「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Finally, highly efficient group III-V solar cells 201-206 are grown on the Ge_xSi_1-x buffer layer.例文帳に追加

最後に、高効率III−Ｖ太陽電池２０１〜２０６がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 - 特許庁

The first buffer layer 12 contains InAlGaN and covers a bottom surface 10b of the step and a side surface 10c of the step.例文帳に追加

第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。 - 特許庁

In the buffer layer 102, the Na percentage composition b is inclined between the rear surface and front surface.例文帳に追加

このＬｉ_１−ｂＮａ_ｂＧａＯ_２バッファ層１０２は、裏面と表面との間でＮａ組成比ｂが傾斜している。 - 特許庁

A metamorphic buffer layer 12 of the metamorphic device is provided between a substrate 11 (a GaAs substrate) and a transistor operation part 20.例文帳に追加

メタモルフィックバッファ層１２が基板１１（ＧａＡｓ基板）とトランジスタ動作部２０との間に設けられている。 - 特許庁

To provide the structure and manufacturing method of a relaxation buffer layer for manufacturing a distortion Si crystal or the like.例文帳に追加

本発明は、歪Si結晶等を作製するための緩和バッファ層の構造並びに、製造方法に関する - 特許庁

A p body region 4 and an n buffer region 7 are provided separately on the surface layer of an n^- drift region 3.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域３の表面層にｐボディ領域４と、ｎバッファ領域７とが離れて設けられている。 - 特許庁

The elastic sheet 602 acts as a buffer, and a transparent substrate 611 and a first electrode layer 612 will not broken down.例文帳に追加

弾性シート６０２が緩衝剤となり、透明基板６１１や第１電極層６１２が破壊しない。 - 特許庁

The inter-metal-layer insulating film 104 is formed on the entire structure including such a buffer oxide film 103.例文帳に追加

そうしたバッファ酸化膜１０３を含む全体構造上に金属層間絶縁膜１０４を形成する。 - 特許庁

A backing material 6 is provided on the back side of the buffer layer 5 and damps an ultrasonic wave from the transducer element 1.例文帳に追加

背面材６は、緩衝層５の背面側に設けられ、振動子部１からの超音波を減衰する。 - 特許庁

To obtain the substantially correct film thickness of an n-type buffer layer which is one of the films constituting a chalcopyrite solar cell.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池を構成する膜の１つであるｎ型バッファ層の略正確な膜厚を求める。 - 特許庁

In the method of fabricating the CIGS solar cell, a buffer layer exposing many protrusions is formed.例文帳に追加

本発明によるＣＩＧＳ太陽電池の製造方法は、多数の突起が露出されるバッファー層を形成する。 - 特許庁

A preferable form of the buffer layer (B) is an olefin polymer (d) having a stiffness modulus of ≤100 MPa.例文帳に追加

また緩衝層（Ｂ）の好ましい態様は、曲げ剛性率が１００ＭＰａ以下のオレフィン重合体（ｄ）である。 - 特許庁

A buffer material 6 is laid through an intermediate plate 5 on the thermosetting resin layer 4 to configure a laminated object.例文帳に追加

この熱硬化性樹脂層４に中間プレート５を介して緩衝材６を重ねて積層物を構成する。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The high-resistance ZnO thin film that serves as the buffer layer is formed by carrying out sputtering film formation in an atmosphere including oxygen.例文帳に追加

バッファ層である高抵抗ＺｎＯ薄膜を、酸素を含む雰囲気中でスパッタ成膜して形成する。 - 特許庁

On a buffer layer 100a formed on a substrate 100, GaN:Si is grown to form a seed crystal 105.例文帳に追加

基板１００上のバッファ層１００ａの上に、ＧａＮ：Ｓｉを成長させ種結晶１０５を形成する。 - 特許庁

To provide a new cable for indoor installation, including a dual-layer optical fiber buffer encasement made of acrylate resin.例文帳に追加

アクリル樹脂の２層光ファイババッファ容器を備える屋内設置のための新しいケーブルの設計を提供する。 - 特許庁

This leads to a result which suppresses power consumption because a function as a buffer layer of the polymer 104 is also added.例文帳に追加

導電性ポリマー１０４のバッファ層としての機能も加わり、消費電力を抑える結果につながる。 - 特許庁

A power transistor device includes a substrate and the substrate forms a PN junction with a buffer layer that overlaps thereon.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスは基板を含み、当該基板は、上に重なっているバッファ層とのＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

Next, a buffer layer 2 of AlN is formed with a thickness of about 40 nm, mainly on each upper step face and on each bottom face of the steps of the substrate 1.例文帳に追加

次にAlNのバッファ層２を約40nmの厚さに基板１の段差の主に上段面と底面に形成する。 - 特許庁

An n-type Si buffer layer 6 is formed by doping phosphorus fixedly in nonselective epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉバッファ層６は非選択エピタキシャル成長時にリンを一定にドーピングすることによって形成される。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor having an indium/gallium/nitride layer in which stress on a buffer interface is reduced.例文帳に追加

バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system compound semiconductor transistor containing a buffer layer having high resistance, and its manufacturing method.例文帳に追加

高抵抗なバッファ層を含む窒化ガリウム系化合物半導体トランジスタ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, a signal electrode 5 being an electrode for the modulation and an earth electrode 6 are formed on the buffer layer 3.例文帳に追加

次いで、バッファ層３上に変調用電極である信号電極５及び接地電極６を形成する。 - 特許庁

Thus, a carbon density at the boundary of the sapphire substrate 1 and the buffer layer 2 becomes 2×1012 cm-2.例文帳に追加

