「atomic plane」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Alternatively, inclination of the scanning plane and the mask surface is corrected by a biaxial tilt stage provided in an atomic force microscope scanner system to process the mask, while the mask surface is kept parallel to the scanning plane.例文帳に追加

もしくはスキャン面とマスク面の傾きを原子間力顕微鏡スキャナー側に設けた2軸チルトステージで補正してスキャン面とマスク面が平行になる状態で加工を行う。 - 特許庁

The growth underlayer is so formed as its surface is flat in terms of atomic level while the X-ray locking curve half-value width is ≤200 seconds in a (002) plane.例文帳に追加

成長下地層は、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下となるように、かつ、その表面を原子レベルで平坦に形成する。 - 特許庁

The catalyst body comprises a compound particle 1 composed of ceria and the like having a quasi-stable plane 1a, which is a plane having a quasi-stable plane direction, a catalyst 2 composed of the metal or the metal oxide such as Pt and Rh by succeeding an atomic arrangement of the quasi-stable plane direction on the quasi-stable plane 1a in this compound particle 1.例文帳に追加

準安定な面方位を持つ面である準安定面１ａを有するセリアなどからなる化合物粒子１を有し、この化合物粒子１における準安定面１ａの上に、当該準安定な面方位の原子配列の状態を継承した状態で、ＰｔやＲｈなどの金属または金属酸化物からなる触媒２が形成されている。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor crystal substrate 12 has a warpage in which an atomic plane composed of group III elements becomes a convex shape and the warpage ratio is at most 1×10^-3.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２は、ＩＩＩ族元素からなる原子面が凸状となる反りを有し、かつ反り比が１×１０^-3以下である。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous carbon orientation film uses C as the main component and includes 3-20 atom% N, and >0 atom% and ≤20 atom% H and has in the range of 70 atomic percent to less than 100 atomic percent of carbon (Csp^2) having an sp^2 hybrid orbital when the total amount of carbon is 100 atomic percent, wherein the (002) plane of graphite is oriented along the thickness direction.例文帳に追加

配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a low-resistance electrode is relatively easily formed on an N atomic plane of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.例文帳に追加

面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

In the ohmic electrode 6, a main component of a contact electrode layer 6a being in contact with the N atomic plane 9 is one selected from a group consisting of Ni, Au, Pd, Mo, Ru, Te, Rh, Co, Re, Os, I and Pt.例文帳に追加

オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 - 特許庁

Alternatively, the change amount of the frequency of the probe 10 based on the atomic force acting between the probe 10 and the atom 50 is detected by rotating the probe 10 or the atom 50 on the surface of the specimen on the plane parallel to the surface of the specimen.例文帳に追加

または、探針１０又は試料表面の原子５０を試料表面と平行な平面で回転させ、探針１０と原子５０との間に作用する原子間力に基づく探針１０の周波数の変化量を検出する。 - 特許庁

This Ni-Mn-Ga series shape memory alloy has the crystal orientation properties of the (220) plane and is provided with regular atomic arrangement which does not substantially have clear crystal grain boundaries though being a columnar structure.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系形状記憶合金は、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系合金であって、（２２０）面の結晶配向性を有し、かつ柱状組織ではあるが、実質的に明瞭な結晶粒界を持たない規則的な原子配列を備えている。 - 特許庁

Since the Σ3 crystal grain boundary length satisfies the above specified range, the sliding of an atomic plane caused by the inconsistency of crystals is hard to occur, thus the cemented carbide has excellent plastic deformation resistance, and also, by introducing strains or the like into the grain boundaries, its strength and toughness can be improved.例文帳に追加

Σ3結晶粒界長が上記特定の範囲を満たすことで、結晶の不整合性による原子面のすべりが起こり難く、耐塑性変形性に優れ、かつ、粒界に歪みなどが導入することで、強度や靭性を向上することができる。 - 特許庁

The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.例文帳に追加

ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおいて、Ｓｉ（２２０）面回折ピークの半値幅をＢとするとき、Ｂ＜３°（２θ）である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁

By this method, a pattern type magnetic recording medium in which, in the second magnetic recording layer 26, a region 40 where the atomic content of the ferromagnetic element becoming a magnetic recording region is relatively large and a region 42 where it is relatively small are present in the intra-substrate plane direction periodically, is manufactured.例文帳に追加

この方法により、第二磁気記録層２６において磁気記録領域となる強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０と相対的に小さい領域４２とが基板面内方向に周期的に存在するパターン型磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

To provide an underwater welding head for performing repair welding of a hollow structure member in an atomic power plant and the like and which insures the execution of good quality welding approximately equivalent to that of aerial welding by stably maintaining a gaseous environment of a welding area even when, for example, a welding execution surface is not a plane surface.例文帳に追加

原子力発電施設などにおける水中構造部材の補修溶接を行うための水中溶接ヘッドであり、例え溶接施工面が平面でない場合でも、溶接部位の気体環境を安定に保持し、気中溶接と同程度の上質な溶接を実施すること。 - 特許庁

A semiconductor detector 8 cooled by a Peltier element is employed as the detector 8 and an artificial multilayer film lattice having a constant lattice plane interval where two elements having different atomic numbers are laid in multilayer is employed as the spectroscopic element 6 without providing an exchanger for exchanging the spectroscopic element 6.例文帳に追加

検出器８としてペルチェ素子で冷却する半導体検出器８を採用すると共に、分光素子６を交換する交換器を設けずに、分光素子６として、原子番号が異なる２つの元素を多数層積層した一定の格子面間隔を有する人工多層膜格子を採用する。 - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