「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

On the reverse side of the Al_yGa_1-yN layer 28, a nucleation layer 24 may be included between the GaN buffer layer 26 and the substrate 22, including a substrate 22 contiguous to the buffer layer 26.例文帳に追加

また、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８の反対側において、バッファ層２６に隣接する基板２２も含み、ＧａＮバッファ層２６と基板２２との間に、核生成層２４を含むことができる。 - 特許庁

In an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), an insulating region 62 is formed as extended in the drift layer 28 up to a buffer layer 26 and arranged while being dispersed along an interface between the buffer layer 26 and the drift layer 28.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ドリフト層２８内を伸びてバッファ層２６に達するとともに、バッファ層２６とドリフト層２８の界面に沿って分散配置されている絶縁領域６２が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate, the buffer layer of a nitride semiconductor that is formed on the semiconductor substrate, and the channel layer of the nitride semiconductor that is formed in an upper layer as compared with the buffer layer.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板上に形成された窒化物半導体のバッファ層と、このバッファ層よりも上層に形成された窒化物半導体のチャネル層とを備える。 - 特許庁

A buffer layer 22, an n-type clad layer 23, an MQW layer 24, a p-type clad layer 25, an intermediate layer 26, and a part of a p-type contact layer 27 are grown on a substrate 21 using an MBE method.例文帳に追加

基板２１上にバッファ層２２,ｎ型クラッド層２３,ＭＱＷ層２４,ｐ型クラッド層２５,中間層２６,ｐ型コンタクト層２７の一部をＭＢＥ法で成長する。 - 特許庁

An AlN/GaN superlattice buffer layer 2, an undoped GaN layer 3 and an undoped InGaN layer 4 are grown in the order of the layer 2, the layer 3 and the layer 4 on a sapphire substrate 1 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により、サファイア基板１上にＡｌＮ／ＧａＮ超格子バッファ層２、アンドープＧａＮ層３およびアンドープＩｎＧａＮ層４を順に成長させる。 - 特許庁

The first resonator 12 has a first semiconductor layer 20 including a first buffer layer 21 and a first active layer 23, while the second resonator 13 has a second semiconductor layer 30 including a second buffer layer 31 and a second active layer 33.例文帳に追加

第１の共振器１２は、第１のバッファ層２１と第１の活性層２３を含む第１の半導体層２０とを有し、第２の共振器１３は、第２のバッファ層３１と第２の活性層３３を含む第２の半導体層３０とを有している。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises a buffer layer 21 formed on a substrate 10 (a silicon substrate 10a), a channel layer 22 formed on the buffer layer 21, and a barrier layer 23 formed on the channel layer 22 and forming a heterojunction with the channel layer 22.例文帳に追加

半導体装置１は、基板１０（シリコン基板１０ａ）の上に形成されたバッファ層２１と、バッファ層２１の上に形成されたチャネル層２２と、チャネル層２２の上に形成され、チャネル層２２とヘテロ接合を構成する障壁層２３とを備える。 - 特許庁

The electrode for the fuel cell is formed by forming a binder layer (a buffer layer) containing a thickening agent on the gas diffusion layer, and laminating the electrode catalyst layer containing the catalyst particles and the polymer electrolyte on the binder layer (the buffer layer).例文帳に追加

ガス拡散層上に増粘剤を含む結着剤層（バッファ層）が設けられ、該結着剤層（バッファ層）上に触媒粒子及び高分子電解質を含む電極触媒層が積層されていることを特徴とする燃料電池用電極。 - 特許庁

This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。 - 特許庁

When a free capacity of a basic layer buffer of the wireless terminal 102 is small and a number of free residual capacities exist in an extension layer buffer, the moving picture distribution server 101 determines that the basic layer buffer sufficiently stores the preceding basic layer data and distributes extension layer data.例文帳に追加

無線端末１０２の基本レイヤ用バッファの空き残量が少なく、拡張レイヤ用バッファの空き残量が多い場合、動画配信サーバ１０１は、基本レイヤ用バッファに先行する基本レイヤ用データが充分蓄積されていると判断し、拡張レイヤ用データを配信する。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: a metal support; an amorphous buffer layer disposed on the metal support; a crystalline adhesion layer that is disposed on the buffer layer and is composed of the same element as the element contained in the buffer layer; and an optical semiconductor stack that is disposed above the adhesion layer and has a p-n junction.例文帳に追加

