「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A low temperature growth buffer layer 20 comprises a first buffer layer 21 formed by depositing silicon nitride for 100 sec at 500°C, and a GaN layer 22 having film thickness of 25 nm grown epitaxially at the same temperature.例文帳に追加

低温成長バッファ層２０は、窒化シリコンを５００℃で１００秒間積層した第１バッファ層２１と、同温で結晶成長させた膜厚２５ｎｍのＧａＮ層２２との２層から成る。 - 特許庁

The distance from the position at which the net doping concentration of the N^+ first buffer layer 2 is maximum to the interface between the P^+ collector layer 3 and the second buffer layer 12 is determined to be 5 μm or more to 30 μm or less.例文帳に追加

また、Ｎ^+第１バッファ層２のネットドーピング濃度が極大の位置から、Ｐ^+コレクタ層３と第２バッファ層１２との界面までの距離を、５μｍ以上３０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁

A thermal buffer layer 25 is provided on an external semiconductive layer 4 in the region of a return path conductor 5 performing connection by welding, and the return path conductor 5 is connected by welding on the thermal buffer layer 25.例文帳に追加

帰路導体５の溶接接続を行う領域の外部半導電層４上に熱的緩衝層２５を設け、この熱的緩衝層２５上で帰路導体５の溶接接続を行う。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

The third buffer layer 5 is provided for reducing threading dislocation and residual strain of the light emitting layer 6, improving planarity of a base of the light emitting layer 3, and moderating a piezoelectric field of the light emitting layer 6 by using carriers generated in the third buffer layer 5, and Si is added to the third buffer layer as an impure substance acting as a donor.例文帳に追加

第３のバッファ層５は、発光層６の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層３の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第３のバッファ層５で生成されたキャリアを利用して発光層６のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてＳｉを添加してある。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

The buffer layer formation step forms a buffer layer of a first conductivity type whose impurity density is higher than the high resistance layer on the rear face of the high resistance layer by repeating the first amorphous silicon film formation and the monocrystallization several times.例文帳に追加

バッファ層形成工程では、第１のアモルファスシリコン膜の形成及び単結晶化を複数回繰り返して、高抵抗層の裏面に高抵抗層よりも不純物濃度の高い第１導電型のバッファ層を形成する。 - 特許庁

Then, an optical absorption layer 16 and a buffer layer 18 are formed on the first electrode layer 14, and a through-hole (second scribe part 66) penetrating the upper end surface of the buffer layer 18 to the lower end surface of the mica substrate 54 is made like a dot.例文帳に追加

次に、第１電極層１４上に光吸収層１６、バッファ層１８を設け、バッファ層１８の上端面からマイカ基板５４の下端面まで貫通するスルーホール（第２スクライブ部６６）を点状に形成する。 - 特許庁

Since the buffer layer 18 is allowed to grow epitaxially on the silicon substrate 14, a lower electrode layer 22 and a perovskite structure type dielectric layer 24 can be easily allowed to grow epitaxially on the surface of the buffer layer 18.例文帳に追加

酸化物緩衝層１８は、シリコン基板１４に対してエピタキシャル的に成長しているため、この表面には、下部電極層２２及びペロブスカイト構造型の誘電体層２４を容易にエピタキシャル成長させることができる。 - 特許庁

The objective thin layer laminate comprises a single crystal Si substrate, an epitaxially grown MgO buffer layer on the single crystal Si substrate, and an epitaxially grown Ir or Rh metal thin layer on the MgO buffer layer.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板と、単結晶Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長したＭｇＯバッファ層と、ＭｇＯバッファ層上にエピタキシャル成長したＩｒまたはＲｈからなる金属薄膜とを有してなる薄膜積層体を形成する。 - 特許庁

The light-emitting device 10 has: a buffer layer 22; a first-conductivity-type semiconductor layer; and a thin-film crystal layer including an active structure 25 and a second-conductivity-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。 - 特許庁

