「b si」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The constituting element constituting the insulator is at least one kind selected from, for example Al, Si, Mg, Ca, Ti, Zr, and B.例文帳に追加

絶縁体を構成する構成元素は例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂから選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＰをイオン注入し、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＢをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Ｓｉ膜７を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁

In a target material containing Si and M component which is at least one element selected from metals of the groups 4a, 5a, 6a of the periodic system, and B and S, the target material is a nitride-containing target material containing Si and M component, and nitride Si.例文帳に追加

本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 - 特許庁

This cantilever for a scan type probe microscope is constructed of a monocrystal silicone supporting part 101, a stress-reduced silicone nitride lever part 102 extending from the supporting part 102, and a probe part 103 arranged in the vicinity of the free end of the lever part, while the supporting part and the lever part are connected together via a Si-B-O glass layer.例文帳に追加

単結晶シリコン製支持部101 と、該支持部より延びた低応力化した窒化シリコン製レバー部102 と、該レバー部の自由端近傍に設けた探針部103とを有し、支持部とレバー部とはSi-B-Oガラス層を介して接合して走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーを構成する。 - 特許庁

This amorphous metal comprises Fe as its principal component and contains Si, B, Cr and C, where the content of Si is 4-9 wt.%, the content of B is 2-5 wt.%, the content of Cr is 1-3 wt.% and the content of C is 0.01-1 wt.%.例文帳に追加

このアモルファス金属は、Ｆｅを主成分とし、Ｓｉ、Ｂ、ＣｒおよびＣを含み、Ｓｉの含有率が４〜９ｗｔ％、Ｂの含有率が２〜５ｗｔ％、Ｃｒの含有率が１〜３ｗｔ％、Ｃの含有率が０．０１〜１ｗｔ％であることを特徴とする。 - 特許庁

The silane compound composition comprises (A) 99.9 to 0.1 wt.% of a silane compound expressed by Si(ORa)4 and/or its hydrolyzed condensation product and (B) 0.1 to 99.9 wt.% of a silane compound expressed by Si(ORb)mRcnXp and/or its hydrolyzed condensation product.例文帳に追加

（Ａ）Ｓｉ（ＯＲ^a）_4であらわされるシラン化合物およびまたはその加水分解縮合物９９．９〜０．１重量％、（Ｂ）Ｓｉ（ＯＲ^b）_mＲ^c_nＸ_pであらわされるシラン化合物およびまたはその加水分解縮合物０．１〜９９．９重量％からなるガラス繊維処理用シラン化合物。 - 特許庁

In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加

強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁

This steel has a componential composition containing, by weight, <0.05% C, <0.05% Si, 0.1 to 4.0% Mn, >0.15 to 0.5% S, 0.003 to 0.3% Ti, 0.0003 to <0.0040% B, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

鋼材の成分組成を、 Ｃ：0.05wt％未満、 Si：0.05wt％未満、 Mn：0.1 〜4.0 wt％、 Ｓ：0.15wt％超え、0.5 wt％以下、 Ti：0.003 〜0.3 wt％および Ｂ：0.0003wt％以上、0.0040wt％未満 を含有し、残部はFeおよび不可避的不純物の組成に調整する。 - 特許庁

Additionally, one or more kinds selected from ≤50 ppm Si, ≤50 ppm Mn, ≤50 ppm Al, ≤50 ppm B, ≤50 ppm Cr, ≤50 ppm Mo, ≤50 ppm Cu, ≤50 ppm Ni, ≤50 ppm Nb, ≤50 ppm Ti and ≤50 ppm V are further incorporated therein.例文帳に追加

また、これに加えて、Si：50 mass ppm 以下、Mn：50 mass ppm 以下、Al：50 mass ppm 以下、Ｂ：50 mass ppm 以下、Cr：50 mass ppm 以下、Mo：50 mass ppm 以下、Cu：50 mass ppm 以下、Ni：50 mass ppm 以下、Nb：50 mass ppm 以下、Ti：50 mass ppm 以下およびＶ：50 mass ppm 以下のうちから選ばれるいずれか１種または２種以上を含有させる。 - 特許庁

Only an Si wafer 21 and the insulating tin film 22 formed on the Si wafer 21 are used for samples 23, the infrared spectroscopic method (refer to Figure 1(B)) is applied to the insulating thin film 22 to measure and evaluate the film quality of the insulating thin film 22.例文帳に追加

Ｓｉウエハ２１及びＳｉウエハ２１上に形成された絶縁薄膜２２のみを試料２３とし、赤外分光法（図１（Ｂ）参照）を適用して絶縁薄膜２２の膜質を測定し評価する。 - 特許庁

