「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The structure is realized by forming the substrate side of a channel layer with an InP layer, an insertion layer of an InAlP layer, and a buffer layer of InAlAs layer, for example.例文帳に追加

この構造は、例えば、チャネル層の基板側をＩｎＰ層、挿入層をＩｎＡｌＰ層、バッファ層をＩｎＡｌＡｓ層とすることにより実現する。 - 特許庁

The semiconductor epitaxial wafer having the buffer layer 2 on a substrate 1 has the buffer layer 2 comprising a structure having an In_XAl_1-XN buffer layer 22 and a GaN buffer 21 sequentially formed, and an In mixed crystal composition ratio of the In_XAl_1-XN buffer layer 22 is 0.05≤0.30.例文帳に追加

基板１の上にバッファ層２を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層２がＩｎ_XＡｌ_1-XＮバッファ層２２、ＧａＮバッファ層２１を順に形成した構造からなり、且つ前記Ｉｎ_XＡｌ_1-XＮバッファ層２２のＩｎ混晶組成比Ｘが０．０５以上０．３０以下である。 - 特許庁

On a substrate 2, a buffer layer 3, an undoped GaN layer 4, an AlGaN layer 5 and a SiC layer 9 are formed in this order.例文帳に追加

基板２上にバッファ層３、アンドープＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５及びＳｉＣ層９をこの順に形成する。 - 特許庁

The surface layer part of i-GaN layer 2a functions as an electron transit layer and its lower part functions as a buffer layer.例文帳に追加

ｉ−ＧａＮ層２ａの表層部分は電子走行層として機能し、その下の部分はバッファ層として機能する。 - 特許庁

This buffer layer comprises a doped CeO2 layer with dopant, and the CeO2 layer has the YBCO superconductive layer thereon.例文帳に追加

前記バッファ層は、ドーパントでドープしたＣｅＯ_２層を含み、前記ＣｅＯ_２層上にＹＢＣＯ超伝導層を有する。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a one-conductivity type semiconductor layer 3 (an ohmic contact layer 3a, a single layer stressed layer or a stressed superlattice layer 3a and a clad layer (electron injected layer) 3c) are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２と一導電型半導体層３（オーミックコンタクト層３ａ、単層歪み層または歪み超格子層３ｂ、クラッド層（電子の注入層）３ｃ）する。 - 特許庁

A buffer resistor with an infinite resistance value is inserted between the buffer layer and an emitter electrode.例文帳に追加

バッファ層とエミッタ電極との間に無限大の抵抗値を有するバッファ抵抗が挿入される。 - 特許庁

The buffer rubber layer 13 displaces the carcass layer 11 contacting the buffer layer 13 in the radially inner direction so that a cross-sectional length of the carcass layer 11 in the tire width direction is increased.例文帳に追加

緩衝ゴム層１３により、相接するカーカス層１１をタイヤ半径方向内側に変位させ、カーカス層１１のタイヤ幅方向の断面長さを増加させる。 - 特許庁

TERNARY NITRIDE-BASED BUFFER LAYER OF NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DEVICE AND FORMING METHOD OF THE LAYER例文帳に追加

窒化物系発光装置の三重窒化物系バッファ層及び該層の製造方法 - 特許庁

The buffer layer is formed as a layer including the organic compound and the inorganic compound.例文帳に追加

バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。 - 特許庁

A first dielectric layer is disposed over the buffer layer and over the source interconnect.例文帳に追加

第一の誘電体層はバッファ層及びソース相互接続部上に配置される。 - 特許庁

The protective layer 18 is provided over the coil 13 through a buffer layer 15.例文帳に追加

アンテナコイル１３上にバッファ層１５を介して保護層１８が設けられている。 - 特許庁

The buffer layer buffers the damage of the element when forming a film of the transparent negative electrode layer 19.例文帳に追加

バッファー層は、透明陰極層１９の成膜時の素子ダメージを緩衝する。 - 特許庁

To control a heat conduction between a base material layer side and a buffer layer side by preventing an external force or the like to be applied as a load from outside the base material layer side from being transferred to the buffer layer.例文帳に追加

