing the surface of the SiC substrate by hydrogen gas, hydrocarbon is supplied to the SiC substrate, while making its temperature rise, under the condition in the reaction chamber that the supply of carbon is suppressed; the supply of hydrocarbon is stopped or reduced, after reaching an epitaxial growth temperature; and then, hydrogen gas is supplied to etch the surface of the SiC substrate.例文帳に追加

水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。 - 特許庁

In structure having a SiC film 61 and an organic Si based low dielectric constant film 62 which is formed on the SiC film 61, gas including CH_2F_2 or gas including CH_3F is used as etching gas when the SiC film 61 is etched by plasma of etching gas by using the organic Si based low dielectric constant film 62 as a mask.例文帳に追加

ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 - 特許庁

The film thickness measuring method according to the present invention is characterized in obtaining the film thickness of a coat at a predetermined position of an SiC dummy wafer from a measured etching time by forming the coat on a surface of the SiC dummy wafer under predetermined conditions, etching the coat, and measuring the etching time needed to expose the SiC dummy wafer surface at the predetermined position.例文帳に追加

本発明の膜厚測定方法は、ＳｉＣダミーウェーハの表面に、所定条件で被膜を形成し、被膜をエッチングし、ＳｉＣダミーウェーハの所定位置において、ＳｉＣダミーウェーハ表面が露出するまでのエッチング時間を測定し、測定されたエッチング時間より、所定位置における被膜の膜厚を得ることを特徴とする。 - 特許庁

In the maintenance procedure of a semiconductor production apparatus, members 3, 5a and 5b coated with a first SiC film are arranged on a substrate, and a second SiC film is formed on the surface of a member where at least a part of the first SiC film has sublimated with time in a reactor 2 for forming an Si epitaxial film on a wafer 1 to be processed.例文帳に追加

本発明の半導体製造装置の保守方法は、基材に第１のＳｉＣ膜が被覆された部材３、５ａ、５ｂが設置され、被処理ウェーハ１上にＳｉエピタキシャル膜を形成するための反応炉２内で、経時的に第１のＳｉＣ膜の少なくとも一部が昇華した部材の表面に、第２のＳｉＣ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a GaN light emitting element formed on an n-type SiC substrate doped with nitrogen, which can be improved in brightness by keeping the SiC substrate conductive, restraining the light emitted from a light emitting layer from being reabsorbed, and specifying the range of electron concentration in the SiC board, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒素ドープされたｎ型ＳｉＣ基板上に形成されたＧａＮ系半導体発光素子における、ＳｉＣ基板の導電性を保ち、かつ発光層より発光した光の再吸収を抑制することが可能な、ＳｉＣ基板中の電子濃度範囲を規定することにより、輝度の向上を可能とするＧａＮ系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a silicon carbide single crystal which allows to supply an appropriate amount of carbon atoms to a SiC single crystal while suppressing mixing of an inclusion (a large mass) of carbon powder discharged from a crucible with the SiC single crystal.例文帳に追加

坩堝から放出される炭素粉のインクルージョン（大きな塊）のＳｉＣ単結晶への混入を抑制しつつ、ＳｉＣ単結晶に対して適量の炭素原子の供給を可能とするＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the device characteristics are improved by forming an electronic device to an SiC single crystal substrate having the direction of dislocation line of the threading dislocation 3 of being the [0001] c-axis, and an SiC semiconductor device with improved yield having no deterioration is formed.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having an a-SiC upper charge injection inhibition layer and an a-SiC surface layer, the photoreceptor being superior in adhesiveness, suppressing surface deterioration, being superior in sensitivity characteristics and charging characteristics, and capable of maintaining a favorable image formation for a long period of time.例文帳に追加

ａ−ＳｉＣ上部阻止層およびａ−ＳｉＣ表面層を有する電子写真感光体において、密着性に優れ、表面変質が抑制され、感度特性や帯電特性に優れ、良好な画像形成を長期間維持できる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has an approximately spherical shape, where a p-type amorphous SiC (abbreviated as a-SiC) layer 8 having a wider optical bandgap than that of an amorphous Si (abbreviated as a-Si) is coated on the outer surface of an n-type a-Si layer 7 at a center side, and thereby a PN-junction is formed.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