A photoelectric conversion film 13 is formed (Fig. b), in such a way that a p-type SiC layer, an i-type a-Si layer and an n-type a-Si layer are laminated in this order on a glass substrate 11, on which a transparent conductive film 12 is formed (Fig. a).例文帳に追加

透明導電膜１２が形成されたガラス基板１１上に（ａ）、ｐ型a-ＳｉＣ層，ｉ型a-Ｓｉ層，ｎ型a-Ｓｉ層をこの順に積層してなる光電変換膜１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

The method for the production of the new polycarbosilane comprises a step to react (A) a polycarbosilane having an Si-H bond with (B) a compound having a carbon-carbon multiple bond enabling the addition of the Si-H bond.例文帳に追加

本発明の新規ポリカルボシランの製造方法は、（Ａ）ケイ素‐水素結合を有するポリカルボシランと、（Ｂ）ケイ素‐水素結合が付加しうる炭素‐炭素多重結合を有する化合物とを反応させる工程を含む。 - 特許庁

The pellets contain Si element as an essential one, and also contain either or each of Al and B of the predetermined concentration.例文帳に追加

このペレットはＳｉ元素を必須成分として含み、かつＡｌ又はＢのいずれか一方又はその双方の元素を所定の濃度で含む。 - 特許庁

An Si substrate 42 for constituting a ferroelectric gate section is adjusted and B ions are implanted into the substrate 42 for forming a p-well 44.例文帳に追加

強誘電体ゲート部構成用のＳｉ基板４２を調整し、基板中にｐ−ウェル４４を形成するためＢイオンを注入する。 - 特許庁

In particular, the proportion of B and, optionally, Si is adapted for use of the powder without a preliminary step of mixing with another powder.例文帳に追加

特に、Ｂの割合と、所望によりＳｉの割合は、別の粉末と混合する予備工程なしに、粉末を使用するように構成される。 - 特許庁

A reaction-proofing layer (crystalline material B) prevents the reaction of Si with a semiconductor (semiconductor crystal A) of gallium nitride such as GaN.例文帳に追加

反応防止層（晶質材料Ｂ）は、Ｓｉと例えばＧａＮ等の窒化ガリウム系の半導体（半導体結晶Ａ）との反応を防止する。 - 特許庁

An n-type emitter region 2e and a collector region 2c are formed on two points on a surface of a p-type Si substrate 1 doped with B ions.例文帳に追加

Ｂイオンがドーピングされたｐ型のＳｉ基板１の表面の２箇所にｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃを形成する。 - 特許庁

The second component is a glass composition containing the oxide of at least one kind of element selected from the groups consisting of Si, B, Al, Ba, Ca, Sr, Zn, Ti, La and Nd.例文帳に追加

第二成分は、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素の酸化物を含むガラス組成物である。 - 特許庁

The iron based Mn-B alloy powder for a flux-cored wire is an iron based Mn-B raw material added to a flux-cored wire and comprising, by mass, 1 to 5% B, 65 to 85% Mn, ≤1% C and ≤1.5% Si, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

フラックス入りワイヤに添加される鉄系Ｍｎ−Ｂ原料であって、質量％でＢ：１〜５％、Ｍｎ：６５〜８５％、Ｃ：１％以下、Ｓｉ：１．５％以下を含有し、残部はＦｅおよび不可避不純物であることを特徴とする。 - 特許庁

This free-cutting steel has a composition comprising 50-150 ppm B, 70-200 ppm N, 3-50 ppm solution B which is determined by the expression (1), solution B=B-(N/1.7),例文帳に追加

成分組成として、B:50〜150ppm、N:70〜200ppm、下記（１）式による固溶B：3〜50ppmを含有し、好ましくはC:0.01〜1.2mass%、Si: 0.10超え1.5mass%以下、Mn: 0.3〜2.0mass%、S:0.015超え0.2mass%以下、Al:0.01〜0.1mass% 、更に、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉの一種または二種以上の鋼で、鋼中介在物として、1ｍｍ^２あたりに、円相当径で10μｍ以上のBN介在物50個以上と円相当径で3μｍ以下の微細硫化物500個以上を共に有する。 - 特許庁

It is preferable that total 0.05-10 wt.% of one or two or more kind of elements out of B, C, Al, Si, Ti, Fe, Zr, Mo, W, Hf, Nb and V other than Cr, N, O are contained in at least B layer of the hard coating 3.例文帳に追加

硬質皮膜３の少なくともＢ層には、Ｃｒ，Ｎ，Ｏの他に、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，及びＶの中の一種又は二種以上を合計で０．０５〜１０重量％含有していることが好ましい。 - 特許庁

