「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an epitaxial wafer capable of greatly reducing wafer warpage while reducing a crystal defect, and increasing thickness of a GaN layer formed on a buffer layer, as compared to the case that uses the buffer layer of a conventional structure.例文帳に追加

従来構造のバッファ層を用いた場合よりも、結晶欠陥を低減しつつウェハの反りを極めて小さくでき、バッファ層上に形成されたＧａＮ層も厚膜化できるエピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

A light-emitting device is formed by forming a buffer layer 11 on a substrate 10 of sapphire or the like, by forming an n-type GaN layer 12 on the buffer layer 11, and further by laminating semiconductor layers 14 to 20.例文帳に追加

発光デバイスは、サファイア等の基板１０上にバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上にｎ型ＧａＮ層１２を形成し、さらに半導体層１４〜２０を積層することにより形成される。 - 特許庁

Since most of the low-temperature GaN buffer layer 14 is covered with the second buffers 15, so when the temperature rises, the low-temperature GaN buffer layer 14 is suppressed from being evaporated and the GaN semiconductor layer 16 is suppressed from being dislocated.例文帳に追加

第２のバッファ体１５により低温ＧａＮバッファ層１４を大部分被覆するため、昇温時に低温ＧａＮバッファ層１４の蒸発を抑え、ＧａＮ半導体層１６の転位を抑制する。 - 特許庁

With the substrate structure, a buffer layer is formed on a projected area of a substrate, a semiconductor layer is formed the upper part thereof, and an area excluding the projected area of the substrate and the buffer layer are isolated.例文帳に追加

基板の突出領域上にバッファ層を形成し、その上部に半導体層を形成し、基板の突出領域を除外した領域とバッファ層とを分離させることを特徴とする基板構造体である。 - 特許庁

A junction field effect transistor 20 comprises an n-type semiconductor layer 1 including a channel region, a buffer layer 3 formed on the channel region, and p^+ regions 4a and 4b formed on the buffer layer 3.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ２０は、チャネル領域を有するｎ型の半導体層１と、チャネル領域の上に形成された緩衝層３と、緩衝層３の上に形成されたｐ^+領域４ａ，４ｂとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device for communication equipment has an HFET structure and comprises an InP substrate, a buffer layer and a spacer layer made of InAlAs, and a channel layer made of InGaAsPN between the buffer and spacer layers.例文帳に追加

通信機器用半導体装置は，ＨＦＥＴの構造を有し、ＩｎＰ基板と、ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層及びスペーサ層と、バッファ層とスペーサ層に挟まれたＩｎＧａＡｓＰＮからなるチャネル層とを備えている。 - 特許庁

The potassium niobate deposited body 100 further has a buffer layer 12 formed on the sapphire substrate 11 and made of metal oxide, and the potassium niobate layer 13 is formed on the buffer layer 12.例文帳に追加

ニオブ酸カリウム堆積体１００は、さらに、前記サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２を有し、該バッファ層１２の上方に前記ニオブ酸カリウム層１３が形成される。 - 特許庁

The buffer layer is provided on the transfer sheet side as a part of the transfer layer or provided beforehand on the base to be subjected to the transfer, as an adhesive layer A, for instance.例文帳に追加

なお、緩衝層は、例えば接着剤層Ａとして、転写層の一部として転写シート側に設けたり、予め被転写基材側に設けたりする。 - 特許庁

The method also comprises: a step of forming a device layer 108 on the buffer layer and a step of manufacturing a semiconductor device by using the device layer.例文帳に追加

本方法は、更に、該バッファ上に装置層１０８を形成し、且つ該装置層を使用して半導体装置を製造することを包含している。 - 特許庁

A drift diffusion layer of low concentration is formed so as to enclose a collector buffer layer of relatively high concentration, including a high-concentration collector diffusion layer in planer structure.例文帳に追加

