「breakdown-strength」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device wherein a breakdown strength is improved with no on-resistance increased.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなく破壊耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To apply a fine wiring design rule by thinning an element isolating film of a high breakdown strength element.例文帳に追加

高耐圧素子の素子分離膜を薄くし、微細配線設計ルールを適用できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high breakdown strength along with its manufacturing method.例文帳に追加

破壊耐圧の高い半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a breakdown-strength is improved with no on-resistance increased.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなく破壊耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enable copper wiring formed through a damascene method to be improved in dielectric breakdown strength (reliability).例文帳に追加

ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect transistor in which a leakage current is small and a breakdown strength is high.例文帳に追加

リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a polarizing process of a piezoelectric element which hardly lowers the breakdown strength of the piezoelectric element.例文帳に追加

圧電素子の破壊強度を低下させ難い圧電素子の分極処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a horizontal HEMT having a high avalanche breakdown strength, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高いアバランシュブレークダイン強度を有する横型ＨＥＭＴと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve dielectric breakdown strength (reliability) of a copper wiring formed by means of a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。 - 特許庁

To obtain a multi-channel IGBT, which can be further improved its on-state current density and latch-up breakdown strength.例文帳に追加

オン電流密度及びラッチアップ耐量をさらに向上し得るマルチチャネルＩＧＢＴを得る。 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN-STRENGTH VERTICAL MOS TRANSISTOR AND SWITCHING POWER-SUPPLY DEVICE USING IT例文帳に追加

高耐圧縦型ＭＯＳトランジスタ及び高耐圧縦型ＭＯＳトランジスタを用いたスイッチング電源装置 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which both high breakdown strength and low resistance can be satisfied.例文帳に追加

高耐圧化と低抵抗化を両立させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a rectifier and a full-wave rectifier having a small loss and large breakdown strength.例文帳に追加

損失が少なく、耐圧が大きい整流器及び全波整流装置を提供することである。 - 特許庁

To suppress degradation in breakdown strength by suppressing oxygen diffusion in a semiconductive film.例文帳に追加

本発明は、半導電性膜中の酸素の拡散を抑え、耐圧劣化を抑制することができる。 - 特許庁

To form a Zener diode of high quality at a high yield by suppressing variation in breakdown strength of Zener.例文帳に追加

ツェナー耐圧のばらつき幅を抑え、高品質のツェナーダイオードを高歩留まりで形成する。 - 特許庁

To enhance avalanche breakdown strength of a super-junction semiconductor device in which parallel pn layers are structured and tradeoff relation between breakdown voltage and ON resistance is remarkably improved.例文帳に追加

並列ｐｎ層を有し、耐圧とオン抵抗とのトレードオフ関係を大幅に改善する超接合半導体素子において、アバランシェ耐量の向上を図る。 - 特許庁

Further, the diode is designed so as to have a breakdown voltage and the breakdown voltage restricts the strength of an electric field across the gate oxide layer.例文帳に追加

さらに、ダイオードはブレークダウン電圧を有するように設計され、ブレークダウン電圧がゲート酸化物層を横切る電界の強さを制限することができる。 - 特許庁

To impart appropriate threshold voltages and characteristics suitable for suppressing hot carriers to the respective plural transistors of different breakdown strengths, in a semiconductor device provided with the transistor of high breakdown strength and the transistor of low breakdown strength inside the same chip.例文帳に追加

本発明は同一チップ内に高耐圧のトランジスタと低耐圧のトランジスタとを備える半導体装置に関し、耐圧の異なる複数のトランジスタのそれぞれに、適当なしきい電圧値と、ホットキャリアを抑制するうえで好適な特性とを付与することを目的とする。 - 特許庁

To provide a transfer material carrying member by which a high breakdown voltage and high film strength are obtained.例文帳に追加

高い絶縁破壊電圧と高いフィルム強度が得られる転写材担持部材を提供することにある。 - 特許庁

Since dielectric breakdown strength of the gate insulation film 12b can be controlled by ionic species, an acceleration voltage or a dose, etc., during ion implantation, both high dielectric breakdown strength required for an MOS transistor and low dielectric breakdown strength required for a fuse capacitor can be realized, thus reducing the development period.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１２ｂの絶縁破壊耐圧はイオン注入時のイオン種、加速電圧、またはドーズ量等により制御出来るため、ＭＯＳトランジスタに求められる高い絶縁破壊耐圧と、フューズキャパシタに求められる低い絶縁破壊耐圧とを両立でき、更に開発期間の短縮を図ることが出来る。 - 特許庁

To increase an improvement effect of breakdown strength by a surf layer circulating around a semiconductor element formation region.例文帳に追加

半導体素子形成領域を一巡するリサーフ層による破壊耐量の向上効果を増大させる。 - 特許庁

The first switching circuit SC1 has a P-MOS transistor PM1 of high breakdown strength and a level shifter LS1, the second switching circuit SC2 has a P-MOS transistor PM2 of low breakdown strength and a level shifter LS2 and a diode D1, and the third switching circuit SC3 has a P-MOS transistor PM3 of low breakdown strength and a diode D2.例文帳に追加

第１スイッチング回路ＳＣ１は高耐圧のＰ−ＭＯＳトランジスタＰＭ１とレベルシフタＬＳ１とを有し、第２スイッチング回路ＳＣ２は低耐圧のＰ−ＭＯＳトランジスタＰＭ２とレベルシフタＬＳ２とダイオードＤ１とを有し、第３スイッチング回路ＳＣ３は低耐圧のＰ−ＭＯＳトランジスタＰＭ３とダイオードＤ２とを有する。 - 特許庁