金属支持体と、前記金属支持体上に配置される非晶質の緩衝層と、前記緩衝層上に配置され、該緩衝層と同じ元素で構成された結晶質の密着層と、前記密着層上方に配置され、ｐｎ接合を有する光半導体積層と、を含む。 - 特許庁

The buffer layer 22 has a multiple layer structure, in which the ninth layer 9 which is made to contact the eighth layer 8 of the reflection reducting layer 21 is constituted of the intermediate refractive index material.例文帳に追加

緩衝層２２は、反射低減層２１の第８層８と接する第９層９が上記の中間屈折率材料によって構成された多層構造を有する。 - 特許庁

Ohmic contact is formed by intentionally providing the metal oxide layer as the buffer layer between the source electrode layer and the drain electrode layer, and the semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The buffer layer 3 is obtained by sealing a magnetic body in a binder.例文帳に追加

この緩衝層３は、バインダー中に磁性体を封入したものである。 - 特許庁

The multifunctional handwriting flexible board includes at least a name plate, a linear board, a buffer layer, and a circuit board.例文帳に追加

少なくとも銘板と、リニアボードと、緩衝層と、回路板とを含む。 - 特許庁

METHOD OF FORMING BUFFER LAYER AND THIN-FILM SOLAR CELL THEREWITH例文帳に追加

バッファー層形成方法及びこのバッファー層を有する薄膜太陽電池 - 特許庁

The buffer layer has flame retardancy and a high ultraviolet curing rate.例文帳に追加

前記緩衝層は、難燃性であり、速い紫外線硬化速度を有している。 - 特許庁

A buffer layer may be disposed between the substrate 12 and the functional film 14.例文帳に追加

なお、基板１２と機能性膜１４の間に、バッファ層を設けてもよい。 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING BUFFER LAYER FORMED ON LOWER ELECTRODE例文帳に追加

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子 - 特許庁

A plurality of inputted bit streams are stored in a buffer, and header information and slice information of respective layers above a picture layer including the picture layer are stored in the buffer.例文帳に追加

入力された複数のビットストリームがバッファに格納されると共に、ピクチャ層以上の各階層のヘッダ情報と、スライス情報とがバッファに格納される。 - 特許庁

When light wave-guided into a first electrode is fully reflected from an interface between the first electrode and a buffer layer, evanescent light is produced on the side of the buffer layer.例文帳に追加

第１電極内を導波する光が、第１電極とバッファ層の界面で全反射した場合、バッファ層側にエバネッセント光が生じる。 - 特許庁

An SiN buffer body is discretely formed on a board 10, over which a GaN buffer layer is formed at a low temperature, and a GaN semiconductor layer 16 thereon at a high temperature.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体を離散的に形成し、その上に低温でＧａＮバッファ層、高温でＧａＮ半導体層１６を形成する。 - 特許庁

By selectively forming the buffer layer 510 in the region where the thin film active device 90 possesses, the periphery of the patterned buffer layer 510 acts as notches.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０が占める領域部分に選択的にバッファ層５１０を形成すれば、パターン化したバッファ層５１０の周囲が切り込みになる。 - 特許庁

A means of preparing nucleation for a high-temperature buffer layer of AlGaN at low temperature and then growing the high-temperature buffer layer of AlGaN is employed.例文帳に追加

ＡｌＧａＮの高温バッファ層用の結晶核を低温で作成し、引き続いてＡｌＧａＮの高温バッファ層を成長させる手段を採用した。 - 特許庁

In this embodiment, an inner thin component of the buffer layer is made of an ethylene/ethyl acrylate resin so as to facilitate stripping the buffer layer away from the fiber.例文帳に追加

この実施例において、緩衝層の内側の薄い部分はファイバから緩衝層を容易に剥がせるようにエチレン／エチルアクリレート樹脂で作られる。 - 特許庁

This OLED comprises a positive electrode, a negative electrode, a hole transport layer provided between the positive electrode and the negative electrode, the self-buffer layer provided between the hole transport layer and the negative electrode, and a light-emitting layer provided between the self-buffer layer and the negative electrode.例文帳に追加

正極及び負極、正極と負極との間に設けられる正孔輸送層、正孔輸送層と負極との間に設けられる自己バッファ層、及び自己バッファ層と負極との間に設けられる発光層を備える。 - 特許庁