それによりサファイア基板１とバッファ層２との界面における炭素濃度が２×１０^12ｃｍ^-2となる。 - 特許庁

After performing such a heat cycle process to the sapphire substrate 1, the buffer layer 2 is grown on the sapphire substrate 1.例文帳に追加

このような熱サイクル工程をサファイア基板１に行った後、サファイア基板１上にバッファ層２を成長させる。 - 特許庁

An n-type ZnO buffer layer is formed on the Zn polarity surface of a substrate having the Zn polarity surface (a).例文帳に追加

（ａ）Ｚｎ極性面を備える基板のＺｎ極性面上に、ｎ型ＺｎＯバッファ層を形成する。 - 特許庁

A first buffer layer formed of an amorphous insulating material is formed on a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面上に、非晶質の絶縁材料からなる第１のバッファ層が形成されている。 - 特許庁

A perovskite oxide with the deficiency of oxygen and constituent element substitution or the like is used for the electrode buffer layer 7.例文帳に追加

電極バッファ層７には、酸素欠損や構成元素置換を有するぺロブスカイト型酸化物などか用いられる。 - 特許庁

A gallium nitride phosphide laminated light emitting structure is formed on a substrate via a boron phosphide(BP) buffer layer.例文帳に追加

基板上にリン化硼素（ＢＰ）系緩衝層を介して窒化リン化ガリウム系積層発光構造を形成する。 - 特許庁

The multilayer pad 104 is formed on the I/O buffer 102 and provided separately from the single layer pad 103.例文帳に追加

多層パッド１０４は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成され、単層パッド１０３と分離して設けられている。 - 特許庁

This conductive buffer layer reduces the optical loss by the biasing electrodes, and also makes the DC drift small.例文帳に追加

この導電性バッファ層が、バイアス電極による光損失を小さくし、かつ、直流ドリフトを小さくしている。 - 特許庁

Then, n type impurity and p type impurity are selectively injected into the upper face of the n^- type buffer layer.例文帳に追加

次に、ｎ^−型バッファー層の上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

A non-adhesive layer 11 and an intermediate rubber layer 12 are arranged in order between a second inside carcass layer 8 and a buffer layer 9, and an interface between the non-adhesive layer 11 and the second inside carcass layer 8 is made to communicate with a leakage detecting means 3 disposed at a hose axial end.例文帳に追加

第２内側カーカス層８とバッファ層９との間に非接着層１１と中間ゴム層１２とを順に配置すると共に、非接着層１１と第２内側カーカス層８との界面をホース軸方向端部に設置された漏洩検知手段３に連通させる。 - 特許庁

An Si-GaAs buffer layer 2, an Si-AlGaInP cladding layer 3, the active layer 4, an Mg-AlGaInP cladding layer 5, an Mg-AlGaInPBDR layer 6, and a Zn-GaAs contact layer 7 are laminated on an Si-GaAs substrate 1 in this order.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１の上には、Ｓｉ−ＧａＡｓバッファ層２、Ｓｉ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰＢＤＲ層６およびＺｎ−ＧａＡｓコンタクト層７が、この順に積層されている。 - 特許庁

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate.例文帳に追加

半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

By the buffer layers interposed between the semiconductor layer using the compound semiconductor material, and the source electrode layer and the drain electrode layer, conductivity among the semiconductor layer, the source electrode layer and the drain electrode layer is improved, and excellent electrical connection can be performed.例文帳に追加

化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。 - 特許庁

The problems are resolved by a light emitting layer laminating process laminating a light emitting layer 4A like a buffer layer 2A or an organic fluorescent body layer 3A on a substrate 1 through an electrode, and a dry etching process obtaining a light emitting layer 4A' in a pattern shape by dry-etching the light emitting layer 4A through a mask 5A.例文帳に追加

基板１上に電極等を介し、バッファー層２Ａ、有機蛍光体層３Ａ等の発光層４Ａを積層する発光層積層工程、発光層４Ａをマスク５Ａを介しドライエッチングしてパターン状の発光層４Ａ’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an inverted staggered (bottom-gate structure) thin film transistor which includes an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn as a semiconductor layer, and a buffer layer including a metal oxide layer between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The potassium niobate deposit 100 includes an R surface sapphire substrate 11, a buffer layer 12 formed on the R surface sapphire substrate 11 and consisting of a metal oxide, a lead zirconate titanate niobate (PZTN) layer 13 formed on the buffer layer 12, and a potassium niobate layer 14 or a potassium niobate solid solution layer formed on the lead zirconate titanate niobate (PZTN) layer 13.例文帳に追加

本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は、 Ｒ面サファイア基板１１と、 Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２と、 バッファ層１２の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３と、 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３の上方に形成された、ニオブ酸カリウム層１４またはニオブ酸カリウム固溶体層と、 を含む。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

This method includes step for: forming an amorphous carbon layer 102 on a graphite substrate 101; growing a c-axis orientation film 103 of AlN by a MOCVD method on the amorphous carbon layer; forming a low-temperature growing buffer layer 104 formed of GaN on the c-axis orientation AlN; and forming a GaN layer 105 on the low-temperature growing GaN buffer layer.例文帳に追加

グラファイト基板１０１上にアモルファスカーボン層１０２を設け、該アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜１０３を成長させた後、該ｃ軸配向ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層１０４を形成し、該低温成長ＧａＮバッファ層上にＧａＮ層１０５を形成する。 - 特許庁