基材層側の外方から負荷される外力等が緩衝層側に伝わることを抑制し、基材層側と緩衝層側との熱伝導を抑制する。 - 特許庁

The N-type buffer layer 6 has a higher impurity concentration than the N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ型バッファ層６は、Ｎ^−型ドリフト層１よりも高い不純物濃度を持つ。 - 特許庁

An n-type ZnO layer is formed on the surface of an n-type ZnO buffer layer (b).例文帳に追加

（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device 36 having an upper part layer 14 and a buffer layer 10.例文帳に追加

上部層１４とバッファ層１０を有する半導体デバイス３６を提供する。 - 特許庁

The buffer layer is disposed on the reserve side of the second base layer, and has a higher impurity concentration than the second base layer.例文帳に追加

バッファ層は、第二のベース層の裏面に設けられ、第二のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

A current narrowing layer 18 and a buffer layer 19 are formed in an upper DBR layer 15.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。 - 特許庁

Between the substrate 22 and the III nitride layer 28, a wet layer 24 and a buffer layer 26 are provided.例文帳に追加

基板２２とIII族窒化物層２８との間には、湿層２４、バッファ層２６を設けることができる。 - 特許庁

Steps reflecting steps of the buffer layer 2 exist on the surfaces of the contact layer 3 and the barrier layer 4.例文帳に追加

コンタクト層３及び障壁層４の表面に、バッファ層２のステップを反映するステップが存在する。 - 特許庁

The barrier layer 13 includes pores 13c in the vicinity of an interface 17 between the barrier layer 13 and the buffer layer 16.例文帳に追加

バリア層１３は、バリア層１３と緩衝層１６との界面１７近傍に、気孔１３ｃを備える。 - 特許庁

The second buffer layer 15B is provided between the channel layer 16 and an electron transit layer 13.例文帳に追加

さらに、第２バッファ層１５Ｂは、チャネル層１６と電子走行層１３との間に設けられている。 - 特許庁

Also, on the side opposite to the first base layer of the buffer layer, a second conductivity type collector layer is formed.例文帳に追加

また、バッファ層の第１ベース層とは反対側には第２導電型のコレクタ層が形成される。 - 特許庁

The ultraviolet phosphor thin film 4 has a buffer layer 5 of AlN, a GdN layer 6, and a protective layer 7 of AlN.例文帳に追加

紫外蛍光薄膜４は、ＡlＮのバッファ層５、ＧｄＮ層６、ＡlＮの保護層７を有している。 - 特許庁

A transistor 21 comprises a low-temperature nucleation layer 23, a gallium nitride buffer layer 25, and a group III nitride layer 27.例文帳に追加

トランジスタ２１は、低温核形成層２３と、窒化ガリウムバッファ層２５と、III族窒化物層２７とを備える。 - 特許庁

The substrate, the window layer and buffer layer comprising the device and the light absorbing layer are reused.例文帳に追加

前記基板、該デバイス部を構成する窓層バッファー層及び、光吸収層については再使用する。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

The method comprises: a step for growing a nitride buffer layer 21 including aluminum on a sapphire substrate 20; a step for growing a binary nitride buffer layer 22 on the nitride buffer layer 21; and a step for growing a nitride semiconductor layer 23 on the binary nitride buffer layer 22.例文帳に追加

サファイア基板20の上部にアルミニウムを含む窒化物バッファー層21を成長させる段階と、窒化物バッファー層21の上部に二元系窒化物バッファー層22を成長させる段階と、二元系窒化物バッファー層22の上部に窒化物半導体層23を成長させる段階とで構成される。 - 特許庁

A first buffer layer 32 composed of amorphous A1N is grown on the (100) face of an Si substrate 31 by a first buffer-layer growth process, and a second buffer layer 33 composed of A1N as a single crystal is grown on the layer 32 by a second buffer-layer growth process.例文帳に追加