In a field-effect transistor wafer in which a buffer layer 2, a channel layer 3, a spacer layer 4, and a carrier supply layer 5 grow on a semi-insulation substrate 1 of GaAs, the buffer layer 2 is constituted of carbon- doped GaInP.例文帳に追加

ＧａＡｓの半絶縁性基板１の上に、バッフア層２、チャネル層３、スペーサ層４およびキャリア供給層５を成長させた電界効果トランジスタ用ウエハにおいて、炭素をドーピングしたＧａＩｎＰによりバッファ層２を構成する。 - 特許庁

A crystal layer 13 is formed on one surface side of a substrate 11 for growing a crystal via a buffer layer 12.例文帳に追加

成長用基板１１の一面側にバッファ層１２を介して結晶層１３が設けられている。 - 特許庁

Therefore, UV light can be extracted in either direction of the buffer layer 5 or the protective layer 7.例文帳に追加

したがって、バッファ層５または保護層７のいずれの方向にもＵＶ光を取り出すことができる。 - 特許庁

The electronic component 51 further comprises a buffer conductor layer 95 and a capacitor conductor layer 93.例文帳に追加

電子部品５１は、更に、緩衝用導体層９５およびキャパシタ用導体層９３を備えている。 - 特許庁

A first AlGaN layer 13 is formed on a sapphire substrate 11 through a low-temperature buffer layer 12.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、低温バッファー層１２を介して第一のＡｌＧａＮ層１３を形成する。 - 特許庁

The ground surface layer 40 is preferably a buffer layer to relieve the potential difference between the base material 2 and the film 3.例文帳に追加

下地層４０は、基材２と被膜３との電位差を緩和する緩衝層であるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device, in which a contact layer is prevented from directly contacting to a buffer layer.例文帳に追加

コンタクト層がバッファ層と直接接触することを阻止する半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

103-105 are grown on the Si substrate by UHVCVD, and a pure Ge layer of a low transfer density is grown on the Ge_xSi_1-x buffer layer.例文帳に追加

低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 - 特許庁

The gas pipe 1 mainly includes a pipe body 3, a reinforced layer 5, a buffer layer 7, an outer pipe 9, and the like.例文帳に追加

ガス用配管１は、主に、管体３、補強層５、緩衝層７、外管９等から構成される。 - 特許庁

A light emitting function semiconductor region 3 including a gallium semiconductor layer is disposed on the buffer layer 2.例文帳に追加

このバッファ層２の上に窒化ガリウム系半導体層を含む発光機能半導体領域３を設ける。 - 特許庁

A buffer 104 stores coding data of the base layer coding unit 101 and the enhancement layer coding unit 103.例文帳に追加

バッファ１０４は、ベースレイヤ符号化部１０１、エンハンスメントレイヤ符号化部１０３の符号化データを格納する。 - 特許庁

Water can also be supplied to a dried layer by reversely diffusing the water of the hydrophilic buffer layer.例文帳に追加

親水性バッファー層７の水を逆拡散させ、乾燥した層に水を供給することもできる。 - 特許庁

Water produced in the catalyst layer 2 is absorbed in the hydrophilic buffer layer 7.例文帳に追加

これによって、触媒層２において生成される水が、親水性バッファー層７において吸収される。 - 特許庁

A buffer layer 11 is formed as a thermal-conduction suppressing layer on an upper surface of a substrate 10 made of plastic.例文帳に追加

プラスチック製の基板１０の上面に熱伝導抑制層としてバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

A buffer layer 2 or a crystal layer above it is set as a photosensitive layer which receives a light L1 and emitting photo luminescence L2.例文帳に追加

バッファ層２またはその上方の結晶層を、光Ｌ１を受けてフォトルミネセンス光Ｌ２を発する光感応層とする。 - 特許庁

In addition, the organic electroluminescence element is provided in which a stress buffer layer is added between the antistatic layer and the gas barrier layer.例文帳に追加

また、上記帯電防止層とガスバリア層の間に応力緩衝層を付加した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

Then a buffer layer made of carbon is provided between the active layer and source electrode, and the active layer and drain electrode.例文帳に追加

そして、活性層とソース電極の間および活性層とドレイン電極の間には、炭素製のバッファ層が設けられてなる。 - 特許庁

A buffer layer 11, a non-doped gallium nitride layer 12 and an n-type gallium nitride active layer 13 are formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、バッファ層１１、ノンドープの窒化ガリウム層１２及びｎ型窒化ガリウム活性層１３を形成する。 - 特許庁