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b siの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 430



例文

These elements are B, Si and C.例文帳に追加

これらの元素はB、Si、Cである。 - 特許庁

Zr, Hf, (b) group includes V, Nb, Ta, and (c) group includes Si.例文帳に追加

a群:Ti、Zr、Hf、b群:V、Nb、Ta、c群:Si - 特許庁

Mo-Si-B ALLOY例文帳に追加

Mo−Si−B合金 - 特許庁

The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.例文帳に追加

本発明に係るRFIDアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも1種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

The dust core contains a mixture of amorphous alloy powder of at least one selected from Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B and pure Fe powder having Fe exceeding 99.5% by mass.例文帳に追加

Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも1種の非晶質合金粉末と99.5質量%超がFeの純Fe粉末が混合された圧粉磁心を用いる。 - 特許庁


例文

The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

The inner layer comprises a compound of metals of IVa, Va, and VIa groups in a periodic table, Al, Si, and B.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

L: one or more kinds of Si, Y. (x), (a), (b), X, Y, Z, A, B: all are atomic ratios.例文帳に追加

x、a、b、X、Y、Z、A、B:いずれも原子比である。 - 特許庁

The alloy having an amorphous structure is composed of the components (Fe-Ni-Co)-(B-Si-C).例文帳に追加

非晶質組織を有する合金は(Fe-Ni-Co)-(B-Si-C)の成分系からなる。 - 特許庁

例文

The Si obtained by doping B has electroconductivity.例文帳に追加

BをドープしたSiは導電性を有している。 - 特許庁

例文

The oxidation-resistant coating method for a carbon/carbon composite material comprises (a) the step of coating the carbon/carbon composite material with Si and (b) the step of thermally treating the applied Si to impregnate it into the composite material to form a SiC layer and a Si layer successively.例文帳に追加

(a)炭素/炭素複合材料上にSiを塗布する工程、及び(b)塗布されたSiを熱処理して、前記複合材料にSiを含浸させることにより、SiC層とSi層を順次形成する工程を含む炭素/炭素複合材料の耐酸化コーティング方法。 - 特許庁

As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加

半金属としてはC,B,P,Si,As,Te,Ge,Sb等が例示される。 - 特許庁

The composition of the amorphous material 16 and 17 is 67.0 Fe-18.0 Co-14.0 B-1.0 Si (wt.%).例文帳に追加

アモルファス材16,17の組成は、67.0Fe-18.0Co−14.0B-1.0Si(wt%)である。 - 特許庁

This anti-staining layer is present so that the ratio b/a of the infrared absorbance (b) of Si-O of the outermost surface and the infrared absorbance (a) of Si-O-Si is 0.01-0.2.例文帳に追加

最表面のSi−Oの赤外吸光度bとSi−O−Siの赤外吸光度aの比b/aが0.01〜0.2で存在することを特徴とする防汚層。 - 特許庁

The component (B) is a silicon-containing polymer having Si-H group and having at least one bridging structure by an Si-O-Si bond.例文帳に追加

(B)成分:Si−H基を有し、Si−O−Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有するケイ素含有重合体。 - 特許庁

The electrolyte liquid contains a compound having P-O-Si bonding or B-O-Si bonding.例文帳に追加

電解液はP−O−Si結合またはB−O−Si結合を有する化合物を含んでいる。 - 特許庁

When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b).例文帳に追加

アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板10の面10aに窒化ガリウム(GaN)30がエピタキシャル成長を開始する(b)。 - 特許庁

In this electric resistor comprising a structure composed by coating the surface of a ceramic base material having an electric insulation property with a resistance coating formed of a Si group alloy, 0.03-5% of B is contained in the Si group alloy.例文帳に追加

電気絶縁性のセラミックス基材の表面にSi基合金からなる抵抗被膜を被覆した構造からなる電気抵抗体において、該Si基合金の中にBを0.03〜5%含有させることを特徴とする。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si,Zn,B,及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

The steel bar moreover contains 0.10 to 2.5% Si and 0.25 to 2.0% Mn and suitably contains one or more kinds of Al, Ti, Ca, rare earth metals, V and Nb and/or one or more kinds of B, Cr, Cu, Ni and Mo.例文帳に追加

該鋼棒は、更にSi:0.10 〜2.5%とMn:0.25 〜2.0%を含み、適宜、Al、Ti、Ca、REM 、V 及びNb1種以上、及び/または、B 、Cr、Cu、Ni及びMoの1種以上を含有する。 - 特許庁

The steel bar further contains 0.10 to 2.5% Si and 0.25 to 2.0% Mn and suitably contains one or more kinds of Al, Ti, Ca, rare earth metals, V and Nb and/or one or more kinds of B, Cr, Cu, Ni and Mo.例文帳に追加

該鋼棒は、更にSi:0.10 〜2.5%、Mn:0.25 〜2.0%を含み、適宜、Al、Ti、Ca、REM 、V 及びNbの1種以上、及び/または、B 、Cr、Cu、Ni及びMoの1種以上を含有する。 - 特許庁