Ag is employed as the internal electrode of a ceramic laminate comprising ceramic and glass containing Si wherein the ratio (A)/(B) between the Si element concentration (A) within the range of 5 μm from the Ag electrode and the Si element concentration (B) in the range separated by 5 μm or more from the Ag electrode is set at 2 or less.例文帳に追加

上記目的を達成するために、少なくともセラミックとＳｉを含有するガラスとから成るセラミック積層体の内部電極としてＡｇを使用しており、Ａｇ電極からの距離が５μｍ以下の範囲におけるＳｉ元素濃度（Ａ）とＡｇ電極からの距離が５μｍより離れた範囲におけるＳｉ元素濃度（Ｂ）の比である（Ａ）／（Ｂ）が２以下としたものである。 - 特許庁

The compound material is formed by combining particles including a solid phase A with Si as a main body and a fixed phase B comprised of an intermetallic compound of Si and at least one type selected from Cr and Ti, with carbon material.例文帳に追加

Ｓｉを主体とする固相Ａと、Ｃｒ及びＴｉから選択される少なくとも１種とＳｉとの金属間化合物からなる固相Ｂと、を含む粒子が、炭素材料と複合化されてなる複合材料である。 - 特許庁

The negative electrode material for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains as the main component a compound of a phase in which an element A other than Si is present in a non-equilibrium state in Si, and satisfies at least one necessary condition out of following (a), (b), and (c).例文帳に追加

Ｓｉ中にＳｉ以外の元素Ａが非平衡的に存在した相の化合物を主成分とする本発明の負極材であって、下記（イ）、（ロ）、（ハ）のいずれか１以上の要件を満たす非水電解質二次電池用負極材。 - 特許庁

In the heat treatment, the Si layer 3 has been covered to avoid scattering B therefrom, and since the Si substrate surface is clean enough to avoid growth of a parasitic barrier, and accelerating of the transistor operations can be attained.例文帳に追加

熱処理の時にはボロンドーピング・多結晶シリコン層３は被覆され、そこからボロンが飛散せず、シリコン基板面が清浄ので、そこの所に寄生障壁が発生することはなく、トランジスタの高速動作化を達成することができる。 - 特許庁

In the general formula, A is an element(s) such as Al, Mn, Si, B, Ca, Ti, V, W, Mo, Zr and Zn, and n, m and x denote each a number exhibiting the oxidized state of each element.例文帳に追加

一般式中のＡは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｚｎなどの元素、ｎ、ｍ、ｘは各々各元素の酸化状態を示す数字を示す。 - 特許庁

For that purpose, the GaN substrate is made to contain at least one element among Si, Ge, O, and B in a concentration of 5×10^19 cm^-3 or above.例文帳に追加

そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０^19ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。 - 特許庁

To obtain clean molten iron in which impurity elements of Mn, Al, Ti, Pb, Zn, B in the molten cast iron, are removed and the wear of useful C and Si are restrained.例文帳に追加

鋳鉄溶湯中のＭｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｂの不純物元素を除去し、かつ有用なＣ、Ｓｉの減耗を抑制した清浄な溶湯を得る。 - 特許庁

A Ni silicide layer 13 is formed by performing heat treatment to react Ni of the Ni layer 12 and Si of the n-type SiC layer 11 (Fig. 1(b)).例文帳に追加

熱処理を行うことによってＮｉ層１２のＮｉとｎ型ＳｉＣ層１１のＳｉとを反応させ、Ｎｉシリサイド層１３を形成させる（図１（ｂ））。 - 特許庁

The crystalline metal is preferably mainly composed of Fe, and it contains Si by percentage content of 4 to 9 wt.% and B (boron) by 2 to 5 wt.%.例文帳に追加

また、この結晶質金属は、Ｆｅを主成分とし、Ｓｉを含有率４〜９ｗｔ％で、Ｂ（ホウ素）を２〜５ｗｔ％でそれぞれ含むのが好ましい。 - 特許庁

The second phase comprises a material other than sialon, wherein the material is chosen from a nitride, a carbide or an oxide of an element chosen from B, Al, Ti and Si, or a solid solution thereof.例文帳に追加

第２相は、Ｂ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉから選択される元素の窒化物、炭化物、酸化物、あるいはこれらの固溶体であり、かつ、サイアロンではない材料からなる。 - 特許庁

The piezoelectric layer 11 may contain at least one element selected as a sub-component among rare elements such as Mn, Y, etc., or Si, Li and B.例文帳に追加

圧電層１１は副成分としてＭｎ、Ｙなどの希土類元素、またはＳｉ，ＬｉおよびＢからなる群のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。 - 特許庁

In both the above heat treatment A and the heat treatment B, the heat treatment is applied preferably to the particle in the state covered with an Si oxide.例文帳に追加

