「barc」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The hard mask has a two-layer structure of BARC (lower antireflection layer) on a silicon dioxide.例文帳に追加

ハードマスクは、シリコン二酸化物層上にＢＡＲＣ（下部反射防止層）の二層構造を有する。 - 特許庁

The processing unit has a liquid processing unit BARC, RESIST (DEV) and a heat treatment unit.例文帳に追加

処理ユニットは、液処理ユニットＢＡＲＣ、ＲＥＳＩＳＴ（ＤＥＶ）と熱処理ユニットを含む。 - 特許庁

FORMULATION FOR REMOVAL OF PHOTORESIST, ETCH RESIDUE AND BOTTOM ANTIREFLECTION COATING (BARC), AND METHOD USING THE FORMULATION例文帳に追加

フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法 - 特許庁

BARC ETCHING CONTAINING SELECTIVE ETCHING CHEMICALS AND HIGH POLYMERIC GAS FOR CONTROL OF CD例文帳に追加

選択性エッチング化学薬品及びＣＤ制御のための高重合性ガスを含むＢＡＲＣエッチング - 特許庁

The BARC etching includes a high polymeric gas for controlling the CD and selective etching chemicals together.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングは、ＣＤ制御のための高重合性ガスと一緒に選択性エッチング化学薬品を含む。 - 特許庁

The significant negative etching bias of the BARC etching is then utilized to etch an opening, having a reduced critical dimension into the substrate layer.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。 - 特許庁

For plasma-etching an opening in the BARC with a large negative etching bias, a polymerizing chemical, such as CHF_3, is utilized.例文帳に追加

大きな負のエッチングバイアスにより、ＢＡＲＣに開口部をプラズマエッチングするには、ＣＨＦ_３等の重合化学物質を利用する。 - 特許庁

To provide a formulation for removal of a photoresist, an etch residue and a BARC, and also to provide a method including the formulation.例文帳に追加

フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法を提供する。 - 特許庁

During main etching, a part of the BARC 120 remains in the via holes to protect an etching stopper 104 on the bottoms of the via holes 116.例文帳に追加

主要なトレンチエッチングの間、ＢＡＲＣ１２０の一部がビア内に残って、ビア１１６の底部のエッチング停止材１０４を保護する。 - 特許庁

To suppress the increasing trend of a gate size in a long period due to continuous BARC etching in a process of one lot.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングでの、１ロット内の処理における、また連続エッチングにおける長期的なゲート寸法の太め傾向を抑える。 - 特許庁

An antireflection film coating section 8a-8c (BARC(8a)-BARC(8c)) is specified for each substrate being processed and one of the options fa, fb and fc in the main flow is selected based on the main flow MF and the antireflection film coating section 8a-8c thus forming a temporary flow.例文帳に追加

そして、例えば処理する基板ごとに反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（ＢＡＲＣ（８ａ）〜ＢＡＲＣ（８ｃ））を指定して、メインフローＭＦおよび反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃに基づいて、メインフロー中の１つの選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを選択して仮フローを作成する。 - 特許庁

In an upper layer main etching step for removing unnecessary parts of a Ti/TiN layer 16 and a BARC (bottom anti-reflective coating) layer 17, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 and the BARC layer 17 are larger than the etching rate of an AlCu layer 15 as its etching conditions.例文帳に追加

Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７の不要な部分を除去するための上層メインエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７のエッチングレートがＡｌＣｕ層１５のエッチングレートよりも大きくなるような条件とされる。 - 特許庁

Then, the exposed part of the BARC 120 on the IMD 110 is etched with the high polymeric gas, added to the selective etching chemicals.例文帳に追加

次いで、ＩＭＤ１１０上のＢＡＲＣ１２０の露出部分を、選択性エッチング化学薬品に加えた高重合性ガスを用いてエッチングする。 - 特許庁

A layout of the liquid processing unit BARC, RESIST (DEV) in a side view, is approximately the same in the respective cells 11, 13 (12, 14).例文帳に追加

液処理ユニットＢＡＲＣ、ＲＥＳＩＳＴ（ＤＥＶ）の側面視におけるレイアウトは、各セル１１、１３（１２、１４）の間で略同じである。 - 特許庁

After pattern formation and etching of via holes 116, a thick BARC layer 120 is deposited to fill the via holes 116, and an IMD(inter-metal dielectric) 110 is covered.例文帳に追加

ビア１１６のパターン形成及びエッチングの後、厚いＢＡＲＣ層１２０を堆積してビア１１６を充填し、ＩＭＤ１１０を被覆する。 - 特許庁

A multilayer mask including a lithographically patterned photoresist and an unpatterned organic antireflection coating (BARC) is formed on a substrate layer to be etched.例文帳に追加