RE-B-Si RARE EARTH POLYBORIDE, HIGH TEMPERATURE ANTIOXIDANT, THERMOELECTRIC MATERIAL例文帳に追加

RE−B−Si希土類多ホウ化物高温耐酸性熱電材料 - 特許庁

The steel bar further contains 0.10 to 2.5% Si and 0.25 to 2.0% Mn and suitably contains one or more kinds of Al, Ti, Ca, rare earth metals, V and Nb and/or one or more kinds of B, Cu, Ni and Mo.例文帳に追加

該鋼棒は、更に、Si:0.10 〜2.5%とMn:0.25 〜2.0%を含み、適宜、Al、Ti、Ca、REM 、V 及びNbの1種以上、及び/または、B 、Cu、Ni及びMoの1種以上を含有する。 - 特許庁

The above steel sheet contains suitable amounts of C, N, Ti, Nb, Mo, Cu, Ni, B, Mg, Si, Mn and S.例文帳に追加

以上の鋼板が、C,N,Ti,Nb,Mo,Cu,Ni,B,Mg,Si,Mn,Sの好適量を含有する。 - 特許庁

The masteralloy can include Cr, B, Ta, Nb, C, Mo, W, Zr, Zn, Cu, Hf, O, Si or N.例文帳に追加

母合金には、Cr,B,Ta,Nb,C,Mo,W,Zr,Zn,Cu,Hf,O,Si又はNを含むことができる。 - 特許庁

The battery part is formed out of an aluminum material containing Fe of 0.50 mass% or less, Si of 0.50 mass% or less, Ti and B of 0.01 mass% or more and 0.10 mass% or less respectively, and also Ti and B of 0.15 mass% or less in total.例文帳に追加

Feを0.50質量%以下、Siを0.50質量%以下、TiとBをそれぞれ0.01質量%以上0.10質量%以下、かつTiとBを合計で0.15質量%以下含有するアルミニウム材で構成されることを特徴とする電池部品。 - 特許庁

Each compound layer contains one or more kinds of elements selected from the groups consisting of the group 4a, 5a and 6a elements in the Periodic Table, Al, Si and B and one or more kinds of elements selected from B, C, N and O as the main components.例文帳に追加

各化合物層は、周期律表4a、5a、6a族元素、Al、Si、Bからなる群の中から選択される1種以上の元素とB、C、NおよびOから選択される1種以上の元素とを主成分とする。 - 特許庁

The glass insulating layers 16 to 19 are formed of Si-based, an Si-B-based, an Si-Al-based and an Si-Zn-based glass paste, and it contains at least one type of Ca, Sr, Ba and Mg.例文帳に追加

ガラス絶縁層16〜19は、Si系、Si−B系、Si−Al系もしくはSi−Zn系のガラスペーストからなり,Ca,Sr,Ba,Mgのうち少なくとも1種類以上を含む。 - 特許庁

An extremely thin oxide film 2 is formed by subjecting a surface of an Si substrate 1 to thermal oxidation (refer to Fig.(a) and (b)).例文帳に追加

Si基板1の表面を熱酸化して極薄の酸化膜2を形成する(図(a) 及び(b) 参照)。 - 特許庁

When B sticks to the Si wafer 11, this causes both Sb and B to disperse in the Si wafer 16, so that the contamination due to B is measured from the impurity concentration profiles.例文帳に追加

Siウェハ11にBが付着すると、Siウェハ16中にはSbとBとの両方が拡散するので、不純物濃度プロファイルからBによる汚染を測定することができる。 - 特許庁

The hard film optionally further contains B and Si as metal components.例文帳に追加

さらには、金属成分としてB(ホウ素)またはSi(ケイ素)を含んでいてもよい。 - 特許庁

The aluminum-based thermal spraying sliding material has the composition consisting of (a) 5-20% Sn, (b) 5-20% Sn and 1-15% Si, or (c) 8-17% Si, and the balance Al with inevitable impurities, with non-dissolved structure and dissolved structure mixed therein.例文帳に追加

(イ)5〜20%Sn、(ロ)5〜20%Sn及び1〜15%Si、又は(ハ)8〜17%Siを含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなり、未溶解組織と溶解組織が混在するアルミニウム系溶射摺動材料。 - 特許庁

C, Si, Mn, S, P, Al, Nb, Ti, N and B are incorporated into a steel, and the relation among Ti, Nb or B, C and N are set in a prescribed range.例文帳に追加

C,Si,Mn,S,P,Al,Nb,Ti,N,Bを含有し、Ti,NbまたはBと、C,Nとの関係を所定の範囲に設定する。 - 特許庁

The antioxidizing material is a carbide or a nitride of a simple substance selected from the group consisting of B, Si, Ge, Sb, Ti, Sn, Al and Zr or a simple substance of B or Si.例文帳に追加