上記熱処理工程Ａと熱処理工程Ｂでは、いずれもＳｉ酸化物に覆われた状態の粒子に対して熱処理を施すことが望ましい。 - 特許庁

In this example, the inner cylinder 1 is made of Ni-B-Si-Mo series cermet and the ratio of the hardened phase is about 47% and this thickness is 0.5 mm.例文帳に追加

この例では、内筒１は、Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｏ系のサーメットで構成され、硬質相の割合が約４７％、厚さが０．５ｍｍである。 - 特許庁

The composition of the Mo alloy preferably contains 6.0-10.0 mol% Si and 10.0-20.0 mol% B, and 20-60 vol% Mo phase.例文帳に追加

Ｍｏ合金はＳｉ量が６．０〜１０．０ｍｏｌ％、Ｂ量が１０．０〜２０．０ｍｏｌ％、Ｍｏ相の体積含有量が２０〜６０％の組成とすることが望ましい。 - 特許庁

(A) a hydroxy-terminated organopolysiloxane represented by the formula (1) H-[O-Si(R_2)]_n-OH, (B) a functional group-containing organoalkoxysilane, (C) a surfactant and (D) water.例文帳に追加

(Ａ)一般式(1) Ｈ−[Ｏ-Ｓi(Ｒ)_2]_n-ＯＨで示される末端ヒドロキシオルガノポリシロキサン、(Ｂ)官能基含有オルガノアルコキシシラン、(Ｃ)界面活性剤、(Ｄ)水。 - 特許庁

The Ni base cermet has a composition containing, by weight, 0.6 to 3.2% B, 0.5 to 8% Si and 5 to 37% Mo, and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｎｉ基サーメットは、重量％でＢ：０．６〜３．２％、Ｓｉ：０．５〜８％、Ｍｏ：５〜３７％を含有し残部がＮｉおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

Elements which replace a part of the Si elements are preferably one or more elements selected from the group consisting of Al, B, Ga, Fe and Zn.例文帳に追加

Ｓｉ元素の一部と置換している元素が、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｆｅ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種以上からなることが好ましい。 - 特許庁

The composition of the iron-based amorphous spherical grains is composed of, by atom, 15 to 45% Ni, 5 to 15% Si, 10 to 25% B, 0 to 5% Mo, and the balance Fe.例文帳に追加

該鉄系アモルファス球状粒子の組成が、Ｎｉ：１５〜４５at％、Ｓｉ：５〜１５at％、Ｂ：１０〜２５at％、Ｍｏ：０〜５at％、Ｆｅ：残部である。 - 特許庁

The rare earth magnet alloy has a composition comprising yttrium (Y) as an essential element in addition to praseodymium (Pr), iron (Fe), cobalt (Co), titanium (Ti), boron (B) and silicon (Si).例文帳に追加

組成として、プラセオジム（Ｐｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、ホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）に加えて、イットリウム（Ｙ）を必須元素として含有している。 - 特許庁

Chromium oxide combined synthetic powder is prepared by adding an oxide of at least one kind of elements selected from the group of Bi, B, Si and rare earth elements into chromium oxide.例文帳に追加

酸化クロムに対してＢｉ、Ｂ、Ｓｉ、希土類元素の群より選ばれる少なくとも一種の酸化物を加え、酸化クロム複合合成粉末を作成する。 - 特許庁

And, in the conductive paste including conductive paste, a glass frit and a vehicle, a glass frit of B-Si-Bi-O is used as the glass frit.例文帳に追加

また、導電ペーストと、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有する導電性ペーストにおいて、ガラスフリットとして、Ｂ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｏ系ガラスフリットを用いる。 - 特許庁

The sheet material can further contain at least one kind selected from silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), sulfur (S) and carbon (C) by ≥50 ppm in total.例文帳に追加

また、シリコン（Ｓｉ）、りん（Ｐ）、硼素（Ｂ）、イオウ（Ｓ）若しくは炭素（Ｃ）成分のうち少なくとも一種を合計５０ｐｐｍ以上含有することとする。 - 特許庁

The titanium alloy may comprise at least one element selected from the group consisting of B and Si in 0.01 to 0.5 mass%.例文帳に追加

当該チタン合金は、ＢおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を、質量％で、０．０１〜０．５％含有していても良い。 - 特許庁

The negative electrode active material for lithium secondary battery and the lithium secondary battery contain a compound as expressed in the formula, (C,Si,B)3B12.例文帳に追加

（Ｃ，Ｓｉ，Ｂ）_3Ｂ_12で表される化合物を含んでなることを特徴とするリチウム二次電池用負極活物質及びこれを用いたリチウム二次電池。 - 特許庁