「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The nitride silicon layer 14 has stress larger than that of the buffer layer 13.例文帳に追加

窒化シリコン層１４はバッファ層１３よりも大きい応力を持つ。 - 特許庁

The collector layer 50, the base layer 60, and the emitter layer 70 are formed on the buffer layer 30 and the sub-collector layer 40.例文帳に追加

コレクタ層５０、ベース層６０、及びエミッタ層７０は、バッファ層３０及びサブコレクタ層４０上に形成されている。 - 特許庁

Provision of a buffer layer reduces an off-current.例文帳に追加

また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 - 特許庁

The electrode films are laminated via a buffer layer 40.例文帳に追加

電極膜を、バッファ層４０を介して積層する。 - 特許庁

The heat specific resistance of the buffer layers can be reduced compared to the distortion relaxation buffer layer formed only of In_xGa_1-xAs or the distortion relaxation buffer layer formed only of the In_yGa_1-yP layer by using the distortion relaxation buffer layer.例文帳に追加

前記の歪緩和バッファ層を用いることにより、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓのみからなる歪緩和バッファ層、または、Ｉｎ_yＧａ_1-yＰ層のみからなる歪緩和バッファ層に比べて、バッファ層の熱抵抗率を低減できる。 - 特許庁

(b) A buffer layer 32 is formed on the substrate 31.例文帳に追加

（ｂ）基板３１上にバッファ層３２を形成する。 - 特許庁

In the spin polarized electron generating element consisting of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer formed on the buffer layer, an intermediate layer is interposed between the substrate and the buffer layer, the intermediate layer being made of crystal having a lattice constant larger than that of crystal constituting the buffer layer.例文帳に追加

基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。 - 特許庁

This FET 1 is provided with a substrate 2, a buffer layer 3, a first doped layer 4, an undoped layer 5, a second doped layer 6, an undoped layer 7, a cap layer 8, and a surface layer 9.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、基板２、バッファ層３、第１ドープ層４、アンドープ層５、第２ドープ層６、アンドープ層７、キャップ層８、および表面層９を有する。 - 特許庁

In a field effect transistor which has at least a channel layer for traveling of carrier, a carrier supply layer for supplying carrier to the channel layer and a buffer layer for flattening the channel layer, an insertion layer whose band gap is larger then that of the buffer layer is provided between the buffer layer and the channel layer.例文帳に追加

キャリアが走行するチャネル層と、該チャネル層にキャリアを供給するキャリア供給層と、該チャネル層を平坦化するためのバッファ層とを少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、該バッファ層と該チャネル層との間に該バッファ層よりもバンドギャップが大きい挿入層を設ける。 - 特許庁

A silicon dioxide stress buffer layer 14 is deposited on the barrier layer.例文帳に追加

二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。 - 特許庁

A stacked structure of a nitride semiconductor comprises; a substrate 10; a first buffer layer 12; a first crystalline layer 14; a second buffer layer 16; and a second crystalline layer 20.例文帳に追加

窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。 - 特許庁

The buffer layer 19 is formed in contact with the current narrowing layer 18.例文帳に追加

バッファ層１９は、電流狭窄層１８に接して形成されている。 - 特許庁

The gallium nitride buffer layer 25 is prepared on the low-temperature nucleation layer 23.例文帳に追加

窒化ガリウムバッファ層２５は、低温核形成層２３上に設けられている。 - 特許庁

Since each organic buffer layer is formed by coating, the small thickness of each organic buffer layer results in a small angle of the outermost end of each organic buffer layer.例文帳に追加

各有機緩衝層は塗布により形成されるものであるから、各有機緩衝層の薄さは各有機緩衝層の最外端の角度の小ささにつながる。 - 特許庁

The buffer layer 30 is constituted of a metal of amorphous status.例文帳に追加

バッファ層３０はアモルファス状態の金属からなる。 - 特許庁

LITHIUM ALUMINATE SUBSTRATE STRUCTURE WITH ZINC OXIDE BUFFER LAYER例文帳に追加

酸化亜鉛バッファ層付きのアルミン酸リチウム基板構造 - 特許庁

An amorphous silicon layer is formed on the buffer film 12.例文帳に追加

バッファ膜１２上には、アモルファスシリコン層が形成される。 - 特許庁

The buffer layer 18 is a Zn_1-xMg_xO film.例文帳に追加

バッファ層１８が、Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ膜である。 - 特許庁

Since the organic buffer layers comprise two layers, the thickness of each organic buffer layer is reduced.例文帳に追加

有機緩衝層が２層構成であるため、各有機緩衝層の厚さは薄くなる。 - 特許庁

The etch stop layer 44 may also serve as a barrier layer, buffer layer, and/or template layer.例文帳に追加

エッチング停止層４４はまた障壁層、緩衝層、および／またはテンプレート層としても機能することができる。 - 特許庁

When a conductive layer is deposited, the current block layer prevents a contact layer from coming direct into contact with a buffer layer.例文帳に追加

導電層が堆積されると、電流ブロック層は、コンタクト層がバッファ層と直接接触することを阻止する。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

A laminated part of the heat storage light shielding layer, the second buffer layer, and the first silicon layer is patterned.例文帳に追加

