「bi layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a sliding member equipped with an overlay layer containing Bi-based particles formed from Bi or Bi alloy and having an excellent fatigue resistance and an excellent resistance against seizure.例文帳に追加

ＢｉまたはＢｉ合金で形成されるＢｉ系粒子を含むオーバレイ層を備え、耐疲労性および非焼付性に優れる摺動部材を提供する。 - 特許庁

To provide a sliding member in which Bi can be used for a material of an overlay layer by reducing the brittle property of Bi.例文帳に追加

Ｂｉの脆いという性質を軽減し、オーバレイ層の材料にＢｉを用いることができるようにする。 - 特許庁

The crystallization promoting layer 13 is formed in ≤5 nm massive film thickness from Bi and/or a Bi compound.例文帳に追加

結晶化促進層１３は、Ｂｉ及び／又はＢｉ化合物から５ｎｍ以下の質量膜厚で形成する。 - 特許庁

The write-once type optical recording medium is provided with a recording layer containing at least Bi, B and O on a substrate, and the atomic ratio of Bi to B in the recording layer is 3/7≤Bi/B≤8.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ｂｉ、Ｂ及びＯを含有する記録層を備え、記録層におけるＢｉとＢの原子比が３／７≦Ｂｉ／Ｂ≦８である追記型光記録媒体である。 - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM MEDIA WITH BI-LAYER STRUCTURE OF CrTi/NiP例文帳に追加

ＣｒＴｉ／ＮｉＰから成る二層構造を有する薄膜磁気媒体 - 特許庁

A Bi concentration in the Sn-Bi layer is desirably 1 to 20 wt.%, to obtain the sufficient wettability.例文帳に追加

このＳｎ−Ｂｉ層中のＢｉ濃度は、十分なぬれ性を得るために１〜２０重量％であることが望ましい。 - 特許庁

In short, the light-emitting layer of the light-emitting diode is represented by a general formula InxGa1-xN1-yXy (0<x<1; X=P, As, Ab, Bi; y=0<y<0.01/0<y<0.005).例文帳に追加

すなわち、本発明に係る発光ダイオードの発光層は一般式In_xGa_1-xN_1-yX_y（0＜x＜1;X=P,As,Sb,Bi;y=0＜y＜0.01/0＜y＜0.005）で表される。 - 特許庁

Preferably, the concentration of the Bi in the Sn-Bi layer is 1 to 20 wt.% for the sufficient wettability.例文帳に追加

このＳｎ−Ｂｉ層中のＢｉ濃度は、十分なぬれ性を得るために１〜２０重量％であることが望ましい。 - 特許庁

The overlay layer 4 is formed of a material containing hard particles of 0.05-25 vol.% in Bi or Bi alloy.例文帳に追加

オーバレイ層４は、ＢｉまたはＢｉ合金に硬質粒子を０．０５〜２５vol ％含有させた材料により形成する。 - 特許庁

Bi concentration in the Sn-Bi layer should preferably be 1-2 wt.% for improved wetting properties.例文帳に追加

このＳｎ−Ｂｉ層中のＢｉ濃度は、十分なぬれ性を得るために１〜２０重量％であることが望ましい。 - 特許庁

A Bi concentration in the Sn-Bi layer is desirably 1 to 20 wt.% for obtaining sufficient wettability.例文帳に追加

このＳｎ−Ｂｉ層中のＢｉ濃度は、十分なぬれ性を得るために１〜２０重量％であることが望ましい。 - 特許庁

It is preferable that Bi concentration in this Sn-Bi layer is 1-20 wt% for obtaining the sufficient wettability.例文帳に追加

このＳｎ−Ｂｉ層中のＢｉ濃度は、十分なぬれ性を得るために１〜２０重量％であることが望ましい。 - 特許庁

The concentration of Bi in the layer of Sn-Bi is preferably 1-20 wt.% to obtain the sufficient wettability.例文帳に追加

このＳｎ−Ｂｉ層中のＢｉ濃度は、十分なぬれ性を得るために１〜２０重量％であることが望ましい。 - 特許庁

A jet 9 of molten metal composed of the Sn-Bi alloy is injected through a nozzle 8 into the cooling liquid layer and solidified.例文帳に追加

その冷却液体層中にノズル８から、Sn−Bi系合金より作った溶融金属のジェット９を噴射し凝固させる。 - 特許庁

In a sliding bearing having the overlay layer formed of Bi on a bearing alloy layer, the precipitated particle density of Bi in the overlay layer is set to be 50-300 particles/100 μm^2.例文帳に追加

軸受合金層上にＢｉからなるオーバレイ層を形成したすべり軸受において、オーバレイ層におけるＢｉの析出粒子密度が５０〜３００個／１００μｍ^２とする。 - 特許庁

The solder-coated lid includes an Ni base material constituting a lid body, a Cu plating layer provided on the base material, and a Bi-Sn solder alloy layer provided while joined to the Cu plating layer.例文帳に追加

はんだコートリッドを、リッド本体を構成するNiベース基材と、該基材の上に設けられたCuめっき層と、該Cuめっき層に接合して設けられたBi-Snはんだ合金層から構成する。 - 特許庁