リソグラフィーによりパターン化されたフォトレジストとパターン化されていない有機反射コーティング（ＢＡＲＣ）を含む多層マスクが、エッチングされる基板層上に形成される。 - 特許庁

The formulation for removing a photoresist, ion implanted photoresist, BARC and/or etch residue comprises an ammonium hydroxide, 2-aminobenzothiazole and remainder water.例文帳に追加

フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。 - 特許庁

To provide an etching device, an etching method and a method for manufacturing semiconductor device capable of accurately etching a BARC without leaving an etching residue generated by reaction with a bose layer film.例文帳に追加

下地膜と反応したエッチング残渣が残ることなく、ＢＡＲＣを精度良くエッチングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The uniformity of the film thickness of a BARC is improved by a process for embedding a structure in which an organic material different from the BARC is applied at least once so that flatness is assured to an extent that does not influence lithography and the organic material is etched once and planarizing the organic material by removing the organic material so that the surface of an embedded layer is exposed by etching back.例文帳に追加

さらに、リソグラフィへの影響が無い程度の平坦性が確保できるようにＢＡＲＣとは異なる有機材料を少なくとも一回塗布して一度エッチングした構造を埋め込み、エッチバックによって被埋込み層の表面が出るように有機材料を除去して平坦化する工程により、ＢＡＲＣの膜厚の均一性を改善する。 - 特許庁

In this case, the end point of etching in the insulating film 40 after removing the coating-type reflection preventing film BARC is detected with the use of the hard mask film HM positioned on a gate electrode G.例文帳に追加

ここで、塗布型反射防止膜ＢＡＲＣが除去された後の絶縁膜４０のエッチングの終点検出は、ゲート電極Ｇ上に位置するハードマスク膜ＨＭにより行なわれる。 - 特許庁

The preselected gaseous mixture can be formulated for different semiconductor wafer processing operations such as surface prime treatment and bottom anti-reflective coating (BARC) deposition.例文帳に追加

予め選択されたガス状混合体は、表面プライム処理及び底反射防止被膜（ＢＡＲＣ）堆積のような異なる半導体ウェーハ処理動作のために処方することができる。 - 特許庁

The BARC layer is etched with a significant negative etching bias, to reduce the critical dimension of the opening in the multilayer mask to be smaller than the lithographically defined dimension in the photoresist.例文帳に追加

ＢＡＲＣ層は、大きな負のエッチングバイアスによりエッチングされて、フォトレジストに、リソグラフィーにより画定された寸法より小さく、多層マスクの開口部の限界寸法を減じる。 - 特許庁

A groove (85) is partially etched and the groove (85) is formed almost inside the secondary dielectric layer (40) after BARC (back side anti-reflection coating) is completely or partially removed from the via (62), which completes a groove etching process.例文帳に追加

溝（８５）を部分的にエッチングし、ＢＡＲＣをビア（６２）から完全にまたは部分的に除去して溝（８５）をほとんど第２の誘電層（４０）内に形成し、溝エッチング・プロセスを完了する。 - 特許庁

This composition does not contain an oxidizing agent and polishing particles, and has an ability to remove residues from substrates, especially substrates having silicon-containing BARC and/or photoresist residues.例文帳に追加

本発明による組成物は、酸化剤及び研磨粒子を含まず、基板特にケイ素含有ＢＡＲＣ及び／又はフォトレジスト残留物を有する基板から残留物を除去する能力をもつ。 - 特許庁

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light absorption coating film-forming composition which meets the properties (causing no intermixing or the like) to be required for BARC (bottom antireflective coating) of a semiconductor substrate and can form a coating film having excellent light absorptivity, and simultaneously can be dissolved in various solvents.例文帳に追加

半導体基板のＢＡＲＣ用として要求される特性（インターミキシングを起こさない等）を満足すると共に、光吸収性に優れた塗膜を形成することができ、かつ、種々の溶媒に溶け得る光吸収性塗膜形成用組成物の提供。 - 特許庁

The method for removing a material selected from a group consisting of photoresist, etch residue, BARC and combinations of these, from a substrate includes applying the above described formulation to the substrate to remove the material from the substrate.例文帳に追加

本発明はフォトレジスト、エッチ残留物、ＢＡＲＣ及びそれらの組合せからなる群から選択した材料を基材から除去する方法であって、材料を基材から除去するために、上記に記載された、配合物を基材に適用することを含む方法でもある。 - 特許庁

To provide an apparatus for surface treatment capable of enhancing the selection ratio or the ratio of the etching rate of an antireflection film, such as BARC or the like of an organic material, which serves as a means for forming a highly precise pattern by surface treatment of a semiconductor or the like to that of a resist which servers as a mask for forming the pattern.例文帳に追加

半導体などの表面処理において高精度にパターン形成を行うための手段となる反射防止膜であるＢＡＲＣなどの有機材とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供する。 - 特許庁