第１バッファ層成長工程によって、Ｓｉ基板３１の（１００）面上にアモルファスのＡｌＮからなる第１バッファ層３２を成長させた後、第２バッファ層成長工程で、第１バッファ層３２の上に単結晶のＡｌＮからなる第２バッファ層３３を成長させる。 - 特許庁

Since the source electrode 6 is in ohmic contact with the buffer layer 2, the buffer layer 2 made of an n-GaN layer can be made to have the same potential as the source electrode 6.例文帳に追加

ソース電極６がバッファ層２とオーミック接触しているので、n-GaN層から成るバッファ層２をソース電極６と同電位にすることができる。 - 特許庁

After the carrier concentration of the n-type buffer layer is evaluated in the steps i and ii, a new epitaxial layer is grown by melting back the buffer layer.例文帳に追加

以上の工程によりｎ型バッファ層のキャリア濃度を評価したのち、該ｎ型バッファ層をメルトバックして新たなエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

A buffer layer 42 made of an AlN is formed on an SiC substrate 41, and further a Ga layer 43 is deposited on the buffer layer 42 made of the AlN.例文帳に追加

ＳｉＣ基板４１上にＡｌＮからなるバッファ層４２を形成し、更に、ＡｌＮからなるバッファ層４２上にＧａ層４３を堆積させる。 - 特許庁

A drift layer 32 is provided on the buffer layer 31 and is made from silicon carbide having a smaller impurity concentration than the silicon carbide constituting the buffer layer 31.例文帳に追加

ドリフト層３２は、バッファ層３１上に設けられ、バッファ層３１の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有する炭化珪素から作られている。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer and a field effect transistor in which impurities being mixed into a carrier supply layer, a graded buffer layer or a buffer layer is reduced.例文帳に追加

キャリア供給層、グレーデッドバッファ層か、あるいはバッファ層への不純物の混入を減少させた半導体ウェハ及び電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

1 is the different kind substrate, 2 is a buffer layer grown on the different kind substrate 1 and 3 is the nitride semiconductor crystal layer grown on the buffer layer 2.例文帳に追加

１は異種基板、２は異種基板１上に成長したバッファ層、３はバッファ層２上に成長した窒化物半導体結晶層である。 - 特許庁

A channel layer 12 is disposed on the buffer layer 11 and includes n-type impurities at a concentration higher than the concentration of p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

チャネル層１２は、バッファ層１１上に位置し、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｎ型不純物を含む。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for HBT reducing the lattice distortion of a buffer layer and a substrate, or the buffer layer and a subcollector layer, and to obtain HBT using it.例文帳に追加

バッファ層と基板またはバッファ層とサブコレクタ層の格子ひずみを減少させたＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたＨＢＴを得る。 - 特許庁

An n-type GaN buffer layer 1 is used as a common semiconductor layer, and a plurality of mesa regions M are formed in an array shape on the GaN buffer layer.例文帳に追加

ｎ型のＧａＮバッファ層１を共通の半導体層として、このＧａＮバッファ層１上に、メサ領域Ｍが複数、アレイ状に形成される。 - 特許庁

On the multifunctional substrate 120, a nitride-based buffer layer is laminated.例文帳に追加

多機能性基板上には窒化物系バッファ層が積層される。 - 特許庁

A buffer layer composed of TiN is formed on an Si-substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＴｉＮから成るバッファ層を生成する。 - 特許庁

The leg 40 comprises a strength core and the tight buffer layer.例文帳に追加

前記レッグ４０は強度コアと堅固な緩衝層よりなる。 - 特許庁

The buffer layer 7 is provided on the outer periphery of the composite pipe 6.例文帳に追加

複合管６の外周には、緩衝層７が設けられる。 - 特許庁

A local buffer is provided in an operating system (OS) or application (AP) layer.例文帳に追加

本発明では、ＯＳ又はＡＰ層にローカルバッファを設ける。 - 特許庁

Further, the crystal growth of the AlN buffer layer is carried out at high temperature.例文帳に追加

さらに、ＡｌＮバッファ層は高温で結晶成長させる。 - 特許庁