平面構造において高濃度コレクタ拡散層を含む、比較的高濃度なコレクタバッファ層を包囲するように、低濃度のドリフト拡散層を形成する。 - 特許庁

It is preferable that the buffer layer 9b consists of an LiF layer, and the first and second conductive layers 9a, 9c both consist of an Al layer.例文帳に追加

バッファ層９ｂはＬｉＦ層であることが好ましく、第１の導電層９ａおよび第２の導電層９ｃは、ともにＡｌ層であることが好ましい。 - 特許庁

A second semiconductor layer 50 which includes an active layer made of AlGaAs is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.例文帳に追加

基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＡｓからなる活性層を含む第２の半導体層５０が形成されている。 - 特許庁

On the buffer layer 12, an electron transit layer 13 formed of semi-insulating GaN and an electron supply layer 14 formed of n-AlGaN are sequentially formed.例文帳に追加

緩衝層１２上には、半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層１３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる電子供給層１４が順次形成される。 - 特許庁

The percentages composition of Ge in the buffer layer 3 and spacer layer 4 are 10% and that of Ge in the heavily-doped layer 4 is 20%.例文帳に追加

ＳｉＧｅバッファ層３及びスペーサー層５におけるＧｅ組成率は１０％であり、ｎ型高濃度ドープ層４におけるＧｅ組成率は２０％である。 - 特許庁

Furthermore, a light shielding layer 12 is formed under the semiconductor layer 10 with a buffer film 13 in-between so as to block the entry of a light into the semiconductor layer 10.例文帳に追加

さらに、半導体層１０の下方にバッファ膜１３を介して形成され、半導体層１０への光の入射を遮る遮光層１２を備える。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are laminated on the surface of an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層される。 - 特許庁

An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加

また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁

The gas supply layer 25 is laminated on the cooling layer 23, and a buffer space filled with the introduced raw material gas is formed on the gas supply layer 25.例文帳に追加

ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。 - 特許庁

Since damage of the cathode protection layer 18 due to the level difference can be prevented, an organic buffer layer 19 can be prevented from soaking into the lower layer side.例文帳に追加

段差による陰極保護層１８の破損を防ぐことができるので、有機緩衝層１９が下層側に染み込むのを防ぐことができる。 - 特許庁

Thereafter, by an MOCVD method, on the buffer layers 5, an N-type clad layer 6, an MQW active layer 7 and a P-type clad layer 8 are formed, in this order.例文帳に追加

その後、ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層５上に、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８がこの順に形成される。 - 特許庁

Further, the photoresist layer is removed to expose the mask layer having the aperture pattern and the embedded buffer layer.例文帳に追加

さらに等方性エッチングを行い、前記第２開口によって露出された前記バッファ層を除去し、前記対応する第１開口の側壁を露出させる。 - 特許庁

Then, the average thickness of the positive electrode layer 13 is made 0.2-20 μm, and the average thickness of the buffer layer 16 is made 2-40 nm, and the average thickness of the negative electrode layer 14 is made 0.3-8 μm.例文帳に追加

そして、正極層13の平均厚さを0.2〜20μｍ、緩衝層16の平均厚さを2〜40ｎｍ、負極層14の平均厚さを0.3〜8μｍとする。 - 特許庁

In the photoelectric surface 10, a buffer layer 14, a first GaN layer 16 and a second GaN layer 18 are formed on a substrate 12 in this order.例文帳に追加

光電面１０において、基板１２上にバッファー層１４、第１のＧａＮ層１６、及び第２のＧａＮ層１８がこの順で形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 11 formed on the Si substrate 10 has a structure in which an initial layer 110 and a composite layer 111 of ≥4 μm in thickness are laminated.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上に形成されたバッファ層１１は、初期層１１０と厚さ４μｍ以上の複合層１１１が積層された構造である。 - 特許庁

On an undoped GaN buffer layer 2, there are formed an n-type AlGaN electron-donor layer 3, and an n-type InAlGaN cap layer 4 successively.例文帳に追加

アンドープＧａＮバッファー層２の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４が順に形成されている。 - 特許庁

Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.例文帳に追加

これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁

The etching rate of the light reflecting layer is larger than both the etching rates of the one-conduction type buffer layer 10 and one-conduction type semiconductor clad layer 12.例文帳に追加

光反射層のエッチングレートは、一導電型バッファ層１０および一導電型半導体クラッド層１２の双方のエッチングレートに比べて大きい。 - 特許庁

The buffer layer 106 includes a metal oxide layer 105 which is an insulator or a semiconductor over a middle portion of the oxide semiconductor layer 103.例文帳に追加

バッファ層１０６は、酸化物半導体層１０３の中央部上に、絶縁体若しくは半導体である金属酸化物層１０５を有する。 - 特許庁

The battery 1 includes a buffer layer 16 which absorbs deviation of lithium ions in the vicinity of interface of these layers between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15.例文帳に追加

この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備える。 - 特許庁

An AlN high-quality buffer on the sapphire substrate has an AlN nucleation layer 3, a pulse supply AlN layer 5, and a continuous growth AlN layer 7.例文帳に追加

サファイア基板上のＡｌＮ高品質バッファは、ＡｌＮ核形成層３と、パルス供給ＡｌＮ層５と、連続成長ＡｌＮ層７とを有している。 - 特許庁

The buffer layer has its electron density higher than the hole density of the P type AlGaN layer 18 and wider band gap energy than the N type light emission layer.例文帳に追加

バッファ層は、その電子密度が、Ｐ型ＡｌＧａＮ層１８にホール密度より低く、かつそのバンドギャップエネルギがＮ型発光層よりも広くなっている。 - 特許庁

Preferably, the average thickness of the positive electrode layer 13 is 0.8-1.5 μm, the average thickness of the buffer layer 16 is 4-8 nm, and the average thickness of the negative electrode layer 14 is 0.6-1.0 μm.例文帳に追加

好ましくは、正極層13の平均厚さを0.8〜1.5μｍ、緩衝層16の平均厚さを4〜8ｎｍ、負極層14の平均厚さを0.6〜1.0μｍとする。 - 特許庁

This invention relates to the sheet-like solar cell sealing material, where an adhesive/heat-resistant layer (A) and a buffer layer (B) are laminated, an a difference between the stiffness modulus of the adhesive/heat-resistant layer (A) and that of the buffer layer (B) is at least ≥30 MPa.例文帳に追加

本発明により、接着・耐熱層（Ａ）と緩衝層（Ｂ）が積層されてなり、接着・耐熱層（Ａ）と緩衝層（Ｂ）の曲げ剛性率の差が少なくとも３０ＭＰａ以上あるシート状太陽電池封止材が提供される。 - 特許庁

The method for growing a GaN-based compound semiconductor includes: a process for growing a column-like crystal layer 11 on a sapphire substrate 10; a process for growing a buffer layer 12 on the column-like crystal layer 11; and a process for growing a GaN-based compound crystal 13 on the buffer layer 12.例文帳に追加

サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。 - 特許庁

Consequently, holes injected into the buffer layer 16 are more than electrons injected into the P type AlGaN layer 18 and the thickness of the buffer layer 16 is specified, so that the holes are injected into the N type light emission layer 14.例文帳に追加

このため、Ｐ型ＡｌＧａＮ層１８に注入される電子よりもバッファ層１６に注入されるホールの方が多くなり、バッファ層１６の厚さを所定の厚さとしておくことによりそのホールはＮ型発光層１４に注入される。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which is less expensive in cost and has a gallium nitride layer whose curvature and cracking are suppressed by forming a strain-reduced buffer layer and forming the nitride gallium layer on the buffer layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

歪みが緩和されたバッファ層を形成し、そのバッファ層上に窒化ガリウム層を形成することにより、低コストで、反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At least one type selected from impurities, for example, Fe, C, B, Ti, Cr is introduced into at least a buffer layer 2a of a compound semiconductor layer structure 2 from the rear face of the compound semiconductor layer structure 2 to increase the resistance value of the buffer layer 2a.例文帳に追加