耐酸化剤はB、Si、Ge、Sb、Ti、Sn、Al、Zrの群から選ばれる単体の炭化物もしくは窒化物またはBもしくはSiの単体である。 - 特許庁

The outer electrodes 4 are constituted by firing a conductive paste, which contains glass frit of a Ba-Sr-Si-B system, glass frit of a Zn-Si-B system, and Cu.例文帳に追加

ここで、Ba−Sr−Si−B系のガラスフリットとZn−Si−B系のガラスフリットとCuを含有した導電ペーストの焼成により外部電極4を構成する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy having high strength, wear resistance and slidability by adding Zn, Cu, B and Mg to a hypereutectic Al-Si alloy.例文帳に追加

高強度で耐摩耗性及び摺動性の優れたアルミニウム合金を提供する。 - 特許庁

Metals contained in the metal alkoxide contain Al, Si, B, Zn and Bi.例文帳に追加

そして、金属アルコキシドに含まれる金属が、Al、Si、B、Zn、およびBiを含む。 - 特許庁

To provide an Mo-Si-B alloy which has excellent oxidation resistance at high temperatures.例文帳に追加

高温において優れた耐酸化性を有するMo−Si−B合金を提供する。 - 特許庁

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Mg,Al,Co,K,Na,Ca,Si,Ti,Sn,V,Ge,Ga,B,As,Zrから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

Further, the Ni-Fe-based alloy brazing material contains5% B and ≤4.5% Si, and P+B+Si is within the range of 7-13%.例文帳に追加

また、上記請求項1に加え、B:5%以下、Si:4.5%以下を含み、かつP+B+Si:7〜13%の範囲であることを特徴とするNi−Fe基合金ろう材。 - 特許庁

The Cr-B-Si-N alloy film 4 contains 0.05 to 10.0mass% B, 0.05 to 10.0mass% Si, 10.0 to 30.0mass% N, and the balance Cr.例文帳に追加

Cr−B−Si−N合金皮膜4は、Bを0.05〜10.0質量%、Siを0.05〜10.0質量%、Nを10.0〜30.0質量%含有し、残部がCrである。 - 特許庁

The hard padding powder for high-frequency welding is formed of a composition containing, by weight %, over 3 to 5% C, 1.5 to 3.5% Si, 1 to 3% Mn, 3 to 8% Ni, 25 to 35% Cr, 1 to 4% B, and consisting of the balance substantially Fe.例文帳に追加

高周波溶着用硬化肉盛粉末を、重量%でC :3超〜5%,Si:1.5〜3.5%,Mn:1〜3%,Ni:3〜8%,Cr:25〜35%,B :1〜4%残部実質的にFeから成る組成とする。 - 特許庁

A substrate 21 (SOI substrate) equipped with a slab layer 211 composed of Si and a clad layer 212 composed of SiO_2, is used first to form holes 22 for introducing an etching agent in the slab layer 211 by dry etching ((b)).例文帳に追加

Siから成るスラブ層211、SiO_2から成るクラッド層212を備える基板21(SOI基板)を用い、まず、ドライエッチングによりスラブ層211にエッチング剤導入用空孔22を形成する((b))。 - 特許庁

Heat treatment is executed under an atmosphere including a P compound, an Si compound or a B compound (d).例文帳に追加

(d)P化合物、Si化合物、またはB化合物を含有する雰囲気下で熱処理を行う。 - 特許庁

The principal components of glass that constitutes the layer 3 can be Si, Al, B, Ca and O.例文帳に追加

更に、層3を構成するガラスはSi、Al、B、Ca及びOを主成分とすることができる。 - 特許庁

The probe 3 and a current passage pattern 4 are formed continuously with Si prepared by doping B.例文帳に追加

探針3及び電流通路パターン4を、BをドープしたSiによって連続して形成する。 - 特許庁

A laminated body of an SiO2 film and an Si-B-O film is used as the intermediate film 32.例文帳に追加

中間膜32としては、SiO2膜とSi−B−O膜の積層体が用いられる。 - 特許庁

In the B-MCM-48, boron is present in a tetracoordinate state in a skeleton and the molar ratio Si to B in the product after firing is ≥3.3.例文帳に追加

ホウ素が、骨格内に4配位されて存在し、焼成後の生成物中のSi/Bモル比が3.3以上の、B−MCM−48。 - 特許庁

The Si(100) face (a) is constituted by only Si atoms 111, and the MgO(100) face (b) is constituted by Mg atoms 121 and oxygen (O) atoms 122.例文帳に追加

Si(100)面(a)はSi原子111だけで構成され、MgO(100)面(b)はMg原子121と酸素(O)原子122で構成される。 - 特許庁

例文

To form an Si epitaxial growth film in which B of a uniform B concentration is doped, a SiGe epitaxial growth film in which B is doped and a SiGe epitaxial growth film in which B and C are doped.例文帳に追加

B濃度が均一なBがドーピングされたSiエピタキシャル成長膜、BがドーピングされたSiGeエピタキシャル成長膜、BとCがドーピングされたSiGeエピタキシャル成長膜を形成する。 - 特許庁




  
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