The mirror is an Si-SiC composite material which has an Si- layer on its surface and comprises of Si and an SiC powder whose filling degree is ≥50 vol.% and the smoothness and the center line average roughness of the surface of the Si-layer are ≤1 μm and ≤3 nm, respectively.例文帳に追加

表面にＳｉ層を有するＳｉＣ粉末の充填率が５０ｖｏｌ％以上のＳｉとＳｉＣ粉末からなるＳｉ−ＳｉＣ複合材料であって、そのＳｉ層表面の平坦度が１μｍ以下で、かつ中心線平均粗さが３ｎｍ以下であることとしたミラー。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality SiC single crystal at a high growth rate, in which an ideal flow of a solution is achieved by finding an ideal ACRT (Accelerated Crucible Rotation Technique) pattern of so called an ACRT, in the production of a SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるＮ^+型ＳｉＣ基板２及びＮ^-型ドレイン領域１と、Ｎ^+型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、Ｐ型ウエル領域３とＮ^+型ソース領域５とゲート電極７とを有する。 - 特許庁

The lens holding board arranged in the exposure device is formed of a metal-base composite material which contains 40-80 vol.% of an SiC reinforcement material into an Al alloy matrix, or a metal-base composite material which contains 40-80 vol.% of the SiC reinforcement material into an Si metal matrix.例文帳に追加

露光装置内に配置されるレンズ保持板を、Ａｌ合金マトリックス中にＳｉＣ強化材を４０〜８０体積％含有する金属基複合材料、または、Ｓｉ金属マトリックス中にＳｉＣ強化材を４０〜８０体積％含有する金属基複合材料により形成する。 - 特許庁

To suppress the degradation of the withstand voltage and reliability of a gate insulating film resulting from C (carbon) in a SiC substrate and an increase of a charge amount in the gate insulating film, and to suppress an increase of interface level density on an interface between the gate insulating film and the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板中のＣ（炭素）に起因するゲート絶縁膜の絶縁耐圧や信頼性の低下、及びゲート絶縁膜中の電荷量の増大を抑制し、更に、ゲート絶縁膜／ＳｉＣ基板界面における界面準位密度の増大を抑制する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a region of an SiC wafer 1 at a specified depth to form a hydrogen ion implanted region 2.例文帳に追加

ＳｉＣウエハ１の所定深さの領域に水素イオンを注入し水素イオン注入領域２を形成する。 - 特許庁

The SiC wafer 1 is irradiated with an XeCl excimer laser beam simultaneously with hydrogen ion implantation.例文帳に追加

このように水素イオンを注入すると同時に、ＳｉＣウエハ１にＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射する。 - 特許庁

To obtain an SiC-made junction type high yield field effect transistor having a channel region using high-mobility electrons.例文帳に追加

高歩留りをもたらす、移動度の高い電子を用いたチャネル領域を有するＳｉＣ製のＪＦＥＴを得る。 - 特許庁

To easily obtain an SiC Schottky barrier diode, small in the leakage current of a Schottky electrode and excellent in element characteristics.例文帳に追加

ショットキー電極のリーク電流が小さい良好な素子特性のＳｉＣショットキーバリアダイオードを容易に得る。 - 特許庁

An anode electrode 7 is Schottky-joined onto a first surface of the SiC epitaxial layer 4 so as to penetrate the field insulating film 5.例文帳に追加

このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。 - 特許庁

A Schottky barrier metal 3 as an anode electrode is formed so as to join to the entire face of the SiC layer 2.例文帳に追加

ＳｉＣ層２の全面に接合するように、アノード電極となるショットキーバリア金属３が形成されている。 - 特許庁

(1) At least either of a Schottly electrode or an ohmic electrode has a Ti/Ni/Au three-layer structure from the SiC side.例文帳に追加

(１)ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方を、ＳｉＣ側からＴｉ／Ｎｉ／Ａｕなる三層構造とする。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a source area 13 is formed by doping N-type impurities into an epitaxial layer 3 composed of SiC.例文帳に追加