INTERCONNECT STRUCTURE WITH BI-LAYER METAL CAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

２層金属キャップを有する相互接続構造体及びその製造方法 - 特許庁

The sliding member is structured so that the overlay layer 13 is provided on the base part, wherein the overlay layer 13 is formed by adding Sn or Sn alloy to Bi or Bi alloy.例文帳に追加

基部上にオーバレイ層１３が設けられる摺動部材において、オーバレイ層１３をＢｉまたはＢｉ合金にＳｎまたはＳｎ合金を添加して形成する。 - 特許庁

A gate electrode layer GE is located on at least the buried insulating film BI.例文帳に追加

ゲート電極層ＧＥは少なくとも埋め込み絶縁膜ＢＩ上に位置している。 - 特許庁

The optical recording medium contains not less than one kind of a bi(benzo[1,2,4] thiadiazinyl) derivative at least in one recording layer.例文帳に追加

ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を記録層に含有する光記録媒体。 - 特許庁

Further, each layer contains at least one element from among Ag, Bi, O, or N.例文帳に追加

さらに、各々の層は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｏ及びＮの少なくとも一つの元素を含有する。 - 特許庁

The wear resistance of the overlay layer 4 can be improved by containing hard particles while using Bi or Bi alloy.例文帳に追加

このようにＢｉまたはＢｉ合金を用いるようにしながらも、硬質粒子を含有させることで、オーバレイ層４の耐摩耗性を向上できる。 - 特許庁

The Bi-based copper oxide high-temperature superconductive article 1 represented by a composition formula (Bi_2-xB_x)Sr_2CuO_z and substituted with B has a Bi(B)(2201) structure in which a part of Bi of a Bi-blocking layer 2 is substituted with B, BO_3^3- or both of them.例文帳に追加

組成式（Ｂｉ_2-x Ｂ_x ）Ｓｒ_2 ＣｕＯ_z で表され、Ｂで置換したＢｉ系銅酸化物高温超伝導体１であって、、Ｂｉブロッキング層２のＢｉの一部をＢ、ＢＯ_3 ^3-、又はその両方で置換したＢｉ（Ｂ）（２２０１）構造を有している。 - 特許庁

To provide a sliding member which has excellent resistance against seizure and comprises an overlay layer formed by adding Sn or an Sn alloy to Bi or Bi alloy.例文帳に追加

ＢｉまたはＢｉ合金にＳｎまたはＳｎ合金を添加して形成されるオーバレイ層を有し、非焼付性に優れる摺動部材を提供する。 - 特許庁

The Sn-Ag-Bi solder powerful as the Pb-free solder is connected to an Sn-Bi layer on the surface.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

In one embodiment, this method of fabricating an interconnect structure with a bi-layer metal cap includes the steps of: forming an interconnect structure portion in a dielectric material layer; and forming a bi-layer metallic cap on the top surface of an interconnect structure portion.例文帳に追加

１つの実施形態において、本方法は、誘電体材料層内に相互接続構造部を形成するステップ、及び、相互接続構造部の上面に２層金属キャップを形成するステップを含む。 - 特許庁

This method also includes the step of depositing the blanket layer of a dielectric capping layer, which covers the exposed surface of the dielectric material layer and the surface of a bi-layer metallic cap.例文帳に追加

本方法は、誘電体材料層の露出面及び２層金属キャップの表面を覆う、誘電体キャップ層のブランケット層を堆積するステップを更に含む。 - 特許庁

The interconnect structure comprises: an interconnect structure portion formed in the dielectric layer: a bi-layer metallic cap formed on the top portion of the interconnect structure portion; and a dielectric capping layer formed on the bi-layer metallic cap.例文帳に追加

また、誘電体層内に形成された相互接続構造部、相互接続構造部の頂部に形成された２層金属キャップ、及び、２層金属キャップを覆って形成された誘電体キャップ層を有する相互接続構造体を含む。 - 特許庁

To manufacture a photoconductive layer composed of a Bi oxide sintered compact withoiut fusing the same to a setter.例文帳に追加

Ｂｉ酸化物焼結体からなる光導電層をセッターと融着させることなく製造する。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加

ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁

An Ni layer with a coating weight of 0.1 to 4.4 g/m^2 and an Sn-Bi alloy layer comprising 0.1 to 57 mass% Bi are formed at least on one side of the surfaces of a steel sheet in order from the steel sheet side.例文帳に追加

鋼板表面の少なくとも片面に、鋼板側から順に、付着量が０．１〜４．４ｇ／ｍ^２のＮｉ層と、０．１〜５７ｍａｓｓ％のＢｉを含むＳｎ−Ｂｉ合金層と、を形成する。 - 特許庁

The Bi-based superconductive tape wire 21 is arranged on an outer layer of the superconductive shield layer 4, and a Y-based superconductive thin film wire 11 is arranged inside the Bi-based superconductive tape wire 21.例文帳に追加

