「an sic」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The switching elements (31) each consist of an SiC-MOSFET as a unipolar element employing a wideband gap semiconductor.例文帳に追加

スイッチング素子（31）は、ワイドバンドギャップ半導体が用いられたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETからなっている。 - 特許庁

The switching elements 130 each consist of an SiC-MOSFET as a unipolar element employing a wideband gap semiconductor.例文帳に追加

スイッチング素子（130）は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETによって構成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal, by which SiC having stable quality can be produced for a long time by a solution method.例文帳に追加

溶液法によって安定した品質のＳｉＣを長時間製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC substrate in which a spiral pit is small and surface planarity is excellent; and to provide a method for manufacturing the SiC substrate.例文帳に追加

スパイラルピットが少なく、表面の平坦性に優れるＳｉＣ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC substrate capable of efficiently correcting camber and to provide the SiC substrate obtained by the method.例文帳に追加

反りを効率的に矯正することができるＳｉＣ基板の製造方法とその方法により得られたＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently plugging micropipes at a low cost, in a method for producing an SiC substrate, the SiC substrate and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、低コストで効率的にマイクロパイプを閉塞させること。 - 特許庁

To provide a manufacturing unit of an SiC single crystal capable of manufacturing the SiC single crystal of high quality and a large diameter by a novel construction.例文帳に追加

新規な構成にて高品質で大口径のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SiC, which effectively utilizes an FRP and can obtain the SiC at low cost, efficiently and simply.例文帳に追加

ＦＲＰを有効利用して低コスト、効率的かつ簡便に得ることのできるＳｉＣ製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a silicon carbide single crystal which suppresses deterioration of SiC single crystal due to the deformation of a cap material associated with the growth of SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶成長に伴う蓋材の変形によりＳｉＣ単結晶が劣化することを抑制する。 - 特許庁

The recesses 11 are filled with a material having an electrical conductivity higher than that of SiC forming the material of the SiC substrate 10.例文帳に追加

そして、凹部１１には、ＳｉＣ基板１０を構成するＳｉＣよりも電気伝導率の高い高伝導率材料が充填されている。 - 特許庁

To produce a satisfactory SiC element by preventing the clean surface of an SiC substrate from being contaminated by C or the like in the atmosphere.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の清浄表面を大気中のＣ等で汚染されないようにし、良好なＳｉＣ素子が製造できるようにする。 - 特許庁

SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。 - 特許庁

To provide a metallic fiber-reinforced composite material having improved strength while keeping the characteristics of an SiC reinforced composite material such as lightweight and high rigidity.例文帳に追加

SiC強化複合材料の軽量で高剛性という特徴を維持しながら、強度を改善した金属繊維強化複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC semiconductor device which makes it possible to form a deep trench in SiC.例文帳に追加

ＳｉＣに深いトレンチが形成できるようにしたＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This can reduce a stress at an interface between the n-type SiC drift layer 23 and the n-type SiC buffer layer 22, so that a forward voltage can be reduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型ＳｉＣドリフト層２３とｎ型ＳｉＣバッファ層２２との界面の応力を低減でき、順方向電圧を低減できる。 - 特許庁

A SiC system reflection plate 9 is disposed at a lower portion of the SiC heater 8, and an opening ratio between the rollers is preferably 50% or larger.例文帳に追加

またＳｉＣヒータ８の下部にＳｉＣ系反射板９を配置し、ローラ間の開口率を５０％以上とすることが好ましい。 - 特許庁

It is preferable to coat the surface of the SiC/C composite material with an SiC film by the chemical vapor growth (CVD) method.例文帳に追加

好ましくはＳｉＣ／Ｃ複合材の表面に化学的気相蒸着（ＣＶＤ）法によるＳｉＣ被膜が被着されたものである。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal in which a high-quality SiC single crystal having a large aperture can be continuously grown at a low cost with stability.例文帳に追加

大口径、高品質ＳｉＣ単結晶を安価に安定して連続成長させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a SiC single crystal, which can suppress occurrence of a SiC polycrystal in the vicinity of a seed crystal.例文帳に追加