To provide a high breakdown strength field effect transistor without side gate effects or frequency dispersion of drain conductance, etc.例文帳に追加

サイドゲート効果やドレインコンダクタンスの周波数分散などのない高耐圧の電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To reduce an on voltage and ensure a high breakdown strength in an insulation gate type semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧を低減すると共に高破壊耐量を確保する。 - 特許庁

To provide a polyetherimide resin having excellent characteristic balance (relative dielectric constant value, breakdown strength, and robustness).例文帳に追加

優れた特性バランス（比誘電率値、破壊強度、頑強性）を有する新規ポリエーテルイミド樹脂の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of which breakdown strength and switching speed are improved, and its manufacturing method.例文帳に追加

耐圧及びスイッチング速度が向上した半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for preventing the degradation of breakdown strength and the decline of an yield.例文帳に追加

耐圧の劣化や歩留の低下を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a load disconnection detection circuit having a breakdown strength which is equal to or more than a flyback voltage generated to a load.例文帳に追加

負荷に生じるフライバック電圧以上の耐圧を持つ負荷断線検出回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high breakdown strength in which fine patterning and high speed operation of transistors are realized.例文帳に追加

トランジスタの微細化及び高速動作が可能で、且つ高耐圧な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To realize a logic mixed-loading memory of a DRAM base without reducing a breakdown strength characteristic of a gate insulation film.例文帳に追加

ＤＲＡＭベースのロジック混載メモリをゲート絶縁膜の耐圧特性を低下させることなく実現する。 - 特許庁

Thus, it is possible to obtain the diode element which enhances both high-speed operativity and ESD breakdown strength.例文帳に追加

これによって、高速動作性及びＥＳＤ耐圧がともに向上されたダイオード素子が得られる。 - 特許庁

To provide a high breakdown-strength lateral bipolar transistor of high Early voltage by suppressing the base width modulation effect.例文帳に追加

ベース幅変調効果を抑制し、アーリー電圧の高い高耐圧ラテラルバイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of improving the breakdown strength of an electronic circuit utilizing a polysilicon resistor.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗を活用した電子回路を高耐圧化できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an input protection circuit device capable of improving breakdown strength without enlarging a pattern size.例文帳に追加

パターンサイズを大きくすることなく破壊耐量を向上できる入力保護回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a layout of high breakdown voltage wiring which can flatten the wiring and also which is high in dielectric breakdown strength to upper wiring, even at the end of lower wiring, and can withstand high breakdown voltage dielectric resistance.例文帳に追加

配線の平坦化を図ることができると共に、下層配線の端部においても、上層配線との間の絶縁耐圧が高く、高耐圧絶縁耐量に耐えることができる高耐圧配線レイアウトを提供する。 - 特許庁

The impurity concentration of an n-offset region 8 and a p-offset region 5 on a source side is enhanced, so that the mutual conductance of the high breakdown-strength MOS transistor is raised, resulting in a reduced special area of the high breakdown-strength MOS transistor.例文帳に追加

ソース側のｐオフセット領域５およびｎオフセット領域８の不純物濃度を高くして、高耐圧ＭＯＳトランジスタの相互コンダクタンスを大きくし、高耐圧ＭＯＳトランジスタの専有面積を縮小する。 - 特許庁

Plus input signal level is limited by the breakdown strength of the diode D3 (e.g. 18-50 [V]) and minus input signal level is limited by the breakdown strength of the diode D1 (e.g. 13-15 [V]).例文帳に追加

入力可能な＋信号のレベルは、ダイオードＤ_３の逆耐圧（例えば１８〜５０［Ｖ］）により制限され、入力可能な−信号のレベルは、ダイオードＤ_１の逆耐圧（例えば１３〜１５［Ｖ］）により制限される。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition that gives epoxy resin cured products having excellent balance between the dielectric breakdown strength, the creep properties, the high-temperature endurant strength, the resistance against humidity and the like.例文帳に追加

絶縁破壊強度、クリープ特性、高温耐久強度、耐湿性等のバランスに優れたエポキシ樹脂硬化物を得るためのエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high breakdown-proof strength by relaxing a surface field at a breakdown-proof structure without enlarging the area of the breakdown-proof structure with respect to the semiconductor device having a parallel p-n structure at the breakdown-proof structure around a drift.例文帳に追加

ドリフト部の周りの耐圧構造部が並列ｐｎ構造を有する半導体装置において、その耐圧構造部の占有面積の拡大を招かずに、耐圧構造部の表面電界を緩和でき、高耐圧化を図ることができる半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

In this case, the bipolar opening 101 for high breakdown strength is made smaller than the bipolar opening 102 for high speed.例文帳に追加

ここで、高耐圧用バイポーラの開口１０１のほうが高速用バイポーラの開口１０２より小さくなっている。 - 特許庁

As a result, a function of Ba as a stray emission source is reduced so that the breakdown strength characteristic is improved.例文帳に追加

この結果、Ｂａのストレーエミッション源としての機能が低下し、耐電圧特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a plasm display provided with a new sustaining electrode drive circuit which uses low breakdown strength transistor.例文帳に追加

耐圧の低いトランジスタを用いた、新規な維持電極駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus in which a transistor operates at a high speed and the breakdown strength of an electron increasing portion is made high.例文帳に追加

トランジスタの高速動作が可能で、かつ、電子の増加部の高耐圧化が可能な撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which has high dielectric breakdown electric field strength and is free of a flow of reverse recovery current to a circuit.例文帳に追加

絶縁破壊電界強度が高く、逆回復電流が回路に流れない半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high electrostatic breakdown strength at a low manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低製造コストで、静電破壊耐量が高い半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