蓄熱遮光層、第２のバッファ層及び第１のシリコン層の積層部分をパターニングする。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

In IGBTs, an n buffer layer 23 is formed under an n^- high resistance layer 21, in which a MOS gate structure is formed, and an n^+ buffer layer 31 is formed between the n buffer layer 23 and a p^+ drain layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ＭＯＳゲート構造が形成されたｎ^−高抵抗層２１の下にｎバッファ層２３が形成され、このｎバッファ層２３とｐ^＋ドレイン層との相互間にｎ^＋バッファ層３１が形成されている。 - 特許庁

The buffer layer 21 and the channel layer 22 are made from a nitride semiconductor.例文帳に追加

バッファ層２１およびチャネル層２２は、窒化物半導体で形成されている。 - 特許庁

The buffer layer is formed as a layer containing conductive organic compound and inorganic compound.例文帳に追加

バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。 - 特許庁

A groove 11 is formed on a buffer base layer on a sapphire substrate 2, and the buffer base layer 21 is separated into a plurality of buffer layers 5 by the groove 11.例文帳に追加

サファイア基板２上のバッファ基層に溝１１が形成され、この溝１１によって、バッファ基層２１が複数のバッファ層５に分離される。 - 特許庁

The buffer layer 3 is configured by alternately stacking first buffer regions 321 and 331 in which an AlN layer and a GaN layer are stacked and second buffer regions 322 and 332 having the GaN layer.例文帳に追加

バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。 - 特許庁

A photoelectric element 10 comprises a light absorbing layer 16 being a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, and the light absorbing layer 16, the buffer layer 18, and the window layer 20 are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

There is provided a photoelectric conversion element comprising at least a metal oxide semiconductor layer, a buffer layer stacked on the metal oxide semiconductor layer so as to contact the metal oxide semiconductor layer, and a light absorbing layer stacked on the buffer layer on a side opposite to the metal oxide semiconductor layer so as to contact the buffer layer.例文帳に追加

この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。 - 特許庁

A first buffer layer 12, a second buffer layer 14, an SLS layer 16, an MQW light emitting layer 18, an SLS layer 20, an electrode forming layer 22, a p-type electrode 24, and an n-type electrode 26 are formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に第１バッファ層１２、第２バッファ層１４、ＳＬＳ層１６、ＭＱＷ発光層１８、ＳＬＳ層２０、電極形成層２２、ｐ電極２４、ｎ電極２６を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a buffer layer 11 composed of AlN is formed on the sapphire substrate 10, and then a buried layer 12, an n-type layer 13, a light-emitting layer 14, and a p-type layer 15 are sequentially stacked on the buffer layer 11.例文帳に追加

次に、サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、埋め込み層１２、ｎ型層１３、発光層１４、ｐ型層１５を順に積層する。 - 特許庁

With this, cracks in a direction perpendicular to the substrate are generated in the buffer layer due to tensile distortion, so that the buffer layer becomes mosaic-like.例文帳に追加

これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。 - 特許庁

BUFFER LAYER FORMING METHOD FOR RRAM THIN FILM DEPOSITION例文帳に追加

ＲＲＡＭ薄膜堆積のためのバッファ層形成方法 - 特許庁

The isolating tube T1 has at least a buffer layer.例文帳に追加

絶縁管Ｔ１は、少なくとも緩衝層を有している。 - 特許庁

In a process S107, an AlN buffer layer 13 is grown.例文帳に追加

工程Ｓ１０７では、ＡｌＮバッファ層１３を成長する。 - 特許庁

The buffer layer of the optical fiber 20 and the buffer layer of the leg 40 are temporarily dissolved by solvent processing.例文帳に追加

溶剤の処理によって、光ファイバ心線２０の緩衝層とレッグ４０の緩衝層が一時的に溶解する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING AIN BUFFER LAYER, AND AlN BUFFER LAYER, AND METHOD OF FORMING GaN SINGLE CRYSTAL FILM AND GaN SINGLE CRYSTAL FILM例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層の作成方法、ＡｌＮバッファ層、ＧａＮ単結晶膜の作成方法およびＧａＮ単結晶膜 - 特許庁

An epitaxial structure is formed on the buffer layer 110.例文帳に追加

エピタキシャル構造は、バッファ層１１０上に形成されている。 - 特許庁

The instance of PyTypeObject which represents the Pythonbuffer type; it is the same object as types.BufferType in the Python layer.例文帳に追加

Python バッファ型 (buffer type) を表現するPyTypeObject です;Python レイヤにおける types.BufferType - Python

Or, an application layer is used for the host layer 100 and the big packet 92 may directly be sent to the reception buffer 101 not through a buffer of a transport layer.例文帳に追加

さらに、上位層100として、アプリケーション層を用い、ビッグパケット92をトランスポート層のバッファを介さずに、直接、受信バッファ101に送信してもよい。 - 特許庁

The light emitting element includes a light emitting structure, a buffer layer on the light emitting structure, and a filter layer on the buffer layer.例文帳に追加

本発明に従う発光素子は、発光構造物と、上記発光構造物の上にバッファ層と、上記バッファ層の上にフィルタ層と、を含む。 - 特許庁