化合物半導体積層構造２の裏面から、化合物半導体積層構造２の少なくともバッファ層２ａに不純物、例えばＦｅ，Ｃ，Ｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちから選ばれた少なくとも１種類を導入し、バッファ層２ａの抵抗値を高くする。 - 特許庁

Not only a weight layer 2 damping a sound wave propagated by shifting a resonant point but a buffer layer 4 of a foaming resin is provided to display a sound absorptive action by the weight layer 2 and a sound absorbent effect by the buffer layer 4, the required soundproof efficiency is obtained, and the construction work of the mat can be simplified with the weight reduction by the buffer layer 4.例文帳に追加

共振点をずらすことで伝播される音波を減衰させる重量層２のみならず、発泡樹脂からなる緩衝層４を設けて、重量層２による消音作用と緩衝層４による消音効果を発揮させ、所望の防音性能を得、しかも緩衝層４による軽量化に伴ってマットの敷設作業が簡便化される。 - 特許庁

After a buffer layer containing a carbon nanofiber or a carbon nanotube at the rate of 60 to 90 wt.%, more preferably, 70 to 80 wt.% is formed on a current collector, the polarizable electrode layer is formed on the buffer layer; and accordingly, a pair of electrodes in which the buffer layer and the polarizable electrode layer are laminated in sequence is obtained.例文帳に追加

集電体上に、カーボンナノファイバーまたはカーボンナノチューブを６０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、好ましくは７０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の割合で含有するバッファー層を形成した後、該バッファー層上に分極性電極層を形成することで、集電体上に、バッファー層と、分極性電極層とが順に積層された一対の電極を得る。 - 特許庁

A GaN single crystal 3 having enough thickness to be independently used as a substrate is grown via a buffer layer 2 formed of ZnO on a three-layer structure substrate 1 consisting of a sapphire crystal substrate 1c, an AlN buffer layer 1b formed on the sapphire crystal substrate 1c, and a GaN single crystal surface layer 1c formed on the buffer layer 1b.例文帳に追加

サファイア結晶基板１ｃと、該サファイア結晶基板１ｃ上に形成されるＡｌＮバッファ層１ｂと、該バッファ層１ｂ上に形成されるＧａＮ単結晶の表層１ｃとからなる、三層構造の基板上１に、ＺｎＯからなるバッファ層２を介して、単独で基板として用いることが可能な厚さを有するＧａＮ単結晶３を成長する。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

The organic buffer layer 19 is formed of an organic compound, and steps on the upper surface of the organic buffer layer are generally flattened smaller than steps on the upper surfaces of a negative electrodes.例文帳に追加

有機緩衝層１９は、有機化合物から形成されており、陰極上面の段差よりも有機緩衝層上面の段差の方が小さく略平坦化されている。 - 特許庁

A III group nitride semiconductor 3 is epitaxially grown in a vertical direction to the dispersed buffer layer 2, and is epitaxially grown in a lateral direction in an upper part of the substrate 1 in which the buffer layer 2 does not exist.例文帳に追加

III族窒化物半導体３は散在するバッファ層２には縦方向にエピタキシャル成長し、バッファ層２の存在しない基板１上部においては横方向にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

A region on the substrate 10 superposed on the second organic buffer layer 192, and a region on the substrate 10 superposed on the first organic buffer layer 191 do not correspond with each other.例文帳に追加

また、第２の有機緩衝層１９２に重なる主基板１０上の領域は、第１の有機緩衝層１９１に重なる主基板１０上の領域と一致しない。 - 特許庁

The optical resonator 13 is formed of a half mirror 32, a transparent buffer layer 33, a half mirror 34, a transparent buffer layer 35, and a half mirror 36 sequentially laminated on a glass substrate 31.例文帳に追加

光共振器１３は、ガラス製の基板３１上にハーフミラー３２、透明なバッファー層３３、ハーフミラー３４、透明なバッファー層３５、ハーフミラー３６が順に積層されて形成されている。 - 特許庁