半導体装置１において、ＳｉＣからなるエピタキシャル層３にＮ型不純物をドーピングすることによりソース領域１３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus includes a semiconductor substrate 1, a PMOS transistor P1, and an SiC layer 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板１、ＰＭＯＳトランジスタＰ１、およびＳｉＣ層１０を備えている。 - 特許庁

To carry out the epitaxial growth of a GaN (gallium nitride) film with a good crystallinity on an SiC (silicon carbide) substrate without a buffer layer.例文帳に追加

ＳｉＣ（炭化シリコン）基板上にバッファ層なしで結晶性良好なＧａＮ（窒化ガリウム）膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing an SiC single crystal capable of making fine temperature control within a graphite crucible.例文帳に追加

黒鉛坩堝内の細かな温度制御が可能なＳｉＣ単結晶製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

For example, the conductive ceramic contains SiC, and the conductive oxide contains RuO2, ReO2, and an ITO film.例文帳に追加

例えば、導電性セラミックは、ＳｉＣを含み、導電性酸化物は、ＲｕＯ_2、ＲｅＯ_2、ＩＴＯ膜を含む。 - 特許庁

A semiconductor module comprises a segment 1 (semiconductor element) capable of operating severally on an SiC substrate.例文帳に追加

半導体モジュールは、ＳｉＣ基板上に、個別に動作することが可能なセグメント１（半導体素子）を備えている。 - 特許庁

A carbon nanotube 2 is generated on the peak of an SiC whisker 3 and in the direction of whisker elongation.例文帳に追加

また、本カーボンナノチューブ２は、ＳｉＣウィスカー３の先端に、ウィスカーの延長線方向に形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC semiconductor element which can remove graphite layers and can form wiring electrodes which has high adhesive properties.例文帳に追加

グラファイト層を除去し、密着性の高い配線用電極が形成できるＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 52 is constituted by forming a semiconductor layer 52b on an n-type SiC substrate 52a.例文帳に追加

半導体レーザ素子５２はｎ型ＳｉＣからなる基板５２ａ上に半導体層５２ｂが形成されてなる。 - 特許庁

A surface stabilizing film 7 for protecting the diode is formed in a region surrounding an anode electrode 5 on the surface of the SiC substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面のアノード電極５を囲む領域には、このダイオードを保護するための表面安定化膜７が形成されている。 - 特許庁

In a transverse JFET 10, a buffer layer 11 is disposed on a main surface of an SiC substrate 1 and includes p-type impurities.例文帳に追加

この発明に従った横型ＪＦＥＴ１０では、バッファ層１１は、ＳｉＣ基板１の主表面上に位置し、ｐ型不純物を含む。 - 特許庁

To stably and with satisfactory reproducibility, form an SiC semiconductor substrate which has floating doping layers for making a device have high dielectric strength.例文帳に追加

高耐圧素子を作るためのフローティングドーピング層を有するＳｉＣ半導体基板を、安定に再現性良く形成する。 - 特許庁

SiC powder having SiO_2 film on the surface of powder particles is directly added in an additive quantity of 0.1-10 mass % to the molten magnesium alloy.例文帳に追加

粉末粒子の表面にＳｉＯ_2被膜を備えたＳｉＣ粉末を、０．１〜１０mass％の添加量でマグネシウム合金溶湯に直接添加する。 - 特許庁

A stopping layer (112) having a SiON layer is formed on an interlayer dielectric-film layer, and a SiC layer (114) is positioned on the SiON layer.例文帳に追加

層間誘電膜層上に、ＳｉＯＮ層を有するストップ層（１１２）が形成され、そのＳｉＯＮ層上にＳｉＣ層（１１４）が位置する。 - 特許庁

To provide a relatively low cost manufacturing method suitable for manufacturing a porous SiC-containing article and an article having controlled porosity.例文帳に追加

多孔性のＳｉＣ含有物品及び制御された多孔率を有する物品を作製するのに好適な比較的低コストの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A device forming SiC substrate is irradiated with an electron beam to clean it in a clean gas atmosphere or vacuum.例文帳に追加

デバイス形成のためのＳｉＣ基板に対し電子ビームを清浄化ガス雰囲気中または真空中で照射して清浄化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which ON resistance can be reduced effectively while employing an SiC semiconductor, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体を用いながらオン抵抗を効果的に低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