A resistance layer 13 consisting of n-type GaAs layer is formed on a SI-GaAs substrate 11 via a high resistance buffer layer 12 consisting of i-type GaAs layer.例文帳に追加

ＳＩ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｉ型ＧａＡｓ層からなる高抵抗バッファ層１２を介して、ｎ型ＧａＡｓ層からなる抵抗層１３が形成されている。 - 特許庁

A thin optoelectronic transducer is equipped with a glass board 1, a transparent conductive oxide layer 2, a thin optoelectronic transducer unit 3, a buffer layer 4 and an electrode layer, and a metallic layer 5.例文帳に追加

薄膜光電変換装置は、ガラス基板（１）と透明導電性酸化物層（２）と光電変換ユニット（３）と電極層としてバッファ層（４）と金属層（５）とを備える。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁

An ion implanted layer 14 is formed by implanting the first substrate 11 with ion and the buffer layer is removed by using the insulating layer as a self stop layer.例文帳に追加

また、バッファー層１３から第１の基体１１内にイオンを注入し、イオン注入層１４を形成し、バッファー層を絶縁層をセルフストップ層として除去する。 - 特許庁

In the thin film transistor 150, a buffer layer 106 is provided between a source electrode layer 107a and a drain electrode layer 107b, and an oxide semiconductor layer 103.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１５０は、ソース電極層１０７ａ及びドレイン電極層１０７ｂと酸化物半導体層１０３の間にバッファ層１０６が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a transistor having a buffer layer provided between a source electrode layer and a drain electrode layer, and a semiconductor layer forming a channel formation region.例文帳に追加

チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられたトランジスタを有する半導体装置である。 - 特許庁

To planarize a hetero-interface and improve high frequency characteristics and high output characteristics by providing an InGaAs or GaAs thin layer between a channel layer and a buffer layer at a specified distance from the channel layer.例文帳に追加

平坦なヘテロ界面を有し、優れた高周波特性、高出力特性を備えたＩｎＧａＡｓチャネルのダブルへテロ構造高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion cell includes a first electrode layer 2, a light absorbing layer 4 prepared on one side of the first electrode layer 2, a buffer layer 5 containing a group III-VI compound prepared on one side of the light absorbing layer 4, and a second electrode layer 6 containing the group III-VI compound prepared on one side of the buffer layer 5.例文帳に追加

光電変換セルは、第１の電極層２と、第１の電極層２の一方側に設けられた光吸収層４と、光吸収層４の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含むバッファ層５と、バッファ層５の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２の電極層６と、を具備する。 - 特許庁

In the thin film transistor that uses the oxide semiconductor layer, a buffer layer having a high resistance region and a low resistance region on the oxide semiconductor layer is formed, and the oxide semiconductor layer and the source electrode layer or drain electrode layer contact each other through the low resistance region of the buffer layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

The organic EL device has such a structure that a first transparent electrode layer (anode), hole transportation layer, organic emission layer, second transparent electrode layer (cathode), and second transparent buffer region are arranged in order on a first transparent buffer region, and can extract light from two sides, that is, from the first transparent buffer region side and the second transparent buffer region side.例文帳に追加

第１透明バッファー領域の上に第１透明電極層（陽極）、正孔輸送層、有機発光層、第２透明電極層（陰極）及び第２透明バッファー領域の各層、各領域を順次配置した構造とし、第１透明バッファー領域側及び第２透明バッファー領域側の両側から光を取り出せるようにした。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

To provide a coated conductor with a simplified layer structure in which a superconductor layer can be directly vapor-deposited on a mold buffer layer.例文帳に追加

超伝導体層を鋳型緩衝層に直接蒸着させることができる、簡略化された層構造を有する被覆導体の提供。 - 特許庁

The total thickness of the buffer layer 2 and the n-type clad layer 3 is reduced to make transposition on the surface of the n-type clad layer 3.例文帳に追加