種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of doping an SiC that suppresses deterioration in crystallinity of an SiC crystal to enable high-concentration doping, and a manufacturing method for an SiC semiconductor device using the method.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶の結晶性の低下を抑制して高濃度のドーピングをすることができるＳｉＣへのドーピング方法およびその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal which can efficiently manufacture an SiC single crystal having high resistivity and to provide an SiC substrate having high resistivity obtained by the method.例文帳に追加

効率的に高抵抗率のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal with which the arrival of particles to an SiC single crystal substrate is restrained and a high quality SiC single crystal is produced.例文帳に追加

パーティクルがＳｉＣ単結晶基板に到達することが抑制でき、高品質なＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

The recording layer comprises an (a) layer containing SiC and O (oxygen), a (b) layer laminating an SiO_2 layer and an SiC layer to this order, a (c) layer laminating the SiC layer and the SiO_2 layer to this order.例文帳に追加

（ａ）ＳｉＣとＯ（酸素）とを含有する層、（ｂ）ＳｉＯ_２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層、（ｃ）ＳｉＣ層とＳｉＯ_２層とをこの順に積層した層 - 特許庁

To provide a large capacity of SiC substrate whose power loss is small, an SiC semiconductor element, and a method for manufacturing this by providing a means for reducing contact resistance between an SiC substrate back face and an ohmic electrode.例文帳に追加

ＳｉＣ基板裏面とオーミック電極との間の接触抵抗を低減する手段を講じ、電力損失の小さい大容量のＳｉＣ基板、ＳｉＣ半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^＋型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^−型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^＋型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^+型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^-型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^+型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

The method comprises: a film deposition process for depositing an SiC epitaxial film 2 on an off-cut SiC single crystal substrate 1; and a heating process for reducing crystal defects by heating the deposited SiC epitaxial film 2 so as to generate step bunching 3 on the surface of the SiC epitaxial film 2.例文帳に追加

オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。 - 特許庁

The CVD-SiC film-coated member has an SiC base material 2 having a flat surface 2s, an SiC intermediate layer 3 formed on the surface 2s of the base material 2 with crystal orientation arranged, and having a flat surface 3s, and a CVD-SiC layer 4 formed on the surface 3s of the intermediate layer 3.例文帳に追加

表面２ｓが平坦なＳｉＣ基材２と、この基材２の表面２ｓに結晶方位を揃えて形成され表面３ｓが平坦なＳｉＣ中間層３と、この中間層３の表面３ｓに形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層４とを有するＣＶＤ−ＳｉＣ膜被覆部材。 - 特許庁

The SiC dummy wafer being obtained by forming an SiC film on the surface of a basic material by CVD and then removing the basic material comprises an SiC shaped body having such properties as the half peak width of SiC (111) face measured by X-ray diffraction is 0.2° or less and the warp is 0.5 mm or less.例文帳に追加

ＣＶＤ法により基材面にＳｉＣ膜を成膜した後基材を除去して得られ、Ｘ線回折により測定されるＳｉＣ（１１１）面の半値幅が０．２°以下、反りが０．５mm以下の性状を備えたＳｉＣ成形体からなるＳｉＣダミーウエハ。 - 特許庁

This composite body is an Al-SiC composite body formed using an SiC porous body impregnated with a metal containing Al as its main component and the Al-SiC composite body is characterized by that the composite body contains 40 vol.% or higher of SiC and the Charpy impact value of the composite body is 0.1 J/cm2 or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体にＡｌを主成分とする金属を含浸したＡｌ−ＳｉＣ複合体であり、該複合体はＳｉＣを４０体積％以上含有し、該複合体のシャルピー衝撃値が０．１Ｊ／ｃｍ^2以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC single crystal, by which the stress caused by fixing of an SiC seed crystal is almost avoided, the formation of macro-defects can be suppressed, and a high quality and large size SiC single crystal can be obtained; and to provide the SiC single crystal obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

ＳｉＣ種結晶の固定に伴う応力をほとんどなくし，マクロ欠陥の発生を抑制できると共に，高品質かつ大口径のＳｉＣ単結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法，及び該製造方法によって得られるＳｉＣ単結晶を提供すること。 - 特許庁

An n^--type SiC epitaxial layer 4 is formed on an n^+-type SiC substrate 2, and a field insulating film 5 is formed on the SiC epitaxial layer 4.例文帳に追加