そのＢｉ系超電導テープ線材２１は、超電導シールド層４の外側の層に配設され、Ｂｉ系超電導テープ線材２１の内側にＹ系超電導薄膜線材１１が配設される。 - 特許庁

The Bi-based superconductive tape wire 21 is arranged on a layer at the inside of the superconductive conductor layer 2, and Y-based superconductive thin film wires 11, 11 are arranged outside the Bi-based superconductive tape wire 21.例文帳に追加

そのＢｉ系超電導テープ線材２１は、超電導導体層２の内側の層に配設され、Ｂｉ系超電導テープ線材２１の外側に、Ｙ系超電導薄膜線材１１，１１が配設される。 - 特許庁

An Sn-Bi alloy is prominent in recording characteristics and the second layer 30, reacted with the Sn-Bi alloy, and laminated whereby chemical characteristics are readily changed by the reaction between the first layer 20 and the second layer 30, thereby improving the recording characteristics.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｂｉ合金は記録特性に優れ、Ｓｎ−Ｂｉ合金と反応する第２層３０が積層されているので、第１層２０と第２層３０が反応させて光学特性を変化させやすく、記録特性が向上する。 - 特許庁

The light recording medium 100 is constituted of a recording layer having a first layer 20 containing Sn and Bi; a second layer 30 approximated to the first layer 20 and reacted with the first layer 20 by providing the same with an external energy; and an oxidizable layer 50 containing an oxidizable substance, readily oxidized compared with Sn and Bi and laminated on the first layer 20.例文帳に追加

記録層が、ＳｎとＢｉとを含む第１層２０と第１層２０と近接しかつ外部エネルギーを付与することによって第１層２０と反応する第２層３０とを有し、Ｓｎ及びＢｉよりも酸化されやすい被酸化物質を含む被酸化層５０が第１層２０に積層されている光記録媒体１００である。 - 特許庁

The structural material is constituted by jointing a Sn-Ag-Bi base solder, reliable as the Pb-free solder with an electrode applying Sn-Bi base layer on the surface.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

As a result, the liquid phase of the Bi is no longer spread, and thereafter, rolling and sintering are repeated to obtain a Cu alloy layer having the Bi phase finely dispersed therein.例文帳に追加

その結果、Ｂｉの液相が拡がらなくなり、その後、圧延、焼結を繰返すことにより、Ｂｉ相を微細に分散させたＣｕ合金層を得ることができる。 - 特許庁

The Pb-free solder connecting structure comprises an Sn-Ag-Bi solder, which is reliable as a Pb-free solder connected to an electrode executed on its surface with an Sn-Bi layer.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

(1) The rerecording type optical recording medium has the recording layer of a granular structure containing a metal Bi fine particle and/or a Bi alloy fine particle, formed on a substrate.例文帳に追加

（１）基板上に、金属Ｂｉ微粒子及び／又はＢｉ合金微粒子を含有するグラニュラー構造からなる記録層が設けられている追記型光記録媒体。 - 特許庁

The n-type thermoelectric element layer is a thin film layer and turned to an n-type semiconductor by adding Se to Bi-Te.例文帳に追加

一方、ｎ型熱電素子層は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｅを添加することによりｎ型半導体としたものである。 - 特許庁

To provide an electronic component and a board that can suppress a reaction between Ni in a Ni-containing layer, which is a top layer of the electronic component or the board, and Bi in a Bi-based solder alloy to realize sure bonding when the electronic component is bonded with the board using the Pb free Bi-based solder alloy.例文帳に追加

Ｐｂを含まないＢｉ系はんだ合金により電子部品と基板を接合する際に、電子部品又は基板の最上層であるＮｉ含有層のＮｉとＢｉ系はんだ合金のＢｉとの反応を抑制し、確実な接合が可能な電子部品及び基板を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the oxidizable layer 50 containing the oxidizable substance, more readily oxidized than Sn and Bi, is laminated on the first layer 20 whereby the oxidizable layer 50 is oxidized selectively, thereby delaying the corrosion of the Sn-Bi alloy and improving the durability of the same.例文帳に追加

またＳｎ及びＢｉよりも酸化されやすい被酸化物質を含む被酸化層５０が第１層２０に積層されているのでこの被酸化層５０が選択的に酸化され、Ｓｎ−Ｂｉ合金の腐食を遅らせ、耐久性が向上する。 - 特許庁

The bi-layer metallic cap comprises: a metal capping layer formed on the conductive surface of an interconnect structure portion; and metal nitride formed on the top portion of the metal capping layer.例文帳に追加

２層金属キャップは、相互接続構造部の導電面上に形成された金属キャップ層、及び金属キャップ層の頂部に形成された金属窒化物を含む。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element which has at least one layer of an organic compound layer including a luminous layer between a pair of electrodes, at least a layer of the organic compound layer contains at least one type of 3,3'-bi-indole that has substituent or has been substituted and a 3,3'-bi-carbazole compound.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、置換基を有しない、又は置換された３，３’−ビ−インドール又は３，３’−ビ−カルバゾール化合物の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

To reduce a change with the passage of time in the alloy texture of an Sn-Bi alloy used as a conductive layer for connection.例文帳に追加

接続用導電層として用いるＳｎ−Ｂｉ合金の合金組織の経時変化を小さくする。 - 特許庁