バッファ層２とｎ型クラッド層３との合計の厚みを薄くすることによってｎ型クラッド層３の表面に転位を生じさせる。 - 特許庁

The superlattice layer 16 has such a structure as, for example, AlN layer and GaN layer of 0.7nm thickness are formed alternately, to provide a distortion buffer function.例文帳に追加

超格子層１６は、例えば各０．７ｎｍ厚のＡｌＮ層及びＧａＮ層を交互に形成した構造とし、歪緩衝機能を持たせる。 - 特許庁

A buffer layer is formed on the gate insulation layer pattern and the gate conductive layer pattern to strongly prevent a rapid increase of current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜パターン及びゲート導電膜パターン上に急激に電流が増加することを顕著に減少させるバッファ膜が形成される。 - 特許庁

This manufacturing method of an organic LED element comprises the steps of forming a cathode 9 in which a first conductive layer 9a, a buffer layer 9b, and a second conductive layer 9c are laminated in this order.例文帳に追加

陰極９は、第１の導電層９ａ、バッファ層９ｂおよび第２の導電層９ｃが順次積層されて形成される。 - 特許庁

The group III nitride layer 27 is prepared between the low-temperature nucleation layer 23 and the gallium nitride buffer layer 25, and consists of a nitride containing aluminum.例文帳に追加

III族窒化物層２７は、低温核形成層２３と窒化ガリウムバッファ層２５との間に設けられており、アルミニウムを含む窒化物から成る。 - 特許庁

The photoelectric converter 4 consists of a buffer layer 14 containing InP, a photo detector layer 16 containing InGaAs, and a window layer 18 containing InP.例文帳に追加

光電変換部４は、ＩｎＰを含むバッファ層１４、ＩｎＧａＡｓを含む受光層１６、及びＩｎＰを含む窓層１８を含む。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is formed by laminating an n^--drain layer 101, an n^+-buffer layer 102, and an n^--base layer 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、Ｎ^−型ドレイン層１０１、Ｎ^＋型バッファ層１０２及びＮ^−型ベース層１０３を積層するように形成している。 - 特許庁

An Si buffer layer 110, an SiGe layer 111 and an Si layer 115 are almost selectively formed on the (100) surface and the (-100) surface.例文帳に追加

そして（１００）面と（１￣００）面上にほぼ選択的にＳｉバッファ層１１０とＳｉＧｅ層１１１とＳｉ層１１５を形成する。 - 特許庁

The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.例文帳に追加

スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a multilayer film structure composed of: a semiconductor substrate 1; a buffer layer 2 formed on the semiconductor substrate; the electron traveling layer 3 formed on the buffer layer; a spacer layer 4 formed on the electron traveling layer; an electron supply layer 5 formed on the spacer layer; a barrier layer 6 formed on the electron supply layer; and a cap layer 7 formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板上に形成されたバッファ層２と、このバッファ層上に形成された電子走行層３と、この電子走行層上に形成されたスペーサ層４と、このスペーサ層上に形成された電子供給層５と、この電子供給層上に形成されたバリア層６と、このバリア層上に形成されたキャップ層７とからなる多層膜構造を備えている。 - 特許庁

A buffer layer 2, an intermediate layer 3, a first contact layer 4a, a first clad layer 5, an active layer 6, a second clad layer 7 and a second contact layer 4b are formed on a board 1, an insulating film 8 is provided on the surface of the layer 4a and the layer 4b, and an electrode 9 is provided.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２、中間層３、第一のコンタクト層４a、第一のクラッド層５、活性層６３、第二のクラッド層７、第二のコンタクト層４bを形成し、さらに第一のコンタクト層４aと第二のコンタクト層４bの表面上に絶縁膜８を設け、電極９を設けている。 - 特許庁