ｎ^＋型のＳｉＣ基板２上に、ｎ^−型のＳｉＣエピタキシャル層４を形成し、ＳｉＣエピタキシャル層４上に、フィールド絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in which a good low resistance ohmic electrode can be formed easily for an n-type SiC substrate, and a manufacturing method for the SiC semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device in which a good low resistance ohmic electrode can be formed easily for an SiC substrate, and to provide a manufacturing method for the SiC semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is carried out by supplying gas as a source material to an SiC seed crystal 5 placed in a growth chamber (1, 2) and growing an SiC single crystal 6 from the SiC seed crystal 5.例文帳に追加

成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶６を成長させる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing SiC single crystal, which is easy to supply carbon in the vicinity of an SiC seed crystal in manufacturing the SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ＳｉＣ種結晶近傍に炭素を供給しやすいＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

The monitor wafer is provided with an SiC wafer formed of an SiC crystal that is formed by a CVD method and a film with non-transparency which is formed on the uppermost layer of the SiC wafer.例文帳に追加

モニタウエハは、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＣ結晶からなるＳｉＣウエハと、このＳｉＣウエハ上の最表層に設けられ、非透明性を有する膜と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC monocrystalline substrate suppressing cracking of an SiC monocrystalline ingot when cutting the SiC monocrystalline ingot.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶インゴットを切断するときに、ＳｉＣ単結晶インゴットが割れることを抑制することができるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing an SiC single crystal, by which deposition of a SiC polycrystal is restrained when the SiC single crystal is produced by a solution method.例文帳に追加

溶液法によってＳｉＣ単結晶を製造する際、ＳｉＣ多結晶の析出を抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device of which no voltage drop equivalent to the amount of band offset between an Si substrate and SiC is caused even if the Si substrate is not removed, using a semiconductor substrate in which SiC is formed on the surface of Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板表面にＳｉＣが形成された半導体基板を用い、Ｓｉ基板を除去しなくても、Ｓｉ基板とＳｉＣとのバンドオフセット分の電圧降下が生じないＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for an SiC single crystal substrate, by which an SiC single crystal substrate immediately after being subjected to precision polishing is cleaned and the residual amount of heavy metals on the surface of the SiC single crystal substrate is made extremely small after cleaning.例文帳に追加

精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The method of doping the SiC includes a step of forming an Si film containing a dopant on at least part of the surface of the SiC, and a step of subjecting the SiC and the Si film to heat treatment in a state where the Si film is formed on the SiC.例文帳に追加

ドーパントを含むＳｉ膜をＳｉＣの表面の少なくとも一部に形成する工程と、Ｓｉ膜をＳｉＣに形成した状態でＳｉＣおよびＳｉ膜を熱処理する工程と、を含む、ＳｉＣへのドーピング方法とその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a substrate defect checkup method permitting detection of 6H type lamination defects contained in nitrogen-doped 4H type SiC bulk monocrystalline substrates, a substrate defect checkup system using this method, and an SiC bulk monocrystalline substrate with defect information.例文帳に追加

窒素ドープされた４Ｈ型SiCバルク単結晶基板に含まれる６Ｈ型積層欠陥を検出できる基板の欠陥検査方法、及びこれを用いた基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The SiC structure 10 is equipped with: a heat dissipating component 1 for dissipating heat of an object while comprising SiC; a base 3 comprising SiC; and a junction 7 for joining the heat dissipating component 1 and the base 3 while containing SiC and C.例文帳に追加

本発明に係るＳｉＣ構造体１０は、ＳｉＣからなり、対象物を放熱するための放熱用部品１と、ＳｉＣからなるベース体３と、放熱用部品１とベース体３とを接合する、ＳｉとＣとを含む接合部７とを備えるＳｉＣ構造体１０である。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively producing a seed crystal for growing a SiC single crystal, by which a high-quality single crystal ingot can be grown without requiring a special process such as polishing with diamond free abrasive grains or by an etching means, and to provide a seed crystal for growing a SiC single crystal obtained by the above method.例文帳に追加

ダイヤ遊離砥粒研磨やエッチング手段等の特別な処理を必要とすることなく、良質な単結晶インゴットを育成可能なSiC単結晶育成用種結晶を低コストで製造する方法及びこの方法で得られたSiC単結晶育成用種結晶を提供する。 - 特許庁