「ar F」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

X is CR^aR^b, NR^c or the like, and A^1 to A^4 are CR^f or N (where R^a, R^b, R^c, R^f, R^1 to R^8 represent H or a substituent).例文帳に追加

ＸはＣＲ^ａＲ^ｂ，ＮＲ^ｃ等，Ａ^１〜Ａ^４はＣＲ^ｆまたはＮ（Ｒ^ａ，Ｒ^ｂ，Ｒ^ｃ，Ｒ^ｆ，Ｒ^１〜Ｒ^８はＨ又は置換基を表わす。） - 特許庁

As shown in Fig. (b), when the reactive force F is acted on a drive gear 26 to tilt the rotating shaft Ar, the rotating shaft Ar conforms to an ideal rotating shaft Ai.例文帳に追加

このようにすれば、図３（ｂ）に示すように、ドライブギヤ２６に反力Ｆが作用してリング２３の回転軸Ａｒが傾いた場合には、当該回転軸Ａｒが理想回転軸Ａｉに一致する。 - 特許庁

As shown in Fig.(a), a ring 23 is supported by tilting a rotating shaft Ar of the ring 23 beforehand in the direction opposite to the direction where the rotating shaft Ar of the ring 23 is tilted with reactive force F acted on a drive gear 26.例文帳に追加

図３（ａ）に示すように、ドライブギヤ２６に作用する反力Ｆによってリング２３の回転軸Ａｒが傾く方向とは反対方向に、予めリング２３の回転軸Ａｒを傾けてリング２３を支持する。 - 特許庁

An IGBT active region AR 1 in which the IGBT 102 is formed is separated from a MOSFET active region AR 2 in which the MOSFET 104 is formed by a gate finger F as an inactive region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０２が形成されたＩＧＢＴ活性領域ＡＲ（１）と、ＭＯＳＦＥＴ１０４が形成されたＭＯＳＦＥＴ活性領域ＡＲ（２）とは、不活性領域としてのゲートフィンガーＦにより分離されている。 - 特許庁

One or more gases as the gases introduced into the deposition chamber 1303 chosen from Ar, H, F, NF3 or O may be used.例文帳に追加

成膜室１３０３に導入するガスとしては、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯから選ばれた一種または複数種のガスを用いればよい。 - 特許庁

f(r)=ar^2+g(r) In this case, r is a distance from a rotation symmetry axis, a is a nonzero real number, and |g(r)|≤1 μm is satisfied.例文帳に追加

ｆ（ｒ）＝ａｒ^2＋ｇ（ｒ） ここで、ｒは回転対称軸からの距離、ａは０でない実数であり、｜ｇ（ｒ）｜≦１μｍを満たしている。 - 特許庁

The injection amount Ar of the liquid filter material in the latter supply process (h) is smaller than the injection amount Ag of the liquid filter material in the former supply process (f).例文帳に追加

後の供給工程（ｈ）における液状フィルタ材料の吐出量Ａｒは、先の供給工程（ｆ）における液状フィルタ材料の吐出量Ａｇよりも少ない。 - 特許庁

Next, a high-frequency electric field is applied from a high-frequency power supply 1300a to the vapor deposition mask 1302a, the gas (Ar, H, F, NF3 or O) is excited, and a plasma 1301 is generated.例文帳に追加

次いで、高周波電源１３００ａから蒸着マスク１３０２ａに高周波電界を印加してガス（Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯ）を励起してプラズマ１３０１を発生させる。 - 特許庁

Thereafter, a high-frequency voltage is applied between a shower head 12 arranged inside the processing chamber 2 and an electrode 5 while a second cleaning gas containing NF_3 and Ar is supplied into the processing chamber 2, F radical and Ar ion are generated, and remaining HfO_2 or the like is removed out of the processing chamber 2.例文帳に追加

その後、処理チャンバ２内にＮＦ_３及びＡｒを含んだ第２のクリーニングガスを供給するとともに処理チャンバ２内に配設されたシャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧を印加し、Ｆラジカル及びＡｒイオンを発生させて、残りのＨｆＯ_２等を処理チャンバ２内から取り除く。 - 特許庁

The volume information Vp can be captured as audio signals from the outside, and the height Ar of the reference sound graphic Wr is calculated (F) on the basis of the average amplitude value Ap of the volume information Vp over a prescribed time period.例文帳に追加

音量情報Ｖｐは外部から音声信号で取り込むことができ、基準音図形Ｗｒの高さＡｒは、所定期間に渡る音量情報Ｖｐの振幅平均値Ａｐに基づいて算出される（Ｆ）。 - 特許庁

Whether a forward mode state of performing reproduction by allowing a tape to travel in a forward direction or a reverse mode state of performing reproduction by allowing the tape to travel in a reverse direction is displayed as an 'F' or 'R' on a display region AR 2.例文帳に追加

テープをフォーワード方向に走行させて再生を行うフォワードモード状態であるか、リバース方向に走行させて再生を行うリバースモード状態であるかを表示領域ＡＲ２に「Ｆ」あるいは「Ｒ」として表示する。 - 特許庁

By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

The p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging element region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of outside where a chip end surface F exists is separated electrically by the embedded electrode 4 and the n^+-type diffusion layer 5.例文帳に追加

埋め込み電極４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

Raw water is irradiated with an ultraviolet rays emitted from an ultraviolet source 3 (which, like an Ar-F excimer source, emits at least an ultraviolet rays of a wavelength in the range of 190-210 nm) in an ultraviolet irradiation tank 2.例文帳に追加

紫外線照射槽２内で、原料水は、紫外線光源３（Ａｒ−Ｆエキシマー光源のように波長１９０〜２１０ｎｍの範囲内の紫外線を少なくとも放射する）から放出される紫外線を照射される。 - 特許庁

Since the track of the polishing member 10 includes a revolution component and a rotation component, a large polishing amount can be obtained and also abrasion of the polishing member 10 can be restrained, although the position of the tip of the optical fiber F is in the vicinity of a revolution axis (ar).例文帳に追加

研磨部材１０の軌道が、公転成分と自転成分とを含むので、光ファイバＦの先端の位置が公転軸ａｒの近傍であるにもかかわらず、大きな研磨量を得ることができ、且つ研磨部材１０の磨耗を抑制できる。 - 特許庁

SiC is etched using plasma of an etching gas containing CHF_3, a gas containing CHF_3 and N_2, e.g. a mixture gas of CHF_3, N_2 and Ar, or an etching gas containing a material having C, H and F and a material having N but not containing a material having O.例文帳に追加

ＣＨＦ_３を含むエッチングガス、ＣＨＦ_３とＮ_２とを含むガス、例えばＣＨＦ_３とＮ_２とＡｒの混合ガス、またはＣとＨとＦとを有する物質とＮを有する物質とを含みＯを有する物質を含まないエッチングガスをプラズマ化してＳｉＣをエッチングする。 - 特許庁

In this excimer discharge lamp in which at least one external electrode is arranged at the outer surface of a discharge container composed of at least one of ceramics of sapphire and YAG, and gas containing argon (Ar) and fluorine (F) atom is sealed into the discharge container, an existing region of AlFx(X=1, 2, 3) is formed on the inner surface of the discharge container.例文帳に追加

サファイア、ＹＡＧの少なくとも一種のセラミックからなる放電容器の外表面に少なくとも１つの外部電極を設け、前記放電容器内にアルゴン（Ａｒ）とフッ素（Ｆ）原子を含むガスを封入したエキシマ放電ランプであって、前記放電容器の内表面にＡｌＦx（Ｘ＝１、２、３）の存在領域が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