A buffer layer 102, a first contact layer 103, a first clad layer 104, a first optical guide layer 107, an active layer 108, a cap layer 109, a second optical guide layer 110, a second clad layer 111 and a second contact layer 112 are formed in order on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、バッファ層１０２、第１のコンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 100 comprises a low temperature buffer layer 2, an n-GaN layer 3, an n-clad layer 4, an n-optical guide layer 5, an n-MQW light emitting layer 6, a p-AlGaN layer 7, a p-optical guide layer 8, a p-clad layer 9 and a p-contact layer 10 formed sequentially on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、低温バッファ層２、ｎ−ＧａＮ層３、ｎ−クラッド層４、ｎ−光ガイド層５、ｎ−ＭＱＷ発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ層７、ｐ−光ガイド層８、ｐ−クラッド層９およびｐ−コンタクト層１０を順に形成してなる。 - 特許庁

By the buffer layer interposed between the semiconductor layer and the source electrode layer, and between the semiconductor layer and the drain electrode layer using compound semiconductor material; the conductivity between the semiconductor layer and the source electrode layer, and between the semiconductor layer and the drain electrode layer is improved enabling electrically good connection.例文帳に追加

化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。 - 特許庁

A buffer layer 102, a channel layer 103, an electron supply layer 104, a barrier layer 105, and a cap layer 106 are successively laminated on a substrate 101; and a gate electrode 108 is formed on the cap layer 106.例文帳に追加

基板１０１上に、バッファ層１０２、チャネル層１０３、電子供給層１０４、バリア層１０５およびキャップ層１０６が順に積層され、キャップ層１０６上にゲート電極１０８が形成される。 - 特許庁

A GaAs buffer layer 12, a channel layer 13, a spacer layer 14, an electron supply layer 15 and a barrier layer 16 for constituting an active layer of a HEMT are laminated sequentially, for example, on a semi-insulating GaAs substrate 11.例文帳に追加

例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ＨＥＭＴの能動層を構成するＧａＡｓバッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、電子供給層１５、障壁層１６が順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device uses a compound semiconductor material as a semiconductor layer, forms a buffer layer containing conductive organic compound and inorganic compound respectively between the semiconductor layer and a source electrode layer, and between the semiconductor layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。 - 特許庁

The vibrator is provided with: a substrate 50; a buffer layer 51 formed on the substrate 50; a moving part provided on the buffer layer 51; and at least two electrode terminals 26, 36 provided on the buffer layer 51, and a dielectric material is used for the substrate 50.例文帳に追加

基板５０と、基板５０上に形成されたバッファ層５１と、バッファ層５１上に設けられた可動部と、バッファ層５１上に設けられた少なくとも２つの電極端子２６、３６とを備えた振動子であって、基板５０に誘電体を用いたものである。 - 特許庁

Accordingly, a light absorption loss in the buffer layer can be reduced, and high current density is achieved.例文帳に追加

これにより、バッファ層における光吸収損失を低減し、高い電流密度を得る。 - 特許庁

To solve the following problem: a conventional buffer layer has low heat resistance, and processes and a module structure are complicated.例文帳に追加

従来のバッファ層は耐熱性が低く、プロセス、モジュール構造が複雑になっている。 - 特許庁

Regions of the buffer layer 31 corresponding to the step parts are formed into inclined surfaces 31b.例文帳に追加

段差部に対応する緩衝層３１の領域は傾斜面３１ｂとなっている。 - 特許庁

After forming an n-type buffer layer 7, a surface of the n-type buffer layer 7 is covered with a protecting film 8, then flaws 6, which are generated in forming the n-type buffer layer 7, are removed by a mirror polishing, and a p-type base region and an n-type emitter region are formed on the surface.例文帳に追加

ｎ型バッファ層７を形成した後で、このｎ型バッファ層７の表面を保護膜８で被覆し、ｎ型バッファ層７を形成したたきに付いたキズ６を鏡面研磨で除去し、その面に、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域を形成する。 - 特許庁